1.一種調(diào)光裝置，其特征在于，包括EMI濾波整流電路、切相電壓轉換電路、阻尼電路及PWM調(diào)光電路，其中：
所述EMI濾波整流電路的輸入端用于連接切相調(diào)光器；
所述切相電壓轉換電路的輸入端連接所述EMI濾波整流電路的第一輸出端，所述切相電壓轉換電路的輸出端連接所述PWM調(diào)光電路的調(diào)光信號輸入端；
所述阻尼電路分別連接所述EMI濾波整流電路的第二輸出端、所述切相電壓轉換電路的輸出端及所述PWM調(diào)光電路的調(diào)光信號輸入端；
所述PWM調(diào)光電路的電壓輸入端連接所述EMI濾波整流電路的第一輸出端，所述PWM調(diào)光電路的輸出端用于連接LED光源。
2.如權利要求1所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述切相電壓轉換電路包括電壓輸入端、電阻R13、電阻R14、電阻R26、電阻R31、電阻R32、電容C6、穩(wěn)壓二極管ZD4、三極管Q6及MOS管Q8，其中：
所述穩(wěn)壓二極管ZD4的陰極依次通過串聯(lián)的所述電阻R14及所述電阻R13連接所述EMI濾波整流電路的第一輸出端，所述穩(wěn)壓二極管ZD4的陽極連接所述三極管Q6的基極；
所述三極管Q6的集電極通過所述電阻R31連接所述電壓輸入端，所述三極管Q6的集電極還用于通過所述電阻R32接地，所述三極管Q6的發(fā)射極用于接地；
所述MOS管Q8的柵極連接所述三極管Q6的集電極，所述MOS管Q8的漏極通過所述電阻R26連接所述電壓輸入端，所述MOS管Q8的源極通過所述電容C6連接所述穩(wěn)壓二極管ZD4的陰極；
所述MOS管Q8的漏極與所述電阻R26的連接節(jié)點作為所述切相電壓轉換電路的輸出端，連接所述阻尼電路以及所述PWM調(diào)光電路的調(diào)光信號輸入端。
3.如權利要求1所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述阻尼電路包括電阻R15、電阻R16、電阻R6及MOS管Q2，其中：
所述MOS管Q2的柵極通過所述電阻R15分別連接所述切相電壓轉換電路的輸出端及所述PWM調(diào)光電路的調(diào)光信號輸入端，所述MOS管Q2的柵極還通過所述電阻R16連接所述MOS管Q2的源極，所述MOS管Q2的源極連接所述EMI濾波整流電路的第二輸出端，所述MOS管Q2的源極還用于通過所述電阻R6接地，所述MOS管Q2的漏極用于接地。
4.如權利要求1所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述PWM調(diào)光電路包括：變壓器、輸出整流濾波單元及電源開關單元，其中：
所述變壓器包括初級線圈、第一次級線圈及第二次級線圈，所述初級線圈第一端分別連接所述EMI濾波整流電路的第一輸出端及所述電源開關單元的第一輸入端，所述初級線圈第二端連接所述電源開關單元的輸出端，所述第一次級線圈兩端分別連接所述輸出整流濾波單元的兩個輸入端，所述第二次級線圈的第一端連接所述電源開關單元的第二輸入端，所述第二次級線圈的第二端用于接地，所述輸出整流濾波單元的兩個輸出端用于連接LED光源；所述電源開關單元的調(diào)光信號輸入端分別連接所述切相電壓轉換電路的輸出端及所述阻尼電路。
5.如權利要求4所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述PWM調(diào)光電路還包括恒壓單元及轉換隔離單元，所述變壓器還包括第三次級線圈，所述第三次級線圈第一端連接所述恒壓單元的輸入端，所述第三次級線圈第二端用于接地，
所述恒壓單元的輸出端連接所述轉換隔離單元的電源輸入端，所述轉換隔離單元的電壓輸入端用于連接0-10V/PWM調(diào)光器，所述轉換隔離單元的輸出端連接所述電源開關單元的調(diào)光信號輸入端。
6.如權利要求5所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述恒壓單元包括二極管D8、電阻R54、電阻R36、三極管Q10、電容C19、電解電容EC2及穩(wěn)壓二極管ZD6，其中：
所述二極管D8的陽極連接所述第二次級繞組第一端，所述二極管D8的陰極通過所述電阻R54分別連接所述電解電容EC2的正極和所述三極管Q10的集電極，所述電解電容EC2的負極用于接地；
