本發(fā)明涉及的是信號隔離技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用mos管對信號隔離電路。

背景技術(shù)：

信號隔離就是說電路里信號的收發(fā)端使用的是各自獨立的電源，一端的電源不會對另一端芯片產(chǎn)生影響，否則會出現(xiàn)燒毀芯片的情況。目前，在電路的設(shè)計當(dāng)中，經(jīng)常會遇到信號隔離的情況，而且現(xiàn)在的隔離芯片種類也很多，但價格也不菲，且有時候電路當(dāng)中的信號需要提供一定的驅(qū)動能力，而隔離芯片卻提供不了，這就出現(xiàn)問題了；另外隔離芯片的通道數(shù)一般很多，而電路中不一定需要很多路信號，基于此，設(shè)計一種新型的利用mos管對信號隔離電路尤為必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)上存在的不足，本發(fā)明目的是在于提供一種利用mos管對信號隔離電路，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，驅(qū)動能力強，成本低，對信號隔離效果好，穩(wěn)定可靠，易于推廣使用。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種利用mos管對信號隔離電路，包括第一mos管、第一電阻、第二電阻，第一mos管的柵極為信號輸入端，第一mos管的柵極連接第一電阻至電源端，第一mos管的源極接地，第一mos管的漏極連接第二電阻至電源端，第一mos管的漏極為信號輸出端，所述的第一mos管為n溝道m(xù)os管；該電路為信號輸出反相電路。

一種利用mos管對信號隔離電路，包括第二mos管、第三電阻-第五電阻，第二mos管的柵極為信號輸入端，第二mos管的柵極連接第三電阻至電源端，第二mos管的源極連接第五電阻至地端，第二mos管的源極為信號輸出端，第二mos管的漏極連接第四電阻至電源端，所述的第二mos管為n溝道m(xù)os管或p溝道m(xù)os管；該電路為信號輸出同相電路。

本發(fā)明的有益效果：能有效對信號隔離，驅(qū)動能力強，成本低，穩(wěn)定性高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式來詳細(xì)說明本發(fā)明；

圖1為本發(fā)明信號反相的電路圖；

圖2為本發(fā)明信號同相的電路圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實施方式，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

參照圖1-2，本具體實施方式采用以下技術(shù)方案：一種利用mos管對信號隔離電路，包括第一mos管q1、第一電阻r1、第二電阻r2，第一mos管q1的柵極為信號輸入端s1，第一mos管q1的柵極連接第一電阻r1至電源端，第一mos管q1的源極接地，第一mos管q1的漏極連接第二電阻r2至電源端，第一mos管q1的漏極為信號輸出端s2，所述的第一mos管q1為n溝道m(xù)os管，當(dāng)柵極是高電平時，第一mos管q1導(dǎo)通；當(dāng)柵極是低電平時，第一mos管q1關(guān)閉。

本具體實施方式當(dāng)s1處為高電平時，第一mos管q1導(dǎo)通，此時s2信號拉到地上，所以s2處出現(xiàn)低電平；相反當(dāng)s1處為低電平時，第一mos管q1關(guān)閉，則s2經(jīng)過第二電阻r2上拉到電源v2，則為高電平，此時的信號是反相的。

本具體實施方式采用同樣的原理，可以讓s1處、s2處的信號同相，其原理圖見圖2，該信號隔離電路包括第二mos管q2、第三電阻r3-第五電阻r5，第二mos管q2的柵極為信號輸入端s1，第二mos管q2的柵極連接第三電阻r3至電源端，第二mos管q2的源極連接第五電阻r5至地端，第二mos管q2的源極為信號輸出端s2，第二mos管q2的漏極連接第四電阻r4至電源端；該電路中第二mos管q2可以是n溝道m(xù)os管或者p溝道m(xù)os管；當(dāng)s1處為高電平時，第二mos管q2導(dǎo)通，此時s2處出現(xiàn)高電平；相反當(dāng)s1處為低電平時，第二mos管q2關(guān)閉，則s2經(jīng)過第五電阻r5下拉到地端，則為低電平，此時兩信號是同相的。

本具體實施方式驅(qū)動能力強，價格便宜，適用于共地的電路設(shè)計當(dāng)中，且信號是單向的，電路設(shè)計可靠性高，且成本低，適用性廣，具有廣闊的市場應(yīng)用前景。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種利用MOS管對信號隔離電路，它涉及信號隔離技術(shù)領(lǐng)域。它包括第一MOS管、第一電阻、第二電阻，第一MOS管的柵極為信號輸入端，第一MOS管的柵極連接第一電阻至電源端，第一MOS管的源極接地，第一MOS管的漏極連接第二電阻至電源端，第一MOS管的漏極為信號輸出端，所述的第一MOS管為N溝道MOS管；該電路為信號輸出反相電路。本發(fā)明驅(qū)動能力強，成本低，對信號隔離效果好，穩(wěn)定可靠，易于推廣使用。

技術(shù)研發(fā)人員：伍潔慧;杜茂峰;谷曉雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海樂野網(wǎng)絡(luò)科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.07
技術(shù)公布日：2017.10.24