一種高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是可集成到芯片內(nèi)部的高響應(yīng)速度、低溫度 系數(shù)的復(fù)位電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著大規(guī)模集成電路的高速發(fā)展，復(fù)位電路可以說是在每個(gè)1C芯片電路中都有 的電路模塊，多用于數(shù)字系統(tǒng)做異步復(fù)位信號(hào)，檢測(cè)電源電壓是否正常上、下電，保證電路 內(nèi)部數(shù)字邏輯的正確性。
[0003]復(fù)位電壓要求在電源各種上、下電情況下都能給出正確的復(fù)位信號(hào)，所以該電路 所包含的電壓檢測(cè)電路就不能采用常規(guī)的靠采樣電路對(duì)電源電壓采樣，利用模擬比較器將 采樣電壓與BANDGAP輸出的基準(zhǔn)電壓做比較的方法實(shí)現(xiàn)，這是由于BANDGAP電路本身存在 啟動(dòng)電壓，在低于啟動(dòng)電壓的情況下，GANDGAP不能給出正確的基準(zhǔn)電壓，會(huì)導(dǎo)致比較器輸 出結(jié)果在電源電壓上電過程中不正確，不能準(zhǔn)確的提供系統(tǒng)復(fù)位。
[0004] 參看圖1，現(xiàn)有技術(shù)中，集成電路里常用的復(fù)位電路包括分壓電路和電壓檢測(cè)電 路。分壓電路由限流電阻(或者是有源電阻、電流源）和柵極與漏極相連的NM0S晶體管組 成，由于復(fù)位電阻要符合低功耗的要求，限流電阻R1必須很大，所以流過Ml晶體管的電流 Idsi很小，并通過飽和區(qū)晶體管電流公式：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路，其特征在于，它包括依次相連接的電壓采 樣電路（101 )、電壓檢測(cè)電路（102)和輸出電路（103);所述電壓采樣電路（101)包括第一電 阻（Rl)，第一電阻（Rl)的一端接電源VDD，第一電阻（Rl)的另一端接第一 NMOS晶體管（Ml) 的漏極和柵極，第一 NMOS晶體管（Ml)的源極接第二NMOS晶體管（M2)的漏極，第二NMOS晶 體管（M2)的柵極接第一 NMOS晶體管（Ml)的漏極，第一 NMOS晶體管（Ml)的柵極和第二 NMOS晶體管（M2)的柵極連接到第一 NMOS晶體管（Ml)的漏極，第二NMOS晶體管（M2)的源 極接地VSS ;所述電壓檢測(cè)電路（102)包括第一 CMOS反相器和第一電容（Cl)，第一 CMOS反 相器的輸入端接到電壓采樣電路（101)中第一 NMOS晶體管（Ml)的源極和第二NMOS晶體 管（M2)的漏極，第一 CMOS反相器包括第一 PMOS晶體管（MO)和第三NMOS晶體管（M3);第 一電容（Cl)的一端接第一 CMOS反相器的輸入端，第一電容（Cl)的另一端接地VSS ;所述 輸出電路（103)包括依次相連接的第一施密特觸發(fā)器（SI)、第二CMOS反相器和第三CMOS 反相器，第一施密特觸發(fā)器（SI)的輸入端接電壓檢測(cè)電路（102)的輸出端，第三CMOS反相 器的輸出端輸出一個(gè)有效的復(fù)位信號(hào)（P0RN)，第二CMOS反相器包括第四PMOS晶體管（M4) 和第五NMOS晶體管（M5)，第三CMOS反相器包括第七PMOS晶體管（M7)和第六NMOS晶體管 (M6 );輸出電路（103 )的輸出連接到延時(shí)電路的輸入端，延時(shí)電路根據(jù)電路系統(tǒng)的復(fù)位要求 調(diào)節(jié)輸出復(fù)位信號(hào)時(shí)間的長(zhǎng)短和對(duì)復(fù)位信號(hào)整形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路，其特征在于，所述第一 NMOS晶體管（Ml)為原生NMOS晶體管，第一 NMOS晶體管（Ml)采用的低開啟電壓值在0? 0. 3V，第二NMOS晶體管（M2)采用的標(biāo)準(zhǔn)開啟電壓值在0. 3V?0. 7V。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路，其特征在于，所述 第一電阻（Rl)采用電流源、無源電阻或者有源器件PMOS晶體管。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路，其特征在于，所述電壓 檢測(cè)電路（102)中的第一電容（Cl)采用原生電容。
【專利摘要】一種高響應(yīng)速度、低溫度系數(shù)的復(fù)位電路，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括依次相連接的電壓采樣電路、電壓檢測(cè)電路和輸出電路。所述電壓采樣電路包括第一電阻、第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的漏極。所述電壓檢測(cè)電路包括第一CMOS反相器和第一電容，第一CMOS反相器包括第一PMOS晶體管和第三NMOS晶體管。所述輸出電路包括依次相連接的第一施密特觸發(fā)器、第二CMOS反相器和第三CMOS反相器。輸出電路的輸出連接到延時(shí)電路的輸入端，延時(shí)電路根據(jù)電路系統(tǒng)的復(fù)位要求調(diào)節(jié)輸出復(fù)位信號(hào)時(shí)間的長(zhǎng)短和對(duì)復(fù)位信號(hào)整形。本發(fā)明是一種具備高響應(yīng)速度、接近零溫度系數(shù)的復(fù)位電路，能充分保證復(fù)位電路工作的可靠性。
【IPC分類】H03K17-28, H03K17-22
【公開號(hào)】CN104579263
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310477759
【發(fā)明人】霍俊杰, 邰曉鵬, 孫志亮, 李俠, 侯艷, 岳超, 黃鈞, 陳震
【申請(qǐng)人】北京同方微電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月14日