所述穩(wěn)壓二極管ZD6的陰極通過所述電阻R36連接所述電解電容EC2的正極，所述穩(wěn)壓二極管ZD6的陰極還連接所述三極管Q10的柵極，所述穩(wěn)壓二極管ZD6的陽極用于接地；
所述電容C19一端連接所述三極管Q10的發(fā)射極，所述電容C19另一端用于接地；
所述三極管Q10的發(fā)射極作為所述恒壓單元的輸出端，連接所述轉換隔離單元的電源輸入端。
7.如權利要求5所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述轉換隔離單元包括自激振蕩子單元、積分運算子單元、比較器子單元及光電耦合子單元，所述自激振蕩子單元、所述積分運算子單元及所述比較器子單元的電源輸入端分別連接所述恒壓單元的輸出端，所述光電耦合子單元的第一輸入端連接所述恒壓單元的輸出端；
所述自激振蕩子單元的輸出端連接所述積分運算子單元的輸入端，所述積分運算子單元的輸出端連接所述比較器子單元的第一輸入端，所述比較器子單元的第二輸入端作為所述轉換隔離單元的電壓輸入端，用于連接0-10V/PWM調(diào)光器，所述比較器子單元的輸出端連接所述光電耦合子單元的第二輸入端；
所述光電耦合子單元的第一輸出端作為所述轉換隔離單元的輸出端，連接所述電源開關單元的調(diào)光信號輸入端，所述光電耦合子單元的第二輸出端用于接地。
8.如權利要求5所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述電源開關單元包括芯片供電子單元、電源管理芯片U1、MOS管Q1、二極管D4、并聯(lián)電阻陣列R8、電阻R24、電阻R27、電阻R28、電阻R29、電阻R30、電容C9、電容C10及電容C21，其中：
所述芯片供電子單元的第一輸入端連接所述EMI濾波整流電路的第一輸出端，所述芯片供電子單元的第二輸入端連接所述第二次級線圈的第一端，所述芯片供電子單元的第一輸出端連接所述電源管理芯片U1的輸入電壓引腳VIN，所述芯片供電子單元的第一輸出端連接所述電源管理芯片U1的過零檢測引腳ZCS；
所述電源管理芯片U1的調(diào)光信號輸入引腳DIM通過所述電阻R27連接所述轉換隔離單元的輸出端，所述電源管理芯片U1的補償引腳COMP通過所述電阻R24連接所述電容C9的一端，所述電源管理芯片U1的參考頻率輸入引腳REF連接所述電容C10的一端，所述電源管理芯片的峰值電流檢測引腳Isense連接所述并聯(lián)電阻陣列R8的一端，所述電容C9的另一端、所述電容C10的另一端、所述并聯(lián)電阻陣列R8的另一端及所述電源管理芯片的接地引腳分別用于接地，所述電源管理芯片的輸出引腳DRV通過所述電阻R28連接所述二極管D4的陰極，所述二極管D4的陽極連接所述MOS管Q1的柵極，所述電源管理芯片的輸出引腳DRV還通過所述電阻R29連接所述MOS管Q1的柵極；
所述MOS管Q1的柵極通過所述電阻R30連接所述并聯(lián)電阻陣列R8的一端，所述MOS管Q1的源極連接所述并聯(lián)電阻陣列R8的一端，所述并聯(lián)電阻陣列R8的另一端用于接地，所述MOS管Q1的源極還通過所述電容C21連接所述MOS管Q1的漏極，所述MOS管Q1的漏極連接所述初級線圈第二端。
9.如權利要求1所述的調(diào)光裝置，其特征在于，所述EMI濾波整流電路包括：共模電感L1、共模電感L2、電容CX1、串聯(lián)的電阻R1和電阻R2、可調(diào)電阻VR1、整流橋BD1及電容C1，其中：
所述共模電感L1包括第一線圈和第二線圈，所述共模電感L2包括第三線圈和第四線圈，所述第一線圈一端用于連接火線，所述第一線圈另一端通過所述第三線圈連接所述整流橋BD1的第一輸入端，所述第二線圈一端用于連接零線，所述第二線圈另一端通過所述第四線圈連接所述整流橋BD1的第二輸入端；
所述整流橋BD1的第一輸出端連接所述切相電壓轉換電路的輸入端，所述整流橋BD1的第二輸出端連接所述阻尼電路；
所述可調(diào)電阻VR1的兩端分別連接所述整流橋BD1的兩個輸入端，所述電容C1的兩端分別連接所述整流橋BD1的兩個輸出端；
所述串聯(lián)的電阻R1和電阻R2一端連接所述第一線圈和所述第三線圈的連接節(jié)點，所述串聯(lián)的電阻R1和電阻R2另一端連接所述第二線圈和所述第四線圈的連接節(jié)點，所述電容CX1與所述串聯(lián)的R1和電阻R2并聯(lián)。
10.一種LED調(diào)光驅動電源，其特征在于，包括切相調(diào)光器及如權利要求1至9中任一項所述的調(diào)光裝置，所述切相調(diào)光器的輸出端連接所述調(diào)光裝置中所述EMI濾波整流電路的輸入端。