本描述涉及電平移位器電路。一個或多個實施例可以用在各種應(yīng)用中，例如用在超聲公開市場產(chǎn)品中。用于超聲脈沖發(fā)生器的驅(qū)動單元是一個這種可能的應(yīng)用的示例。

背景技術(shù)：

雖然具備令人滿意的性能，但是傳統(tǒng)的電平移位器電路可能存在各種缺點，例如：

–由于例如HV MOS的寄生電容而導(dǎo)致移位慢，

–可能相當(dāng)可觀的靜態(tài)消耗，

–為了避免高消耗而可能需要的很高的上拉電阻值，

–對例如噪聲環(huán)境(即噪聲電源和噪聲環(huán)境)中所不希望有的耦合的低免疫力，以及

–對可能的數(shù)據(jù)損失的低可靠性，這可能導(dǎo)致破壞性事件(例如不希望有的高輸出電流)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個或多個實施例，電平移位器電路可以具有所附權(quán)利要求中所提出的特征。

一個或多個實施例可以還涉及對應(yīng)的裝置(例如諸如超聲脈沖發(fā)生器之類的超聲產(chǎn)品)。

權(quán)利要求構(gòu)成這里所提供的一個或多個實施例的公開的整體的一部分。

一個或多個實施例可以提供包括反饋功能(例如電容反饋)的例如高電壓電平移位器。

一個或多個實施例可以提供一種高電壓信號轉(zhuǎn)換器，該信號轉(zhuǎn)換器可能具有在低電壓域(例如3.3V)與高電壓域(例如>100V)之間的高電壓差，具有高電流和低靜態(tài)消耗，被適配用于例如有噪聲的電源和快速轉(zhuǎn)變應(yīng)用中。

一個或多個實施例可以抵抗例如噪聲環(huán)境中的不希望有的耦合。

一個或多個實施例可以包括反饋系統(tǒng)，該反饋系統(tǒng)檢查經(jīng)轉(zhuǎn)換的輸出數(shù)據(jù)用以與控制輸入信號一致，例如用于轉(zhuǎn)變時的刷新。

在一個或多個實施例中，這樣的反饋系統(tǒng)可以包括電容器，用于將電壓電平從高電壓域轉(zhuǎn)換到低電壓域，以及對輸出信號敏感例如用以刷新輸出信號的邏輯控制。

根據(jù)實施例，提供了一種用于經(jīng)由電源線驅(qū)動負載的電平移位器電路，其特征在于，所述電路包括：用于接收能夠在第一輸入電平與第二輸入電平之間切換的輸入信號的輸入級，被耦合到所述電源線以產(chǎn)生用于所述負載的驅(qū)動信號的輸出級，所述輸出級能夠在第一輸入電平與第二輸出電平之間切換，被耦合在所述輸入級與所述輸出級之間的電平轉(zhuǎn)換器，其中在所述第一輸入電平與所述第二輸入電平之間的所述輸入信號切換促使所述輸出級在所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間切換，被耦合到所述輸出級以用于向所述輸入級傳送表示所述輸出級的輸出電平的反饋信號的反饋元件，并且其中所述輸入級包括控制電路裝置，所述控制電路裝置對所述輸入信號和所述反饋信號敏感并且被配置用于檢測在不存在所述第一輸入電平與所述第二輸入電平之間的輸入信號切換的情況下出現(xiàn)的所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間的所述輸出級的不希望有的切換并且反轉(zhuǎn)由所述不希望有的切換產(chǎn)生的所述輸出級的輸出電平。

可選地，對所述輸入信號敏感的所述控制電路裝置被配置用于檢測作為所述第一輸入電平與所述第二輸入電平之間的輸入信號切換的結(jié)果而出現(xiàn)的所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間的所述輸出級的切換并且刷新由所述輸入信號切換產(chǎn)生的輸出電平。

可選地，所述反饋元件包括被耦合在所述輸出級與所述控制電路裝置之間的電容器。

可選地，包括被耦合在用于接收能夠在第一低電壓輸入電平與第二低電壓輸入電平之間切換的輸入信號的輸入級與用于產(chǎn)生針對所述負載的高電壓驅(qū)動信號的輸出級之間的電平轉(zhuǎn)換器。

