本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種jfet(junctionfield-effecttransistor,結(jié)型場效應(yīng)晶體管)輸入的高性能運算放大器。
背景技術(shù):
隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展,集成運算放大器發(fā)展十分迅速,通用型集成運算放大器經(jīng)歷了好幾代的更替,各項技術(shù)指標不斷的改進。與此同時,為適應(yīng)特殊的需要發(fā)展了多種專用型集成運算放大器,如高阻抗,低功耗,高速,寬帶等高性能的運算放大器。
在衛(wèi)星通信、醫(yī)療設(shè)備儀器、自動控制系統(tǒng)、智能傳感器等領(lǐng)域高輸入阻抗型精密運算放大器被廣泛應(yīng)用。根據(jù)電路原理,運算放大器的輸入阻抗與它的輸入偏置電流成反比。高輸入阻抗運算放大器的輸入電阻一般在1010ω~1012ω左右,輸入偏置電流一般為幾皮安~幾十皮安。在集成運算放大器的發(fā)展中,提高運算放大器的輸入阻抗有多種不同的方法,其中通過改進雙極型運算放大器輸入級電路的設(shè)計來提高輸入阻抗,但這樣做局限性較大;另外,經(jīng)申請人研究發(fā)現(xiàn),采用場效應(yīng)晶體管(jfet)作為運算放大器的輸入級,這樣jfet管的柵極電流就是輸入偏置電流,該電流的大小在皮安的數(shù)量級,也使得電路的輸入阻抗大大提高,達到了1012ω或者更高的水平,但由于jfet管受工藝波動影響較大,其作為運算放大器輸入級時電路的失調(diào)電壓較大。因此,有必要提供一種高性能的運算放大器電路。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種jfet輸入的高性能運算放大器,以解決目前運算放大器采用jfet管時存在的失調(diào)電壓較大的問題。
根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面,提供一種jfet輸入的高性能運算放大器,包括輸入級電路、增益電路、輸出級電路和偏置電路,所述偏置電路用于向所述輸入級電路和所述輸出級電路提供對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流,所述輸入級電路用于輸入信號,并將所述信號輸出給所述增益電路,所述增益電路用于對所述信號進行放大并輸出給所述輸出級電路,所述輸出級電路用于將放大后信號穩(wěn)定輸出;所述輸入級電路用于接收依據(jù)所述放大后信號的失調(diào)電壓所產(chǎn)生的失調(diào)控制信號,以對運算放大過程中因所述輸入級電路中jfet管引起的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié);對所述輸入級電路與所述增益電路匹配設(shè)計來降低所述失調(diào)電壓。
在一種可選的實現(xiàn)方式中,所述輸入級電路為雙端輸入單端輸出電路,其差分輸入端用于輸入差分信號,在將所述差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號后,由其單端輸出端將該單端信號提供給所述增益電路,并采用減小β影響的鏡像電流源作為有源負載。
在另一種可選的實現(xiàn)方式中,所述輸入級電路包括jfet管j1和j2,npn型晶體管qn1、qn2和qn3,pnp型晶體管qp1和qp2,電阻r1、r2、r3、r11和r12,其中pnp型晶體管qp1和qp2的基極分別用于輸入對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流,pnp型晶體管qp2的發(fā)射極接正電源,pnp型晶體管qp2的集電極和pnp型晶體管qp1的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp1的集電極分別與jfet管j1和j2的源極連接,為輸入級電路提供靜態(tài)偏置電流;
所述jfet管j1和j2的柵極為運算放大器的差分輸入端,用于輸入差分信號,jfet管j1的漏極與npn型晶體管qn3的基極、npn型晶體管qn1的集電極相連,npn型晶體管qn3的集電極接正電源,npn型晶體管qn1的基極與npn型晶體管qn2的基極、qn3的發(fā)射極相連并通過電阻r3連接到負電源,實現(xiàn)雙端到單端轉(zhuǎn)化,npn型晶體管qn1的發(fā)射極通過電阻r1連接到負電源,同時通過電阻r11連接到調(diào)節(jié)端口ba1,npn型晶體管qn2的發(fā)射極通過電阻r2連接到負電源,同時通過電阻r12連接到調(diào)節(jié)端口ba2,jfet管j2的漏極、npn型晶體管qn2的集電極相連,連接點為運算放大器輸入級電路的單端輸出端,用于將所述單端信號提供給所述增益電路;
