本發(fā)明涉及電子元件的封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型結(jié)構(gòu)smd石英晶體諧振器。

背景技術(shù)：

通用的smd石英晶體諧振器存在以下缺點：陶瓷基座形成有加工石英晶片的凹形腔體，由于石英晶片需要在陶瓷基座的腔體內(nèi)進(jìn)行電極走線，由多層材料疊加燒結(jié)而成，工藝復(fù)雜，凹形腔體的四周側(cè)壁會阻礙作業(yè)人員對石英晶片的加工，需要更為精準(zhǔn)的設(shè)備來進(jìn)行，這樣就造成投資巨大、成本較高的問題。

為了解決這一問題，于2015.09.02授權(quán)公告、授權(quán)公告號為cn204615782u的中國實用新型專利中，公開了一種石英晶體諧振器，包括石英晶片、基座和與其密封配合的上蓋，所述石英晶片位于基座與上蓋形成的密封空腔內(nèi)，密封空腔形成在上蓋的下端面，這樣對加工石英晶片的工序較為簡單。在該實用新型專利中，還公開了在上蓋上開設(shè)連續(xù)的環(huán)形溝槽，增加了上蓋與基座粘接面的接觸面積以及粘接膠的容量，提高粘接的牢固度，改善封裝的氣密性。而采用膠接的方式其連接的氣密性較差，不耐焊接熱，易于有脫膠、掉殼和漏氣的現(xiàn)象發(fā)生。目前，采用更多的是縫合焊接方式，將金屬上蓋與基座焊接成一體，這對設(shè)備精度要求很高，且有焊接熱應(yīng)力殘留。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服上述缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種設(shè)備投入較少、設(shè)備加工難度較低、材料成本降低、消除封口應(yīng)力、提高一次合格率和性能指標(biāo)的新型結(jié)構(gòu)smd石英晶體諧振器。

為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種新型結(jié)構(gòu)smd石英晶體諧振器，包括金屬上蓋、陶瓷基板，所述金屬上蓋具有密封空腔，所述陶瓷基板呈平板狀，所述陶瓷基板上端面的四周設(shè)置有金屬環(huán)，所述金屬上蓋的四周設(shè)置有向外延伸的延伸部，所述延伸部一體成型在金屬上蓋上，所述延伸部與金屬環(huán)上下對應(yīng)且通過激光焊接固定。

本發(fā)明新型結(jié)構(gòu)smd石英晶體諧振器的有益效果是：金屬上蓋與陶瓷基板的封口采用無應(yīng)力的激光焊接技術(shù)，消除封口應(yīng)力，提高一次合格率和性能指標(biāo)。將陶瓷基板設(shè)計成平面結(jié)構(gòu)，一次加工而成，簡化陶瓷基板的加工工藝，降低成本。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)是，陶瓷基板上承載有石英晶片，目前，石英晶片通過兩個晶片載臺與一個晶片托臺來支撐，其中，晶片托臺位于石英晶片一邊的中心處，用以支撐石英晶片，兩個晶片載臺位于石英晶片另一邊的兩端，兩個晶片載臺分別與石英晶片的銀電極的兩個引出端連接，形成兩個相近的點膠點，由于點膠點過近，對設(shè)備的精度要求較高，相應(yīng)的，其生產(chǎn)成本也較高。為了解決這一問題，所述陶瓷基板的上方設(shè)置有方形的石英晶片，所述陶瓷基板的上端面設(shè)置有位于石英晶片四個角處的兩個連接用的晶片載臺和兩個托舉用的晶片托臺，兩個所述晶片載臺位于石英晶片的對角線處，所述石英晶片設(shè)置有銀電極，所述銀電極的兩個引出端通過導(dǎo)電膠固定安裝在兩個晶片載臺上，所述陶瓷基板與兩個晶片載臺和兩個晶片托臺對應(yīng)的背面設(shè)置有四個引腳電極，兩個所述晶片載臺與與其對應(yīng)的引腳電極分別通過引出電極連接，與兩個所述晶片托臺對應(yīng)的兩個引腳電極通過引出電極與金屬環(huán)連接。將石英晶片的銀電極的兩個引出端通過導(dǎo)電膠固定安裝在位于石英晶片的對角線處的兩個晶片載臺上，銀電極的兩個引出端與晶片載臺的導(dǎo)電膠形成兩個點膠點，采用新方案后，對角線形成的點膠點距離較長，對設(shè)備的精度較低，相應(yīng)的，減少了生產(chǎn)成本。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)是，所述晶片載臺、晶片托臺、金屬環(huán)、引腳電極均使用金屬材質(zhì)。無需多層疊加燒結(jié)，一次加工工藝完成，生產(chǎn)方便，成本降低。

