本實用新型屬于微波功率領(lǐng)域，具體涉及一種微波功率放大模塊。

背景技術(shù)：

自1974年，美國的Plessey公司用GaAs FET作為有源器件，GaAs半絕緣襯底作為載體，研制成功世界上第一塊MMIC放大器以來，在軍事應(yīng)用(包括智能武器、雷達(dá)、通信和電子戰(zhàn)等方面)的推動下，MMIC的發(fā)展十分迅速。80年代，隨著分子束外延、金屬有機物化學(xué)汽相淀積技術(shù)(MOCVD)和深亞微米加工技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，MMIC發(fā)展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu兩公司實驗室研制出高電子遷移率晶體管(HEMT)，在材料結(jié)構(gòu)上得到了不斷的突破和創(chuàng)新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs溝道制成的贗配HEMT(PHEMT)，使HEMT向更調(diào)頻率更低噪聲方向發(fā)展。繼HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs異質(zhì)結(jié)取代硅雙極晶體管中的P-N結(jié)，研制成功了頻率特性和速度特性更優(yōu)異的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)和HBTMMIC。由于InP材料具有高飽和電子遷移率、高擊穿電場、良好的熱導(dǎo)率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更為優(yōu)越，近年來隨著InP單晶的制備取得進(jìn)展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。

目前，無線接入射頻電路應(yīng)用在小型設(shè)備或便攜式電子產(chǎn)品中，主要目的是實現(xiàn)設(shè)備間的無線連接和信息交換。微波功率放大器在射頻電路中非常重要，并已廣泛應(yīng)用于宇宙通信、雷達(dá)、電子對抗、遙測遙控、射電天文、大地測繪、微波通信、電視以及各種高精度的微博測量系統(tǒng)中的前端功率放大器，以完成對微弱信號的放大作用。因此，對微博功率放大器的基本要求是：足夠的功率增益、工作未定可靠、足夠的帶寬和交大的動態(tài)范圍等，此外，在不同的應(yīng)用情況下，可能對其體積、重量、耗電量等提出限制性要求、微波晶體管放大器還在向更高工作頻率、低噪聲、寬頻帶、集成化和標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展?，F(xiàn)有技術(shù)中的微波放大電路并不能很好的滿足更高工作頻率、低噪聲、寬頻帶、集成化和標(biāo)準(zhǔn)化的要發(fā)展求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于：針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的微波放大電路并不能很好的滿足更高工作頻率、低噪聲、寬頻帶、集成化和標(biāo)準(zhǔn)化的要發(fā)展求的問題，本實用新型提供一種微波功率放大模塊。

本實用新型采用的技術(shù)方案如下：

一種微波功率放大模塊，包括前極放大器、衰減網(wǎng)絡(luò)、末級放大器和輸出隔離器，所述前級放大器與輸入端、衰減網(wǎng)絡(luò)和末級放大器連接，所述末級放大器與衰減網(wǎng)絡(luò)、前級放大器和輸出隔離器連接，所述輸出隔離器與輸出端連接。

進(jìn)一步的，所述前級放大器中，輸入端與電容C3一端連接，電容C3另一端與放大器U1接口1連接，放大器U1接口2.4接地，放大器U1接口3與電感L1一端和電容C4一端連接；電感L1另一端與電子R1一端連接，電阻R1另一端與電容C1一端、電容C2一端和電源連接，電容C1另一端接地，電容C2另一端接地；電容C4另一端與放大器U2接口1連接，放大器U2接口2.4接地，放大器U2接口3與電感L2一端和電容C5一端連接，電感L2另一端與電阻R2一端連接，電阻R2另一端接電源。

