專(zhuān)利名稱(chēng):能以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)減小寬頻帶上的噪聲的多層接線板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多層接線板，并且特別地，涉及具有電源層和地層之間的電容器功能以用于板的噪聲抑制的多層接線板。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)于便攜式電子設(shè)備，比如便攜式電話和筆記本個(gè)人電腦，已要求減小尺寸和重量以及要求有先進(jìn)的功能性。隨之而導(dǎo)致對(duì)于用在半導(dǎo)體或LSI封裝等等中的電路板，除要求高密度配線以及減小尺寸和重量外，還要求增加傳輸速度。
然而，隨著信號(hào)速度上的增加，引發(fā)了這樣一個(gè)問(wèn)題，即在低速時(shí)不成問(wèn)題的噪聲防礙了信息的傳輸。為了增加傳輸速度，要求電路板設(shè)計(jì)能減小噪聲。
通常地，已采用一種通過(guò)在多層接線板上安裝去耦電容器來(lái)減小電子噪聲的方法。
然而，近年來(lái)信號(hào)傳輸頻率已愈來(lái)愈增高，并且隨之而導(dǎo)致安裝在板上的電容器數(shù)量也增加。使用很多電容器使得配線設(shè)計(jì)變難，例如，使得不可能在元件之間提供最短的配線并且使得難以實(shí)現(xiàn)同步，此外，它防礙了電路板的小型化并且引起了成本上的增加。
由于這一點(diǎn)，近年來(lái)，已經(jīng)提出了一種減小電子噪聲的方法，該方法是通過(guò)在LSI封裝等等的多層接線板中提供由高介電常數(shù)材料制成的層、并且因此結(jié)合一種適于用作多層接線板中的電容器的結(jié)構(gòu)。這樣的技術(shù)被公開(kāi)在例如日本未經(jīng)審查的實(shí)用新型申請(qǐng)公布(JP-U)No.Hei07-10979或日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公布(JP-A)No.2002-217545中。在這個(gè)方法中，由于電容器可以正好被布置在一個(gè)LSI下面，并且該LSI和該電容器可以由一條與安裝在板上的去耦電容器的情況相比短得多的線來(lái)連接到一起、且因此可以減小電路寄生電感，而由此使得能夠減小LSI電源的噪聲。
然而，關(guān)于在JP-U No.Hei 07-10979中公開(kāi)的多層接線板，存在這樣的問(wèn)題，即對(duì)于不能由結(jié)合在多層接線板中的高介電常數(shù)材料消除的頻帶中的噪聲，仍需在板上或LSI封裝上增加去耦電容器。
此外，關(guān)于公開(kāi)在JP-A No.2002-217545中的多層接線板，由于為每個(gè)由電源層和地層組成的電源-地層對(duì)提供一個(gè)電容層，所以總層數(shù)很多并且結(jié)構(gòu)很復(fù)雜，且因此電路板的小型化不能充分實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種多層接線板，其可以使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來(lái)在寬頻帶上減小板中的噪聲。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種多層接線板，包括第一、第二和第三傳導(dǎo)層，形成在該第一和該第二傳導(dǎo)層之間的第一絕緣層，以及形成在該第二和該第三傳導(dǎo)層之間的第二絕緣層。所述第一和第二絕緣層在電容上相互不同。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種多層接線板，包括第一、第二、第三和第四傳導(dǎo)層、形成在該第一和該第二傳導(dǎo)層之間的第一絕緣層、形成在該第二和該第三傳導(dǎo)層之間的第二絕緣層，以及形成在該第三和該第四傳導(dǎo)層之間的第三絕緣層。所述第一、第二和第三絕緣層中的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
根據(jù)本發(fā)明的又另一個(gè)方面，提供了一種多層接線板，包括一個(gè)內(nèi)傳導(dǎo)層，該內(nèi)傳導(dǎo)層夾在第一和第二絕緣層之間并且還夾在兩個(gè)外傳導(dǎo)層之間。內(nèi)傳導(dǎo)層充當(dāng)電源層和地層中的一個(gè)。每個(gè)外傳導(dǎo)層充當(dāng)電源層和地層中的另一個(gè)。所述第一和第二絕緣層在電容上相互不同。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種多層接線板，包括一個(gè)內(nèi)傳導(dǎo)層，該內(nèi)傳導(dǎo)層夾在第一和第二絕緣層之間并且還夾在兩個(gè)外傳導(dǎo)層之間，以及包括通過(guò)一個(gè)第三絕緣層形成在所述外傳導(dǎo)層之一上的一個(gè)另外的外傳導(dǎo)層。內(nèi)傳導(dǎo)層充當(dāng)電源層和地層中的一個(gè)。每個(gè)外傳導(dǎo)層充當(dāng)電源層和地層中的另一個(gè)。所述另外的外傳導(dǎo)層充當(dāng)副電源層或副地層。所述第一、第二和第三絕緣層中的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種多層接線板制造方法，包括步驟在第一電容層的兩面上形成傳導(dǎo)層，由此制成一個(gè)第一構(gòu)件，在第二電容層的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層，由此制成一個(gè)第二構(gòu)件，且通過(guò)按壓將該第一和第二構(gòu)件堆疊在一起，使得該第二構(gòu)件的、未形成有傳導(dǎo)層的表面對(duì)接到該第一構(gòu)件的傳導(dǎo)層之一上。第一和第二電容層在電容上相互不同。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供了一種多層接線板制造方法，包括步驟在第一電容層的兩面上形成傳導(dǎo)層，由此制成一個(gè)第一構(gòu)件，在第二電容層的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層，由此制成一個(gè)第二構(gòu)件，在第三電容層的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層，由此制成一個(gè)第三構(gòu)件，且通過(guò)按壓將第一、第二和第三構(gòu)件堆疊在一起，使得該第二構(gòu)件的、未形成有傳導(dǎo)層的表面對(duì)接到該第一構(gòu)件的傳導(dǎo)層中的一個(gè)傳導(dǎo)層上，并且該第三構(gòu)件的、未形成有傳導(dǎo)層的表面對(duì)接到該第一構(gòu)件的傳導(dǎo)層中的另一個(gè)傳導(dǎo)層上。第一、第二和第三電容層的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