優(yōu)選地，所述引出電極的材料為導(dǎo)電漿料，所述陶瓷基板上設(shè)置有通孔，所述通孔的兩端分別與引腳電極和金屬環(huán)/晶片載臺對應(yīng)，所述導(dǎo)電漿料被灌入所述通孔內(nèi)形成所述引出電極。通孔內(nèi)灌入導(dǎo)電漿料形成引出電極，通過在陶瓷基板上穿孔，供引出電極穿孔，可以避免引出電極直接與金屬環(huán)連接，造成短路的現(xiàn)象。

優(yōu)選地，所述金屬環(huán)接地。金屬上蓋與金屬環(huán)焊接后，形成靜電屏蔽，防止外部的電磁干擾。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)是，所述陶瓷基板上設(shè)置有若干組諧振器單體，每組所述諧振器單體包括所述金屬上蓋、金屬環(huán)、石英晶片、兩個晶片載臺、兩個晶片托臺、四個引腳電極以及局部的陶瓷基板。陶瓷基板的尺寸大于一個諧振器單體的陶瓷基板，一個陶瓷基板上可以加工若干組諧振器單體，提高了生產(chǎn)效率。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)是，每相鄰的兩組諧振器單體之間的陶瓷基板上設(shè)置有用于分解諧振器單體的凹槽。凹槽的設(shè)置便于快速掰斷每相鄰的兩組諧振器單體，繼而提高了生產(chǎn)效率。

優(yōu)選地，所述凹槽呈v字型。板上設(shè)置有v型槽，便于直接掰斷。

附圖說明

圖1為本實施例中陶瓷基板的俯視圖；

圖2為本實施例中陶瓷基板的仰視圖；

圖3為本實施例的主視圖；

圖4為本實施例的剖視圖；

圖5為本實施例多個諧振單體連接的俯視圖；

圖6為本實施例多個諧振單體連接的主剖視圖。

圖中：

1-金屬上蓋；2-陶瓷基板；3-密封空腔；4-金屬環(huán)；5-延伸部；6-石英晶片；7-晶片載臺；8-晶片托臺；9-銀電極；10-引出端；11-導(dǎo)電膠；12-引腳電極；13-引出電極；14-通孔；15-諧振器單體；16-凹槽。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

參見附圖1-6所示，本實施例中的一種新型結(jié)構(gòu)smd石英晶體諧振器，包括金屬上蓋1、陶瓷基板2，金屬上蓋1具有密封空腔3，陶瓷基板2呈平板狀，陶瓷基板2上端面的四周設(shè)置有金屬環(huán)4，金屬上蓋1的四周設(shè)置有向外延伸的延伸部5，延伸部5一體成型在金屬上蓋1上，延伸部5與金屬環(huán)4上下對應(yīng)且通過激光焊接固定。

陶瓷基板2的上方設(shè)置有方形的石英晶片6，陶瓷基板2的上端面設(shè)置有位于石英晶片6四個角處的兩個連接用的晶片載臺7和兩個托舉用的晶片托臺8，兩個晶片載臺7位于石英晶片6的對角線處，石英晶片6設(shè)置有銀電極9，銀電極9的兩個引出端10通過導(dǎo)電膠11固定安裝在兩個晶片載臺7上，陶瓷基板2與兩個晶片載臺7和兩個晶片托臺8對應(yīng)的背面設(shè)置有四個引腳電極12，兩個晶片載臺7與與其對應(yīng)的引腳電極12分別通過引出電極13連接，與兩個晶片托臺8對應(yīng)的兩個引腳電極12通過引出電極13與金屬環(huán)4連接，金屬環(huán)4接地。

為了避免多層疊加燒結(jié)，晶片載臺7、晶片托臺8、金屬環(huán)4、引腳電極12均使用金屬材質(zhì)。一次加工完成，生產(chǎn)方便。

引出電極13的材料為導(dǎo)電漿料，為了避免引出電極直接與金屬環(huán)連接，造成短路的現(xiàn)象，陶瓷基板2上設(shè)置有通孔14，通孔14的兩端分別與引腳電極12和金屬環(huán)4/晶片載臺7對應(yīng)，導(dǎo)電漿料被灌入通孔14內(nèi)形成引出電極13。

陶瓷基板2上設(shè)置有若干組諧振器單體15，每組諧振器單體15包括上蓋、金屬環(huán)4、石英晶片6、兩個晶片載臺7、兩個晶片托臺8、四個引腳電極12以及一塊整板的陶瓷基板2的局部。為了便于掰斷陶瓷基板2，則每相鄰的兩組諧振器單體15之間的陶瓷基板2上設(shè)置有v字型的凹槽16，凹槽16用于分解諧振器單體15。

以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。