可選地，所述電平轉(zhuǎn)換器包括開關(guān)級，所述開關(guān)級包括電子開關(guān)。

可選地，所述電子開關(guān)包括MOSFET晶體管。

可選地，所述輸出級包括具有被耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器的輸入的鎖存器元件和能夠根據(jù)所述輸入在所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間切換的輸出。

可選地，所述控制電路裝置包括：被所述反饋信號驅(qū)動的脈沖電路，所述脈沖電路能夠耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加用于在所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間切換所述輸出級的驅(qū)動脈沖；被耦合在所述脈沖電路與所述電平轉(zhuǎn)換器之間的耦合電路，所述耦合電路對所述輸入信號敏感以在耦合狀況下將所述脈沖電路耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器，以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加驅(qū)動脈沖以用于反轉(zhuǎn)由所述輸出級的所述不希望有的切換產(chǎn)生的所述輸出級的輸出電平。

可選地，所述耦合電路允許另一耦合狀況以將所述脈沖電路耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加驅(qū)動脈沖，所述驅(qū)動脈沖將所述輸出級的輸出電平維持在由所述第一輸入電平與所述第二輸入電平之間的所述輸入信號切換產(chǎn)生的所述第一輸出電平與所述第二輸出電平中的一個處。

可選地，所述輸出級包括優(yōu)選為低通類型的濾波器，以產(chǎn)生針對所述負載的所述驅(qū)動信號。

根據(jù)實施例，還提供了一種電子系統(tǒng)，其特征在于包括：電平移位器電路，所述電平移位器電路包括：輸入電路，所述輸入電路被配置為接收能夠在第一輸入電平與第二輸入電平之間切換的輸入信號并且被配置為生成響應(yīng)于所述輸入信號的控制信號；電平轉(zhuǎn)換器電路，所述電平轉(zhuǎn)換器電路被耦合到所述輸入電路并且被配置為響應(yīng)于來自輸入電路的控制信號來生成能夠在第一輸出電平與第二輸出電平之間切換的電平移位控制信號；輸出電路，所述輸出電路被耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器并且被配置為響應(yīng)于所述電平移位控制信號來生成能夠在所述第一輸出電平與所述第二輸出電平之間切換的第一驅(qū)動信號；反饋電路，所述反饋電路被耦合在所述輸出電路與所述輸入電路之間并且被配置為生成指示來自所述輸出電路的所述第一驅(qū)動信號的電平中的變化的反饋信號，所述反饋電路還被配置為檢測所述輸入信號的電平與所述第一驅(qū)動信號的電平之間的不一致性并且生成所述控制信號以促使所述電平轉(zhuǎn)換器電路和所述輸出電路生成具有與所述輸入信號的電平相對應(yīng)的適當(dāng)電平的所述第一驅(qū)動信號；以及被耦合到所述輸出電路的負載電路裝置。

可選地，所述負載電路裝置包括超聲電路裝置，所述超聲電路裝置包括超聲脈沖發(fā)生器。

可選地，所述反饋電路包括被耦合在所述輸出電路與所述輸入電路之間的電容器，所述反饋信號由所述電容器響應(yīng)于所述第一驅(qū)動信號的電平中的變化而被生成。

可選地，所述反饋電路還包括：脈沖生成電路，所述脈沖生成電路被耦合到所述電容器并且被配置為生成響應(yīng)于所述第一驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變的輸出脈沖；以及邏輯電路裝置，所述邏輯電路裝置被耦合以接收所述輸出脈沖并且被配置為生成促使所述電平轉(zhuǎn)換器電路生成所述電平移位控制信號的所述控制信號，所述電平移位控制信號促使所述輸出電路將所述第一驅(qū)動信號驅(qū)動到與所述輸入信號的電平相對應(yīng)的電平。

可選地，所述輸出電路還包括：RS鎖存器，所述RS鎖存器具有被耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器的設(shè)置和重置輸入并且具有被耦合到所述電容器的輸出；以及被耦合在所述RS鎖存器的輸出與所述負載電路裝置之間的緩沖器。