圖1是一個(gè)常規(guī)的多層接線板的透視圖；圖2是沿圖1中的線2-2所取的、所述多層接線板的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的透視圖；圖4是沿圖3中的線4-4所取的所述多層接線板的截面圖；圖5是示出了使用圖3和4中的多層接線板來(lái)模擬阻抗相對(duì)于頻率變化的例子的圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的變型的一個(gè)多層接線板的截面圖；圖7A至7D是制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的多層接線板的方法的圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的截面圖；圖9A至9D是制造根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的多層接線板的方法的圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的截面圖；以及圖12A至12E是根據(jù)本發(fā)明的第五至第九實(shí)施例的多層接線板的截面圖。
具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明，將首先描述一個(gè)常規(guī)的多層接線板。
圖1是所述常規(guī)的多層接線板的透視圖。
在圖1中，多層接線板80包括由通常用于電路板中的絕緣材料制成并且具有同樣的低電容的低電容層811和812，并且包括一個(gè)具有高于低電容層811和812的每一個(gè)的電容的高電容層82。所述低電容層811和812分別被布置在多層接線板80的背面和其正面，其中電子元件60比如LSI芯片安裝在該正面。在多層接線板80上，安裝了去耦電容器90用于減小LSI芯片的電源噪聲。
圖2是沿圖1中的線2-2所取的所述多層接線板的截面圖。
布置在多層接線板80的背面和正面上的低電容層811和812上的傳導(dǎo)層分別為信號(hào)層831和832。信號(hào)層831和832經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件60比如LSI芯片。在兩個(gè)信號(hào)層831和832之間，低電容層811、電源層85、高電容層82、地層84、以及低電容層812以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。電子元件60比如LSI芯片分別經(jīng)由地通孔(ground via)87和電源通孔(power supply via)88連接到地層84和電源層85。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明，一個(gè)多層接線板結(jié)合了表現(xiàn)兩個(gè)或多個(gè)電容器功能的結(jié)構(gòu)。因此，有可能減小寬頻帶上的噪聲，并且此外，有可能減小去耦電容器的數(shù)量或全部除去它們。
此外，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)，其中包括電源層和地層、在其間帶有具電容的絕緣層的電源-地層對(duì)中的至少一個(gè)還用于另一個(gè)電源-地層對(duì)。因此，存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
在下文中，本發(fā)明的實(shí)施例將參照附圖詳細(xì)加以描述。
〔第一實(shí)施例〕圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的透視圖。
多層接線板10包括由通常用于電路板中的絕緣材料制成并且在傳導(dǎo)層之間具有同樣的低電容的低電容層111和112，以及包括兩個(gè)各自在傳導(dǎo)層之間具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容的高電容層121和122。
低電容層111和112分別被布置在多層接線板10的背面和其正面，其中電子元件60比如LSI芯片安裝在該正面。
高電容層121和122具有相互不同的電容并且被布置為彼此相鄰。
圖4是沿圖3中的線4-4所取的所述多層接線板的截面圖。
布置在多層接線板10的背面和正面上的低電容層111和112上的傳導(dǎo)層分別為信號(hào)層131和132。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件60比如LSI芯片上。在兩個(gè)信號(hào)層131和132之間，低電容層111、地層141、高電容層121、電源層15、高電容層122、地層142、以及低電容層112以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
信號(hào)層131和132、地層141和142、以及電源層15可以為銅箔的形式，但并不限于此，并且可以由通常用于多層接線板的傳導(dǎo)層的材料制成。
如上所述，本發(fā)明的多層接線板10通過(guò)將電源層15夾在具有相互不同的電容的高電容層121和122之間、還將它們夾在地層141和142之間、以及還經(jīng)由低電容層111和112將它們夾在信號(hào)層131和132之間來(lái)形成。
信號(hào)層131和132分別包括地線、電源線、和信號(hào)線。地通孔17形成在信號(hào)層131和132的地線以及地層141和142之間。電源通孔18形成在信號(hào)層131和132的電源線以及電源層15之間。盡管未示出，可以在背面的信號(hào)層131的信號(hào)線與正面的信號(hào)層132的信號(hào)線之間形成一個(gè)通孔。如圖4所示，可以安排信號(hào)層131和132的地線和電源線位于同樣的水平位置，即在垂直于信號(hào)層131和132的方向上的相同位置，并且地通孔17和電源通孔18穿過(guò)多層接線板10以便分別連接到信號(hào)層131和132的地線和電源線。
基本地，地層141和142與電源層15分別在避免對(duì)電源通孔18和地通孔17的干擾的最大范圍內(nèi)形成。
低電容層111和112的絕緣材料例如具有約2到5的相對(duì)介電常數(shù)。低電容層111和112的絕緣材料例如通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得，但是并不限于此。例如假定利用具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)的材料并且其厚度被設(shè)置為200μm，則每單位面積的電容約為0.2pF/mm2。
高電容層122的電容被設(shè)置為可以替代適于吸收高頻噪聲的小電容去耦電容器的電容的值。如下面的公式(1)所規(guī)定的，電容器的電容C與電極面積A和電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)εr成比例，并且與電極之間的距離d成反比。
C＝ε0·εr·A/d...(1)(ε0真空介電常數(shù))例如，使用與低電容層111和112同樣的具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)的絕緣材料并且設(shè)置其厚度為50μm，電容被設(shè)置為0.78pF/mm2。
