技術(shù)特征：

1.一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，包括第一電流鏡、第二電流鏡、電阻r1和電阻r2；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，所述第一主支路包括pmos管p1，所述第一從支路包括pmos管p2，所述第二從支路包括pmos管p3；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，所述pmos管p2的寬長(zhǎng)比與pmos管p1的寬長(zhǎng)比之比為1:1，所述pmos管p3的寬長(zhǎng)比與pmos管p1的寬長(zhǎng)比之比大于4:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，所述第二主支路包括nmos管n1，所述第三從支路包括nmos管n2，所述第四從支路包括nmos管n3；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，所述nmos管n2的寬長(zhǎng)比和nmos管n1的寬長(zhǎng)比之比大于4:1，所述nmos管n3的寬長(zhǎng)比和nmos管n1的寬長(zhǎng)比之比為1:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，所述電阻r1另一端還通過(guò)電阻r3與第一從支路的輸出端電連接，所述電阻r1另一端還通過(guò)電阻r4與第二從支路的輸出端電連接。

7.一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，包括pmos管p1、pmos管p2、pmos管p3、pmos管p4、電阻r1、電阻r2、電阻r3、nmos管n1、nmos管n2、nmos管n3和nmos管n4；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，pmos管p1的寬長(zhǎng)比、pmos管p2的寬長(zhǎng)比、pmos管p3的寬長(zhǎng)比和pmos管p4的寬長(zhǎng)比之比為1:1:1:1。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，nmos管n1的寬長(zhǎng)比、nmos管n2的寬長(zhǎng)比、nmos管n3的寬長(zhǎng)比和nmos管n4的寬長(zhǎng)比之比為1:1:1:1。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種rffe控制接口識(shí)別電路，其特征在于，電阻r2和電阻r3的阻值相同，為電阻r1的兩倍。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及射頻控制接口技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種RFFE控制接口識(shí)別電路，包括第一電流鏡、第二電流鏡、電阻R1和電阻R2；在實(shí)際使用時(shí)，當(dāng)本技術(shù)的信號(hào)輸入端輸入高低電平信號(hào)或者為懸空狀態(tài)時(shí)，兩個(gè)控制狀態(tài)輸出端可以產(chǎn)生三種狀態(tài)的信號(hào)狀態(tài)，這樣當(dāng)有三個(gè)本技術(shù)時(shí)，可以共產(chǎn)生九種狀態(tài)的信號(hào)狀態(tài)，從能讓多出來(lái)的信號(hào)狀態(tài)來(lái)進(jìn)行使能控制，從而能降低實(shí)現(xiàn)同樣功能所需要的電路面積，利于實(shí)際應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：劉剛,丁佳佳,江海波,郭天生,趙鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇乾合微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240314
技術(shù)公布日：2024/12/19