本實(shí)用新型涉及電壓脈寬調(diào)制去磁電路，尤其是涉及一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，電壓脈寬調(diào)制技術(shù)由于其只需改變占空比即可完成對(duì)被控對(duì)象的線性控制，越來越多被應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域。其中應(yīng)用較廣的就是通過電壓脈寬調(diào)制技術(shù)控制MOS管開關(guān)，同時(shí)利用續(xù)流二極管，對(duì)感性負(fù)載進(jìn)行恒流控制，但是每次切斷感性負(fù)載時(shí)，由于續(xù)流二極管的存在和感性負(fù)載上電流不能突變的原因，無法迅速釋放感性負(fù)載上所蓄積的能量，從而導(dǎo)致切斷變慢，傳統(tǒng)的解決辦法是將一個(gè)穩(wěn)壓二極管和續(xù)流二極管串聯(lián)，作為一個(gè)續(xù)流整體來實(shí)現(xiàn)續(xù)流，或者將一個(gè)電阻和續(xù)流二極管串聯(lián)，作為一個(gè)續(xù)流整體來實(shí)現(xiàn)續(xù)流，但是由于電壓脈寬調(diào)制需要高速開關(guān)MOS管來控制電流，因此會(huì)導(dǎo)致上述續(xù)流整體頻繁通斷，從而導(dǎo)致穩(wěn)壓二極管頻繁擊穿和流過電阻上的電流較大，最終導(dǎo)致穩(wěn)壓二極管或者電阻上的功耗很大，因此傳統(tǒng)方法不能良好解決上述問題，這就需要一個(gè)電路在電壓脈寬調(diào)制高速開關(guān)MOS管控制感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管(或電阻)不工作，而當(dāng)切斷感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管(或電阻)起作用，這樣即可降低二極管(或電阻)的功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為實(shí)現(xiàn)在電壓脈寬調(diào)制高速開關(guān)MOS管控制感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管(或電阻)不工作，而當(dāng)切斷感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管(或電阻)工作，同時(shí)由于切斷感性負(fù)載后，其上面的電流的下降速度跟反向電壓成正比，若使用電阻，則流經(jīng)電阻上的電壓會(huì)越來越小，從而電流下降速度會(huì)越來越慢，若使用穩(wěn)壓二極管，則穩(wěn)壓二極管上電壓基本固定，因此電流下降速度基本恒定。因此本實(shí)用新型的目的在于提供一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，電壓脈寬調(diào)制高速開關(guān)MOS管控制感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管不工作，而當(dāng)切斷感性負(fù)載時(shí)，穩(wěn)壓二極管工作。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

方案一：一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路：

本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1，NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8，二個(gè)二極管D6、D7，電容C1和四個(gè)電阻R1～R4；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、和經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端、接NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，電容C1的另一端接電阻R1的另一端和電阻R3的另一端的共接點(diǎn)，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極，接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極共接點(diǎn)。

所述去磁主電路，還包括二極管D10；二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端后接NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極。

方案二：一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路：本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1， NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，二個(gè)二極管D6～D7，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接電阻R5的一端、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和電阻R3的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

方案三：一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路：本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1～M2，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8～D9，二個(gè)二極管D6～D7，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極或電阻R5的一端、NMOS管M2的源極、電阻R3的一端、穩(wěn)壓二極管D9的正極和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接穩(wěn)壓二極管D9的負(fù)極、電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極，NMOS管M2的漏極接二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極的共接點(diǎn)，或二極管D6的負(fù)極和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

方案四：一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路：本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1，NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8，三個(gè)二極管D6、D7、D10，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接電阻R5的一端、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、和經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極接二極管D6負(fù)極和電阻R5的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

方案五：一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路：本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1～M2，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8～D9，二個(gè)二極管D6、D7、D10，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極或電阻R5的一端、NMOS管M2的源極、電阻R3的一端、穩(wěn)壓二極管D9的正極和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4分別接穩(wěn)壓二極管D9的負(fù)極、電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極，NMOS管M2的漏極接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極的共接點(diǎn)，或穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和電阻R5的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

以上五種方案中，所述輸入保護(hù)整流電路的輸入信號(hào)為直流信號(hào)或交流信號(hào)，直流信號(hào)的電壓值為2-1000V；交流信號(hào)的電壓有效值為2-1000V，頻率為50Hz或者60Hz；所述去磁主電路的控制輸入信號(hào)為一個(gè)電壓幅值為15V、頻率為100-40000Hz的方波信號(hào)。