高電容層121的電容被設(shè)置為可以替代適合于吸收電源紋波電壓等等的大電容去耦電容器的電容的值，并且優(yōu)選地設(shè)置為2pF/mm2或更大。在這個(gè)實(shí)施例中，作為高電容層121的絕緣材料，利用其介電常數(shù)與高電容層122的介電常數(shù)相比增加的材料。例如，利用了通過(guò)將鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物填充到有與高電容層122同樣的絕緣材料的環(huán)氧樹(shù)脂而獲得的材料，以便獲得16的相對(duì)介電常數(shù)。通過(guò)設(shè)置其厚度為50μm，高電容層121的電容被設(shè)置為2.8pF/mm2。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，高電容層121和122的電介質(zhì)材料分別具有相互不同的電容。這樣的效果將參照?qǐng)D5來(lái)解釋。
圖5是示出了使用圖3和4中的多層接線板、模擬阻抗相對(duì)于頻率變化的例子的圖。由電源層15、高電容層122和地層142形成的第一電容器在400MHz附近展現(xiàn)最低阻抗。另一方面，由電源層15、高電容層121和地層141形成的第二電容器在1MHz附近展現(xiàn)最低阻抗。于是，具有這兩者的本實(shí)施例的多層接線板在兩個(gè)頻率處，即1MHz和400MHz附件展現(xiàn)那些低阻抗。因此，展示了當(dāng)具有相互不同的電容的電容器被一起提供時(shí)，分別在對(duì)應(yīng)的頻帶上獲得了噪聲減小的效果。
此外，這個(gè)實(shí)施例被如此配置，使得具有插入其間的高電容層122的、包括電源層15和地層142的電源-地層對(duì)的電源層15，還用于具有插入其間的高電容層121的另一個(gè)電源-地層對(duì)。因此，存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
現(xiàn)在，將描述本實(shí)施例的一個(gè)變型。圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的變型的一個(gè)多層接線板的截面圖。與圖3和4中的那些相同的符號(hào)代表同樣的或相當(dāng)?shù)脑?br> 這個(gè)變型與圖3和4的實(shí)施例不同的地方在于，具有比高電容層122高的電容的高電容層121’通過(guò)減小具有與高電容層122相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度來(lái)形成。
高電容層121’由與低電容層111和112以及高電容層122同樣的絕緣材料組成，具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)，并且例如通過(guò)設(shè)置其厚度為25μm，電容被設(shè)置為1.56pF/mm2。使用這樣的構(gòu)造，由于各層由同樣的絕緣材料制成，即未利用對(duì)各層具有不同介電常數(shù)的絕緣材料，所以低電容層111和112以及高電容層121’和122的熱膨脹系數(shù)等等彼此相等，因此帶來(lái)了更高的可靠性。
現(xiàn)在參照?qǐng)D7A至7D，將描述制造根據(jù)該實(shí)施例的多層接線板的方法。
(過(guò)程1)制備了樹(shù)脂形成的(resin-formed) 銅箔或覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，各包括對(duì)應(yīng)層的一個(gè)絕緣構(gòu)件和附接到該絕緣構(gòu)件的一面或兩面的每一面的銅箔。
特別地，為了制造根據(jù)如圖3和4所示的本實(shí)施例的板，分別制備如圖7A所示的作為第一構(gòu)件的一核心構(gòu)件(雙覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件)A103、作為第二構(gòu)件的一覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A102、作為第三構(gòu)件的一覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A101、以及作為第四構(gòu)件的一覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A104。
覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A101是使得銅箔A131附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和200μm厚度的構(gòu)件A111的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A102是使得銅箔A141附接到具有16的相對(duì)介電常數(shù)和50μm厚度的構(gòu)件A121的一面，其通過(guò)用填充有鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物的環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。核心構(gòu)件A103是使得銅箔A15和A142附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和50μm厚度的構(gòu)件A122的兩面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A104是使得銅箔A132附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和200μm厚度的構(gòu)件A112的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。
當(dāng)制造根據(jù)如圖6所示的變型的板時(shí)，代替覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A102，制備了這樣一種覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，其中銅箔被附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和25μm厚度的構(gòu)件的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。
銅箔A15、銅箔A141和A142、以及銅箔A131和A132都通過(guò)蝕刻來(lái)形成有電路。
(過(guò)程2)如圖7B所示，在過(guò)程1中制備的核心構(gòu)件A103和覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A102通過(guò)按壓來(lái)堆疊在一起以形成一個(gè)基結(jié)構(gòu)。
(過(guò)程3)如圖7C所示，覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A101和A104分別從過(guò)程2中形成的基結(jié)構(gòu)的下側(cè)和上側(cè)而構(gòu)建在該基結(jié)構(gòu)上。