可選地，所述緩沖器包括反轉(zhuǎn)緩沖器。

一個或多個實施例可以提供以下優(yōu)點中的一個或多個：

–對有噪聲的電源和噪聲環(huán)境的高免疫力，

–有效阻止可能的數(shù)據(jù)丟失，

–快速轉(zhuǎn)變以及

–降低的靜態(tài)消耗。

附圖說明

現(xiàn)在將僅僅通過示例的方式參考附圖來描述一個或多個實施例，其中：

圖1是例示實施例的框圖；

圖2是例示實施例的電路圖；以及

圖3圖示出例示實施例的可能操作的特定信號。

具體實施方式

在該擔(dān)保性描述中，一個或多個特定細節(jié)被說明，目的在于提供對實施例的示例的深入理解。這些實施例可以在沒有這些特定細節(jié)中的一個或多個細節(jié)的情況下或者利用其它方法、部件、材料等來實現(xiàn)。在其它情況下，已知的結(jié)構(gòu)、材料、操作沒有被詳細圖示或描述以使得實施例的特定方面將不會模糊。

在本描述的架構(gòu)中提到“實施例”或“一個實施例”意在指示與該實施例相關(guān)聯(lián)地描述的特定配置、結(jié)構(gòu)或特征被包括在至少一個實施例中。因而，可能出現(xiàn)在本描述的一個或多個地方的諸如“在實施例中”或“在一個實施例中”這樣的短語不一定指同一的實施例。此外，特定構(gòu)造、結(jié)構(gòu)或特征可以在一個或多個實施例中按任意適當(dāng)?shù)姆绞奖唤M合。

這里所用到的參考標(biāo)記只是為了方便而被提供的并且因此不限制實施例的保護范圍。

本公開參考用于例如涉及高電壓和高電流的裝置中的電平移位器電路。用于利用高達200V的工作電壓和幾安培量級的電流控制致動器的系統(tǒng)可以是這樣的裝置的示例。

這些系統(tǒng)可以包括低電壓域(例如1V-2V)中的通信接口并且可以驅(qū)動高電壓負載，使得能夠在內(nèi)部將信號從一個域“轉(zhuǎn)變到”另一個域的電平移位器可以幫助實現(xiàn)適當(dāng)?shù)牟僮鳌?/p>

電平移位器(也被稱為電平轉(zhuǎn)換器)因而可以接收例如在低電壓水平(例如具有值GND＝邏輯“0”或LVP＝邏輯“1”)的輸入數(shù)據(jù)并且將這些數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)橐恢虑颐鞔_地針對輸入信號的高電壓輸出信號(例如，高電壓“附近”的信號，例如REF_HVP＝邏輯“0”或HVP＝邏輯“1”)，這通過提供輸入與輸出之間的正確關(guān)系來實現(xiàn)。

這些正在失去的信號之間的關(guān)系可以例如導(dǎo)致MOS輸出在需要切斷時不合意地被接通。在出現(xiàn)例如大尺度的MOS輸出(即能夠承載大電流)的情況下，這可能不合意地產(chǎn)生可能對設(shè)備造成損害的大電流。

由于兩個域(即例如LVP的低電壓和例如HVP的高電壓)之間的電壓差異，獲得所想要的關(guān)聯(lián)可能是愈加困難的。

一種示例性應(yīng)用領(lǐng)域是超聲脈沖發(fā)生器，其中致動器可以利用例如具有高達200V的幅值、具有20V/ns量級的輸出波前并且具有2A量級的開關(guān)電流的方波來驅(qū)動。在特定應(yīng)用中，很多脈沖發(fā)生器(例如十六個脈沖發(fā)生器)可以被集成，這涉及到非常大的開關(guān)電流(例如幾十安培)和相應(yīng)地很高噪聲的環(huán)境。

可能出現(xiàn)在電源上的大開關(guān)電流、大電壓波動和“快速”波前或者內(nèi)部節(jié)點的巨大擾動(電路必須對這些問題免疫)因而對于很多應(yīng)用來說影響很大。

