1.一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：包括衰減電路(10)，所述衰減電路(10)的輸出端連接第一混頻電路(20)的第一輸入端，所述第一混頻電路(20)的第二輸入端連接第一本振放大電路(30)的輸出端，所述第一混頻電路(20)的輸出端連接第一濾波放大電路(40)的輸入端，所述第一濾波放大電路(40)的輸出端連接第二混頻電路(50)的第一輸入端，所述第二混頻電路(50)的第二輸入端連接第二本振放大電路(60)的輸出端，所述第二混頻電路(50)的輸出端連接第二濾波放大電路(70)的輸入端，所述第二濾波放大電路(70)的輸出端連接耦合電路(80)的輸入端，所述耦合電路(80)的第一輸出端、第二輸出端分別連接功分電路(100)的輸入端、檢測電路(90)的輸入端。
2.如權利要求1所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述衰減電路(10)包括第一電容(C1)，所述第一電容(C1)的一端連接輸入信號，第一電容(C1)的另一端連接第一電阻(R1)的一端、第二電阻(R2)的一端，所述第二電阻(R2)的另一端連接第三電阻(R3)的一端、第二電容(C2)的一端，所述第一電阻(R1)的另一端、第三電阻(R3)的另一端均接地，所述第二電容(C2)的另一端連接第一混頻電路(20)的第一輸入端。
3.如權利要求2所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第一混頻電路(20)包括第一混頻器，所述第一混頻器的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC207S8芯片；所述第一混頻器的引腳5連接第二電容(C2)的另一端，第一混頻器的引腳2連接第一本振放大電路(30)的輸出端，第一混頻器的引腳7連接第一濾波放大電路(40)的輸入端，第一混頻器的引腳1、引腳3、引腳6、引腳8均接地，第一混頻器的引腳4懸空放置。
4.如權利要求3所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第一本振放大電路(30)包括第四電容(C4)，所述第四電容(C4)的一端連接第一混頻器的引腳2，第四電容(C4)的另一端分別連接第一電感(L1)的一端、第一單片放大器的輸出端，所述第一電感(L1)的另一端分別連接第七電阻(R7)的一端、第七電容(C7)的一端，所述第七電阻(R7)的另一端分別連接第八電容(C8)的一端、第九電容(C9)的一端、第十電容(C10)的一端以及電源，所述第七電容(C7)的另一端、第八電容(C8)的另一端、第九電容(C9)的另一端、第十電容(C10)的另一端均接地，所述第一單片放大器的輸入端連接第三十三電容(C33)的一端，所述第三十三電容(C33)的另一端分別連接第五電阻(R5)的一端、第六電阻(R6)的一端，所述第五電阻(R5)的另一端分別連接第三電容(C3)的一端、第四電阻(R4)的一端，所述第三電容(C3)的另一端連接本振信號，所述第四電阻(R4)的另一端、第六電阻(R6)的另一端均接地。
5.如權利要求4所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第一濾波放大電路(40)包括第五電容(C5)，所述第五電容(C5)的一端連接第一混頻器的引腳7，第五電容(C5)的另一端連接第一濾波器的輸入端，所述第一濾波器的輸出端連接第六電容(C6)的一端，所述第六電容(C6)的另一端連接第二單片放大器的輸入端，所述第二單片放大器的輸出端分別連接第二電感(L2)的一端、第十五電容(C15)的一端，所述第二電感(L2)的另一端分別連接第十一電容(C11)的一端、第八電阻(R8)的一端，所述第八電阻(R8)的另一端分別連接第十二電容(C12)的一端、第十三電容(C13)的一端、第十四電容(C14)的一端、第十二電阻(R12)的一端以及電源，所述第十一電容(C11)、第十二電容(C12)、第十三電容(C13)、第十四電容(C14)的另一端均接地，所述第十五電容(C15)的另一端分別連接第九電阻(R9)的一端、第十電阻(R10)的一端，所述第十電阻(R10)的另一端分別連接第十一電阻(R11)的一端、第十六電容(C16)的一端，所述第九電阻(R9)的另一端、第十一電阻(R11)的另一端均接地，所述第十六電容(C16)的另一端連接第三單片放大器的輸入端，所述第三單片放大器的輸出端分別連接第十七電容(C17)的一端、第三電感(L3)的一端，所述第三電感(L3)的另一端連接第十二電阻(R12)的另一端以及第十八電容(C18)的一端，所述第十八電容(C18)的另一端接地，所述第十七電容(C17)的另一端連接第二濾波器的輸入端，第二濾波器的輸出端連接第十九電容(C19)的一端，所述第十九電容(C19)的另一端連接第二混頻電路(50)的第一輸入端。
