本實用新型涉及家電技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種IH電飯煲，尤其涉及一種電磁加熱電源電路。

背景技術(shù)：

自電飯煲誕生以來，加熱盤就是電飯煲的唯一加熱方式，其原理是通過加熱盤將熱量傳導(dǎo)至內(nèi)膽底部，然后由內(nèi)膽再將熱量傳遞給食材，這種加熱方式生產(chǎn)成本低，控制難度小，但加熱不均勻，不能進行精確溫控也是這種加熱方式很明顯的弊端。

隨著技術(shù)的進步，出現(xiàn)了IH電飯煲，IH電飯煲利用電磁加熱的方式對食材進行加熱。IH電磁技術(shù)的工作原理是通過電磁線圈接通交變電流，直接對金屬內(nèi)膽進行加熱，越過了加熱盤的熱量傳導(dǎo)過程，升溫迅速；而且很多高端IH電飯煲引入多級線圈，實現(xiàn)了對整個內(nèi)膽的環(huán)繞加熱，實現(xiàn)了絕對的均勻加熱；IH電飯煲還能對米飯燜制過程實現(xiàn)精準程序控制，根據(jù)米飯各個加熱階段的需要設(shè)定不同的加熱方案，米飯口感和營養(yǎng)成分都提升到了前所未有的高度。IH電飯煲以其顯著的優(yōu)勢正在逐漸取代傳統(tǒng)的電飯煲，成為市場主流。

參照圖1，現(xiàn)有的IH電飯煲的電磁加熱主電路是一個單管諧振的變換器，由橋式整流器和諧振變換器構(gòu)成，利用LC諧振現(xiàn)象，實現(xiàn)低開關(guān)損耗的ZVS的變換；但這種電路的缺點是：在諧振周期里，當諧振電流過小時，諧振電容上會出現(xiàn)殘壓，導(dǎo)致IGBT硬開通，大大加劇了開關(guān)損耗，同時產(chǎn)生較大的沖擊電流和EMI騷擾；該缺陷會嚴重影響IH電飯煲的正常使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種電磁加熱電源電路，該電路能減小IGBT的沖擊電流，改善EMC性能。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了如下技術(shù)方案：

一種電磁加熱電源電路，包括連接市電的橋式整流電路、耦接于整流電路的輸出端的濾波電路、連接在電磁加熱電源電路的第一輸出端上的第一IGBT以及與第一IGBT連接的用于控制第一IGBT的MCU控制器，電磁加熱電源電路的第一輸出端和第二輸出端之間連接有第一諧振電容，還包括諧振電路，所述諧振電路包括第二IGBT和整流二極管，所述第二ICBT的發(fā)射極通過第二諧振電容連接第一IGBT的集電極，所述第二IGBT的集電極連接電磁加熱電源電路的第二輸出端，所述第二IGBT的門極與發(fā)射極之間連接有第一電阻，所述整流二極管的陽極連接第二IGBT的發(fā)射極且其陰極連接第二IGBT的門極。

采用上述方案，當?shù)谝籌GBT開通時，電流經(jīng)過線圈盤流進第一IGBT，當?shù)谝籌GBT關(guān)閉時，線圈通向第二諧振電容充電，當?shù)诙C振電容充電電壓升高到一定電壓時（高于母線電壓時），第一諧振電容的電壓提供給第二IGBT的門極，第二IGBT2開通，此時兩個諧振電容并聯(lián)，線圈盤電流向兩諧振電容充電，此時因為電容值較大，第一IGBT的集電極極反向電壓不會充太高，從而形成在第二諧振電容單獨諧振時，硬開關(guān)的電壓很低，沖擊電流也很?。欢诘谝恢C振電容同時參與諧振時，會大大降低第一IGBT的集電極極反壓；減少第一IGBT的電應(yīng)力大幅蓋上EMC性能。

作為優(yōu)選方案：還包括溫控電路，所述溫控電路包括第一三極管、第二三極管和雙向可控硅光耦，第二電阻連接在第一電阻與第二IGBT的門極之間，第一三極管的基集連接第一電阻和第二電阻的連接點，第一三極管的發(fā)射極通過第三電阻連接第二IGBT的門極，第一三極管的集電極連接第二IGBT的發(fā)射極，雙向可控硅光耦的一個輸出端連接第一三極管的基集，其另一個輸出端連接第二IGBT的門極，第二三極管的集電極與雙向可控硅光耦的輸入端負極連接，第二三極管的發(fā)射極接地，第二三極管的基集與發(fā)射極之間還連接有第四電阻。

采用上述方案，當電路大功率工作時，第二IGBT溫升較高，此時可以將雙向可控硅光耦發(fā)光，使其二次側(cè)可控硅導(dǎo)通，這時第二電阻被短路，第二IGBT2的門極等效電容的電無法快速釋放，出現(xiàn)在VC諧振電壓低于母線電壓時，仍然會出現(xiàn)第二IGBT導(dǎo)通，這時第二諧振電容的電壓會被迅速充至母線電壓，這樣下一循環(huán)第二IGBT開啟電在VC=0點附件，不會產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗，以此減低溫升。

