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接收機(jī)中基于GaAs單片超寬帶單刀八擲微波電子開關(guān)的制作方法

文檔序號(hào):12909634閱讀:457來源:國(guó)知局
接收機(jī)中基于GaAs單片超寬帶單刀八擲微波電子開關(guān)的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及一種微波電子開關(guān),尤其涉及接收機(jī)中基于GaAs單片超寬帶單刀八擲微波電子開關(guān)。



背景技術(shù):

傳統(tǒng)的微波電子開關(guān)采用PIN管實(shí)現(xiàn),利用PIN管正反偏下不同的阻抗特性,可用來控制電路的通斷,組成開關(guān)電路。目前所能見到的采用PIN管方式的超寬帶微波電子開關(guān)工作帶寬最大為1~18GHz。由于 PIN管的微波開關(guān)在設(shè)計(jì)時(shí)需要進(jìn)行寬帶阻抗匹配,阻抗匹配要同時(shí)滿足低頻和高頻相當(dāng)困難,特別是射頻供電需要的射頻扼流圈,寬帶射頻扼流圈無法自行繞接制作,需要專門廠家供應(yīng),而且裝配過程也需要一定的工藝焊接水平,寬帶射頻扼流圈安裝位置也要仔細(xì)放置,導(dǎo)致后續(xù)的調(diào)試工作量非常大,每個(gè)通道的幅相一致性不太好。并且采用不同廠家的PIN管,由于每家PIN管參數(shù)不一樣,更換PIN管時(shí)需要重新設(shè)計(jì)匹配電路。目前基于PIN管的微波開關(guān)帶寬一般只達(dá)到18GHz,當(dāng)需要更寬帶寬時(shí),PIN管型微波開關(guān)不太容易滿足。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于提供一種接收機(jī)中基于GaAs單片超寬帶單刀八擲微波電子開關(guān),解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺憾。

本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

接收機(jī)中基于GaAs單片超寬帶單刀八擲微波電子開關(guān),其特征在于,包括一個(gè)屏蔽盒,屏蔽盒內(nèi)設(shè)置有單刀八擲射頻開關(guān)電路,在屏蔽盒的側(cè)面設(shè)置有微波信號(hào)輸入端子、微波信號(hào)輸出端子、控制輸入端子和電源輸入端子,所述單刀八擲射頻開關(guān)電路包括驅(qū)動(dòng)電路單元和微波電路單元,微波電路單元包括單刀二擲開關(guān)芯片、單刀四擲開關(guān)芯片,控制輸入端子和電源輸入端子與驅(qū)動(dòng)電路單元相連,驅(qū)動(dòng)電路分別與單刀二擲開關(guān)芯片及單刀四擲開關(guān)芯片連接,微波信號(hào)輸入端子與單刀二搓開關(guān)芯片連接,微波輸出端子與單刀四擲開關(guān)芯片連接,在單刀二擲芯片和單刀四擲芯片的相鄰輸入端之間均通過單層電容連接。

進(jìn)一步的,控制輸入端子和電源輸入端子采用饋電絕緣子,通過控制端子,向內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路提供控制信號(hào)并通過驅(qū)動(dòng)電路再控制射頻開關(guān)的切換,通過電源輸入端子向內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)芯片提供電源。

進(jìn)一步的,微波信號(hào)輸入端子和微波信號(hào)輸出端子均采用2.92mm 連接器,可以用現(xiàn)有的不銹鋼2.92mm連接器D360S12F07。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是:相對(duì)于PIN管型微波電子開關(guān)具有更寬的帶寬,達(dá)到2GHz~26.5GHz,電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單化,僅需要匹配微帶以彌補(bǔ)鍵合芯片采用的金絲在高頻產(chǎn)生的電感效性即可,另外摒棄了傳統(tǒng)PIN管型微波電子開關(guān)需要安裝的寬帶射頻扼流圈,這樣使用生產(chǎn)簡(jiǎn)單化,使得單刀多擲開關(guān)每路的幅相一致性提高很多。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的PIN管型微波電子開關(guān)拓?fù)潆娐穲D。

圖2是基于GaAs單片的微波電子開關(guān)拓?fù)潆娐穲D。

圖3是圖2的電路原理圖。

圖4是單刀八擲開關(guān)的微波版圖。

圖5是芯片安裝于鉬銅托的示意圖。

具體實(shí)施方式

通過下面對(duì)實(shí)施例的描述,將更加有助于公眾理解本實(shí)用新型,但不能也不應(yīng)當(dāng)將申請(qǐng)人所給出的具體的實(shí)施例視為對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案的限制,任何對(duì)部件或技術(shù)特征的定義進(jìn)行改變和/或?qū)φw結(jié)構(gòu)作形式的而非實(shí)質(zhì)的變換都應(yīng)視為本實(shí)用新型的技術(shù)方案所限定的保護(hù)范圍。

