本發(fā)明涉及分離頻率互不相同的多個信號的分波器。

背景技術：

近年來，在以手機或智能手機為代表的小型移動通信設備中，多功能化、多元系統(tǒng)(多頻帶)化正在推進。另外，該小型移動通信設備中，從小型化、省空間化、低成本化的觀點出發(fā)，廣泛使用設置在系統(tǒng)及使用頻帶不同的多個應用中共同地使用的天線，使用分波器分離該天線收發(fā)的多個信號的結構。

一般地，分離頻帶互不相同的兩個信號的分波器具備共同端口、第一信號端口、第二信號端口、設置于共同端口和第一信號端口之間的第一濾波器、設置于共同端口和第二信號端口之間的第二濾波器。

近年來，從市場方面要求小型移動通信設備的小型化、節(jié)省空間化，還要求其通信設備所使用的分波器的小型化。作為適合小型化的分波器，如日本專利申請公開2006-93996號公報所示，已知有使用包含被層疊的多個電介質層和多個導體層的層疊體的分波器。

在使用層疊體而構成的分波器中，有以下結構：從共同端口側觀察時的向第一濾波器的路徑和向第二濾波器的路徑的分支點處于遠離共同端口的位置，設置有連接共同端口和分支點的共同路徑。另外，在使用層疊體而構成的分波器中，包含上述共同路徑且從共同端口到兩個濾波器的至少一方的路徑有時包含被串聯(lián)連接的多個通孔。以下，將串聯(lián)連接的多個通孔的集合體叫做通孔列。特別是在層疊體的底面配置有包含與共同端口相對應的端子的多個端子的分波器中，有時不得不使用比較長的通孔列構成從共同端口到兩個濾波器的至少一方的路徑。

通孔列具有電感。因此，目前，在使用通孔列構成從共同端口到兩個濾波器的至少一方的路徑的分波器中，由于通孔列的電感，在共同端口和兩個濾波器的至少一方之間引起阻抗的失配，與設計時相比，存在分波器的特性變差這樣的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種即使從共同端口到兩個濾波器的至少一方的路徑具有電感，也可以實現(xiàn)良好的特性的分波器。

本發(fā)明的分波器具備共同端口、第一信號端口、第二信號端口、第一濾波器、第二濾波器、連接路徑、第一電容器。第一濾波器設置于共同端口和第一信號端口之間，使第一通帶內的頻率的信號選擇性地通過。第二濾波器設置于共同端口和第二信號端口之間，使與第一通帶不同的第二通帶內的頻率的信號選擇性地通過。連接路徑包含第一電感器，連接共同端口和第一濾波器。第一電容器設置于連接路徑和地線之間。第二濾波器與連接路徑連接。第一電感器具有作為共同端口側的一端的第一端和作為第一濾波器側的一端的第二端。第一電容器在存在于包含第一端和第二端的第一電感器中的任意位置的第一分支點與第一電感器連接。

在本發(fā)明的分波器中，也可以是連接路徑還包含設置于第一電感器和第一濾波器之間的第二電感器。該情況下，也可以是第二濾波器在存在于包含第一端和第二端的第一電感器中的任意位置的第二分支點與第一電感器連接。另外，第一分支點也可以位于第一電感器中的、包含第一端和第二分支點的從第一端到第二分支點之間。

連接路徑包含第二電感器的情況下，本發(fā)明的分波器還可以具備第二電容器。第二電容器設置于存在于包含第一端和第二端的第一電感器中的任意位置的第三分支點和第一濾波器之間。

本發(fā)明的分波器也可以還具備用于構成第一濾波器、第二濾波器、連接路徑及第一電容器的層疊體。層疊體包含被層疊的多個電介質層和多個導體層。該情況下，本發(fā)明的分波器還可以具備第二電容器。第二電容器由層疊體構成，設置于存在于包含第一端和第二端的第一電感器中的任意位置的第三分支點和第一濾波器之間。另外，第一電感器也可以由串聯(lián)連接的多個通孔構成。

在本發(fā)明的分波器中，第二通帶也可以是比第一通帶低的頻帶。

根據(jù)本發(fā)明的分波器，通過具備第一電容器，即使從共同端口到兩個濾波器的至少一方的路徑具有電感，也能夠實現(xiàn)良好的特性。

本發(fā)明的其他目的、特征及利益由以下的說明而變得充分清楚。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的分波器的電路結構的電路圖。

圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的分波器的外觀的立體圖。

圖3是表示圖2所示的分波器的層疊體的內部的立體圖。

圖4是將圖3所示的層疊體的內部的一部分放大表示的立體圖。

圖5a～圖5d是分別表示圖2所示的層疊體中的第1層～第4層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖6a～圖6d是分別表示圖2所示的層疊體中的第5層～第8層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖7a是圖2所示的層疊體中的第9層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖7b是表示圖2所示的層疊體中的第10層及第11層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖7c及圖7d是分別表示圖2所示的層疊體中的第12層及第13層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖8a是表示圖2所示的層疊體中的第14層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖8b是表示圖2所示的層疊體中的第15層～第23層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖8c及圖8d是分別表示圖2所示的層疊體中的第24層及第25層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖9a及圖9b是分別表示圖2所示的層疊體中的第26層及第27層的電介質層的圖案形成面的說明圖。

圖10是表示第一比較例的分波器的電路結構的電路圖。

圖11是表示第二比較例的分波器的電路結構的電路圖。

圖12是表示第二比較例的分波器的特性的一個例子的特性圖。

圖13是表示第二比較例的分波器的阻抗特性的一個例子的說明圖。

圖14是表示圖1所示的分波器的特性的一個例子的特性圖。

圖15是表示圖1所示的分波器的阻抗特性的一個例子的說明圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明。首先，參照圖1，對本發(fā)明的一個實施方式的分波器的電路結構進行說明。本實施方式的分波器1是分離第一頻帶內的頻率的第一信號和與第一頻帶不同的第二頻帶內的頻率的第二信號的分波器。

本實施方式的分波器1具備共同端口2、第一信號端口3、第二信號端口4、第一濾波器10、第二濾波器20、連接路徑30、第一電容器c41。

第一濾波器10設置于共同端口2和第一信號端口3之間，使第一通帶內的頻率的信號選擇性地通過。所述的第一頻帶也可以和第一通帶一致，也可以為第一通帶的一部分。第二濾波器20設置于共同端口2和第二信號端口4之間，使與第一通帶不同的第二通帶內的頻率的信號選擇性地通過。所述的第二頻帶也可以和第二通帶一致，也可以為第二通帶的一部分。

在本實施方式中，特別是第二通帶為比第一通帶低的頻帶。另外，第一濾波器10為高通濾波器，第二濾波器20為低通濾波器。

連接路徑30包含第一電感器l31，連接共同端口2和第一濾波器10。第一電容器c41設置于連接路徑30和地線之間。第二濾波器20連接于連接路徑30。

第一電感器l31具有作為共同端口2側的一端的第一端l31a和作為第一濾波器10側的一端的第二端l31b。第一電容器c41在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一電感器l31中的任意位置的第一分支點p1與第一電感器l31連接。

連接徑路30還包含設置于第一電感器l31和第一濾波器10之間的第二電感器l32。第二濾波器20在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一電感器l31中的任意位置的第二分支點p2與第一電感器l31連接。第一分支點p1也可以位于第一電感器l31中的、包含第一端l31a和第二分支點p2的從第一端l31a到第二分支點p2之間。

分波器1還具備第二電容器c42。第二電容器c42設置于存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一電感器l31中的任意位置的第三分支點p3和第一濾波器10之間。

分波器1還具備電容器c43。電容器c43設置于連接路徑30與第一濾波器10的連接點和地線之間。

第一濾波器10具有作為共同端口2側的一端的第一端10a和作為第一信號端口3側的一端的第二端10b。第一濾波器10包含從第一端10a側起依次串聯(lián)設置在第一端10a和第二端10b之間的電容器c11和電容器c12。第一濾波器10還包含電容器c13和電感器l11。電容器c13設置于第一端10a和第二端10b之間。電感器l11設置于電容器cl1與電容器c12的連接點和地線之間。

第二濾波器20具有作為共同端口2側的一端的第一端20a和作為第二信號端口4側的一端的第二端20b。第二濾波器20包含從第一端20a側起依次串聯(lián)設置在第一端20a和第二端20b之間的電感器l21、電感器l23和電感器l22。第二濾波器20還包含相對于電感器l21并聯(lián)連接的電容器c21和相對于電感器l22并聯(lián)連接的電容器c22。第二濾波器20還包含電容器c23和電容器c24。電容器c23設置于電感器l23與電感器l22的連接點和地線之間。電容器c24設置于第二信號端口4和地線之間。

在此，將從共同端口2到第一信號端口3的路徑叫做第一信號路徑，將從共同端口2到第二信號端口4的路徑叫做第二信號路徑。第一頻帶內的頻率的第一信號選擇性地通過第一及第二信號路徑中的第一信號路徑。第二頻帶內的頻率的第二信號選擇性地通過第一及第二信號路徑中的第二信號路徑。

接下來，對分波器1的構造的一個例子進行說明。圖2是分波器1的立體圖。圖2所示的分波器1具備用于構成共同端口2、第一信號端口3、第二信號端口4、第一濾波器10、第二濾波器20、連接路徑30及電容器c41、c42、c43的層疊體50。隨后詳細地進行說明，層疊體50包含被層疊的多個電介質層和多個導體層。