在過(guò)程1至3中，堆疊了五個(gè)銅箔并且因此構(gòu)成了一個(gè)五層板。銅箔A15對(duì)應(yīng)圖4中的電源層15，銅箔A141和A142對(duì)應(yīng)圖4中的地層141和142，而銅箔A131和A132對(duì)應(yīng)圖4中的信號(hào)層131和132。
(過(guò)程4)如圖7D所示，地通孔17、電源通孔18等等在所述堆疊之后形成，使得將充當(dāng)信號(hào)層131和132的銅箔A131和A132經(jīng)由地通孔17被連接到將充當(dāng)?shù)貙?41和142的銅箔A141和A142上，并且經(jīng)由電源通孔18被連接到將充當(dāng)電源層15的銅箔A15上。其后，電子元件60比如LSI芯片被安裝在銅箔A132上并且經(jīng)由接合線與其連接。
如上所述，本發(fā)明的多層接線板通過(guò)以下方式來(lái)制造制備各具有絕緣構(gòu)件的、將充當(dāng)高電容層的覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，且該銅箔被附接到該絕緣構(gòu)件的一面或兩面的每一面，形成帶有電路的銅箔，按壓該覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，構(gòu)建各具有絕緣構(gòu)件的、將充當(dāng)?shù)碗娙輰拥母层~箔的樹(shù)脂構(gòu)件，并且然后形成地通孔、電源通孔等等。因此，可以比順序逐一形成各層更有效且更容易地制造它。
〔第二實(shí)施例〕現(xiàn)在，參照?qǐng)D8，將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一個(gè)多層接線板，其中結(jié)合了三個(gè)不同的高電容層。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的多層接線板的截面圖。
多層接線板20包括低電容層111和112以及三個(gè)高電容層121、122和123，該低電容層由通常用于電路板中的絕緣材料制成且具有相對(duì)較的低介電常數(shù)，以及各夾在傳導(dǎo)層之間，該高電容層各具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容。
低電容層111和112分別被布置在多層接線板20的背面和其正面，其中電子元件60比如LSI芯片安裝在該正面。
高電容層121、122和123具有相互不同的電容并且被布置為彼此相鄰。
布置在多層接線板20的背面和正面上的低電容層111和112上的傳導(dǎo)層分別為信號(hào)層131和132。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件60比如LSI芯片上。
在高電容層123和低電容層112之間的傳導(dǎo)層以及在高電容層121和122之間的傳導(dǎo)層分別為地層142和141。此外，在高電容層122和123之間的傳導(dǎo)層以及在高電容層121和低電容層111之間的傳導(dǎo)層分別為電源層152和151。信號(hào)層131和132、地層141和142、以及電源層151和152可以為銅箔的形式，但并不限于此，并且如同第一實(shí)施例中的信號(hào)層、地層和電源層，可以由通常用于多層接線板的傳導(dǎo)層的材料制成。
如上所述，該實(shí)施例結(jié)合了各對(duì)應(yīng)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)。即，該實(shí)施例包括第一結(jié)構(gòu)，其中電源層152夾在具有相互不同的電容的高電容層122和123之間，并且還夾在地層141和142之間，還包括第二結(jié)構(gòu)，其中地層141夾在具有相互不同的電容的高電容層121和122之間，并且還夾在電源層151和152之間。這些第一和第二結(jié)構(gòu)各對(duì)應(yīng)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
地通孔17形成在信號(hào)層131和132的地線以及地層141和142之間。電源通孔18形成在信號(hào)層131和132的電源線以及電源層151和152之間。在正面的信號(hào)層132的信號(hào)線與背面的信號(hào)層131的信號(hào)線之間可以形成一個(gè)通孔。還在本實(shí)施例中，如圖8所示，可以安排信號(hào)層131和132的地線和電源線位于同樣的水平位置，并且地通孔17和電源通孔18穿過(guò)多層接線板20以便分別連接到信號(hào)層131和132的地線和電源線。
還在本實(shí)施例中，地層141和142與電源層151和152基本地分別形成在避免對(duì)電源通孔18和地通孔17的干擾的最大范圍內(nèi)。
如同第一實(shí)施例中，低電容層111和112的絕緣材料例如具有約2到5的相對(duì)介電常數(shù)。低電容層111和112的絕緣材料例如通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得，但是并不限于此。例如假定利用具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)的材料并且其厚度被設(shè)置為200μm，則每單位面積的電容約為0.2pF/mm2。
高電容層123的電容被設(shè)置為可以替代適合于吸收高頻噪聲的小電容去耦電容器的電容的值。例如，如同在第一實(shí)施例的高電容層122的情況中，使用與低電容層111和112相同的絕緣材料，該絕緣材料具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)并且設(shè)置其厚度為50μm，該電容被設(shè)置為0.78pF/mm2。
高電容層122的電容被設(shè)置為可以替代適合于吸收電源紋波電壓等等的大電容去耦電容器的電容的值，并且優(yōu)選地設(shè)置為2至5pF/mm2。在這個(gè)實(shí)施例中，作為高電容層122的絕緣材料，利用其介電常數(shù)與高電容層123的介電常數(shù)相比增加的材料。例如，如同在第一實(shí)施例的高電容層121的情況中，利用了通過(guò)將鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物填充到與高電容層123有同樣絕緣材料的環(huán)氧樹(shù)脂中而獲得的材料，以便獲得16的相對(duì)介電常數(shù)。通過(guò)設(shè)置其厚度為50μm，高電容層122的電容被設(shè)置為2.8pF/mm2。
高電容層121的電容被設(shè)置為可以替代還要更大的電容的去耦電容器的電容值，并且優(yōu)選地設(shè)置為5pF/mm2或更大。在這個(gè)實(shí)施例中，作為高電容層121的絕緣材料，利用其介電常數(shù)與高電容層122的介電常數(shù)相比增加的材料。例如，利用通過(guò)將更大量的鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物填充到與高電容層123有同樣絕緣材料的環(huán)氧樹(shù)脂中而獲得的材料，以便獲得40的相對(duì)介電常數(shù)。通過(guò)設(shè)置其厚度為30μm，高電容層121的電容被設(shè)置為11pF/mm2。