所述調(diào)節(jié)端口ba1和ba2用于接收依據(jù)所述放大后信號的失調(diào)電壓所產(chǎn)生的失調(diào)控制信號,以對運算放大過程中因所述輸入級電路中jfet管引起的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié)。
在另一種可選的實現(xiàn)方式中,所述增益電路包括npn型晶體管qn4和qn5,電阻r4和r5,構(gòu)造了共集共射的高增益結(jié)構(gòu),其中npn型晶體管qn4的基極用于接收所述輸入級電路提供的信號,npn型晶體管qn4的集電極接正電源,npn型晶體管qn4的發(fā)射極通過電阻r4連接到負電源,同時npn型晶體管qn4的發(fā)射極與npn型晶體管qn5的基極連接,npn型晶體管qn5的發(fā)射極通過電阻r5連接到負電源,npn型晶體管qn5的集電極作為所述增益電路的輸出端,用于輸出放大后信號。
在另一種可選的實現(xiàn)方式中,所述輸出級電路包括npn型晶體管qn6、qn7、qn8、qn9和qn10,pnp型晶體管qp3、qp6和qp7,電阻r6、r7、r8和r9,其中pnp型晶體管qp3的基極用于輸入所述偏置電路提供的偏置電壓和偏置電流,pnp型晶體管qp3的發(fā)射極與正電源連接,pnp型晶體管qp3的集電極與npn型晶體管qn7的集電極、基極,以及npn型晶體管qn6的集電極相連,npn型晶體管qn7的發(fā)射極與npn型晶體管qn6的基極和電阻r6的一端相連,npn型晶體管qn6的發(fā)射極與電阻r6的另一端相連并用于輸入所述放大后信號;
npn型晶體管qn9的集電極與正電源連接,npn型晶體管qn9的基極與npn型晶體管qn10的集電極、npn型晶體管qn6的集電極相連,npn型晶體管qn9的發(fā)射極與npn型晶體管qn10的基極和電阻r7的一端相連,npn型晶體管qn10的發(fā)射極與pnp型晶體管qp7的發(fā)射極、電阻r7的另一端、電阻r8的一端和電阻r9的一端相連,pnp型晶體管qp7的基極與pnp型晶體管qp6的發(fā)射極、npn型晶體管qn8的集電極和電阻r8的另一端相連,pnp型晶體管qp7的集電極與pnp型晶體管qp6的基極、npn型晶體管qn6的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp6的集電極與npn型晶體管qn8的基極相連,npn型晶體管qn8的發(fā)射極與負電源相連,電阻r9的另一端用于輸出所述放大后信號。
在另一種可選的實現(xiàn)方式中,所述偏置電路包括jfet管j3,穩(wěn)壓管z1,npn型晶體管qn11,pnp型晶體管qp4和qp5,電阻r10,其中jfet管j3的源極和柵極接正電源,jfet管j3的漏極與npn型晶體管qn11的基極、穩(wěn)壓管z1的負極相連,穩(wěn)壓管z1的正極接負電源,npn型晶體管qn11的發(fā)射極通過電阻r10連接到負電源,pnp型晶體管qp4的基極與其集電極相連,同時與npn型晶體管qn11的集電極相連,pnp型晶體管qp5的基極與其集電極相連,同時與pnp型晶體管qp4的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp5的發(fā)射極接正電源;
pnp型晶體管qp4和qp5的基極分別用于向所述輸入級電路和所述輸出級電路提供對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流。
在另一種可選的實現(xiàn)方式中,所述輸入級電路的輸出端與所述增益電路的輸出端之間設(shè)置有相位補償電容。
本發(fā)明的有益效果是:
1、本發(fā)明根據(jù)運算放大器輸出信號存在的失調(diào)電壓,生成失調(diào)控制信號,并將該失調(diào)控制信號傳輸給輸入級電路,以對運算放大器輸出信號存在的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié),從而可以減小運算放大器采用jfet管時引入的電路失調(diào)電壓;另外,本發(fā)明通過對輸入級電路和增益電路進行匹配設(shè)計,可以降低運算放大器將jfet管用于輸入級電路時引入的失調(diào)電壓;
2、本發(fā)明的輸入級電路中npn型晶體管qn3、qn1和qn2,電阻r1、r2和r3實現(xiàn)了雙端輸入單端輸出的轉(zhuǎn)換,并且在轉(zhuǎn)換過程中采用p型結(jié)型場效應(yīng)管差分對輸入和減小β影響的鏡像電流源做有源負載,有效增大了輸入級電路的輸入電阻,減小了輸入偏置電流,提高了輸入級電路的增益、信號轉(zhuǎn)換精度和接收靈敏度;另外,本發(fā)明通過設(shè)計失調(diào)電壓調(diào)節(jié)端口,可以降低運算放大器采用jfet管時引入的失調(diào)電壓;