層疊體50形成具有外周部的長方體形狀。層疊體50的外周部包含上面50a、底面50b、4個側面50c～50f。上面50a和底面50b互相朝向相反側，側面50c、50d也互相朝向相反側，側面50e、50f也互相朝向相反側。側面50c～50f相對于上面50a及底面50b垂直。在層疊體50中，垂直于上面50a及底面50b的方向為多個電介質層及多個導體層的層疊方向。圖2中，用附帶記號t的箭頭表示該層疊方向。

圖2所示的分波器1具備共同端子102、第一端子103、第二端子104、三個接地端子105、106、107。端子102、103、104分別與圖1所示的共同端口2、第一信號端口3及第二信號端口4相對應。接地端子105、106、107與地線連接。端子102～107配置在層疊體50的底面50b。

接下來，參照圖3～圖9b詳細地對層疊體50進行說明。層疊體50具有被層疊的27層電介質層。以下，將該27層電介質層從下起依次叫做第1層～第27層電介質層。圖3是表示層疊體50的內部的立體圖。圖4是將層疊體50的內部的一部分放大表示的立體圖。圖5a～圖5d分別表示第1層～第4層電介質層的圖案形成面。圖6a～圖6d分別表示第5層5層～第8層電介質層的圖案形成面。圖7a表示第9的電介質層的圖案形成面，圖7b表示第10層及第11層電介質層的圖案形成面，圖7c、圖7d分別表示第12層及第13層電介質層的圖案形成面。圖8a表示第14層電介質層的圖案形成面，圖8b表示第15層～第23層電介質層的圖案形成面，圖8c、圖8d分別表示第24層及第25層電介質層的圖案形成面。圖9a、圖9b分別表示第26層及第27層電介質層的圖案形成面。

如圖5a所示，在第1層電介質層51的圖案形成面上，形成有共同端子102、第一端子103、第二端子104、三個接地端子105、106、107。另外，在電介質層51上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔51t2和分別與端子103、104、105、106連接的通孔51t3、51t4、51t5、51t6。通孔51t2與端子102連接。

如圖5b所示，在第2層電介質層52的圖案形成面，形成有用于構成電容器c23和第一電容器c41的導體層521。另外，在電介質層52上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔52t2、通孔52t3、52t4、52t5。在通孔52t2～52t4分別連接有圖5a所示的通孔51t2～51t4。通孔52t5和圖5a所示的通孔51t5、51t6與導體層521連接。

如圖5c所示，在第3層電介質層53的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c12的導體層531、用于構成電容器c23的導體層532、用于構成電容器c24的導體層533、用于構成第一電容器c41的導體層534。另外，在電介質層53上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔53t2和通孔53t3、53t4、53t5、53t8。通孔53t2和圖5b所示的通孔52t2與導體層534連接。通孔53t3和圖5b所示的通孔52t3與導體層531連接。通孔53t4和圖5b所示的通孔52t4與導體層533連接。在通孔53t5連接有圖5b所示的通孔52t5。通孔53t8與導體層532連接。

如圖5d所示，在第4層電介質層54的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c12的導體層541、用于構成電容器c23、c24的導體層542。另外，在電介質層54上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔54t2和通孔54t3、54t4、54t5、54t7、54t8。在通孔54t2～54t4、54t8分別連接有圖5c所示的通孔53t2～53t4、53t8。通孔54t5與導體層542和圖5c所示的通孔53t5連接。通孔54t7與導體層541連接。

如圖6a所示，在第5層電介質層55的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c12的導體層551、用于構成電容器c22、c23的導體層552、用于構成電容器c24的導體層553。另外，在電介質層55上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔55t2和通孔55t3、55t4、55t5、55t7、55t8。在通孔55t2、55t5、55t7分別連接有圖5d所示的通孔54t2、54t5、54t7。通孔55t3與導體層551和圖5d所示的通孔54t3連接。通孔55t4與導體層553和圖5d所示的通孔54t4連接。通孔55t8和圖5d所示的通孔54t8與導體層552連接。

如圖6b所示，在第6層電介質層56的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c11、c12的導體層561、用于構成電容器c22的導體層562。另外，在電介質層66上，形成有用于構成第一電感器l31的通孔56t2和通孔56t3、56t4、56t5、56t7、56t8。在通孔56t2、56t3、56t5、56t8分別連接有圖6a所示的通孔55t2、55t3、55t5、55t8。通孔56t4與導體層562和圖6a所示的通孔55t4連接。通孔56t7與導體層561和圖6a所示的通孔55t7連接。