6.如權利要求5所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第二混頻電路(50)包括第二混頻器，所述第二混頻器的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC553LC3B芯片；所述第二混頻器的引腳5連接第十九電容(C19)的另一端，第二混頻器的引腳2連接第二本振放大電路(60)的輸出端，第二混頻器的引腳8連接第二濾波放大電路(70)的輸入端，第二混頻器的引腳1、引腳3、引腳4、引腳6、引腳7、引腳9均接地，第二混頻器的引腳10、引腳11、引腳12均懸空放置。
7.如權利要求6所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第二本振放大電路(60)包括第四單片放大器，第四單片放大器的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC441LP3芯片；所述第四單片放大器的輸入端連接第二十三電阻(R23)的一端、第二十五電阻(R25)的一端，所述第二十三電阻(R23)的另一端連接第二十四電阻(R24)的一端、第三十二電容(C32)的一端，所述第三十二電容(C32)的另一端連接本振信號，所述第二十四電阻(R24)的另一端、第二十五電阻(R25)的另一端均接地，第四單片放大器的電源端連接第三十電容(C30)的一端、第二十六電阻(R26)的一端，第二十六電阻(R26)的另一端連接第三十一電容(C31)的一端以及電源，所述第三十一電容(C31)的另一端、第三十電容(C30)的另一端均接地，第四單片放大器的輸出端連接第二混頻器的引腳2。
8.如權利要求7所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述第二濾波放大電路(70)包括第三濾波器，所述第三濾波器的輸入端連接第二混頻器的引腳5，第三濾波器的輸出端連接第五單片放大器的輸入端，第五單片放大器的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC441LP3芯片；所述第五單片放大器的電源端分別連接第十三電阻(R13)的一端、第二十八電容(C28)的一端，所述第十三電阻(R13)的另一端連接第二十九電容(C29)的一端以及電源，所述第二十八電容(C28)的另一端、第二十九電容(C29)的另一端均接地，第五單片放大器的輸出端分別連接第十四電阻(R14)的一端、第十六電阻(R16)的一端，所述第十四電阻(R14)的另一端分別連接第十五電阻(R15)的一端以及耦合電路(80)的輸入端，所述第十五電阻(R15)的另一端、第十六電阻(R16)的另一端均接地。
9.如權利要求8所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述耦合電路(80)包括第六單片放大器，所述第六單片放大器的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC441LP3芯片；第六單片放大器的輸入端連接第十四電阻(R14)的另一端，第六單片放大器的電源端分別連接第十七電阻(R17)的一端、第二十六電容(C26)的一端，所述第十七電阻(R17)的另一端連接第二十七電容(C27)的一端以及電源，所述第二十六電容(C26)的另一端、第二十七電容(C27)的另一端均接地，第六單片放大器的輸出端連接第二十電容(C20)的一端，所述第二十電容(C20)的另一端分別連接功分電路(100)的輸入端、檢測電路(90)的輸入端。
10.如權利要求9所述的一種低雜散X波段上變頻器，其特征在于：所述功分電路(100)包括美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC347LP3芯片；所述HMC347LP3芯片的引腳3分別連接3dB電橋的一個輸出端以及第二十三電容(C23)的一端，所述3dB電橋的另一個輸出端連接第十八電阻(R18)的一端，所述第十八電阻(R18)的另一端接地，3dB電橋的負載端連接檢測電路(90)的輸入端，3dB電橋的輸入端連接第二十電容(C20)的另一端，HMC347LP3芯片的引腳7、引腳14分別連接第二十五電容(C25)的一端、第二十四電容(C24)的一端，所述第二十四電容(C24)的另一端連接第二十二電阻(R22)的一端，HMC347LP3芯片的引腳10、引腳11分別連接第五電感(L5)的一端、第四電感(L4)的一端。