1.一種射頻低噪聲放大器，包括：
輸入級(jí)電路，采用互補(bǔ)衍生疊加的電路結(jié)構(gòu)對(duì)輸入信號(hào)Input1進(jìn)行放大，充分利用互補(bǔ)衍生疊加電路結(jié)構(gòu)的PMOS管與NMOS管不同電流特性來(lái)提高輸入級(jí)信號(hào)的線性度，從而得到經(jīng)過(guò)線性放大的第一射頻輸出Output1；
濾波電路，連接于該輸入級(jí)電路與輸出級(jí)電路之間，用于實(shí)現(xiàn)該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1和輸出級(jí)電路的第二射頻輸入Input2的匹配和噪聲的濾除；
輸出級(jí)電路，采用單端衍生疊加電路，將經(jīng)過(guò)該濾波電路處理過(guò)的該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1進(jìn)一步放大；
反饋回路，用于把高線性的該輸出級(jí)電路的第二射頻輸出Output2和直流信號(hào)反饋回該輸入級(jí)電路的輸入端Input1。
2.如權(quán)利要求1所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該輸入級(jí)電路包括第一PMOS管、第三NMOS管、第一電感、第二電感、第一電容、第三的電容、第一電阻、第三電阻以及第五電阻，該輸入信號(hào)Input1連接至該第一PMOS管和第三NMOS管的柵極、第一電容和第三電容的的一端以及第一電阻、第三電阻和第五電阻的一端，該第一電容的另一端接電源電壓，該第三電容的另一端接地，該第一電阻的另一端接第一偏置電壓，該第三電阻的另一端接第三偏置電壓，該第五電阻的另一端與該第一PMOS管、第三NMOS管的漏極組成第一射頻輸出Output1節(jié)點(diǎn)，該第一PMOS管的源極通過(guò)第一電感連接電源電壓，該第三PMOS管的源極通過(guò)第二電感接地。
3.如權(quán)利要求2所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該輸入級(jí)電路還包括第二PMOS管、第四NMOS管、第二電容、第四電容、第二電阻以及第四電阻，該第一PMOS管的源極接該第二電容的一端、該第二PMOS管的源極，該第二電容的另一端連接該第二PMOS管的柵極和第二電阻的一端，第二電阻的另一端接第二偏置電壓，該第三NMOS管的源極接該第四電容的一端、該第四NMOS管的源極，該第四電容的另一端接該第四NMOS管的柵極和第四電阻的一端，該第四電阻的另一端接第四偏置電壓，該第五電阻的另一端與該第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的漏極相連組成第一射頻輸出Output1節(jié)點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該輸出級(jí)電路包括第五NMOS管、第三電感、第四電感、第五電容、第七電容、第八電容、第七電阻、第八電阻，經(jīng)濾波電路后的第二射頻輸入信號(hào)Input2連接至第五NMOS管的柵極、第七電容的一端以及第七電阻、第八電阻的一端，第七電容的另一端接地，第八電阻的另一端接第五偏置電壓，第七電阻的另一端接第五NMOS管的漏極，第五電容和第八電容的一端以及第三電感的一端，第五電容和第三電感的另一端接電源電壓，該第八電容的另一端為第二射頻輸出Output2節(jié)點(diǎn)，該第二射頻輸出Output2連接至該反饋回路的輸入端，該第五NMOS管的源極通過(guò)第四電感接地。
5.如權(quán)利要求4所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該輸出級(jí)電路還包括第六NMOS管、第六電容以及第六電阻，該第五NMOS管的源極接該第六電容的一端、該第六NMOS管的源極，該第六電容的另一端接該第六NMOS管的柵極和該第六電阻的一端，該第六電阻的另一端接第六偏置電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該濾波電路包括第五電感、第九電容、第十電容，該第五電感一端連接第一射頻輸出Output1，另一端連接第九電容和第十電容的一端，該第九電容的另一端接電源電壓，該第十電容的另一端接第二射頻輸入信號(hào)Input2。
7.如權(quán)利要求6所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該濾波電路通過(guò)調(diào)整電感值與電容值實(shí)現(xiàn)該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1和輸出級(jí)電路的第二射頻輸入Input2的匹配和噪聲的濾除。
8.如權(quán)利要求1所述的一種射頻低噪聲放大器，其特征在于：該反饋回路包括通過(guò)一電阻或源極入漏極出的MOS管，其輸入為該第二射頻輸出Output2，輸出反饋至該第一射頻輸入Input1。
9.一種射頻低噪聲放大器的實(shí)現(xiàn)方法，包括如下步驟：
步驟一，利用采用互補(bǔ)衍生疊加電路結(jié)構(gòu)的輸入級(jí)電路對(duì)輸入信號(hào)Input1進(jìn)行放大，利用互補(bǔ)衍生疊加電路結(jié)構(gòu)的PMOS管與NMOS管不同電流特性來(lái)提高輸入級(jí)信號(hào)的線性度，得到經(jīng)過(guò)線性放大的第一射頻輸出Output1；
步驟二，利用濾波電路對(duì)該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1進(jìn)行噪聲濾除后作為第二射頻輸入Input2輸至輸出級(jí)電路，并對(duì)該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1和該輸出級(jí)電路的第二射頻輸入Input2的匹配；
步驟三，利用采用單端單端衍生疊加電路結(jié)構(gòu)的輸出級(jí)節(jié)點(diǎn)路將經(jīng)過(guò)該濾波電路處理過(guò)的該輸入級(jí)電路的第一射頻輸出Output1進(jìn)一步放大；
步驟四，利用反饋電路將該輸出級(jí)電路的高線性的第二射頻輸出Output2和直流信號(hào)反饋回該輸入級(jí)電路的輸入端。
10.如權(quán)利要求9所述的一種射頻低噪聲放大器的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：于步驟一與步驟三中，通過(guò)改變輸入級(jí)電路與輸出級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極偏置電壓進(jìn)一步優(yōu)化線性度。