本發(fā)明涉及一種配線基板的制造方法、配線基板、光掩模及曝光描繪數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、為了滿足電子設(shè)備的小型化、輕型化、高速化的要求，構(gòu)成電子設(shè)備的配線基板需要具備具有微小寬度的配線。作為形成具有微小寬度的配線的方法，廣泛利用半加成(sap)法及改性半加成(msap)法(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。這些方法通常包括通過(guò)電鍍?cè)诮饘賹由闲纬慑冦~層的工序，在sap法中，使用無(wú)電解鍍銅層作為金屬層，在msap法中，使用銅箔作為金屬層。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-6773號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體封裝件的高密度化，配線的微細(xì)化、凸塊及通孔等端子電極的小徑化等得以發(fā)展。在封裝件的水平面方向上，通過(guò)上述sap法等而配線等的微細(xì)化及小型化得以發(fā)展，另一方面，從電阻的觀點(diǎn)而言，為了將配線等的截面積保持在某個(gè)一定值以上，垂直方向上的配線等的高度維持相對(duì)較高。因此，存在金屬配線的縱橫比變高的傾向，在配線基板的制造工序中金屬配線傾倒，有時(shí)會(huì)降低成品率。另一方面，已知在形成金屬配線時(shí)廣泛使用的干膜抗蝕劑130的一部分在如圖11所示那樣通過(guò)鍍覆將金屬配線121形成于開口135上之后的抗蝕劑剝離工序中，如圖11的(c)及(d)所示那樣溶脹并剝離。由于該剝離時(shí)的溶脹，對(duì)如上所述的高縱橫的金屬配線121施加應(yīng)力，進(jìn)一步促進(jìn)金屬配線的傾倒。

3、本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制由金屬配線的傾倒引起的成品率降低的配線基板的制造方法、配線基板、光掩模(reticle)及曝光描繪數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、[1]本發(fā)明的一方面涉及一種配線基板的制造方法。該配線基板的制造方法包括：在支撐體上形成抗蝕劑層的工序；對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的工序；對(duì)被曝光的抗蝕劑層進(jìn)行顯影以在抗蝕劑層上形成開口的工序；在開口內(nèi)形成金屬配線的工序；及在形成金屬配線之后去除抗蝕劑層的工序。在對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的工序中，將與金屬配線對(duì)應(yīng)的配線用曝光圖案和不與金屬配線對(duì)應(yīng)的虛設(shè)曝光圖案曝光到抗蝕劑層上。虛設(shè)曝光圖案的至少一部分位于從配線用曝光圖案的端部起200μm以內(nèi)的區(qū)域中。

6、在該配線基板的制造方法中，使并非構(gòu)成配線基板中的配線等的虛設(shè)曝光圖案的至少一部分位于從構(gòu)成配線基板中的配線等的與金屬配線對(duì)應(yīng)的配線用曝光圖案的端部起200μm以內(nèi)的區(qū)域中。此時(shí)，通過(guò)在由虛設(shè)曝光圖案曝光的區(qū)域中設(shè)置虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物、或者通過(guò)設(shè)置虛設(shè)曝光圖案以將該區(qū)域中的抗蝕劑層小片化，能夠降低抗蝕劑對(duì)設(shè)置于由配線用曝光圖案曝光的區(qū)域中的金屬配線的應(yīng)力。由此，通過(guò)相鄰的虛設(shè)曝光圖案，能夠防止在配線基板的制造工序中因抗蝕劑的應(yīng)力而使金屬配線傾倒。因此，根據(jù)該配線基板的制造方法，能夠抑制成品率的降低。另外，在此所述的金屬配線例如包括為了在芯片或基板上進(jìn)行水平方向的電連接而形成的配線電極或?yàn)榱诉M(jìn)行垂直方向的電連接而形成的端子電極或突起電極。

7、[2]在上述[1]的配線基板的制造方法中，優(yōu)選為，由虛設(shè)曝光圖案曝光的抗蝕劑層的部分在去除抗蝕劑層的工序中被單片化而去除。此時(shí)，通過(guò)將抗蝕劑層單片化，能夠降低抗蝕劑對(duì)設(shè)置于由配線用曝光圖案曝光的區(qū)域中的金屬配線的應(yīng)力，更可靠地抑制配線電極等金屬配線因抗蝕劑剝離而傾倒，從而抑制成品率的降低。