作為優(yōu)選方案：所述第二諧振電容的電容值大于第一諧振電容。

作為優(yōu)選方案：所述濾波電路為π型LC濾波電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點是：該種電磁加熱電源電路再現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)之上加入了輔助諧振電路，通過輔助諧振電路來降低IGTB硬開關(guān)的電壓，減小沖擊IGBT的沖擊電流，減小IGBT的電應(yīng)力。如此可以大大提高IGBT的性能和可靠性，大幅改善EMC的性能。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的電磁加熱電源電路；

圖2為本實施例中的電磁加熱電源電路。

具體實施方式

參照圖2，一種電磁加熱電源電路。

該電磁加熱電源電路包括并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管ZNR、電容C1和電阻R1，穩(wěn)壓二極管ZNR的一端通過保險絲FUSE連接市電的火線，穩(wěn)壓二極管ZNR的另一端連接市電的零線。電阻R1的一端與具有兩個線圈的電感L2的第一線圈的一端連接，第一線圈的另一端連接橋式整流電路的第一輸入端，電阻R1的另一端連接電感L2的第二線圈的一端，第二線圈的另一端連接橋式整流電路的第二輸入端。電容C2與電容C3串聯(lián)，電容C2的另一端連接橋式整流電路的第一輸入端，電容C3的另一端連接橋式整流電路的第二輸入端，電容C2與電容C3的連接點接地；電容C4的一端連接橋式整流電路的第一輸入端，電容C4的另一端連接橋式整流電路的第二輸入端；橋式整流電路的第一輸出端連接電感L1的一端，電感L1的另一端連接電源電路的第一輸出端OUT1。電容C5的一端連接電感L1的一端且其另一端連接橋式整流電路的第二輸出端，電容C9的一端連接電感L1的另一端且其另一端接地。

橋式整流電路的第二輸出端連接IGBT1的發(fā)射極，IGBT1的發(fā)射極通過熱敏電阻NTC連接MCU控制器的采樣信號輸入端，IGBT1的集電極連接電源電路的第二輸出端OUT2，電源電路的兩個輸出端OUT1與OUT2之間連接有第一諧振電容C6，IGBT1的門極連接MCU控制器的控制信號輸出端；IGBT1的門極與發(fā)射極之間連接有電容C10；整流二極管ZD1的陽極連接IGBT1的門極，其陰極接地；電阻R3一端連接IGBT1的門極，其另一端接地。二極管D1的陰極連接IGBT1的門極，二極管的陽極連接電容C8的一端，電容C8的另一端接地，電阻R4與電容C8并聯(lián)。

該電源電路還包括諧振電路。諧振電路包括IGBT2，IGBT2的集電極連接電源電路的第一輸出端OUT1，IGBT2的發(fā)射極通過第二諧振電容C7連接IGBT1的集電極；整流二極管ZD2的陽極連接IGBT2的門極且其陰極連接IGBT2的發(fā)射極；電阻R10與電阻R6串聯(lián)，電阻R10的另一端連接IGBT2的門極，電阻R6的另一端連接IGBT2的發(fā)射極。

這里，第二諧振電容C7的電容值大于第一諧振電容C6的電容值。

諧振電路的工作原理為：當IGBT1開通時，電流經(jīng)過線圈盤流進IGBT1，當IGBT1關(guān)閉時，線圈通向C6充電，當C6充電電壓升高到一定電壓時（高于母線電壓時），IGBT2的續(xù)流二極管開始導(dǎo)通，同時C7的電壓通過R18~R21提供給IGBT2的門極供電，當提供的電壓超過IGBT2的基極開啟電壓時，IGBT2開通，此時C6與C7并聯(lián)，線圈L1的盤電流向C6和C7一起充電，此時因為充電的電容值較大，IGBT1的集電極反向電壓不會充太高，從而形成在C7單獨諧振時，硬開關(guān)的電壓很低，沖擊電流也很小；而在C6同時參與諧振時，會大大降低IGBT1的C極反壓；減少IGBT1的電應(yīng)力。

在實際的測試中發(fā)現(xiàn)，帶有該種諧振電路的電源電路存在IGBT2開關(guān)損耗大，溫升升高的問題。

作為改進，該電源電路還配有溫控電路。

溫控電路包括三極管Q1、三極管Q2以及雙向可控硅光耦。

三極管Q1的基集連接電阻R10和電阻R6的連接點，Q1的發(fā)射極通過電阻R5連接IGBT2的門極，Q1的集電極連接IGBT2的發(fā)射極。

雙向可控硅光耦I(lǐng)C的一個輸出端連接三極管Q1的基集，其另一個輸出端連接IGBT2的門極，光耦I(lǐng)C的輸入端正極通過電阻R9連接+5V電壓。

三極管Q2的集電極與光耦I(lǐng)C的輸入端負極連接，Q2的發(fā)射極接地，Q2的基集通過電阻R8連接MCU控制器，Q2的基集與發(fā)射極之間還連接有電阻R7。

溫控電路的工作原理為：當大功率時，IGBT溫升較高，此時可以將IC3光耦發(fā)光，使得二次側(cè)可控硅導(dǎo)通，這時R10被短路，IGBT2的門極等效電容的電無法快速釋放，出現(xiàn)在VC諧振電壓低于母線電壓時，仍然會出現(xiàn)IGBT2導(dǎo)通，這時C7的電壓會被迅速充至母線電壓，這樣下一循環(huán)IGBT2開啟電在VC=0點附件，不會產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗，以此減低溫升。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，本實用新型的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本實用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護范圍。應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理前提下的若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。