如圖6c所示，在第7層電介質層57的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c11的導體層571、用于構成第二電容器c42的導體層572和導體層573。另外，在電介質層57上，形成有通孔57t1、57t3、57t4、57t5、57t7、57t8和用于形成第一電感器l31的通孔57t2。通孔57t1與導體層571連接。通孔57t2與導體層572和圖6b所示的通孔56t2連接。在通孔57t3～57t5、57t7分別連接有圖6b所示的通孔56t3～56t5、56t7。通孔57t8和圖6b所示的通孔56t8與導體層573連接。

如圖6d所示，在第8層電介質層58的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c13和第二電容器c42的導體層581。另外，在電介質層58上，形成有通孔58t1、58t3、58t4、58t5、58t7、58t8和用于構成第一電感器l31的通孔58t2。通孔58t1和圖6c所示的通孔57t1與導體層581連接。在通孔58t2～58t5、58t7、58t8分別連接有圖6c所示的通孔57t2～57t5、57t7、57t8。

如圖7a所示，在第9層電介質層59的圖案形成面上，形成有用于構成電容器c13的導體層591。另外，在電介質層59上，形成有通孔59t1、59t4、59t5、59t7、59t8和用于構成第一電感器l31的通孔59t2。在通孔59t1、59t2、59t4、59t5、59t7、59t8分別連接有圖6d所示的通孔58t1、58t2、58t4、58t5、58t7、58t8。圖6d所示的通孔58t3與導體層591連接。

如圖7b所示，在第10層及第11層電介質層60、61上，分別形成有通孔60t1、60t4、60t5、60t7、60t8和用于構成第一電感器l31的通孔60t2。在電介質層60、61中，上下鄰接的相同符號的通孔彼此互相連接。在形成于電介質層60的通孔60t1、60t2、60t4、60t5、60t7、60t8，分別連接有圖7a所示的通孔59tl、59t2、59t4、59t5、59t7、59t8。

如圖7c所示，在第12層電介質層62的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l11的導體層621、用于構成電感器l22的導體層622。導體層621，622各自具有第一端和第二端。另外，在電介質層62上，形成有通孔62t1、62t4、62t5、62t6、62t7、用于構成第一電感器l31的通孔62t2、用于構成電感器l23的通孔62t8。在通孔62t1、62t2、62t4、62t5，分別連接有形成于圖7b所示的電介質層61的通孔60t1、60t2、60t4、60t5。通孔62t6與導體層622中的第一端的附近部分連接。通孔62t7與導體層621中的第一端的附近部分連接。通孔62t8與導體層622中的第二端的附近部分和形成于圖7b所示的電介質層61的通孔60t8連接。形成于圖7b所示的電介質層61的通孔60t7與導體層621中的第二端的附近部分連接。

如圖7d所示，在第13層電介質層63的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l11的導體層631和用于構成電感器l22的導體層632。導體層631、632各自具有第一端和第二端。另外，在電介質層63上，形成有通孔63t1、63t4、63t5、63t6、63t7、用于構成第一電感器l31的通孔63t2、用于構成電感器l23的通孔63t8。在通孔63t1、63t2、63t4、63t5、63t8，分別連接有圖7c所示的通孔62t1、62t2、62t4、62t5、62t8。通孔63t6與導體層632中的第一端的附近部分連接。通孔63t7與導體層631中的第一端的附近部分連接。圖7c所示的通孔62t6與導體層632中的第二端的附近部分連接。圖7c所示的通孔62t7與導體層631中的第二端的附近部分連接。

如圖8a所示，在第14層電介質層64的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l11的導體層641和用于構成電感器l22的導體層642。導體層641、642各自具有第一端和第二端。另外，在電介質層64上，形成有通孔64t1、用于構成第一電感器l31的通孔64t2、用于構成電感器l23的通孔64t8。在通孔64t1、64t2、64t8，分別連接有圖7d所示的通孔63t1、63t2、63t8。圖7d所示的通孔63t4與導體層642中的第一端的附近部分連接。圖7d所示的通孔63t5與導體層641中的第一端的附近部分連接。圖7d所示的通孔63t6與導體層642中的第二端的附近部分連接。圖7d所示的通孔63t7與導體層641中的第二端的附近部分連接。

如圖8b所示，在第15層～第23層電介質層65～73上，分別形成有通孔65t1、用于構成第一電感器l31的通孔65t2、用于構成電感器l23的通孔65t8。在電介質層65～73中上下鄰接的相同符號的通孔彼此互相連接。在形成于電介質層65的通孔65t1、65t2、65t8，分別連接有圖8a所示的通孔64t1、64t2、64t8。