功率消耗是另一個值得考慮的因素。在高電壓水平上消耗的小電流實際上可能會對總的功率消耗有非常大的貢獻。降低的(理論上為零的)靜態(tài)消耗因而成為電平移位器的所希望有的特征，或者應(yīng)理解為降低消耗可能會導(dǎo)致降低的噪聲免疫力。

各種電平移位器電路在諸如US 2014/0247082 A1、US 8 044 699 B2、US 8 686 784 B2或US 8 717 063 B2之類的文獻中被公開。

如所指出的，這些文獻中所公開的布置可能存在某些缺點，例如由于高電壓設(shè)備的高寄生電容而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換慢、不可忽略的靜態(tài)消耗、對有噪聲的電源的低免疫力以及丟失數(shù)據(jù)的可能性。

圖1的框圖例示了用于驅(qū)動電負載(例如HSP)的電平移位器電路的一個或多個實施例。

在一個或多個實施例中，這可以經(jīng)由級A呈現(xiàn)，例如諸如一系列邏輯門之類的緩沖器級。

超聲產(chǎn)品中的高端脈沖發(fā)生器可以例示這樣的負載?；蛘邞?yīng)當(dāng)理解負載(例如HSP)本身可以不作為實施例的一部分。

在一個或多個實施例中，輸入信號IN可以被施加于控制邏輯CL，該控制邏輯進而驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器(電平移位器)LT。電平轉(zhuǎn)換器LT經(jīng)由邏輯元件LL(并且可能是級A)驅(qū)動負載HSP。

僅僅通過非限制示例的方式，如這里所例示的電平移位器電路可以在例如3.3V處的低電壓(LVP)域與超過100V的電壓處的高電壓域(HVP)之間工作。

或者應(yīng)理解雖然位于電路的高電壓域中，但是邏輯元件LL和級A可以自身并不是高電壓元件：例如它們可以在HVP與具有例如REF_HVP＝HVP-3.3V的電壓REF_HVP之間工作。

在一個或多個實施例中，反饋路徑10可以被提供以通過輸入線路20向控制邏輯CL傳送表示例如在邏輯元件LL的輸出處獲得的輸出信號(例如邏輯“0”或“1”)的信號。通過接收反饋信號和輸入信號IN，控制邏輯CL可以檢測經(jīng)轉(zhuǎn)變的輸出信號的變化以例如刷新輸出數(shù)據(jù)。取決于輸出信號與輸入信號一致與否，刷新操作確認或糾正輸出。

在一個或多個實施例中，快速操作可以通過向電平移位器提供與在IN邊沿情況下所提供的輸入信號相等(與實際IN值一致)的輸入信號被實現(xiàn)(反饋越快，信號可以被處理的頻率越高)。

這個刷新操作在不一致的情況下產(chǎn)生對高電壓輸出的正校正，而在一致的情況下不產(chǎn)生變化。

控制邏輯CL的不同實現(xiàn)方式可以利用能夠接收反饋信號、針對預(yù)期值檢查該信號并且當(dāng)(且僅當(dāng))兩者不同時重新確認該信號的邏輯CL來實現(xiàn)。

類似地，雖然現(xiàn)在將通過示例的方式描述反饋路徑10、控制邏輯CL和電平轉(zhuǎn)換器LT的特定示例性實現(xiàn)方式，但是其它實現(xiàn)方式也可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員設(shè)計出。

例如，如圖2的電路圖中所例示的一個或多個實施例可以包括：

–包括電容器10的電容反饋路徑，該路徑可以具有非常小的(理論上為零的)靜態(tài)功率消耗，

–包括被設(shè)置在HVP與地面之間的開關(guān)級(例如諸如具有漏極電阻R1、R2的MOSFET M1、M2之類的電子開關(guān))的電平轉(zhuǎn)換器LT，以及

–脈沖驅(qū)動鎖存器LL。

在一個或多個實施例中，從1變到0的輸入IN可以促使控制邏輯CL中的單穩(wěn)電路12在輸出節(jié)點R處生成脈沖。這個脈沖可以(例如經(jīng)由下面所討論的OR門14)被應(yīng)用于M1的控制電極(柵極)，從而在脈沖時間內(nèi)接通M1(即使其導(dǎo)電)，同時M2保持切斷(即不導(dǎo)電)。