本實(shí)用新型具有的有益效果是：

本實(shí)用新型電路響應(yīng)速度快，能滿足現(xiàn)有的用電壓脈寬調(diào)制來控制感性負(fù)載的響應(yīng)速度；電路簡單，電路成本低，僅為幾塊錢；適用范圍廣，可適用于各種用電壓脈寬調(diào)制來控制感性負(fù)載的電路；功耗低，相比于用續(xù)流二極管與穩(wěn)壓二極管直接并聯(lián)的方式，功耗節(jié)省30%-99%；去磁快，釋放時(shí)間是傳統(tǒng)直接用續(xù)流二極管續(xù)流的方式感性負(fù)載釋放時(shí)間的5%-20%。

附圖說明

圖1是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路。

圖2是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管)。

圖3是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(用去磁電阻替代去磁二極管)。

圖4是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管，用去磁電阻替代去磁二極管)。

圖5是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管)。

圖6是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(用去磁電阻替代去磁二極管，增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管)。

圖7是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管)。

圖8是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管，用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管)。

圖9是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管，用去磁電阻替代去磁二極管)。

圖10是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管，用去磁電阻替代去磁二極管，用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管)。

圖11是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管，增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管)。

圖12是感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路(增加充放電回路控制二極管，用去磁電阻替代去磁二極管，增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管)。

圖13是輸入保護(hù)整流電路。

圖14是去磁主電路。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1，NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8，二個(gè)二極管D6、D7，電容C1和四個(gè)電阻R1～R4；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、和經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端、接NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，電容C1的另一端接電阻R1的另一端和電阻R3的另一端的共接點(diǎn)，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極，接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極共接點(diǎn)。

如圖7、圖8所示，本實(shí)用新型所述去磁主電路，還包括二極管D10；二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端后接NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極。

如圖3、圖4所示，本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1， NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，二個(gè)二極管D6～D7，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接電阻R5的一端、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和電阻R3的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

如圖5、圖6所示，本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1～M2，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8～D9，二個(gè)二極管D6～D7，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極或電阻R5的一端、NMOS管M2的源極、電阻R3的一端、穩(wěn)壓二極管D9的正極和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接穩(wěn)壓二極管D9的負(fù)極、電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極，NMOS管M2的漏極接二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極的共接點(diǎn)，或二極管D6的負(fù)極和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

如圖9、圖10所示，本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1，NMOS管M2，三極管Q1，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8，三個(gè)二極管D6、D7、D10，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接電阻R5的一端、NMOS管M2的源極或三極管Q1的發(fā)射極、電阻R3的一端和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、和經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4接電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極或三極管Q1的基極，NMOS管M2的漏極或三極管Q1的集電極接二極管D6負(fù)極和電阻R5的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

如圖11、圖12所示，本實(shí)用新型包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路；輸入保護(hù)整流電路，包括整流四個(gè)二極管D2～ D5和雙向TVS管或雙向穩(wěn)壓二極管D1；去磁主電路，包括NMOS管M1～M2，負(fù)載L1，穩(wěn)壓二極管D8～D9，三個(gè)二極管D6、D7、D10，電容C1和五個(gè)電阻R1～R5；負(fù)載L1的一端分別接穩(wěn)壓二極管D8的正極或電阻R5的一端、NMOS管M2的源極、電阻R3的一端、穩(wěn)壓二極管D9的正極和二極管D7的正極后接VCC，負(fù)載L1的另一端分別接二極管D6的正極和NMOS管M1的漏極，NMOS管M1的源極接GND，NMOS管M1的刪極為輸入保護(hù)整流電路輸入端，二極管D6的正極接電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極分別接電阻R1的一端、經(jīng)二極管D10接電容C1的一端、電容C1的一端經(jīng)電阻R4分別接穩(wěn)壓二極管D9的負(fù)極、電阻R3的另一端和NMOS管M2的刪極，NMOS管M2的漏極接穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和穩(wěn)壓二極管D8的負(fù)極的共接點(diǎn)，或穩(wěn)壓二極管D6的負(fù)極和電阻R5的另一端的共接點(diǎn)，電容C1的另一端接電阻R1另一端和電阻R3另一端的共接點(diǎn)。

參照?qǐng)D1~圖14所示，一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，整體電路如圖1所示，圖2所示，是用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖3所示，是用去磁電阻替代去磁二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖4所示，是用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管和用去磁電阻替代去磁二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖5所示，是增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路,圖6所示，是用去磁電阻替代去磁二極管和增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖7所示，是增加充放電回路控制二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖8所示，是增加充放電回路控制二極管和用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖9所示，是增加充放電回路控制二極管和用去磁電阻替代去磁二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖10所示，是增加充放電回路控制二極管，用去磁電阻替代去磁二極管和用三極管替代脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖11所示，是增加充放電回路控制二極管，增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，圖12所示，是增加充放電回路控制二極管，用去磁電阻替代去磁二極管和增加防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管的感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路，所述感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路包括圖13所示輸入保護(hù)整流電路和圖14所示去磁主電路。