如圖8c所示，在第24層電介質層74的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l21的導體層741。導體層741具有第一端和第二端。另外，在電介質層74上，形成有通孔74t1、74t8和用于構成第一電感器l31的通孔74t2。在通孔74t1、74t2，分別連接有形成于圖8b所示的電介質層73的通孔65t1、65t2。通孔74t8與導體層741中的第一端的附近部分連接。形成于圖8b所示的電介質層73的通孔65t8與導體層741中的第二端的附近部分連接。

如圖8d所示，在第25層電介質層75的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l21的導體層751和用于構成第二電感器l32的導體層752。導體層751、752各自具有第一端和第二端。另外，在電介質層75上，形成有通孔75t1、75t8和用于構成第一電感器l31的通孔75t2。通孔75t1與導體層752中的第一端的附近部分連接。在通孔75t2連接有圖8c所示的通孔74t2。通孔75t8與導體層751中的第一端的附近部分連接。圖8c所示的通孔74t1與導體層752中的第二端的附近部分連接。圖8c所示的通孔74t8與導體層751中的第二端的附近部分連接。

如圖9a所示，在第26層電介質層76的圖案形成面上，形成有用于構成電感器l21的導體層761和用于構成第二電感器l32的導體層762。導體層761、762各自具有第一端和第二端。導體層761的第一端和導體層762的第一端互相連接。圖9a中，用虛線表示導體層761和導體層762的邊界。圖8d所示的通孔75t1與導體層762的第二端的附近部分連接。圖8d所示的通孔75t2與導體層761的第一端的附近部分和導體層762的第一端的附近部分連接。圖8d所示的通孔75t8與導體層761的第二端的附近部分連接。

如圖9b所示，在第27層電介質層77的圖案形成面上，形成有標記771。

圖2所示的層疊體50以第1層電介質層51的圖案形成面成為層疊體50的底面50b的方式，層疊第1層～第27層電介質層51～77而構成。

圖3表示層疊體50的內部。圖4放大表示層疊體50的內部的一部分。

以下，對圖1所示的分波器1的電路的結構要件和圖5a～圖9b所示的層疊體50的內部的結構要件的對應關系進行說明。連接路徑30的第一電感器l31由圖5a～圖7a所示的通孔51t2、52t2、53t2、54t2、55t2、56t2、57t2、58t2、59t2、形成于圖7b所示的電介質層60、61的兩個通孔60t2、圖7c～圖8a所示的通孔62t2、63t2、64t2、形成于圖8b所示的電介質層65～73的九個通孔65t2、圖8c、圖8d所示的通孔74t2、75t2構成。上述的通孔51t2～75t2串聯(lián)連接。以下，將通孔51t2～75t2的集合體叫做通孔列t31。通孔51t2與共同端子102連接。與共同端子102接連的通孔51t2的端部與第一電感器l31的第一端l31a相對應。

在通孔52t2、53t2之間的位置，導體層534與通孔列t31連接。如圖3、圖4及圖5c所示，通孔列t31的、與導體層534連接的位置與第一分支點p1相對應。

在通孔56t2、57t2之間的位置，導體層672與通孔列t31連接。如圖3、圖4及圖6c所示，通孔列t31的、與導體層572連接位置與第三分支點p3相對應。

導體層761、762通過與通孔75t2連接而與通孔列t31連接。如圖3及圖9a所示，通孔列t31的、與導體層761、762連接的位置與第二分支點p2相對應。另外，與導體層761、762接連的通孔75t2的端部與第一電感器l31的第二端l31b相對應。

連接路徑30的第二電感器l32由圖8d、圖9a所示的導體層752、762和通孔75t1構成。導體層762與第二分支點p2連接。

第一電容器c41由圖5b、圖5c所示的導體層521、534、導體層521、534之間的電介質層52構成。導體層521經由通孔51t5、51t6與接地端子105、106連接。導體層534與第一分支點p1連接。

第二電容器c42由圖6c、圖6d所示的導體層572、581、導體層572、581之間的電介質層57構成。導體層572與第三分支點p3連接。導體層581經由通孔58tl、59t1、形成于電介質層60、61的兩個通孔60t1、通孔62t1、63t1、64t1、形成于電介質層65～73的九個通孔65t1及通孔74t1，與構成第二電感器l32的導體層752連接。上述的通孔58t1～74t1串聯(lián)連接。以下，將通孔58t1～74t1的集合體叫做通孔列t32。此外，電容器c43為導體層581和接地端子107之間產生的寄生電容。

第一濾波器10的電容器c11由圖6b、圖6c所示的導體層561、571、導體層561、571之間的電介質層56構成。第一濾波器10的電容器c12由圖5c～圖6b所示的導體層531、541、551、561、導體層531、541之間的電介質層53、導體層541、551之間的電介質層54、導體層551、561之間的電介質層55構成。導體層531經由通孔51t3、52t3與第一端子103連接。導體層541經由通孔54t7、55t7與導體層561連接。導體層551經由通孔53t3、54t3與導體層531連接。導體層571經由通孔57t1、導體層581及通孔列t32與構成第二電感器l32的導體層752連接。

