技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及控制裝置。本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例解決的技術(shù)難題是，HV?MOS晶體管的泄漏電流可能過高而使所述晶體管不能用于超低電流裝置。技術(shù)效果是，使HV?MOS晶體管能夠用于超低電流操作。一種具有超低電流要求的示例性控制裝置，所述控制裝置包括：控制信號(hào)線；控制電流源；高壓金屬氧化物半導(dǎo)體(“HV?MOS”)控制晶體管，其有選擇地將所述控制電流源耦接到所述控制信號(hào)線，所述控制晶體管還將寄生泄漏電流耦接到所述控制信號(hào)線；以及補(bǔ)償電流源，其耦接到所述控制信號(hào)線以提供補(bǔ)償電流，所述補(bǔ)償電流源包括HV?MOS補(bǔ)償晶體管，所述補(bǔ)償晶體管將所述補(bǔ)償電流與所述寄生泄漏電流匹配。

技術(shù)研發(fā)人員：D·朱斯;J·C·J·杰森斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201621311207
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.02
技術(shù)公布日：2017.06.06