技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及面積優(yōu)化的保持觸發(fā)器實施，公開了一種集成電路裝置，其具有p阱平面(505)、多個基本平行的n阱行(520，540)、以及邏輯單元(500)。p阱平面(505)包括p型半導體材料。每個n阱行(520，540)包括設置在p阱平面的表面上的n型層。多個n阱行(520，540)包括第一n阱行(520)和第二n阱行(540)。邏輯單元(500)布置在p阱平面(505)上，并且邏輯單元(500)的覆蓋區(qū)包含第一n阱行(520)和第二n阱行(540)。

技術(shù)研發(fā)人員：S·C·斯里瓦斯塔瓦;V·辛格哈爾
受保護的技術(shù)使用者：德克薩斯儀器股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.07.07