第一濾波器10的電容器c13由圖6d、圖7a所示的導體層581、591、導體層581、591之間的電介質層58構成。導體層581經由通孔列t32與構成第二電感器l32的導體層752連接。導體層591經由通孔51t3、52t3、導體層531及通孔53t3、54t3、55t3、56t3、57t3、58t3與第一端子l03連接。

第一濾波器10的電感器l11由圖7c～圖8a所示的導體層621、631、641和通孔62t7、63t7構成。導體層621經由通孔56t7、57t7、58t7、59t7及形成于電介質層60、61的兩個通孔60t7，與構成電容器cl1、cl2的導體層561連接。導體層641經由通孔51t5、導體層521、通孔52t5、53t5、54t5、55t5、56t5、57t5、58t5、59t5、形成于電介質層60、61的兩個通孔60t5及通孔62t5、63t5，與接地端子105連接。

第二濾波器20的電感器l21由圖8c～圖9a所示的導體層741、751、761和通孔74t8、75t8構成。導體層761與第二分支點p2連接。此外，第二濾波器20的電容器c21為電感器l21產生的寄生電容。

第二濾波器20的電感器l22由圖7c～圖8a所示的導體層622、632、642和通孔62t6、63t6構成。導體層642經由通孔51t4、52t4、53t4、54t4、55t4、56t4、57t4、58t4、59t4、形成于電介質層60、61的兩個通孔60t4及通孔62t4、63t4，與第二端子104連接。

第二濾波器20的電感器l23由圖7c～圖8a所示的通孔62t8、63t8、64t8圖8b所示的形成于電介質層65～73的九個通孔65t8構成。上述的通孔62t8～65t8串聯(lián)連接。以下，將通孔62t8～65t8的集合體叫做通孔列t23。通孔62t8與構成電感器l22的導體層622連接。形成于電介質層73的通孔65t8與構成電感器l21的導體層741連接。

第二濾波器20的電容器c22由圖6a、圖6b所示的導體層552、562、導體層552、562之間的電介質層55構成。第二濾波器20的電容器c23由圖5b～圖6a所示的導體層521、532、542、552、導體層521、532之間的電介質層52、導體層532、542之間的電介質層53、導體層542、552之間的電介質層54構成。導體層521經由通孔51t5、51t6與接地端子105、106連接。導體層532經由通孔53t8、54t8與導體層552連接。導體層542經由通孔52t5、53t5、54t5與導體層521連接。導體層552經由通孔55t8、56t8、導體層573、通孔57t8、58t8、59t8及形成于電介質層60、61的兩個通孔60t8，與構成電感器l22的導體層622和構成電感器l23的通孔62t8連接。導體層562經由通孔51t4、52t4、導體層533及通孔53t4、54t4、55t4與第二端子104連接。

第二濾波器20的電容器c24由圖5c～圖6a所示的導體層533、542、553、導體層533、542之間的電介質層53、導體層542、553之間的電介質層54構成。導體層533經由通孔51t4、52t4與第二端子104連接。導體層542經由通孔51t5、導體層521及通孔52t5、53t5與接地端子105連接。導體層553經由通孔53t4、54t4與導體層533連接。

以下，與第一及第二比較例的分波器進行比較，對本實施方式的分波器1的特征和效果進行說明。首先，參照圖10，對第一比較例的分波器111的結構進行說明。分波器111是未考慮構造所引起的寄生電感及寄生電容而設計的。分波器111不具備本實施方式的分波器1中的第一電感器l31、第一電容器c41、電感器l23及電容器c43。另外，分波器111具備電感器ll32和電容器c142來替代分波器1中的電感器l32和電容器c42。另外，第二濾波器20的第一端20a與共同端口2連接。

在分波器111中，電感器l132的一端和電容器c142的一端連接于共同端口2。電感器l132的另一端和電容器c142的另一端連接于第一濾波器10的第一端10a。電感器l132和電容器c142構成并聯(lián)諧振電路。該并聯(lián)諧振電路具有比第一頻帶高的諧振頻率。由此，在從共同端口2到第一信號端口3的第一信號路徑的通過衰減特性中，在上述并聯(lián)諧振電路的諧振頻率下形成衰減極。另外，上述并聯(lián)諧振電路作為低通濾波器起作用。分波器111中，由上述并聯(lián)諧振電路和第一濾波器10構成使第一頻帶的頻率的第一信號選擇性地通過的帶通濾波器。