如上所述，在本實(shí)施例中，由于高電容層121、122和123的至少兩個(gè)的電容相互不同，所以在多個(gè)頻帶中獲得了噪聲減小的效果。
代替高電容層122和123，各具有比高電容層121更小電容的高電容層可以通過(guò)增加具有與高電容層121相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度來(lái)形成。另一方面，代替高電容層122和123，可利用通過(guò)分別減小和增加具有與高電容層121相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度而獲得的高電容層。使用這樣的構(gòu)造，由于高電容層由同樣的絕緣材料制成，所以各層的熱膨脹系數(shù)等等彼此相等，因此帶來(lái)了更高的可靠性。
在這個(gè)實(shí)施例中，具有插入其間的高電容層123的、包括電源層152和地層142的電源-地層對(duì)的電源層152，還用于具有插入其間的高電容層122的另一個(gè)電源-地層對(duì)中。此外，具有插入其間的高電容層122的、包括電源層152和地層141的電源-地層對(duì)的地層141，還用于具有插入其間的高電容層121的又另一個(gè)電源-地層對(duì)中。因此，存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9A至9D，描述制造根據(jù)該實(shí)施例的多層接線板的方法。
(過(guò)程1)制備了樹(shù)脂形成的銅箔或覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，各包括該對(duì)應(yīng)層的一個(gè)絕緣構(gòu)件和附接到絕緣構(gòu)件的一面或兩面的每一面的銅箔。特別地，如圖9A所示，分別制備作為第一構(gòu)件的一種核心構(gòu)件(雙覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件)A203，作為第二構(gòu)件的一種覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A202，作為第三構(gòu)件的一種覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A204，作為第四構(gòu)件的一種覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A201，以及作為第五構(gòu)件的一種覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A205。
覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A201是使得銅箔A131附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和200μm厚度的構(gòu)件A111的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A202是使得銅箔A151附接到具有40的相對(duì)介電常數(shù)和30μm厚度的構(gòu)件A121的一面，其通過(guò)用填充有鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物的環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。核心構(gòu)件A203是使得銅箔A141和A152附接到具有16的相對(duì)介電常數(shù)和50μm厚度的構(gòu)件A122的兩面，其通過(guò)將填充有少量鈦酸鋇基的高介電常數(shù)填充物的環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A204是使得銅箔A142附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和50μm厚度的構(gòu)件A123的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A205是使得銅箔A132附接到具有4.2的相對(duì)介電常數(shù)和200μm厚度的構(gòu)件A112的一面，其通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃布并且干燥它們來(lái)獲得。
所有的銅箔都通過(guò)蝕刻而形成有電路。
(過(guò)程2)如圖9B所示，在過(guò)程1中制備的核心構(gòu)件A203和覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A202和A204通過(guò)按壓來(lái)堆疊在一起以形成一個(gè)基結(jié)構(gòu)。
(過(guò)程3)如圖9C所示，覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件A201和A205分別從過(guò)程2中形成的基結(jié)構(gòu)的下側(cè)和上側(cè)而構(gòu)建在該基結(jié)構(gòu)上。
在過(guò)程1至3中，堆疊了六個(gè)銅箔并且因此構(gòu)造了一個(gè)六層板。銅箔A141和A142對(duì)應(yīng)圖8中的地層141和142，銅箔A151和A152對(duì)應(yīng)圖8中的電源層151和152，并且銅箔A131和A132對(duì)應(yīng)圖8中的信號(hào)層131和132。
(過(guò)程4)如圖9D所示，地通孔17、電源通孔18等等在所述堆疊之后形成，使得將充當(dāng)信號(hào)層131和132的銅箔A131和A132經(jīng)由地通孔17連接到將充當(dāng)?shù)貙?41和142的銅箔A141和A142上，并且經(jīng)由電源通孔18連接到將充當(dāng)電源層151和152的銅箔A151和A152上。其后，電子元件60比如LSI芯片被安裝在將充當(dāng)信號(hào)層132的銅箔A132上并且經(jīng)由接合線與其連接。
如上所述，本發(fā)明的多層接線板通過(guò)以下方式來(lái)制造制備各具有絕緣構(gòu)件的、將充當(dāng)高電容層的覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，且該銅箔附接到該絕緣構(gòu)件的一面或兩面的每一面，形成帶有電路的銅箔，按壓覆銅箔的樹(shù)脂構(gòu)件，構(gòu)建各具有絕緣構(gòu)件的、將充當(dāng)?shù)碗娙輰拥母层~箔的樹(shù)脂構(gòu)件，并且然后形成地通孔、電源通孔等等。因此，可以比順序逐一形成各層更有效且更容易地制造它。
〔第三實(shí)施例〕圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的截面圖。
本發(fā)明的第三實(shí)施例具有這樣的結(jié)構(gòu)，使得如圖4中所示的第一實(shí)施例中的電源層和地層分別由地層和電源層來(lái)替代。因此，同樣的符號(hào)被賦予圖10中的元件，其與第一實(shí)施例中的那些相同或相當(dāng)，由此省略了對(duì)其的詳細(xì)解釋。
