本發(fā)明涉及一種電解銅箔、電解銅箔的制造方法、覆銅積層板、印刷配線(xiàn)板、印刷配線(xiàn)板的制造方法以及電子機(jī)器的制造方法。

背景技術(shù)：

一般來(lái)說(shuō)，印刷配線(xiàn)板是經(jīng)過(guò)在使絕緣基板粘結(jié)于銅箔而制成覆銅積層板后通過(guò)蝕刻在銅箔面形成導(dǎo)體圖案的步驟來(lái)制造。伴隨著近年來(lái)電子機(jī)器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號(hào)的高頻化不斷進(jìn)展，而對(duì)印刷配線(xiàn)板要求導(dǎo)體圖案的微細(xì)化(微間距化)或高頻應(yīng)對(duì)等。

為了使用電解銅箔實(shí)現(xiàn)如上所述的導(dǎo)體圖案的微細(xì)化，以往在用來(lái)制造電解銅箔的電解液中添加光澤劑而制作析出面?zhèn)鹊谋砻嫫交碾娊忏~箔，在該表面形成電路(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

[背景技術(shù)文獻(xiàn)]

[專(zhuān)利文獻(xiàn)]

[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)2004-162172號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[發(fā)明所要解決的課題]

然而，在像所述那樣在用來(lái)制造電解銅箔的電解液中添加光澤劑而制作析出面?zhèn)鹊谋砻嫫交碾娊忏~箔，在該表面形成電路的情況下，受光澤鍍層中所含的添加劑影響，當(dāng)制造電解銅箔時(shí)因常溫下的再結(jié)晶及伴隨于其的收縮而容易在銅箔產(chǎn)生褶皺。而且，在產(chǎn)生了該褶皺的情況下，存在當(dāng)其后將電解銅箔與樹(shù)脂基板貼合時(shí)也會(huì)產(chǎn)生褶皺的問(wèn)題。如果這樣在電解銅箔產(chǎn)生褶皺，則在該電解銅箔形成電路時(shí)，難以微間距化。

因此，本發(fā)明的課題在于提供一種電路形成性良好的電解銅箔。

[解決課題的技術(shù)手段]

本發(fā)明的一態(tài)樣是一種電解銅箔，其在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺樱宜龉鉂擅娴拿娲植诙萻a為0.270μm以下。

本發(fā)明的另一態(tài)樣是一種電解銅箔，其在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺?，且所述光澤面的均方根高度sq為0.315μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的一實(shí)施方式中，所述光澤面的均方根高度sq為0.315μm以下。另外，本發(fā)明的電解銅箔的另一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.150μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的另一實(shí)施方式中，所述光澤面的均方根高度sq為0.200μm以下。另外，本發(fā)明的電解銅箔的另一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺樱龉鉂擅娴木礁叨萻q為0.200μm以下。另外，本發(fā)明的電解銅箔的另一實(shí)施方式中，所述光澤面的面粗糙度sa為0.133μm以下或0.130μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面的均方根高度sq為0.180μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面的均方根高度sq為0.120μm以下。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種電解銅箔，其在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.470μm以下。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種電解銅箔，其在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，且所述光澤面的均方根高度sq為0.550μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.380μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面?zhèn)鹊拿娲植诙萻a為0.355μm以下或0.300μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面?zhèn)鹊拿娲植诙萻a為0.200μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面?zhèn)鹊木礁叨萻q為0.550μm以下、0.490μm以下、或0.450μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面?zhèn)鹊木礁叨萻q為0.400μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述光澤面?zhèn)鹊木礁叨萻q為0.330μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa為0.270μm以下或0.150μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa為0.133μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa為0.130μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq為0.315μm以下或0.200μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq為0.180μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq為0.120μm以下。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，常溫抗拉強(qiáng)度為30kg/mm²以上。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，常溫伸長(zhǎng)率為3％以上。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，高溫抗拉強(qiáng)度為10kg/mm²以上。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，高溫伸長(zhǎng)率為2％以上。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述電解銅箔的與光澤面為相反側(cè)的面具有粗化處理層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，所述粗化處理層是由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任意一種以上單質(zhì)的合金所構(gòu)成的層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述粗化處理層的表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述電解銅箔的光澤面、及與光澤面為相反側(cè)的面中的其中一個(gè)或兩個(gè)上，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述電解銅箔的光澤面、及與光澤面為相反側(cè)的面中的其中一個(gè)或兩個(gè)上具備樹(shù)脂層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述粗化處理層上具備樹(shù)脂層。