所得到的流經(jīng)R1的電流從而生成與其電阻值和電流密度成比例的電壓降。

在M1與R1之間的節(jié)點處的電壓RH_N因而將在電流脈沖的持續(xù)時間內(nèi)變?yōu)椤暗碗妷骸?，而在M2與R2之間的節(jié)點處的電壓SH_N將保持為“高電壓”(例如在HVP處)。

在一個或多個實施例中，邏輯元件LL可以包括等效設(shè)置-重置鎖存器，該鎖存器具有對電壓RH_N和SH_N敏感的輸入端口SN和RN以及提供輸出信號Q_N的輸出端口QN。

在一個或多個實施例中，邏輯元件LL可以根據(jù)如下所示的真值表來配置。

在以上所描述的狀況下，邏輯元件LL因而可以作出反應(yīng)并且具有其輸出QN，即去往被設(shè)置為“高”值(例如HVP)的負載HSP的線路/節(jié)點(“網(wǎng)”)Q_N。

節(jié)點Q_N處的信號(下文中簡單地稱為信號Q_N)可以向負載HSP傳輸(例如經(jīng)過級A)以產(chǎn)生例如在被耦合到負載HSP中的PMOS的控制電極(例如柵極)的節(jié)點G處的信號。

通過非限制性特征的方式，在這里所例示的一個或多個實施例中，級A可以包括邏輯反轉(zhuǎn)以使得(參見圖3中的時序圖或信號定時圖)從“低”向“高”走(例如從REF_HVP到HVP)的Q_N可以導(dǎo)致G可能按被其大寄生電容負載限制的波前速度從“高”向“低”切換(例如從HVP到REF_HVP)(輸出MOSFET實際上可能體積很大以能夠承受大輸出電流)。

在一個或多個實施例中，信號Q_N也將通過包括例如單個電容器10的反饋路徑向控制邏輯CL傳輸。

在一個或多個實施例中，電容器10可以被預(yù)先充電為預(yù)充電值(這可以按本身已知的方式發(fā)生)。

與電容器10的一端耦合的節(jié)點Q_N的切換因而被“報告”為通過線路20從節(jié)點Q_N到低電壓電平。與節(jié)點Q_N耦合的電容器10的一端處的電壓變化將被電容器10的另一端(該另一端被耦合到控制邏輯CL中的另一單穩(wěn)電路18的輸入)處的對應(yīng)的電壓變化反映。

單穩(wěn)電路18的輸入處的上升沿將在電路18的輸出(節(jié)點F)處產(chǎn)生電壓脈沖。節(jié)點F處的脈沖被施加于對輸入信號IN的狀態(tài)(即邏輯值)敏感的開關(guān)22，以根據(jù)IN的狀態(tài)被轉(zhuǎn)發(fā)到M1或M2的控制電極(例如柵極)。

在剛剛所考慮的示例情況(作為輸入IN從1變?yōu)?的結(jié)果，輸出節(jié)點R處的脈沖被單穩(wěn)電路12施加于OR門14的第一輸入)下，開關(guān)22將例如經(jīng)由被閉合(即通過IN的邏輯補值被使得導(dǎo)電)的開關(guān)22的下接頭將節(jié)點F處的脈沖引向OR門14的另一輸入處。從節(jié)點F被引向OR門14的另一輸入的這樣的脈沖在RH_N上產(chǎn)生到0的新脈沖，該脈沖確認節(jié)點Q_N中的狀態(tài)(即Q_N的電平被保持在“1”處并且轉(zhuǎn)變結(jié)束)。

如進一步結(jié)合圖3的時序圖或信號定時圖所詳述的，完全類似的操作可以在IN從0到1切換的情況下被實現(xiàn)。

在該情況下，在一個或多個實施例中，從0變?yōu)?的輸入IN可以促使控制邏輯CL中的單穩(wěn)電路12在輸出節(jié)點S處生成脈沖。這個脈沖可以(經(jīng)由OR門6)被施加于M2的控制電極(柵極)，從而在脈沖時間內(nèi)接通M2(即使其導(dǎo)電)，而M1保持切斷(即不導(dǎo)電)。

