1.一種半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一電壓檢測開關(guān)，所述電壓檢測開關(guān)的輸入端與所需驅(qū)動的半控型器件兩端連接，所述電壓檢測開關(guān)串聯(lián)在所述半控型器件的驅(qū)動回路中，所述電壓檢測開關(guān)在所述半控型器件兩端電位差不大于所述半控型器件通態(tài)電壓時導(dǎo)通，所述電壓檢測開關(guān)在檢測到所述半控型器件導(dǎo)通后截止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述電壓檢測開關(guān)的輸入回路、所述電壓檢測開關(guān)的輸出回路、所述半控型器件之間非絕緣隔離，所述電壓檢測開關(guān)在所述半控型開關(guān)兩端電位差大于零且滿足所述半控型器件導(dǎo)通的電壓方向時導(dǎo)通。
3.一種半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括第一電容、一半導(dǎo)體開關(guān)，所需驅(qū)動的半控型器件兩端的電壓信號通過所述第一電容傳遞至所述半導(dǎo)體開關(guān)的控制端，所述半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)在所述半控型器件的驅(qū)動回路中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半導(dǎo)體開關(guān)在所述半控型器件兩端電位差小于所述半控型器件的通態(tài)電壓，且所述半控型器件兩端電位差的方向滿足所述半控型器件的導(dǎo)通電壓方向時導(dǎo)通，所述半導(dǎo)體開關(guān)在所述半控型器件導(dǎo)通后截止。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半控型器件為單向晶閘管或雙向晶閘管。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括由一電阻與半導(dǎo)體器件串聯(lián)而成的串聯(lián)電路，所述串聯(lián)電路與所述第一電容并聯(lián)，通過所述串聯(lián)電路的電流用于在所述半控型器件兩端電位差大于所述半控型器件的通態(tài)電壓時控制所述半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半導(dǎo)體開關(guān)由半導(dǎo)體器件、電阻組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半導(dǎo)體開關(guān)為第一晶體管，包括一檢測電路，所述檢測電路的輸入端與所述半控型器件的第一端連接，所述檢測電路的輸出端通過所述第一電容與所述第一晶體管的第二端連接，所述第一晶體管的第一端、所述第一晶體管的第三端串聯(lián)在所述半控型器件的驅(qū)動回路中。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半導(dǎo)體開關(guān)包括第一晶體管、一檢測電路，所述檢測電路的輸入端通過所述第一電容與所述半控型器件的第一端連接，所述檢測電路的輸出端與所述第一晶體管的第二端連接，所述第一晶體管的第一端、所述第一晶體管的第三端串聯(lián)在所述半控型器件的驅(qū)動回路中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述檢測電路至少包括一共發(fā)射極電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半控型器件為單向晶閘管，所述第一晶體管為PNP型管，所述檢測電路包括第二晶體管、一二極管，所述第二晶體管為NPN型管，所述第二晶體管的基極通過所述第一電容與所述半控型器件的陽極連接，所述第二晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述半控型器件的陰極連接，所述第一晶體管的發(fā)射極為驅(qū)動信號輸入端，所述第一晶體管的集電極與所述半控型器件的觸發(fā)極連接，所述二極管與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發(fā)射極反向并聯(lián)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半控型器件為雙向晶閘管，所述檢測電路包括第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管，所述第一晶體管、所述第四晶體管為NPN型管，所述第二晶體管、所述第三晶體管為PNP型管，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第二晶體管的基極通過所述第一電容與所述半控型器件的第二陽極連接，所述第二晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述半控型器件的第一陽極連接，所述第四晶體管的基極與所述第三晶體管的集電極連接，所述第四晶體管的集電極與所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第四晶體管的發(fā)射極與所述第一晶體管的基極連接，所述第一晶體管的發(fā)射極為驅(qū)動信號輸入端，所述第一晶體管的集電極與所述半控型器件的觸發(fā)極連接。
13.一種根據(jù)權(quán)利要求3至12任一項所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括權(quán)利要求3至12任一項所述半控型器件驅(qū)動裝置，還包括第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳，所述半控型器件驅(qū)動裝置封裝在一絕緣材料中，所述半導(dǎo)體開關(guān)的控制端通過所述第一電容與所述第一引腳連接，所述半導(dǎo)體開關(guān)的輸出端回路的信號輸出端分別連接所述第二引腳、所述第四引腳，所述第三引腳用于與所述半導(dǎo)體開關(guān)連接形成工作回路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：封裝工藝溫度要求不低于125攝氏度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一光電耦合器、控制引腳，所述光電耦合器封裝在所述絕緣材料中，所述光電耦合器用于控制所述半控型器件的驅(qū)動信號，所述光電耦合器的控制端與所述控制引腳連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一二極管、第二電容，所述二極管、所述第二電容封裝在所述絕緣材料中，所述光電耦合器用于控制所述半控型器件的驅(qū)動信號，外部信號源輸入的信號通過所述第四引腳、所述二極管整流、所述第二電容濾波、所述半導(dǎo)體開關(guān)傳遞至所述第二引腳，所述半導(dǎo)體開關(guān)的控制端通過所述第一電容與所述第一引腳連接，所述光電耦合器的控制端與所述控制引腳連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一穩(wěn)壓器件，所述穩(wěn)壓器件封裝在所述絕緣材料中，所述穩(wěn)壓器件與所述第二電容并聯(lián)，或所述穩(wěn)壓器件通過所述二極管與所述第二電容并聯(lián)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一二極管、第五引腳、控制引腳，所述二極管封裝在所述絕緣材料中，外部信號源輸入的信號通過所述第四引腳、所述二極管整流、所述半導(dǎo)體開關(guān)傳遞至所述第二引腳，所述光電耦合器的控制端與所述控制引腳連接，所述第五引腳與所述二極管輸出端連接，所述第五引腳用于連接第二電容。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半控型器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一穩(wěn)壓器件，所述穩(wěn)壓器件封裝在所述絕緣材料中，所述穩(wěn)壓器件與所述第二電容并聯(lián)，或所述穩(wěn)壓器件通過所述二極管與所述第二電容并聯(lián)。
20.一種混合式器件，其特征是：其包括根據(jù)權(quán)利要求1至12任一項所述的半控型器件驅(qū)動裝置、所述半控型器件、第一電極、第二電極、第三電極，所述半控型器件驅(qū)動裝置與所述半控型器件連接，所述第一電極內(nèi)部端與所述半控型器件的第一端連接，所述第二電極的內(nèi)部端與所述半控型器件的第三端連接，所述第三電極的內(nèi)部端與所述半控型器件驅(qū)動裝置連接，外部驅(qū)動信號通過所述第三電極、所述半控型器件驅(qū)動裝置連接至所述半控型器件的第二端；所述半控型器件驅(qū)動裝置、所述半控型器件封裝在一絕緣材料中，所述第一電極的外部端、所述第二電極外部端、所述第三電極的外部端用于與外部連接。