1.一種閃存結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的閃存結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述浮柵還具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁呈所述波紋結(jié)構(gòu)。
3.如權利要求2所述的閃存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一側(cè)壁具有凸出于所述控制柵側(cè)壁表面的第三尺寸，所述第二側(cè)壁具有凸出于所述控制柵側(cè)壁表面的第四尺寸，所述第三尺寸大于所述第四尺寸。
4.如權利要求3所述的閃存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三尺寸和所述第四尺寸的差值范圍為0埃至250埃。
5.如權利要求1所述的閃存結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰所述凸起部之間具有凹槽；所述凹槽在沿所述襯底表面方向上具有第一尺寸，所述第一尺寸的大小范圍為100埃至250埃；所述凹槽在垂直于所述襯底表面方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸的大小范圍為30埃至250埃。
6.一種閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
7.如權利要求6所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述bosch工藝包括若干處理過程，各所述處理過程包括：采用各項同性刻蝕工藝對暴露出的所述浮柵材料層進行刻蝕，在所述浮柵材料層內(nèi)形成凹槽；在所述各項同性刻蝕工藝之后，采用鈍化工藝對所述凹槽進行表面處理，以在所述凹槽側(cè)壁形成保護層。
8.如權利要求7所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述bosch工藝中所述處理過程的次數(shù)范圍為2次至100次。
9.如權利要求7所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述各項同性刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體包括sf6，氣體流量范圍為10毫升/分鐘至250毫升/分鐘，射頻功率范圍為200瓦至1000瓦。
10.如權利要求7所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鈍化工藝的工藝參數(shù)包括：鈍化氣體包括，氣體流量范圍為40毫升/分鐘至130毫升/分鐘，射頻功率范圍為200瓦至1000瓦。
11.如權利要求6所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，各所述控制柵結(jié)構(gòu)包括相對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，兩個所述控制柵結(jié)構(gòu)的所述第三側(cè)壁相鄰；所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括位于所述第三側(cè)壁和所述第四側(cè)壁的第一側(cè)墻。
12.如權利要求11所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在所述浮柵材料層和所述控制柵結(jié)構(gòu)表面形成第一側(cè)墻材料層；回刻所述第一側(cè)墻材料層直到暴露出所述浮柵材料層。
13.如權利要求11所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)還包括位于所述第三側(cè)壁的第二側(cè)墻，所述第一側(cè)墻位于所述第三側(cè)壁和所述第二側(cè)墻之間；各所述浮柵還具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁具有凸出于所述控制柵側(cè)壁表面的第三尺寸，所述第二側(cè)壁具有凸出于所述控制柵側(cè)壁表面的第四尺寸，所述第三尺寸大于所述第四尺寸。
14.如權利要求13所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三尺寸和所述第四尺寸的差值范圍為0埃至250埃。
15.如權利要求13所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在所述浮柵材料層和所述控制柵結(jié)構(gòu)表面形成第一側(cè)墻材料層；回刻所述第一側(cè)墻材料層直到暴露出所述浮柵材料層，在所述控制柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成所述第一側(cè)墻；在形成所述第一側(cè)墻之后，在所述浮柵材料層和所述控制柵結(jié)構(gòu)表面形成第二側(cè)墻材料層；回刻所述第二側(cè)墻材料層，直到暴露出所述浮柵材料層表面，在所述第一側(cè)墻側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻；在形成所述第二側(cè)墻之后，在所述浮柵材料層表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出所述第二側(cè)壁的所述第二側(cè)墻；去除所述第二側(cè)壁的所述第二側(cè)墻。
16.如權利要求6所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，相鄰所述凸起部之間具有凹槽；所述凹槽在沿所述襯底表面方向上具有第一尺寸，所述第一尺寸的大小范圍為100埃至250埃；所述凹槽在垂直于所述襯底表面方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸的大小范圍為30埃至250埃。
17.如權利要求6所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述擦除柵結(jié)構(gòu)包括隧穿氧化層和位于所述隧穿氧化層表面的擦除柵；所述字線結(jié)構(gòu)包括字線氧化層和位于所述字線氧化層表面的字線；所述擦除柵結(jié)構(gòu)和所述字線結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在形成所述浮柵之后，在所述襯底和所述存儲柵結(jié)構(gòu)表面形成氧化材料層；在所述氧化材料層表面形成柵極材料層，所述柵極材料層表面高于所述存儲柵結(jié)構(gòu)頂部表面；平坦化所述柵極材料層和所述氧化材料層，直到暴露出所述存儲柵結(jié)構(gòu)頂部表面，以所述氧化材料層形成所述隧穿氧化層和所述字線氧化層，以所述柵極材料層形成所述擦除柵和所述字線。
18.如權利要求17所述的閃存結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括存儲區(qū)和外圍區(qū)；所述存儲柵結(jié)構(gòu)位于所述存儲區(qū)；所述氧化材料層位于所述存儲區(qū)；所述方法還包括：在形成所述氧化材料層之后，且在形成柵極材料層之前，在所述外圍區(qū)表面形成外圍氧化材料層；在暴露出所述存儲柵結(jié)構(gòu)頂部表面之后，且在形成所述擦除柵和所述字線之前，還回刻所述柵極材料層；在回刻所述柵極材料層之后，圖形化所述外圍區(qū)上的所述柵極材料層和所述外圍氧化材料層，以所述外圍氧化材料層形成外圍氧化層，以所述柵極材料層形成外圍柵極層。