如圖3所示的多倍頻的單刀八擲射頻開關(guān),包括屏蔽盒和設(shè)置在屏蔽盒內(nèi)部的單刀八擲射頻開關(guān),屏蔽盒的側(cè)面設(shè)置有微波信號(hào)輸入端子、微波信號(hào)輸出端子和控制輸入端子及電源輸入端子,單刀八擲開關(guān)電路包括驅(qū)動(dòng)電路單元和微波電路單元,微波電路單元包括單刀二擲開關(guān)芯片、單刀四擲開關(guān)芯片,電源輸入和控制輸入端子與驅(qū)動(dòng)電路相連,驅(qū)動(dòng)電路分別與單刀二擲開關(guān)芯片及單刀四擲開關(guān)芯片連接,微波信號(hào)輸入端子與單刀二擲開關(guān)芯片連接,微波輸出端子與單刀四擲開關(guān)芯片連接,單刀二擲芯片和單刀四擲芯片的相鄰的輸入端之間均通過單層電容連接。在本實(shí)施例中,控制輸入端子和電源輸入端子采用饋電絕緣子。通過控制端子,向內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路提供控制信號(hào)并通過驅(qū)動(dòng)電路再控制射頻開關(guān)的切換,通過電源輸入端子向內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)芯片提供電源。

本實(shí)施例中,微波信號(hào)輸入端子和微波信號(hào)輸出端子均采用2.92mm 連接器??梢杂矛F(xiàn)有的不銹鋼2.92mm連接器D360S12F07。

本實(shí)施例中,單刀八擲開關(guān)均采用平板微帶結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中,如圖2所示,單刀八擲開關(guān)由微帶線5與單刀二擲射頻開關(guān)1輸入相連,單刀二擲射頻開關(guān)1兩個(gè)輸出與微帶線8相連,微帶線8再與單刀四擲射頻開關(guān)7輸入相連,單刀四擲射頻開關(guān)7輸出最后與微帶線6相連,相連處均采用直徑0.0254mm粗的三根金絲相連,相連處微帶通過寬帶匹配以達(dá)到駐波較小的指標(biāo)。

本實(shí)施例中,屏蔽盒采用紫銅材質(zhì)且內(nèi)表面鍍金、外表面氧化。

本實(shí)施例中,參見圖5,還包括第一鉬銅底座3和第二鉬銅底座,單刀二擲開關(guān)芯片1通過無鉛焊料燒結(jié)到第一鉬銅底座3上,第一鉬銅底座3通過無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到第二屏蔽盒體4的內(nèi)表面;第二鉬銅底座采用無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到屏蔽盒體的內(nèi)表面。既實(shí)現(xiàn)了射頻開關(guān)芯片1充分接地,又達(dá)到了良好散熱。第一鉬銅底座3和第二鉬銅底座,驅(qū)動(dòng)放大器的放大芯片1的底部焊盤通過無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到第一鉬銅底座3上,第一鉬銅底座3通過無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到第二屏蔽盒體4的內(nèi)表面;功率放大器的放大芯片的底部焊盤通過無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到第二鉬銅底座上,第二鉬銅底座采用無鉛焊料2并采用無縫燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)到第三屏蔽盒體的內(nèi)表面。即實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)放大器的放大芯片1和功率放大器的放大芯片的充分接地,又達(dá)到了良好散熱。所述第一鉬銅底座3和第二鉬銅底座均為0.15mm。所述單刀二擲射頻開關(guān)芯片1和單刀四擲射頻開關(guān)芯片均為裸芯片。本實(shí)用新型在工作時(shí),直流電源通過電源輸入端子,給驅(qū)動(dòng)電路和微波電路提供電源??刂仆ㄟ^控制輸入端子控制微波電路中的單刀二擲射頻開關(guān)芯片和單刀四擲開關(guān)芯片。2GHz~26.5GHz微波信號(hào)經(jīng)過微波信號(hào)輸入端子輸入后依次經(jīng)單刀二擲開關(guān)和單刀四擲開關(guān)后輸出至微波信號(hào)輸出端子。

當(dāng)然,本實(shí)用新型還可以有其他多種實(shí)施例,在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型做出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

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