進(jìn)一步，所述輸入保護(hù)整流電路由D1（TVS管或者雙向穩(wěn)壓二極管），D2、D3、D4、D5（整流二極管）組成。所述去磁主電路由M1(脈寬調(diào)制控制NMOS管)、L1(負(fù)載)、D6(續(xù)流二極管)、D8(去磁穩(wěn)壓二極管)或R5(去磁電阻)、C1(自舉升壓電容)、D7(自舉升壓輔助二極管)、D10(自舉升壓電容充放電回路控制二極管(可去除))、R1(自舉分壓電阻(可去除))、R2(自舉分壓電阻(阻值可為零))、R3(驅(qū)動(dòng)分壓電阻)、R4(驅(qū)動(dòng)分壓電阻(阻值可為零))M2(脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管(可用三極管替代))、D9(防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管(可去除))組成。

更進(jìn)一步，結(jié)合圖1說明感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路的工作方式。在圖1中的Vin+和Vin-之間輸入一個(gè)頻率50Hz，電壓有效值為220V的交流電壓激勵(lì)，激勵(lì)信號(hào)經(jīng)過輸入保護(hù)整流電路轉(zhuǎn)化成一個(gè)電壓有效值為220V的全波直流信號(hào)（電壓直流偏置分量為零），同時(shí)在驅(qū)動(dòng)主電路Input端輸入一個(gè)方波信號(hào)(電壓幅值為15V、頻率為2000Hz的方波信號(hào))。當(dāng)電路剛上電時(shí)，方波信號(hào)電平為高時(shí)，脈寬調(diào)制控制NMOS管導(dǎo)通，負(fù)載得電工作，同時(shí)全波直流信號(hào)通過自舉升壓輔助二極管、驅(qū)動(dòng)分壓電阻和自舉分壓電阻向自舉升壓電容充電，此時(shí)自舉升壓電容兩端電壓小于等于負(fù)載兩端電壓，即兩個(gè)驅(qū)動(dòng)分壓電阻兩端無電壓差或者壓差為負(fù)值，則脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管不工作；當(dāng)方波信號(hào)電平為低時(shí)，脈寬調(diào)制控制NMOS管關(guān)閉，負(fù)載兩端電壓相等，而此時(shí)自舉升壓電容兩端電壓不能突變，因此自舉升壓輔助二極管截止，同時(shí)自舉升壓電容通過驅(qū)動(dòng)分壓電阻、負(fù)載放電和自舉分壓電阻放電，而電容的放電時(shí)間大于方波的低電平時(shí)間，則在方波信號(hào)為低電平期間，驅(qū)動(dòng)分壓電阻兩端產(chǎn)生壓差，因此脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管柵極電壓高于源極電壓，脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管導(dǎo)通，即將去磁穩(wěn)壓二極管或去磁電阻短路，此時(shí)去磁穩(wěn)壓二極管或去磁電阻不工作，同時(shí)因?yàn)樨?fù)載為感性負(fù)載，因此當(dāng)脈寬調(diào)制控制NMOS關(guān)閉，負(fù)載上的電流也不能突變，負(fù)載通過續(xù)流二極管和導(dǎo)通的脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管續(xù)流；而當(dāng)方波信號(hào)電平再次為高時(shí)，脈寬調(diào)制控制NMOS管導(dǎo)通，全波直流信號(hào)給負(fù)載充電，同時(shí)全波直流信號(hào)通過自舉升壓輔助二極管、驅(qū)動(dòng)分壓電阻和自舉分壓電阻向自舉升壓電容充電，此時(shí)自舉升壓電容兩端電壓小于等于負(fù)載兩端電壓，即兩個(gè)驅(qū)動(dòng)分壓電阻兩端無電壓差或者壓差為負(fù)值，則脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管不工作，電路這樣往復(fù)工作即可完成對(duì)感性負(fù)載的恒流控制，同時(shí)又避免脈寬調(diào)制階段去磁穩(wěn)壓二極管或去磁電阻工作而產(chǎn)生較大的功耗，而當(dāng)需要切斷感性負(fù)載時(shí)，方波信號(hào)為低，此時(shí)自舉升壓電容通過分壓電阻釋放電荷，當(dāng)分壓電阻兩端電壓小于脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管最小導(dǎo)通電壓時(shí)，脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管關(guān)閉，則去磁穩(wěn)壓二極管或去磁電阻工作，感性負(fù)載通過續(xù)流二極管和去磁穩(wěn)壓二極管或去磁電阻釋放磁性。

上述具體實(shí)施方式用來解釋說明本實(shí)用新型，而不是對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行限制，在本實(shí)用新型的精神和權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型作出的任何修改和改變，都落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。