除了可能被反轉(zhuǎn)的某些邏輯值以外(參見例如圖3)，邏輯元件LL和反饋路徑10的操作因而將基本上與之前所描述的操作類似，利用電容器10從節(jié)點Q_N向低電壓電平“報告”反饋信號并且利用開關(guān)22將節(jié)點F處的脈沖引向OR門16(例如經(jīng)由通過IN被閉合(即被使得導(dǎo)電)的開關(guān)22的上接頭)。從節(jié)點F被引向OR門16的這樣的脈沖在SH_N上產(chǎn)生到0的新脈沖，該脈沖確認節(jié)點Q_N中的狀態(tài)(即Q_N的電平被保持在“0”處并且轉(zhuǎn)變結(jié)束)。

將理解一個或多個實施例：

–可以理論上免除靜態(tài)消耗，只要電平轉(zhuǎn)換器LT可以被實現(xiàn)為包括諸如被電流脈沖驅(qū)動的MOSFET M1、M2之類的電子開關(guān)的開關(guān)級(例如有點類似于整流器)，電流消耗主要發(fā)生在切換期間，其它邏輯模塊只在這樣的切換發(fā)生期間切換，

–可以通過反饋提供對噪聲及其它擾動的高免疫力。

圖3的時序圖或信號定時圖描繪了輸入信號IN和節(jié)點R、S(來自單穩(wěn)電路12的輸出)、RH_N、SH_N(來自電平轉(zhuǎn)換器級LT的輸出)、Q_N(來自邏輯元件LL的輸出)、F、G處的信號再加上源自例如節(jié)點C與RH_N之間的寄生耦合(參見圖2中的虛線中所示的電容)的示例性擾動信號(例如向下的尖峰)的可能的時間特性。

圖3的左側(cè)例示了如前所述的“常規(guī)”操作，例如IN從“1”(例如LVP)到“0”(例如地面或零電壓)或者反過來的切換，該切換造成例如HVP與REF_HVP之間的Q_N(和G)的相關(guān)聯(lián)且一致的切換，該切換例如通過如RH_N或SH_N上的第二向下脈沖所例示的“刷新”動作被確認。

圖3的右側(cè)例示了在存在如前所述的向下的尖峰C所例示的擾動的情況下的一個或多個實施例的可能操作。

如果有足夠大的幅值，則該脈沖可以在LL的RN輸入處被讀取為邏輯“0”。這可能促使節(jié)點Q_N切換(參見圖3中的相關(guān)時序圖或信號定時圖)。這樣的切換將經(jīng)由反饋路徑(例如電容器10)再次被“報告”給控制邏輯CL，以促使單穩(wěn)電路18在節(jié)點F處生成脈沖。

因為在圖3中所例示的情況下IN＝1(當(dāng)尖峰C出現(xiàn)時沒有IN的切換)，所以F上的脈沖將被引向M2的控制端子(柵極)(例如經(jīng)由通過IN被閉合(即被使得導(dǎo)電)的開關(guān)22的上接頭)，從而迫使SH_N為0(例如REF_HVP)。這將促使節(jié)點Q_N切換回0，該值是所想要的值。

考慮到節(jié)點G處的寄生電容負載(如圖1和圖2中虛線中的電容器C’示意性地表示的)以及反饋路徑10的操作速度，Q_N上的短脈沖(例如“0”到“1”再返回到“0”)在向節(jié)點G傳輸?shù)耐瑫r將不能形成足以修改負載HSP上的電平(例如接通其中的PMOS)的電壓。

沒有反饋路徑10的情況下，(穩(wěn)定)切換可能會出現(xiàn)在Q_N的值中，Q_N可能保持為錯誤的值，直到出現(xiàn)新的IN切換(這可能只在很長時間之后才可能發(fā)生)。這樣的情形可能導(dǎo)致實際上意圖處于“切斷”狀態(tài)的負載HSP中的PMOS被錯誤且沒有控制地被接通，存在不希望出現(xiàn)地生成輸出電流的風(fēng)險，所述輸出電流可能導(dǎo)致意想不到的功率消耗并且/或者結(jié)果是對設(shè)備有害或其它意想不到的消耗。