8、[3]在上述[1]或[2]的配線基板的制造方法中，虛設(shè)曝光圖案可以包含將多條線以格子狀配置的網(wǎng)格形狀。此時(shí)，通過(guò)將由虛設(shè)曝光圖案曝光的抗蝕劑層的部分更可靠地單片化，能夠更可靠地抑制配線電極等金屬配線因抗蝕劑剝離而傾倒，從而抑制成品率的降低。

9、[4]在上述[1]至[3]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，虛設(shè)曝光圖案可以包含將多個(gè)點(diǎn)配置的點(diǎn)形狀。此時(shí)，通過(guò)將由虛設(shè)曝光圖案曝光的抗蝕劑層的部分更可靠地單片化，能夠更可靠地抑制配線電極等金屬配線因抗蝕劑剝離而傾倒，從而抑制成品率的降低。

10、[5]在上述[1]至[4]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，虛設(shè)曝光圖案具有線狀的部分或點(diǎn)，線狀的部分或點(diǎn)的寬度可以為構(gòu)成抗蝕劑層的抗蝕劑的分辨率以下。此時(shí)，雖然未根據(jù)虛設(shè)曝光圖案而形成虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物，但是由于被曝光的抗蝕劑層被分割而小片化，因此能夠抑制在抗蝕劑剝離時(shí)使金屬配線傾倒等。由此，根據(jù)該制造方法，能夠抑制成品率的降低。并且，在該制造方法中，難以根據(jù)虛設(shè)曝光圖案而形成虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物，因此不會(huì)在所制作的配線基板中留下不需要的部分的結(jié)構(gòu)。

11、[6]在上述[1]至[5]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，優(yōu)選為，在形成抗蝕劑層的工序中，在設(shè)置于支撐體上的金屬層上形成抗蝕劑層，在形成開口的工序中，金屬層從開口露出，在形成金屬配線的工序中，在露出于開口內(nèi)的金屬層上使電鍍析出而形成金屬配線。此時(shí)，通過(guò)sap法或msap法等而形成金屬配線，能夠容易形成更微細(xì)的配線電極等。因此，根據(jù)該配線基板的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)配線電極等的微細(xì)化或小徑化。并且，在該制造方法中，優(yōu)選為，在由虛設(shè)曝光圖案曝光的抗蝕劑層的部分，未形成顯影時(shí)露出金屬層的開口。此時(shí)，由于未形成露出金屬層的開口，因此未根據(jù)虛設(shè)曝光圖案而形成虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物，不會(huì)在所制作的配線基板中留下不需要的部分的結(jié)構(gòu)。

12、[7]在上述[1]至[6]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，虛設(shè)曝光圖案可以為如下圖案：能夠以使被單片化的剝離抗蝕劑片的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度成為100μm以下的方式對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的圖案。此時(shí)，通過(guò)將抗蝕劑層小片化，能夠降低抗蝕劑對(duì)設(shè)置于由配線用曝光圖案曝光的區(qū)域中的金屬配線的應(yīng)力。由此，通過(guò)相鄰的虛設(shè)曝光圖案，能夠防止在配線基板的制造工序中因抗蝕劑的應(yīng)力而使金屬配線傾倒。因此，根據(jù)該配線基板的制造方法，能夠抑制成品率的降低。

13、[8]在上述[1]至[7]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，虛設(shè)曝光圖案可以圍繞配線用曝光圖案的至少一部分。并且，虛設(shè)曝光圖案也可以圍繞配線用曝光圖案的整體。配線電極等多條排列而形成的金屬配線中外側(cè)存在因抗蝕劑剝離而容易傾倒的傾向，但是通過(guò)虛設(shè)曝光圖案的這種配置，能夠更可靠地抑制金屬配線的傾倒，從而抑制成品率的降低。

14、[9]在上述[1]至[8]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造法方法中，抗蝕劑層可以由負(fù)型抗蝕劑形成，抗蝕劑在22℃下在稀釋10倍的剝離液中浸漬1分鐘之后的溶脹率可以為30重量％以下?？刮g劑在22℃下在稀釋10倍的剝離液中浸漬1分鐘之后的溶脹率可以為5重量％以上，也可以為10重量％以上且20重量％以下。剝離液能夠設(shè)為通用的剝離液。

15、[10]在上述[1]至[9]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，在對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的工序中，可以使用包含配線用曝光圖案和虛設(shè)曝光圖案的光掩模，對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光。