參照?qǐng)D10，在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的多層接線板30中，低電容層111、第一電源層15、高電容層121、地層14、高電容層122、第二電源層16、以及低電容層112以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在信號(hào)層131和132之間。
低電容層111和112分別布置在多層接線板30的背面上和其正面上，其中電子元件61和62比如LSI芯片被安裝在該正面上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、第一電源線、第二電源線和信號(hào)線。地通孔17形成在信號(hào)層131和132的地線以及地層14之間。第一電源通孔181形成在信號(hào)層131和132的第一電源線以及第一電源層15之間。第二電源通孔182形成在信號(hào)層131和132的第二電源線以及第二電源層16之間。
在一個(gè)具有各種電源的LSI封裝中，有可能為各個(gè)電源提供不同的高電容層，由此達(dá)到對(duì)于各個(gè)電源來(lái)說(shuō)在不同頻帶上的噪聲減小的效果。例如，假定由連接到第一電源層15的電源V1操作的LSI芯片61的電路的工作頻率為1GHz，而由連接到第二電源層16的電源V2操作的LSI芯片62的電路的工作頻率為100MHz，那么噪聲的頻帶也相互不同。因此，通過(guò)提供具有不同電容(高電容層121和122)的絕緣層，有可能適配于各個(gè)頻帶。
還在該實(shí)施例中，具有比高電容層122更大電容的高電容層121可以通過(guò)減小具有與高電容層122相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度來(lái)形成。相反地，具有比高電容層121小的電容的高電容層122可以通過(guò)增加具有與高電容層121同樣的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度來(lái)形成。使用這樣的結(jié)構(gòu)，由于高電容層由同樣的絕緣材料制成，所以各層的熱膨脹系數(shù)等等彼此相等，因此帶來(lái)了更高的可靠性。
此外，這個(gè)實(shí)施例還被配置使得具有插入其間的高電容層121的、包括第一電源層15和地層14的電源-地層對(duì)的地層14，還用于具有插入其間的高電容層122的另一個(gè)電源-地層對(duì)中。因此，存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
〔第四實(shí)施例〕圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一個(gè)多層接線板的截面圖。
本發(fā)明的第四實(shí)施例具有這樣的結(jié)構(gòu)使得如圖8中所示的第二實(shí)施例中的電源層和地層之間相互交換。因此，同樣的符號(hào)被賦予圖11中的元件，其與第二實(shí)施例中的那些相同或相當(dāng)，由此省略對(duì)其的詳細(xì)解釋。
參照?qǐng)D11，多層接線板40包括由通常用于電路板中的絕緣材料制成并且具有相對(duì)低的介電常數(shù)且各夾在傳導(dǎo)層之間的低電容層111和112，并且包括三個(gè)各具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容的高電容層121、122和123。高電容層121、122和123具有相互不同的電容并且被布置為彼此相鄰。
低電容層111和112分別被布置在多層接線板40的背面和其正面，其中電子元件61和62比如LSI芯片安裝在該正面。
在高電容層123和低電容層112之間的傳導(dǎo)層以及在高電容層121和122之間的傳導(dǎo)層分別為第二電源層16和第一電源層15。此外，在高電容層122和123之間的傳導(dǎo)層以及在高電容層121和低電容層111之間的傳導(dǎo)層分別為地層142和141。
布置在多層接線板40的背面和正面上的低電容層111和112上的傳導(dǎo)層分別為信號(hào)層131和132。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件61和62比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、第一電源線、第二電源線和信號(hào)線。地通孔17形成在信號(hào)層131和132的地線以及地層141和142之間。第一電源通孔181形成在信號(hào)層131和132的第一電源線以及第一電源層15之間。第二電源通孔182形成在信號(hào)層131和132的第二電源線以及第二電源層16之間。
應(yīng)該說(shuō)本實(shí)施例結(jié)合了兩種結(jié)構(gòu)，各對(duì)應(yīng)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。即，這個(gè)實(shí)施例包括了第一結(jié)構(gòu)，其中地層142夾在具有相互不同的電容的高電容層122和123之間，并且還夾在第一和第二電源層15和16之間，還包括第二結(jié)構(gòu)，其中第一電源層15夾在具有相互不同的電容的高電容層121和122之間，并且還夾在地層141和142之間。這些第一和第二結(jié)構(gòu)各對(duì)應(yīng)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
如上所述，在本實(shí)施例中，由于高電容層121、122和123的至少兩個(gè)的電容相互不同，在多個(gè)頻帶中獲得了噪聲減小的效果。
還在本實(shí)施例中，代替高電容層122和123，各具有比高電容層121更小電容的高電容層可以通過(guò)增加具有與高電容層121相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度來(lái)形成。另一方面，代替高電容層122和123，利用了通過(guò)分別減小和增加具有與高電容層121相同的介電常數(shù)的絕緣材料的厚度而獲得的高電容層。使用這樣的構(gòu)造，由于高電容層由同樣的絕緣材料制成，所以各層的熱膨脹系數(shù)等等彼此相等，因此帶來(lái)了更高的可靠性。
在這個(gè)實(shí)施例中，具有插入其間的高電容層123的、包括第二電源層16和地層142的電源-地層對(duì)的地層142，還用于具有插入其間的高電容層122的另一個(gè)電源-地層對(duì)。此外，具有插入其間的高電容層122的、包括地層142和第一電源層15的電源-地層對(duì)的第一電源層15，還用于具有插入其間的高電容層121的又另一個(gè)電源-地層對(duì)中。因此，存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
〔第五至第九實(shí)施例〕圖12A至12E分別是根據(jù)本發(fā)明的第五至第九實(shí)施例的多層接線板的截面圖。
在這些實(shí)施例的描述中，與那些如圖3至11所示的第一至四實(shí)施例中相同或相當(dāng)?shù)牟糠值脑敿?xì)解釋將被省略。
