技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種數(shù)字移相器，包括數(shù)字移相電路和GaN基；其中，數(shù)字移相電路位于GaN基上，數(shù)字移相電路采用全通型結(jié)構(gòu)的數(shù)字移相電路，該全通型結(jié)構(gòu)的數(shù)字移相電路具有AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的高電子遷移率場效應(yīng)晶體管(HEMT)作為開關(guān)器件。本發(fā)明的數(shù)字移相器提高了相控陣?yán)走_(dá)、通信、電子對抗以及智能武器等軍事系統(tǒng)與裝備中收發(fā)組件的性能，并且提高相移精度。

技術(shù)研發(fā)人員：羅衛(wèi)軍;孫朋朋;劉輝;張宗敏;耿苗;張蓉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.27
技術(shù)公布日：2017.11.07