16、[11]在上述[1]至[10]中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法中，在對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的工序中，可以根據(jù)包含配線用曝光圖案和虛設(shè)曝光圖案的曝光描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行描繪，并對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光。此時(shí)，由于不需要光掩模等部件，因此能夠降低相應(yīng)的制造成本。并且，通過(guò)制作或修正曝光描繪數(shù)據(jù)，能夠容易進(jìn)行曝光圖案的制作或修正。另外，在使用曝光描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行曝光的情況下，例如能夠使用激光或電子槍的光束等進(jìn)行曝光。

17、[12]本發(fā)明的另一方面涉及一種配線基板。該配線基板具備：支撐體；設(shè)置于支撐體上的多條金屬配線；及圍繞多條金屬配線的至少一部分的至少1個(gè)虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物。金屬配線的短邊方向上的寬度或直徑為20μm以下，虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物的至少一部分位于從多條金屬配線中最靠近虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物的金屬配線起200μm以內(nèi)的區(qū)域中。虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物包括下述的至少1個(gè)：將多條線以格子狀配置的網(wǎng)格形狀的虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物、位于多條金屬配線之間的內(nèi)側(cè)虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物、及將多個(gè)點(diǎn)狀的電極以圍繞多條金屬配線的至少一部分的方式配置的虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物。點(diǎn)狀的電極的平面形狀例如可以呈圓、三角、四邊、叉形標(biāo)記(cross?mark)等幾何圖案及它們的組合。此時(shí)，通過(guò)相鄰的虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物，能夠防止在配線基板的制造工序中因由抗蝕劑的膨脹引起的應(yīng)力而使金屬配線傾倒。由此，根據(jù)該配線基板，可以抑制金屬配線的傾倒。

18、[13]本發(fā)明的又一方面提供一種用于對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光的光掩模。該光掩模具備：配線用曝光圖案；及至少一部分相對(duì)于配線用曝光圖案的端部位于200μm以內(nèi)的虛設(shè)曝光圖案。虛設(shè)曝光圖案包含將多條線以格子狀配置的網(wǎng)格形狀及將多個(gè)點(diǎn)配置的點(diǎn)形狀的至少一者。通過(guò)使用這種光掩模進(jìn)行曝光，能夠使并非構(gòu)成配線基板中的配線等的虛設(shè)曝光圖案的至少一部分位于從構(gòu)成配線基板中的配線等的與金屬配線對(duì)應(yīng)的配線用曝光圖案的端部起200μm以內(nèi)的區(qū)域中，并且能夠?qū)⑺鶆冸x的抗蝕劑單片化。由此，通過(guò)相鄰的虛設(shè)曝光圖案(虛設(shè)金屬結(jié)構(gòu)物)，能夠防止在配線基板的制造工序中因由抗蝕劑的膨脹引起的應(yīng)力而使金屬配線傾倒，從而抑制配線基板的成品率的降低。

19、[14]在上述[13]的光掩模中，虛設(shè)曝光圖案可以以圍繞配線用曝光圖案的至少一部分或全部的方式形成。此時(shí)，通過(guò)虛設(shè)曝光圖案的這種配置，能夠更可靠地抑制金屬配線的傾倒，從而抑制配線基板的成品率的降低。

20、[15]本發(fā)明的又一方面提供一種用于對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行曝光的曝光裝置用的曝光描繪數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。該曝光描繪數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)由下述曝光數(shù)據(jù)構(gòu)成：配線用曝光數(shù)據(jù)，使曝光裝置描繪配線用曝光圖案；及虛設(shè)曝光數(shù)據(jù)，使曝光裝置描繪虛設(shè)曝光圖案，并且虛設(shè)曝光圖案的至少一部分位于從配線用曝光圖案的端部起200μm以內(nèi)。虛設(shè)曝光圖案包含將多條線以格子狀配置的網(wǎng)格形狀及將多個(gè)點(diǎn)配置的點(diǎn)形狀的至少一者。通過(guò)使用這種曝光描繪數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行曝光，能夠使并非構(gòu)成配線基板中的配線電極等的虛設(shè)曝光圖案的至少一部分位于從構(gòu)成配線基板中的配線等的與金屬配線對(duì)應(yīng)的配線用曝光圖案的端部起200μm以內(nèi)的區(qū)域中。由此，通過(guò)相鄰的虛設(shè)曝光圖案，能夠防止在配線基板的制造工序中金屬配線傾倒，從而抑制配線基板的成品率的降低。

21、發(fā)明效果

22、根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制由配線電極等金屬配線的傾倒引起的成品率降低。