參照?qǐng)D12A，根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的多層接線板50a包括低電容層111和112、四個(gè)各具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容的高電容層121至124、電源層151至153、以及地層141和142。特別地，信號(hào)層131、低電容層111、電源層151、高電容層121、地層141、高電容層122、電源層152、高電容層123、地層142、高電容層124、電源層153、低電容層112以及信號(hào)層132以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同。
信號(hào)層131和132分別布置在多層接線板50a的背面和正面上的低電容層111和112上。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件60比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、電源線、和信號(hào)線。地通孔17形成在地線和地層141和142之間。電源通孔18形成在電源線和電源層151至153之間。
參照?qǐng)D12B，根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的多層接線板50b包括低電容層111和112、四個(gè)各具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容的高電容層121至124、第一電源層15、兩個(gè)第二電源層161和162、以及地層141和142。特別地，信號(hào)層131、低電容層111、第一電源層15、高電容層121、地層141、高電容層122、第二電源層161、高電容層123、地層142、高電容層124、第二電源層162、低電容層112以及信號(hào)層132以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同。
信號(hào)層131和132分別布置在多層接線板50b的背面和正面上的低電容層111和112上。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件61和62比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、第一電源線、第二電源線和信號(hào)線。地通孔17形成在地線和地層141和142之間。第一電源通孔181形成在第一電源線和第一電源層15之間。第二電源通孔182形成在第二電源線和第二電源層161和162之間。
參照?qǐng)D12C，根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的多層接線板50c包括低電容層111和112、四個(gè)各具有高于低電容層111和112的每一個(gè)的電容的高電容層121至124、兩個(gè)第一電源層151和152、第二電源層16、以及地層141和142。特別地，信號(hào)層131、低電容層111、第一電源層151、高電容層121、地層141、高電容層122、第一電源層152、高電容層123、地層142、高電容層124、第二電源層16、低電容層112以及信號(hào)層132以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同。
信號(hào)層131和132分別布置在多層接線板50c的背面和正面上的低電容層111和112上。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件61和62比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、第一電源線、第二電源線和信號(hào)線。地通孔17形成在地線和地層141和142之間。第一電源通孔181形成在第一電源線和第一電源層151和152之間。第二電源通孔182形成在第二電源線和第二電源層16之間。
參照?qǐng)D12D，根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的多層接線板50d包括低電容層111和112、四個(gè)各具有的電容高于低電容層111和112的每一個(gè)的高電容層121至124、電源層151和152、以及地層141至143。特別地，信號(hào)層131、低電容層111、地層141、高電容層121、電源層151、高電容層122、地層142、高電容層123、電源層152、高電容層124、地層143、低電容層112以及信號(hào)層132以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同。
信號(hào)層131和132分別布置在多層接線板50d的背面和正面上的低電容層111和112上。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件60比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、電源線、和信號(hào)線。地通孔17形成在地線和地層141至143之間。電源通孔18形成在電源線和電源層151和152之間。
參照?qǐng)D12E，根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的多層接線板50e包括低電容層111和112、四個(gè)各具有的電容高于低電容層111和112的每一個(gè)的高電容層121至124、第一電源層15、第二電源層16、以及地層141至143。特別地，信號(hào)層131、低電容層111、地層141、高電容層121、第一電源層15、高電容層122、地層142、高電容層123、第二電源層16、高電容層124、地層143、低電容層112以及信號(hào)層132以提到的順序從下開(kāi)始堆疊在一起。
高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同。
信號(hào)層131和132分別布置在多層接線板50e的背面和正面上的低電容層111和112上。信號(hào)層132經(jīng)由接合線連接到安裝在正面的電子元件61和62比如LSI芯片上。
信號(hào)層131和132分別包括地線、第一電源線、第二電源線、以及信號(hào)線。地通孔17形成在地線和地層141至143之間。第一電源通孔181形成在第一電源線和第一電源層15之間。第二電源通孔182形成在第二電源線和第二電源層16之間。
在第五至第九實(shí)施例中，由于如上所述的高電容層121至124的至少兩個(gè)的電容相互不同，所以在多個(gè)頻帶中獲得了噪聲減小的效果。
還在第五至第九實(shí)施例中，所需要的電容可以根據(jù)各個(gè)電容層的形成厚度來(lái)獲得。在這種情況下，由于高電容層由同樣的絕緣材料制成，所以各層的熱膨脹系數(shù)等等彼此相等，因此帶來(lái)了更高的可靠性。
此外，還在第五至第九實(shí)施例中，由于電源層或地層在鄰近的電源-地層對(duì)之間共享，因此存在這樣的效果，即與具有多個(gè)相互獨(dú)立的電源-地層對(duì)的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，總層數(shù)較少并且結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。