進(jìn)一步的，所述衰減網(wǎng)絡(luò)中，電容C5另一端與電阻R3一端和電阻R4一端連接，電阻R3另一端與電阻R5一端和電容C6一端連接，電阻R4另一端和電阻R5另一端接地；電容6另一端與輸入匹配電路接口1連接，輸入匹配電路接口2與電阻R6一端和可變電阻R7一端連接，電阻R6另一端與單片機U5接口3連接，電容C10一端和電容C11一端與單片機U5接口3連接，可變電阻R7另一端、電容C10另一端和電容C11另一端接地；單片機U5接口1和接口2接地，單片機U5的接口4接電源，單片機U5的接口5與電容C12一端連接，單片機U5接口6與電容C12另一端連接，單片機U7與電容C13一端、電容C14和地線連接，單片機U5接口8與電容C13另一端、電容C14另一端和電源連接。

進(jìn)一步的，所述末級放大器中，輸入匹配電路接口3與場效應(yīng)管Q1柵極連接，場效應(yīng)管Q1源極接地，場效應(yīng)管Q1漏極與輸出匹配電路接口1連接。

進(jìn)一步的，輸出隔離器中，輸出匹配電路接口2與電感L3一端連接，電感L3另一端與電容C7一端、電容C8一端和電源連接，電容C7另一端和電容C8另一端接地；輸出匹配電路接口3與電容C9一端連接，電容C9另一端接輸出端。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是：

能提供更高的工作頻率、低噪聲，并具有合適的增益效果，能滿足現(xiàn)有射頻通信發(fā)展的要求。

附圖說明

圖1是本實用新型整體電路圖；

圖2是前級放大器電路圖；

圖3是衰弱網(wǎng)絡(luò)電路圖；

圖4是末級放大器電路圖；

圖5是輸出隔離器電路圖。

具體實施方式

本說明書中公開的所有特征，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。

下面結(jié)合圖1、圖2、圖3、圖4、圖5對本實用新型作詳細(xì)說明。

本實用新型提供了一種微波功率放大模塊，包括前極放大器、衰減網(wǎng)絡(luò)、末級放大器和輸出隔離器，所述前級放大器與輸入端、衰減網(wǎng)絡(luò)和末級放大器連接，所述末級放大器與衰減網(wǎng)絡(luò)、前級放大器和輸出隔離器連接，所述輸出隔離器與輸出端連接。具體如圖1所示。

如圖2所示，在前級放大器中，輸入端與電容C3一端連接，電容C3另一端與放大器U1接口1連接，放大器U1接口2.4接地，放大器U1接口3與電感L1一端和電容C4一端連接；電感L1另一端與電子R1一端連接，電阻R1另一端與電容C1一端、電容C2一端和電源連接，電容C1另一端接地，電容C2另一端接地；電容C4另一端與放大器U2接口1連接，放大器U2接口2.4接地，放大器U2接口3與電感L2一端和電容C5一端連接，電感L2另一端與電阻R2一端連接，電阻R2另一端接電源。

如圖3所示，在衰減網(wǎng)絡(luò)中，電容C5另一端與電阻R3一端和電阻R4一端連接，電阻R3另一端與電阻R5一端和電容C6一端連接，電阻R4另一端和電阻R5另一端接地；電容6另一端與輸入匹配電路接口1連接，輸入匹配電路接口2與電阻R6一端和可變電阻R7一端連接，電阻R6另一端與單片機U5接口3連接，電容C10一端和電容C11一端與單片機U5接口3連接，可變電阻R7另一端、電容C10另一端和電容C11另一端接地；單片機U5接口1和接口2接地，單片機U5的接口4接電源，單片機U5的接口5與電容C12一端連接，單片機U5接口6與電容C12另一端連接，單片機U7與電容C13一端、電容C14和地線連接，單片機U5接口8與電容C13另一端、電容C14另一端和電源連接。

如圖4所示，在末級放大器中，輸入匹配電路接口3與場效應(yīng)管Q1柵極連接，場效應(yīng)管Q1源極接地，場效應(yīng)管Q1漏極與輸出匹配電路接口1連接。

如圖5所示，在輸出隔離器中，輸出匹配電路接口2與電感L3一端連接，電感L3另一端與電容C7一端、電容C8一端和電源連接，電容C7另一端和電容C8另一端接地；輸出匹配電路接口3與電容C9一端連接，電容C9另一端接輸出端。