在意圖用于驅(qū)動小負載(例如小輸出MOSFET)的應(yīng)用中，從Q_N到G的路徑可以提供對應(yīng)的低電容負載，從而由于在Q_N和G之間的路徑上傳輸?shù)臄_動(例如C)而提供對脈沖的降低的濾波操作，促使擾動脈沖可能在該脈沖的持續(xù)時間內(nèi)在輸出處產(chǎn)生對應(yīng)的尖峰或ON-ON電流。

一個或多個實施例可以通過例如在級A中的Q_N與G之間的路徑中積極地提供濾波器(例如低通濾波器)來解決這個問題，這樣的濾波器的尺寸被設(shè)計為在如之前所例示地反饋路徑提供對Q_N的校正的時間內(nèi)避免脈沖傳輸?shù)紾。

或者應(yīng)理解實施例不局限于那些布置，其中如這里所例示地IN從“1”到“0”的切換導(dǎo)致Q_N從“0”切換到“1”并且IN從“0”到“1”的切換導(dǎo)致Q_N從“1”切換到“0”(即利用從輸入到輸出的邏輯反轉(zhuǎn))。

在一個或多個實施例中，IN從“1”到“0”的切換可能導(dǎo)致Q_N同樣從“1”切換到“0”而IN從“0”到“1”的切換可能導(dǎo)致Q_N從“0”切換到“1”(即不利用從輸入到輸出的邏輯反轉(zhuǎn))。

除非另外說明，否則在一個或多個實施例中，輸入(例如IN)與輸出(例如Q_N)之間的“一致性”或“關(guān)聯(lián)”可能被發(fā)現(xiàn)存在于輸出切換適當(dāng)?shù)亍捌ヅ洹陛斎肭袚Q時，即當(dāng)因為輸入切換已經(jīng)發(fā)生所以輸出切換按需要發(fā)生時，與所涉及的邏輯值無關(guān)。

類似地，雖然“向上的”電平移位(例如從低電壓LVP到高電壓HVP)已經(jīng)在這里被例示，但是一個或多個實施例可以應(yīng)用于“向下的”電平移位，例如從低電壓到(負的)高電壓。

類似地，如這里所例示的Q_N與G之間的邏輯反轉(zhuǎn)關(guān)系絕不是強制性的。

將這里所公開的示例布置適配為不同的輸入與輸出邏輯關(guān)系和/或適配為向下電平移位在本領(lǐng)域技術(shù)人員的技術(shù)范圍內(nèi)，因而不需要在這里提供詳細描述。

一個或多個實施例因而可以提供一種電平移位器電路，用于經(jīng)由電源線HVP驅(qū)動負載(例如HSP)，該電路包括：

-用于接收可在第一輸入電平與第二輸入電平(例如0、LVP)之間切換的輸入信號(例如IN)的輸入級，

-被耦合到所述電源線以產(chǎn)生用于所述負載的驅(qū)動信號(例如可能經(jīng)由級A從Q_N獲得的G)的輸出級，該輸出級可在第一輸出電平與第二輸出電平(例如REF_HVP、HVP)之間切換，

-被設(shè)置在輸入級與輸出級之間的電平轉(zhuǎn)換器，其中在所述第一輸入電平與第二輸入電平之間的所述輸入信號切換轉(zhuǎn)換為在所述第一輸出電平與第二輸出電平之間的所述輸出級切換(即在第一輸入電平與第二輸入電平之間的輸入信號的切換促使輸出級對應(yīng)地在所述第一輸出電平與第二輸出電平之間切換)，

-被耦合到所述輸出級以用于向所述輸入級傳送表示輸出級的輸出電平(例如Q_N)的反饋信號(例如20)的反饋元件(例如10)，

其中輸入級包括控制電路裝置(例如12至18、22)，該控制電路裝置對所述輸入信號和所述反饋信號敏感并且用于檢測在不存在所述第一輸入電平與第二輸入電平之間的輸入信號切換的情況下出現(xiàn)的所述第一輸出電平與第二輸出電平之間的所述輸出級的不希望有的切換，所述控制電路裝置(例如22)被配置用于反轉(zhuǎn)由所述不希望有的切換產(chǎn)生的所述輸出級的輸出電平(例如從0變?yōu)?或者從1變?yōu)?)。