雖然本發(fā)明已經(jīng)根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不限于此，而是可以以各種改變來(lái)執(zhí)行而不會(huì)背離本發(fā)明的要旨。
權(quán)利要求
1.一種多層接線板(10)，包括第一、第二和第三傳導(dǎo)層(141，15，142)；其特征在于，所述多層接線板還包括形成在所述第一和所述第二傳導(dǎo)層(141，15)之間的第一絕緣層(121)，以及形成在所述第二和所述第三傳導(dǎo)層(15，142)之間的第二絕緣層(122)；所述第一和所述第二絕緣層(121，122)在電容上相互不同。
2.如權(quán)利要求
1所述的多層接線板，其中所述第一和所述第二絕緣層(121，122)分別由絕緣材料制成，該絕緣材料在介電常數(shù)上相互不同。
3.如權(quán)利要求
1或2所述的多層接線板，其中所述第一和所述第二絕緣層(121，122)在厚度上相互不同。
4.一種多層接線板，包括第一、第二、第三和第四傳導(dǎo)層(151，141，152，142)；其特征在于，所述多層接線板還包括形成在所述第一和所述第二傳導(dǎo)層(151，141)之間的第一絕緣層(121)，形成在所述第二和所述第三傳導(dǎo)層(141，152)之間的第二絕緣層(122)，以及形成在所述第二和所述第三傳導(dǎo)層(152，142)之間的第三絕緣層(123)；所述第一、所述第二和所述第三絕緣層(121，122，123)中的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
5.如權(quán)利要求
4所述的多層接線板，其中所述第一、所述第二和所述第三絕緣層(121，122，123)分別由絕緣材料制成，該絕緣材料中的至少兩個(gè)在介電常數(shù)上相互不同。
6.如權(quán)利要求
4或5所述的多層接線板，其中所述第一、所述第二、和所述第三絕緣層(121，122，123)中的至少兩個(gè)在厚度上相互不同。
7.一種多層接線板，包括一個(gè)內(nèi)傳導(dǎo)層(15)，該內(nèi)傳導(dǎo)層夾在第一和第二絕緣層(121，122)之間；其特征在于，所述內(nèi)傳導(dǎo)層還夾在兩個(gè)外傳導(dǎo)層(141，142)之間；所述內(nèi)傳導(dǎo)層(15)充當(dāng)電源層和地層中的一個(gè)；每個(gè)所述外傳導(dǎo)層(141，142)充當(dāng)電源層和地層中的另一個(gè)；所述第一和所述第二絕緣層(121，122)在電容上相互不同。
8.如權(quán)利要求
7所述的多層接線板，其中所述第一和所述第二絕緣層(121，122)分別由絕緣材料制成，所述絕緣材料在介電常數(shù)上相互不同。
9.如權(quán)利要求
7或8所述的多層接線板，其中所述第一和所述第二絕緣層(121，122)在厚度上相互不同。
10.一種多層接線板，包括一個(gè)內(nèi)傳導(dǎo)層(141)，該內(nèi)傳導(dǎo)層夾在第一和第二絕緣層(121，122)之間；其特征在于所述內(nèi)傳導(dǎo)層還夾在兩個(gè)外傳導(dǎo)層(151，152)之間；所述多層接線板還包括通過(guò)一個(gè)第三絕緣層(123)形成在所述外傳導(dǎo)層(151，152)之一上的一個(gè)另外的外傳導(dǎo)層(142)；所述內(nèi)傳導(dǎo)層(141)充當(dāng)電源層和地層中的一個(gè)；每個(gè)所述外傳導(dǎo)層(151，152)充當(dāng)電源層和地層中的另一個(gè)；所述另外的外傳導(dǎo)層(142)充當(dāng)副電源層或副地層；所述第一、所述第二和所述第三絕緣層(121，122，123)中的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
11.如權(quán)利要求
10所述的多層接線板，其中所述第一、所述第二和所述第三絕緣層(121，122，123)分別由絕緣材料制成，所述絕緣材料中的至少兩個(gè)在介電常數(shù)上相互不同。
12.如權(quán)利要求
10或11所述的多層接線板，其中所述第一、所述第二和所述第三絕緣層(121，122，123)中的至少兩個(gè)在厚度上相互不同。
13.一種多層接線板制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟在第一電容層(A122)的兩面上形成傳導(dǎo)層(A15，A142)，由此制成一個(gè)第一構(gòu)件(A103)；在第二電容層(A121)的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層(A141)，由此制成一個(gè)第二構(gòu)件(A102)；以及通過(guò)按壓而將所述第一和所述第二構(gòu)件(A103，A102)堆疊在一起，使得所述第二構(gòu)件(A102)的、未形成有所述傳導(dǎo)層的表面對(duì)接到所述第一構(gòu)件(A103)的所述傳導(dǎo)層之一上；所述第一和所述第二電容層(A122，A121)在電容上相互不同。
14.一種多層接線板制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟在第一電容層(A122)的兩面上形成傳導(dǎo)層(A141，A152)，由此制成一個(gè)第一構(gòu)件(A203)；在第二電容層(A121)的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層(A151)，由此制成一個(gè)第二構(gòu)件(A202)，所述第一和所述第二電容層(A122，A121)在電容上相互不同；在第三電容層(A123)的一面上形成一個(gè)傳導(dǎo)層(A142)，由此制成一個(gè)第三構(gòu)件(A204)；以及通過(guò)按壓而將所述第一、所述第二和所述第三構(gòu)件(A203，A202，A204)堆疊在一起，使得所述第二構(gòu)件(A202)的、未形成有所述傳導(dǎo)層(A151)的表面對(duì)接到所述第一構(gòu)件(A203)的所述傳導(dǎo)層(A141，A152)中的一個(gè)傳導(dǎo)層上，并且所述第三構(gòu)件(A204)的、未形成有所述傳導(dǎo)層(A142)的表面對(duì)接到第一構(gòu)件(A203)的所述傳導(dǎo)層(A141，A152)的另一個(gè)傳導(dǎo)層上；所述第一、所述第二和所述第三電容層(A122，A121，A123)的至少兩個(gè)在電容上相互不同。
專(zhuān)利摘要
多層接線板(10)具有形成在地層(141)和電源層(15)之間的高電容層(121)和形成在電源層(15)和地層(142)之間的高電容層(122)。高電容層(121)和(122)在電容上相互不同。多層接線板(10)結(jié)合了兩個(gè)電容器，其彼此共享該電源層(15)并且其在電容上相互不同。
文檔編號(hào)H05K3/26GK1993012SQ200610149338
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年11月20日
發(fā)明者北尾耕司, 神谷浩, 佐伯貴范 申請(qǐng)人:Nec軟件系統(tǒng)科技有限公司, 恩益禧電子股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan