本技術涉及oled器件，具體涉及一種透明導線結構、oled器件及oled元胞結構。

背景技術：

1、oled(organic?light-emitting?diode)，又稱為有機電激光顯示、有機發(fā)光半導體(organic?electroluminescence?display，oled)。oled屬于一種電流型的有機發(fā)光器件，是通過載流子的注入和復合而致發(fā)光的現象，發(fā)光強度與注入的電流成正比。oled在電場的作用下，陽極產生的空穴和陰極產生的電子就會發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，遷移到發(fā)光層。當二者在發(fā)光層相遇時，產生能量激子，從而激發(fā)發(fā)光分子最終產生可見光。一般而言，oled顯示面板是由大量oled器件依照特定的排列方式組合形成的，器件和驅動ic之間采用對應的引線進行連接。隨著顯示技術的發(fā)展，通過ito透明導體來實現屏幕的高透光率，以便于滿足屏下攝像等場景的需求的技術方案也隨之產生。

2、中國專利cn202010824634.4公開了一種典型的陣列基板及oled顯示面板，陣列基板包括有效顯示區(qū)，有效顯示區(qū)包括指紋識別區(qū)和非指紋識別區(qū)，所述陣列基板包括襯底基板、設于襯底基板上的多個薄膜晶體管以及設于多個薄膜晶體管上的多個陽極，其中，每一薄膜晶體管的柵極、源極以及漏極位于非指紋識別區(qū)，指紋識別區(qū)設置有透明導線，指紋識別區(qū)內的每一陽極通過透明導線與其中一個薄膜晶體管連接。通過將指紋識別區(qū)的薄膜晶體管的金屬器件移出指紋識別區(qū)之外，僅保留陽極金屬在指紋識別區(qū)內，并將連接陽極金屬和薄膜晶體管的信號線替換成透明導線，在極大程度上增加指紋識別區(qū)的透過率的同時，也能保證指紋識別區(qū)的正常顯示。

3、但是，在實際實施過程中，實用新型人發(fā)現，如圖1所示，該類技術方案，通常是在基板101和像素定義層102上的預定位置制備透明導線103，隨后再在其上方通過蒸鍍、濺射等方式形成陽極金屬層104，然后在要保留陽極金屬層104的區(qū)域上方添加光阻105，再通過刻蝕藥液選擇性去除部分陽極金屬，最終形成陽極金屬與透明導線的連接結構。由于元胞結構設計問題，往往會在光阻105的邊緣，預定要形成透明導線103與陽極金屬之間交界的位置上產生一定藥液累積，過量的藥液會導致過刻蝕，進而使得陽極金屬層104下方的透明導線103也存在被刻蝕，進而造成斷線的風險，導致了產品良率下降的問題。

技術實現思路

1、針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種透明導線結構；另一方面，還提供應用了該透明導線結構的oled器件；另一方面，還提供基于該透明導線結構實現的oled元胞結構。

2、具體技術方案如下：

3、一種透明導線結構，適用于oled器件，所述oled器件包括基板、形成于所述基板上方的平坦化層和形成于所述平坦化層上方的功能區(qū)域，所述功能區(qū)域的外側設置有布線區(qū)域，所述布線區(qū)域中用于形成所述透明導線結構；

4、所述透明導線結構包括：

5、透明引線層，所述透明引線層位于所述基板的上方；

6、電極金屬層，所述電極金屬層位于所述透明引線層的上方，所述電極金屬層連接至所述oled器件中；

7、所述電極金屬層在所述平坦化層上方的預定位置設置有阻擋區(qū)域，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上覆蓋所述透明引線層。

8、另一方面，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上呈矩形，所述阻擋區(qū)域自所述透明引線層的邊緣向外側分別延伸預定的阻擋間隔。

9、另一方面，所述阻擋間隔大于等于1.2um。

10、另一方面，所述平坦化層的橫截面呈梯形，所述透明引線層和所述電極金屬層沿所述平坦化層的斜面延伸至所述平坦化層的上方。

11、另一方面，所述透明導線結構的上方形成有發(fā)光定義層，所述發(fā)光定義層位于相鄰的所述oled器件之間。

12、另一方面所述電極金屬層連接所述oled器件的陽極或陰極。

13、一種oled器件，所述oled器件的陽極與上述的透明導線結構連接。

14、一種oled元胞結構，所述oled元胞結構中包含多個oled器件，每個所述oled器件分別與上述的透明導線結構連接。

15、另一方面，所述透明導線結構呈折線形或者z字形或者幾字形。

16、另一方面，所述透明導線結構連接于所述oled器件和控制單元之間；

17、所述透明導線結構連接1-4個所述oled器件。

18、上述技術方案具有如下優(yōu)點或有益效果：

19、針對現有技術中的透明導線與電極之間的交界位置會因為藥液累積導致過刻蝕的問題，本方案中，針對電極金屬層在透明導線結構上的交界區(qū)域作出了改進，形成了部分延伸至器件上方的阻擋區(qū)域。由于該阻擋區(qū)域延伸至了平坦化層的上表面，因此在加工時，對應的光阻產生凹陷的部位也被推后至了平坦化層上方，相對于傳統的凹陷結構不易造成藥液累積，降低了金屬層被過刻蝕的風險，從而實現了對下方的透明導線層的有效保護，避免斷線，提高了器件良率。

技術特征：

1.一種透明導線結構，適用于oled器件，所述oled器件包括基板、形成于所述基板上方的平坦化層和形成于所述平坦化層上方的功能區(qū)域，所述功能區(qū)域的外側設置有布線區(qū)域，所述布線區(qū)域中用于形成所述透明導線結構；

2.根據權利要求1所述的透明導線結構，其特征在于，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上呈矩形，所述阻擋區(qū)域自所述透明引線層的邊緣向外側分別延伸預定的阻擋間隔。

3.根據權利要求2所述的透明導線結構，其特征在于，所述阻擋間隔大于等于1.2um。

4.根據權利要求1所述的透明導線結構，其特征在于，所述平坦化層的橫截面呈梯形，所述透明引線層和所述電極金屬層沿所述平坦化層的斜面延伸至所述平坦化層的上方。

5.根據權利要求1所述的透明導線結構，其特征在于，所述透明導線結構的上方形成有發(fā)光定義層，所述發(fā)光定義層位于相鄰的所述oled器件之間。

6.根據權利要求5所述的透明導線結構，其特征在于，所述電極金屬層連接所述oled器件的陽極或陰極。

7.一種oled器件，其特征在于，所述oled器件的陽極與權利要求1-6任意一項所述的透明導線結構連接。

8.一種oled元胞結構，其特征在于，所述oled元胞結構中包含多個oled器件，每個所述oled器件分別與權利要求1-6任意一項所述的透明導線結構連接。

9.根據權利要求8所述的oled元胞結構，其特征在于，所述透明導線結構呈折線形或者z字形或者幾字形。

10.根據權利要求8所述的oled元胞結構，其特征在于，所述透明導線結構連接于所述oled器件和控制單元之間；

技術總結
本技術涉及OLED器件技術領域，具體涉及一種透明導線結構、OLED器件及OLED元胞結構，透明導線結構包括：透明引線層，位于基板的上方；電極金屬層，位于透明引線層的上方且連接至OLED器件中；電極金屬層在平坦化層上方的預定位置設置有阻擋區(qū)域，阻擋區(qū)域于俯視方向上覆蓋透明引線層。有益效果在于：針對電極金屬層在透明導線結構上的交界區(qū)域作出了改進，形成了部分延伸至器件上方的阻擋區(qū)域。由于該阻擋區(qū)域延伸至了平坦化層的上表面，因此在加工時，對應的光阻產生凹陷的部位也被推后至了平坦化層上方，相對于傳統的凹陷結構不易造成藥液累積，降低了金屬層被過刻蝕的風險，從而實現了對下方的透明導線層的有效保護，避免斷線，提高了器件良率。

技術研發(fā)人員：王先葉,沈葉萍,彭思君
受保護的技術使用者：上海和輝光電股份有限公司
技術研發(fā)日：20240102
技術公布日：2024/12/19