3、本發(fā)明使增益電路中的npn型晶體管qn4、電阻r4與輸入級電路中的npn型晶體管qn3、電阻r3相匹配,可以使增益電路與輸入級電路之間形成匹配設(shè)計,從而可以有效降低運算放大器因采用jfet管而引入的失調(diào)電壓;
4、本發(fā)明的輸出級電路中npn型晶體管qn6和qn7、pnp型晶體管qp3以及電阻r6作為輸出級電路的偏置子電路,用于向輸出級電路提供偏置電流;本發(fā)明中pnp型晶體管qp6和qn8構(gòu)成復合pnp管,其與npn型晶體管qn9形成互補推挽輸出結(jié)構(gòu),保證了輸出較強的驅(qū)動能力,并減小了交越失真,另外本發(fā)明中npn型晶體管qn10和電阻r7、pnp型晶體管qp7和電阻r8構(gòu)成輸出級電流的過載保護,可以有效防止了電流過大時對電路造成的損壞;
5、本發(fā)明的偏置電路中jfet管j3具有電流源能力,能夠提供恒定小電流,穩(wěn)壓管z1為npn型晶體管qn11提供偏置電壓和偏置電流,同時具有正溫度系數(shù)的穩(wěn)壓管z1和具有負溫度系數(shù)的npn型晶體管qn11的溫漂相互抵消,提高了偏置電路的溫度穩(wěn)定性。pnp型晶體管qp4、qp5鏡像輸出為輸入級和輸出級提供穩(wěn)定偏置;
6、本發(fā)明通過在輸入級電路的輸出端與增益電路的輸出端之間設(shè)置電容,可以實現(xiàn)相位補償,避免輸出的信號出現(xiàn)振蕩。
附圖說明
圖1是本發(fā)明jfet輸入的高性能運算放大器的一個實施例電路方框圖;
圖2是本發(fā)明jfet輸入的高性能運算放大器的一個實施例電路原理圖。
具體實施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,并使本發(fā)明實施例的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例中技術(shù)方案作進一步詳細的說明。
在本發(fā)明的描述中,除非另有規(guī)定和限定,需要說明的是,術(shù)語“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是機械連接或電連接,也可以是兩個元件內(nèi)部的連通,可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
參見圖1,為本發(fā)明jfet輸入的高性能運算放大器的一個實施例電路方框圖。該jfet輸入的高性能運算放大器可以包括輸入級電路110、增益電路120、輸出級電路130和偏置電路140,所述偏置電路140用于向所述輸入級電路110和所述輸出級電路130提供對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流,所述輸入級電路110用于輸入信號,并將所述信號輸出給所述增益電路120,所述增益電路120用于對所述信號進行放大并輸出給所述輸出級電路130,所述輸出級電路130用于將放大后信號穩(wěn)定輸出;所述輸入級電路130用于接收依據(jù)所述放大后信號的失調(diào)電壓所產(chǎn)生的失調(diào)控制信號,以對運算放大過程中因所述輸入級電路110中jfet管引起的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié);對所述輸入級電路110與所述增益電路120匹配設(shè)計來降低所述失調(diào)電壓。
由上述實施例可見,經(jīng)申請人研究發(fā)現(xiàn),當運算放大器將jfet管用于輸入級電路時其存在電路失調(diào)電壓較大的問題?;谏鲜鲅芯堪l(fā)現(xiàn),本發(fā)明根據(jù)運算放大器輸出信號存在的失調(diào)電壓,生成失調(diào)控制信號,并將該失調(diào)控制信號傳輸給輸入級電路,以對運算放大器輸出信號存在的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié),從而可以減小運算放大器采用jfet管時引入的電路失調(diào)電壓。另外,本發(fā)明通過對輸入級電路和增益電路進行匹配設(shè)計,可以降低運算放大器將jfet管用于輸入級電路時引入的失調(diào)電壓。
