本實(shí)用新型涉及一種電路，尤其是一種LED驅(qū)動電源電路，屬于電源電路的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
LED(發(fā)光二極管)技術(shù)隨著可覆蓋光譜范圍的擴(kuò)展取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。研究發(fā)現(xiàn)，LED作為光源，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長三大優(yōu)勢，理論上可實(shí)現(xiàn)只消耗白熾燈10％的能耗，比熒光燈節(jié)能50％。由于它采用固體封裝，壽命是熒光燈的10倍、白熾燈的100倍。同時，LED光源無紫外光、紅外光等輻射，且能避免熒光燈管破裂溢出汞的二次污染。LED光源的這些優(yōu)點(diǎn)，將引發(fā)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)和應(yīng)用的革命，如同半導(dǎo)體晶體管替代電子管一樣，在若干年后，用LED作為新光源的固態(tài)照明燈，將有機(jī)會逐漸取代傳統(tǒng)的照明燈而進(jìn)入每一個角落。
傳統(tǒng)的LED驅(qū)動電源通常存在使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，漏電流的存在會讓使用者有觸電的危險，因此一些驅(qū)動器制造商目前開始采用無Y電容的驅(qū)動電源，但會對驅(qū)動電源的EMI設(shè)計帶來很多困難和不確定性。
在開關(guān)電源中，功率器件高頻開通關(guān)斷的操作導(dǎo)致電流和電壓的快速的變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。在電路中的電感及寄生電感中快速的電流變化產(chǎn)生磁場從而產(chǎn)生較高的電壓尖峰，在電路中的電容及寄生電容中快速的電壓變化產(chǎn)生電場從而產(chǎn)生較高的電流尖峰。
具有頻抖和頻率調(diào)制的脈寬調(diào)制可以改善EMI的性能，但不能絕對的保證驅(qū)動電源通過EMI的測試，必須在電路和變壓器結(jié)構(gòu)上進(jìn)行改進(jìn)，才能使充電器滿足EMI的標(biāo)準(zhǔn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種LED驅(qū)動電源電路，其結(jié)構(gòu)緊湊，滿足EMI性能，可提高驅(qū)動電源使用的可靠性。
按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述LED驅(qū)動電源電路，包括變壓器T以及與所述變壓器T原邊線圈連接的功率開關(guān)管M；所述功率開關(guān)管M通過高頻電壓變化率抑制電路與變壓器T的原邊線圈連接，所述高頻電壓變化率抑制電路包括電容C1、電阻R5以及電容C7，電容C1的一端、電阻R5的一端以及電容C7的一端與變壓器T原邊線圈的第一端連接，電容C1的另一端通過電阻R1與變壓器T原邊線圈的第二端連接，電容C7的另一端以及電阻R5的另一端與電感L1的一端連接，電感L1的另一端與二極管D2的陰極端以及電容C5的一端連接，二極管D2的陽極端、電容C5的另一端與變壓器T原邊線圈的第二端、電感L2的一端連接，電感L2的另一端與功率開關(guān)管M的漏極端、電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與 功率開關(guān)管M的源極端以及電容C6的一端連接，電容C6的另一端與變壓器T原邊線圈的第一端連接。
進(jìn)一步地，所述變壓器T副邊線圈的第一端與電容C3的一端以及電感L3的一端連接，電容C3的另一端與電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端與變壓器T副邊線圈的第二端以及電容C8的一端連接，電感L3的另一端與電阻R4的一端、二極管D1的陽極端連接，電阻R4的另一端與電容C4的一端連接，電容C4的另一端與二極管D1的陰極端以及電容C8的另一端連接，二極管D1的陰極端與電容C8的另一端相互連接后形成驅(qū)動輸出端Vo；變壓器T原邊線圈的第二端與變壓器T副邊線圈的第一端為同名端。
進(jìn)一步地，所述功率開關(guān)管M采用MOS管或三極管。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型中的功率開關(guān)管M通過高頻電壓變化率抑制電路與變壓器T原邊線圈的連接配合，從而能降低電流噪聲，以滿足EMI性能的要求，由于無Y電容的存在，避免了漏電流的存在，提高了驅(qū)動電源使用的可靠性。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
如圖1所示：滿足EMI性能，提高驅(qū)動電源使用的可靠性，本實(shí)用新型包括變壓器T以及與所述變壓器T原邊線圈連接的功率開關(guān)管M；所述功率開關(guān)管M通過高頻電壓變化率抑制電路與變壓器T的原邊線圈連接，所述高頻電壓變化率抑制電路包括電容C1、電阻R5以及電容C7，電容C1的一端、電阻R5的一端以及電容C7的一端與變壓器T原邊線圈的第一端連接，電容C1的另一端通過電阻R1與變壓器T原邊線圈的第二端連接，電容C7的另一端以及電阻R5的另一端與電感L1的一端連接，電感L1的另一端與二極管D2的陰極端以及電容C5的一端連接，二極管D2的陽極端、電容C5的另一端與變壓器T原邊線圈的第二端、電感L2的一端連接，電感L2的另一端與功率開關(guān)管M的漏極端、電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與功率開關(guān)管M的源極端以及電容C6的一端連接，電容C6的另一端與變壓器T原邊線圈的第一端連接。
所述變壓器T副邊線圈的第一端與電容C3的一端以及電感L3的一端連接，電容C3的另一端與電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端與變壓器T副邊線圈的第二端以及電容C8的一端連接，電感L3的另一端與電阻R4的一端、二極管D1的陽極端連接，電阻R4的另一端與電容C4的一端連接，電容C4的另一端與二極管D1的陰極端以及電容C8的另一端連接，二極管D1的陰極端與電容C8的另一端相互連接后形成驅(qū)動輸出端Vo；變壓器T原邊線圈的第二端與變壓器T副邊線圈的第一端為同名端。
具體地，變壓器T原邊線圈的第一端還與電壓Vin連接；工作時，通過電感L1、電感L2可以降低高頻電流的變化率，在電流連續(xù)模式下，通過電感L3 也可以降低高頻電流的變化率。電阻R1、電容C1、電阻R2、電容C2、電容C3、電阻R4、電容C4以及電容C5的配合，可以降低功率開關(guān)管M兩端高頻電壓的變化率，通過降低功率開關(guān)管M兩端電壓變化率，進(jìn)而降低電流噪聲，使得EMI性能滿足要求。具體實(shí)施時，功率開關(guān)管M可以采用MOS管或三極管等功率器件，具體可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，具體為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型不限于以上實(shí)施例。可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。