接下來，對使用在底面配置有多個端子的層疊體構成分波器111的情況下的問題進行說明。該情況下，為了不妨礙各電感器l21、l132產生的磁通量的通過，優(yōu)選構成電感器l21的導體層和構成電感器l132的導體層，配置于遠離層疊體的底面的位置。因此，需要由包括串聯(lián)連接的多個通孔的通孔列構成共同路徑，該共同路徑連接從共同端口2側看時的向第一濾波器10的路徑與向第二濾波器20的路徑的分支點和共同端口2。但是，這樣的話，由于通孔列的電感，在共同端口2和第一濾波器10及第二濾波器20的至少一方之間引起阻抗的失配，與設計時相比，產生分波器111的特性變差這樣的問題。

接下來，參照圖11，對第二比較例的分波器121的結構進行說明。分波器121具有從本實施方式的分波器1去除第一電容器c41的結構。分波器121與本實施方式的分波器1同樣，包含由通孔列t31構成的第一電感器l31。在該分波器121中，在第一電感器l31中的分支點p3和第一濾波器10的第一端10a之間設有電容器c42。而且，由第一電感器l31中的從分支點p3到第二端l31b的部分、電感器l32、電容器c42構成并聯(lián)諧振電路。

根據(jù)分波器121，通過改變分支點p2的位置，可以調節(jié)從共同端口2到第二信號端口4的第二信號路徑的阻抗特性。另外，根據(jù)分波器121，通過改變分支點p3的位置，可以調節(jié)從共同端口2到第一信號端口3的第一信號路徑的阻抗特性。由此，根據(jù)分波器121，能夠分別調節(jié)第一信號路徑的阻抗特性和第二信號路徑的阻抗特性。

在此，參照圖12及圖13對分波器121的特性的一個例子進行說明。圖12是表示分波器121的特性的一個例子的特性圖。在圖12中，橫軸為頻率，縱軸為衰減量。在圖12中，附帶符號181的曲線表示第一信號路徑的通過衰減特性。另外，附帶符號182的曲線表示第二信號路徑的通過衰減特性。另外，附帶符號183的曲線表示從共同端口2觀察濾波器10、20時的反射衰減特性。在此，設第一頻帶為約1.7ghz至約2.7ghz的頻帶，設第二頻帶為約0.7ghz至約0.96ghz的頻帶。

圖13是表示分波器121的阻抗特性的一個例子的特性圖。具體地說，圖13是表示從共同端口2觀察濾波器10、20時的阻抗特性的史密斯圓圖。圖13中表示0.96ghz的點、1.71ghz的點和2.69ghz的點。圖12及圖13所示的特性通過模擬而求得。

在圖13所示的阻抗特性中，在第一及第二頻帶中，反射系數(shù)的虛數(shù)部具有正的值，由此，反射系數(shù)的絕對值比0增大一定程度。由此，在圖12所示的反射衰減特性183中，在第一及第二頻帶中，衰減量不會變得很大。這些現(xiàn)象產生原因是，處于從共同端口2到第一及第二濾波器10、20的路徑第一電感器l31具有電感。

接下來，參照圖14及圖15，對本實施方式的分波器1的特性的一個例子進行說明。圖14是表示分波器1的特性的一個例子的特性圖。在圖14中，橫軸為頻率、縱軸為衰減量。在圖14中，附帶符號81的曲線表示第一信號路徑的通過衰減特性。另外，附帶符號82的曲線表示第二信號路徑的通過衰減特性。另外，附帶符號83的曲線表示從共同端口2觀察濾波器10、20時的反射衰減特性。在此，設第一頻帶為約1.7ghz至約2.7ghz的頻帶，設第二頻帶為約0.7ghz至約0.96ghz的頻帶。

圖15是表示分波器1的阻抗特性的一個例子的特性圖。具體地說，圖15是表示從共同端口2觀察濾波器10、20時的阻抗特性的史密斯圓圖。圖15中表示有0.96ghz的點、1.71ghz的點和2.69ghz的點。圖14及圖15所示的特性通過模擬而求得。

在圖15所示的阻抗特性中，與圖13所示的阻抗特性相比較，在第一及第二頻帶中，反射系數(shù)的虛數(shù)部的值接近于0，其結果，反射系數(shù)的絕對值也接近于0。由此，在圖14所示的反射衰減特性83中，與圖12所示的反射衰減特性183相比較，在第一及第二頻帶中，衰減量變大。

這樣，根據(jù)本實施方式的分波器1，通過具備第一電容器c41，即使從共同端口2到兩個濾波器10、20的至少一方(在本實施方式中，至少濾波器10)的路徑具有電感，也能夠實現(xiàn)良好的特性。