參見圖2,為本發(fā)明jfet輸入的高性能運算放大器的一個實施例電路原理圖。圖2與圖1所示實施例的區(qū)別在于,所述輸入級電路110為雙端輸入單端輸出電路,其差分輸入端用于輸入差分信號,在將所述差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號后,由其單端輸出端將該單端信號提供給所述增益電路120,并采用減小β影響的鏡像電流源作為有源負載。其中,所述輸入級電路120可以包括差分對jfet管j1和j2,npn型晶體管qn1、qn2和qn3,pnp型晶體管qp1和qp2,電阻r1、r2、r3、r11和r12,pnp型晶體管qp1和qp2的基極分別用于輸入對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流(即pnp型晶體管qp1的基極與pnp型晶體管qp4的基極相連,pnp型晶體管qp2的基極與pnp型晶體管qp5的基極相連),pnp型晶體管qp2的發(fā)射極接正電源,pnp型晶體管qp2的集電極和pnp型晶體管qp1的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp1的集電極分別與jfet管j1和j2的源極連接,為輸入級電路提供靜態(tài)偏置電流。
所述jfet管j1和j2的柵極為運算放大器的差分輸入端,用于輸入差分信號,jfet管j1的漏極與npn型晶體管qn3的基極、npn型晶體管qn1的集電極相連,npn型晶體管qn3的集電極接正電源,npn型晶體管qn1的基極與npn型晶體管qn2的基極和npn型晶體管qn3的發(fā)射極相連并通過電阻r3連接到負電源,實現(xiàn)雙端到單端轉(zhuǎn)化,npn型晶體管qn1的發(fā)射極通過電阻r1連接到負電源,同時通過電阻r11連接到調(diào)節(jié)端口ba1,npn型晶體管qn2的發(fā)射極通過電阻r2連接到負電源,同時通過電阻r12連接到調(diào)節(jié)端口ba2,jfet管j2的漏極、npn型晶體管qn2的集電極相連,連接點為運算放大器輸入級電路的單端輸出端,用于將所述單端信號提供給所述增益電路140。
所述調(diào)節(jié)端口ba1和ba2用于接收依據(jù)所述放大后信號的失調(diào)電壓所產(chǎn)生的失調(diào)控制信號,以對運算放大過程中因所述輸入級電路中jfet管引起的失調(diào)電壓進行實時調(diào)節(jié)。本實施例中npn型晶體管qn3、qn1和qn2,電阻r1、r2和r3實現(xiàn)了雙端輸入單端輸出的轉(zhuǎn)換,并且在轉(zhuǎn)換過程中采用p型結(jié)型場效應(yīng)管差分對輸入和減小β影響的鏡像電流源做有源負載,有效增大了輸入級電路的輸入電阻,減小了輸入偏置電流,提高了輸入級電路的增益、信號轉(zhuǎn)換精度和接收靈敏度。另外,本發(fā)明通過設(shè)計失調(diào)電壓調(diào)節(jié)端口,可以降低運算放大器采用jfet管時引入的失調(diào)電壓。
圖2與圖1所示實施例的區(qū)別還在于,所述增益電路120可以包括npn型晶體管qn4和qn5,電阻r4和r5,構(gòu)造了共集共射的高增益結(jié)構(gòu),其中npn型晶體管qn4的基極用于接收所述輸入級電路110提供的信號(即npn型晶體管qn4的基極連接jfet管j2的漏極與npn型晶體管qn2的集電極的連接點),npn型晶體管qn4的集電極接正電源,npn型晶體管qn4的發(fā)射極通過電阻r4連接到負電源,同時npn型晶體管qn4的發(fā)射極與npn型晶體管qn5的基極連接,npn型晶體管qn5的發(fā)射極通過電阻r5連接到負電源,npn型晶體管qn5的集電極作為所述增益電路120的輸出端,用于輸出放大后信號。本發(fā)明通過采用雙極晶體管作為增益電路,可以獲得較高的增益,并且本發(fā)明通過使增益電路中的npn型晶體管qn4、電阻r4與輸入級電路中的npn型晶體管qn3、電阻r3相匹配,可以使增益電路與輸入級電路之間形成匹配設(shè)計,從而可以有效降低運算放大器因采用jfet管而引入的失調(diào)電壓。
圖2與圖1所示實施例的區(qū)別還在于,所述輸出級電路130可以包括npn型晶體管qn6、qn7、qn8、qn9和qn10,pnp型晶體管qp3、qp6和qp7,電阻r6、r7、r8和r9,其中pnp型晶體管qp3的基極用于輸入所述偏置電路140提供的偏置電壓和偏置電流(即與偏置電路110中pnp型晶體管qp5的基極連接),pnp型晶體管qp3的發(fā)射極與正電源連接,pnp型晶體管qp3的集電極與npn型晶體管qn7的集電極、基極,以及npn型晶體管qn6的集電極相連,npn型晶體管qn7的發(fā)射極與npn型晶體管qn6的基極和電阻r6的一端相連,npn型晶體管qn6的發(fā)射極與電阻r6的另一端相連并用于輸入所述放大后信號,即npn型晶體管qn6的發(fā)射極與增益電路120中npn型晶體管qn5的集電極連接。本發(fā)明中npn型晶體管qn6和qn7、pnp型晶體管qp3以及電阻r6作為輸出級電路的偏置子電路,用于向輸出級電路提供偏置電流。