在一個或多個實施例中，對所述輸入信號敏感的所述控制電路裝置被配置用于檢測作為所述第一輸入電平與第二輸入電平之間的輸入信號切換的結(jié)果而出現(xiàn)的所述第一輸出電平與第二輸出電平之間的所述輸出級的切換，并且刷新由這樣的切換產(chǎn)生的輸出電平(參見例如圖3的圖中RH_N和SH_N上的第二向下脈沖)。

在一個或多個實施例中，所述反饋元件可以包括被設(shè)置在所述輸出級與所述控制電路裝置之間的電容器(例如10)。

一個或多個實施例可以包括被設(shè)置在用于接收可在第一低電壓輸入電平與第二低電壓輸入電平(例如0、LVP)之間切換的輸入信號的輸入級與用于產(chǎn)生針對所述負載的高電壓驅(qū)動信號(例如REF_HVP、HVP)的輸出級之間的向上電平轉(zhuǎn)換器。

一個或多個實施例可以包括被設(shè)置在低電壓輸入級與負的高電壓輸出級之間的向下電平轉(zhuǎn)換器。

在一個或多個實施例中，所述電平轉(zhuǎn)換器包括開關(guān)級，可選地包括諸如MOSFET(例如M1、M2)之類的電子開關(guān)。

在一個或多個實施例中，所述輸出級可以包括具有被耦合(例如SH_N、RH_N)到所述電平轉(zhuǎn)換器的設(shè)置和重置輸入(例如SN、RN)的設(shè)置-重置鎖存器元件(例如LL)和可根據(jù)所述設(shè)置和重置輸入在所述第一輸出電平與第二輸出電平(例如REF_HVP、HVP)之間切換的輸出。

在一個或多個實施例中，所述控制電路裝置可以包括：

-被所述反饋信號驅(qū)動的脈沖電路(例如18)，所述脈沖電路(例如經(jīng)由14、16、22)可耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加用于在所述第一輸出電平與第二輸出電平之間切換所述輸出級的驅(qū)動脈沖(例如F)，

-被設(shè)置在所述脈沖電路與所述電平轉(zhuǎn)換器之間的耦合電路(例如22)，所述耦合電路對所述輸入信號(IN)敏感以在耦合狀況下選擇性地將所述脈沖電路耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器(LT)，以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加驅(qū)動脈沖(例如F)以用于反轉(zhuǎn)由所述輸出級的所述不希望有的切換產(chǎn)生的所述輸出級的輸出電平。

在一個或多個實施例中，所述耦合電路(例如22)可以允許另一耦合狀況以將所述脈沖電路耦合到所述電平轉(zhuǎn)換器以向所述電平轉(zhuǎn)換器施加驅(qū)動脈沖，該驅(qū)動脈沖將所述輸出級的輸出電平(例如Q_N)維持在轉(zhuǎn)換在所述第一輸入電平與第二輸入電平之間切換的所述輸入信號的所述第一輸出電平與第二輸出電平中的一個處。

在一個或多個實施例中，所述輸出級(例如A)可以包括優(yōu)選為低通類型的濾波器，以產(chǎn)生針對所述負載的所述驅(qū)動信號(例如G)。

在不違背基本原則的情況下，細節(jié)和實施例可以相對于不脫離保護范圍的情況下僅僅通過示例的方式描述的那些內(nèi)容而改變，甚至是非常大的改變。

保護范圍由所附權(quán)利要求限定。

以上所描述的各種實施例可以被組合以提供更多的實施例?？梢栽谝陨系脑敿毭枋龅膯l(fā)下對實施例做出這些及其它改變。一般來說，在所附權(quán)利要求中，所用到的術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被詮釋為將權(quán)利要求限制為說明書和權(quán)利要求中所公開的特定實施例，而是應(yīng)當(dāng)被詮釋為包括所有可能的實施例以及對這些權(quán)利要求享有權(quán)利的全部等同物的范圍。因此，權(quán)利要求不受本公開的限制。