與分波器121相比較，通過設置第一電容器c41而改善分波器1的特性的理由，可以如下定性地進行說明。第一電感器l31和第一電容器c41具有在史密斯圓圖上，使反射系數(shù)的絕對值為0或接近于0的值的點向相反方向移動的作用。具體地說，第一電感器l31與沒有第一電感器l31的情況相比，具有在史密斯圓圖上，使反射系數(shù)的絕對值為0或接近于0的值的點，向反射系數(shù)的虛數(shù)部變大的方向(上方向)移動的作用。另一方面，第一電容器c41與沒有第一電容器c41的情況相比，具有在史密斯圓圖上，使反射系數(shù)的絕對值為0或接近于0的值的點，向反射系數(shù)的虛數(shù)部變小的方向(下方向)移動的作用。

因此，因第一電感器l31具有電感的原因，通過在具有圖13所示的特性的分波器121中增加第一電容器c41而構成分波器1，如圖15所示，在第一及第二頻帶中，能夠使反射系數(shù)的虛數(shù)部的值接近于0，反射系數(shù)的絕對值也接近于0。

接下來，對具備第一電容器c41的分波器1的其他效果進行說明。

與圖12所示的分波器121的第二信號路徑的通過衰減特性182相比較，在圖14所示的分波器1的第二信號路徑的通過衰減特性82中，比第二頻帶高的頻帶中的衰減量變大。另外，與圖12所示的分波器121的第一信號路徑的通過衰減特性181相比較，在圖14所示的分波器1的第一信號路徑的通過衰減特性81中，比第一頻帶高的頻帶中的衰減量變大。由此，根據(jù)本實施方式的分波器1，與分波器121相比較，也能夠實現(xiàn)良好的特性。

以下，對本實施方式的分波器1的更深一層的效果進行說明。在分波器1中，第一電容器c41在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一電感器l31中的任意位置的第一分支點p1與第一電感器l31連接。在本實施方式中，通過改變第一分支點p1的位置，可以調節(jié)第一信號路徑的阻抗特性和第二信號路徑的阻抗特性。

在本實施方式中，特別是第一電感器l31由通孔列t31構成。因此，在分波器1的構造的設計階段，在通孔列t31中，通過改變用于構成電容器c41的導體層534被連接的通孔，能夠容易地改變第一分支點pl的位置。

另外，在分波器1中，第二濾波器20在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一電感器l31中的任意位置的第二分支點p2，與第一電感器l31連接。在本實施方式中，通過改變第二分支點p2的位置，可以改變從共同端口2到第二濾波器20的路徑的電感，其結果，可以調節(jié)第二信號路徑的阻抗特性。因此，根據(jù)本實施方式，可以分別地調節(jié)第一信號路徑的阻抗特性和第二信號路徑的阻抗特性。

此外，在圖3及圖9a中，表示用于構成電感器l21的導體層761和用于構成電感器l32的導體層762配置在相同的電介質層76之上的例子。但是，在本實施方式中，也可以將導體層761和導體層762配置在互不相同的電介質層之上。再有，在分波器1的構造的設計階段，在通孔列t31中，通過改變導體層761被連接的通孔，可以容易地改變第二分支點p2的位置。

另外，在分波器1中，在第一電感器l31中的分支點p3與第一濾波器10的第一端10a之間設有電容器c42。再有，由第一電感器l31中的從分支點p3到第二端l31b的部分、電感器l32、電容器c42構成了并聯(lián)諧振電路。該并聯(lián)諧振電路具有比第一頻帶高的諧振頻率。由此，在第一信號路徑的通過衰減性中，在上述并聯(lián)諧振電路的諧振頻率下形成衰減極。另外，上述并聯(lián)諧振電路作為低通濾波器起作用。在分波器1中，由上述并聯(lián)諧振電路和第一濾波器10構成使第一頻帶的頻率的第一信號選擇性地通過的帶通濾波器。

在本實施方式中，通過改變第三分支點p3的位置，可以調節(jié)第一信號路徑的阻抗特性。因此，根據(jù)本實施方式，可以分別調節(jié)第一信號路徑的阻抗特性和第二信號路徑的阻抗特性。

在本實施方式中，特別是由于第一電感器l31由通孔列t31構成，因此，在分波器1的構造的設計階段，在通孔列t31中，通過改變用于構成電容器c42的導體層572被連接的通孔，可以容易地改變第三分支點p3的位置。

此外，本發(fā)明不限定于上述實施方式，可以進行各種變更。例如，本發(fā)明的第一濾波器的特性和第二濾波器的特性，不限定于實施方式所示的特性，可以是任意的特性，只要滿足權利要求即可。

基于以上的說明，顯然可以實施本發(fā)明的各種方式或變形例。因而，在權利要求的均等的范圍內，以上述的優(yōu)選的方式以外的方式也可以實施本發(fā)明。