npn型晶體管qn9的集電極與正電源連接,npn型晶體管qn9的基極與npn型晶體管qn10的集電極、npn型晶體管qn6的集電極相連,npn型晶體管qn9的發(fā)射極與npn型晶體管qn10的基極和電阻r7的一端相連,npn型晶體管qn10的發(fā)射極與pnp型晶體管qp7的發(fā)射極、電阻r7的另一端、電阻r8的一端和電阻r9的一端相連,pnp型晶體管qp7的基極與pnp型晶體管qp6的發(fā)射極、npn型晶體管qn8的集電極和電阻r8的另一端相連,pnp型晶體管qp7的集電極與pnp型晶體管qp6的基極、npn型晶體管qn6的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp6的集電極與npn型晶體管qn8的基極相連,npn型晶體管qn8的發(fā)射極與負電源相連,電阻r9的另一端用于輸出所述放大后信號。本發(fā)明中pnp型晶體管qp6和qn8構(gòu)成復合pnp管,其與npn型晶體管qn9形成互補推挽輸出結(jié)構(gòu),保證了輸出較強的驅(qū)動能力,并減小了交越失真,另外本發(fā)明中npn型晶體管qn10和電阻r7、pnp型晶體管qp7和電阻r8構(gòu)成輸出級電流的過載保護,可以有效防止了電流過大時對電路造成的損壞。
圖2與圖1所示實施例的區(qū)別還在于,所述偏置電路140可以包括jfet管j3,穩(wěn)壓管z1,npn型晶體管qn11,pnp型晶體管qp4和qp5,電阻r10,其中jfet管j3的源極和柵極接正電源,jfet管j3的漏極與npn型晶體管qn11的基極、穩(wěn)壓管z1的負極相連,穩(wěn)壓管z1的正極接負電源,npn型晶體管qn11的發(fā)射極通過電阻r10連接到負電源,pnp型晶體管qp4的基極與其集電極相連,同時與npn型晶體管qn11的集電極相連,pnp型晶體管qp5的基極與其集電極相連,同時與pnp型晶體管qp4的發(fā)射極相連,pnp型晶體管qp5的發(fā)射極接正電源。pnp型晶體管qp4和qp5的基極分別用于向所述輸入級電路和所述輸出級電路提供對應(yīng)的偏置電壓和偏置電流,其中pnp型晶體管qp4的基極與pnp型晶體管qp1的基極相連,pnp型晶體管qp5的基極與pnp型晶體管qp2、qp3的基極相連。jfet管j3具有電流源能力,能夠提供恒定小電流,穩(wěn)壓管z1為npn型晶體管qn11提供偏置電壓和偏置電流,同時具有正溫度系數(shù)的穩(wěn)壓管z1和具有負溫度系數(shù)的npn型晶體管qn11的溫漂相互抵消,提高了偏置電路的溫度穩(wěn)定性。pnp型晶體管qp4、qp5鏡像輸出為輸入級和輸出級提供穩(wěn)定偏置。
另外,圖2與圖1所示實施例的區(qū)別還在于,所述輸入級電路110的輸出端與所述增益電路120的輸出端之間設(shè)置有相位補償電容c1,即相位補償電容c1設(shè)置在npn型晶體管qn2的集電極與npn型晶體管qn5的集電極之間。本發(fā)明通過在輸入級電路的輸出端與增益電路的輸出端之間設(shè)置電容,可以實現(xiàn)相位補償,避免輸出的信號出現(xiàn)振蕩。
由上述實施例可見,本發(fā)明通過采用jfet場效應(yīng)管作為輸入級電路的一部分,可以提高運算放大器的輸入阻抗,采用調(diào)節(jié)端口ba1和ba2,可以對運算放大器的失調(diào)電壓進行調(diào)節(jié),采用雙極晶體管qn4和qn5作為增益電路的一部分,可以提高運算放大器的增益,采用輸入級電路與增益電路的匹配設(shè)計,可以降低運算放大器的失調(diào)電壓,采用上述輸出級電路,可以對輸出信號進行過載保護,且?guī)ж撦d能力較強,采用上述偏置電路,可以向運算放大器提供穩(wěn)定的偏置電壓和偏置電流。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后,將容易想到本發(fā)明的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本發(fā)明的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化,這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本發(fā)明的一般性原理并包括本發(fā)明未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實施例僅被視為示例性的,本發(fā)明的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。
應(yīng)當理解的是,本發(fā)明并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu),并且可以在不脫離其范圍進行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。