本發(fā)明的電解銅箔的又一實(shí)施方式中，在所述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹(shù)脂層。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種電解銅箔的制造方法，其是使用表面的面粗糙度sa為0.270μm以下的電解滾筒來(lái)制作電解銅箔。另外，本發(fā)明在一實(shí)施方式中是一種電解銅箔的制造方法，其是使用表面的面粗糙度sa為0.150μm以下的電解滾筒來(lái)制作電解銅箔。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種電解銅箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度sq為0.315μm以下的電解滾筒來(lái)制作電解銅箔。另外，本發(fā)明在一實(shí)施方式中是一種電解銅箔的制造方法，其是使用表面的均方根高度sq為0.200μm以下的電解滾筒來(lái)制作電解銅箔。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種覆銅積層板，其具有本發(fā)明的電解銅箔。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種印刷配線(xiàn)板，其具有本發(fā)明的電解銅箔。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其是使用本發(fā)明的電解銅箔來(lái)制造印刷配線(xiàn)板。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其包括以下步驟：將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層而形成覆銅積層板，其后通過(guò)半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法來(lái)形成電路。

本發(fā)明的又一態(tài)樣是一種電子機(jī)器的制造方法，其是使用由本發(fā)明的方法制造的印刷配線(xiàn)板來(lái)制造電子機(jī)器。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)本發(fā)明，可提供一種電路形成性良好的電解銅箔。

附圖說(shuō)明

圖1a是實(shí)施例2的電解銅箔的光澤面的sem像。

圖1b是實(shí)施例10的電解銅箔的光澤面的sem像。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)本發(fā)明的電解銅箔的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，本說(shuō)明書(shū)中，“光澤面的面粗糙度sa”、“光澤面的均方根高度sq”分別表示在電解銅箔的光澤面設(shè)置有粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶聯(lián)劑處理層等表面處理層的情況下，設(shè)置該表面處理層之后的表面(最外層的表面)的面粗糙度sa、均方根高度sq。另外，“在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa”及“在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq”分別表示于在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面設(shè)置有耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶聯(lián)劑處理層等粗化處理層以外的表面處理層的情況下，設(shè)置該表面處理層之后的表面(最外層的表面)的面粗糙度sa、均方根高度sq。

＜在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺拥碾娊忏~箔＞

本發(fā)明的電解銅箔的一態(tài)樣中，在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.270μm以下，優(yōu)選0.150μm以下。本發(fā)明中，所謂電解銅箔的光澤面，表示制作該電解銅箔時(shí)的滾筒側(cè)的表面(光面：s面)。此外，本發(fā)明的電解銅箔中，所謂與光澤面為相反側(cè)的面，表示制作該電解銅箔時(shí)的與滾筒為相反側(cè)(析出面?zhèn)?的表面(糙面：m面)。

通過(guò)這種構(gòu)成，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。光澤面的面粗糙度sa優(yōu)選0.230μm以下，優(yōu)選0.180μm以下，優(yōu)選0.150μm以下，優(yōu)選0.133μm以下，更優(yōu)選0.130μm以下，更優(yōu)選0.120μm以下。電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

本發(fā)明的電解銅箔的另一態(tài)樣中，在光澤面?zhèn)炔痪哂写只幚韺?，所述光澤面的均方根高度sq為0.315μm以下，優(yōu)選0.200μm以下。

通過(guò)這種構(gòu)成，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。光澤面的均方根高度sq優(yōu)選0.292μm以下，優(yōu)選0.230μm以下，優(yōu)選0.200μm以下，優(yōu)選0.180μm以下，優(yōu)選0.120μm以下，更優(yōu)選0.115μm以下。電解銅箔的光澤面的均方根高度sq的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

＜在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺拥碾娊忏~箔＞

本發(fā)明的電解銅箔的另一態(tài)樣是一種電解銅箔，其在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.470μm以下，優(yōu)選0.380μm以下。

通過(guò)這種構(gòu)成，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。該光澤面的面粗糙度sa優(yōu)選0.385μm以下，優(yōu)選0.380μm以下，優(yōu)選0.355μm以下，優(yōu)選0.340μm以下，優(yōu)選0.300μm以下，優(yōu)選0.295μm以下，優(yōu)選0.230μm以下，更優(yōu)選0.200μm以下。電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

另外，該電解銅箔在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa優(yōu)選0.270μm以下，優(yōu)選0.230μm以下，優(yōu)選0.180μm以下，優(yōu)選0.150μm以下，更優(yōu)選0.133μm以下，進(jìn)而更優(yōu)選0.130μm以下，進(jìn)而更優(yōu)選0.120μm以下。根據(jù)這種構(gòu)成，可將設(shè)置粗化處理層后的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa、及/或設(shè)置粗化處理層后的電解銅箔的光澤面的均方根高度sq控制為適當(dāng)值，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、更優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。電解銅箔的在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的面粗糙度sa的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

本發(fā)明的電解銅箔的另一態(tài)樣中，在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，所述光澤面的均方根高度sq為0.550μm以下，優(yōu)選0.490μm以下。

通過(guò)這種構(gòu)成，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。光澤面的均方根高度sq優(yōu)選0.490μm以下，優(yōu)選0.450μm以下，優(yōu)選0.435μm以下，優(yōu)選0.400μm以下，優(yōu)選0.395μm以下，更優(yōu)選0.330μm以下，更優(yōu)選0.290μm以下。電解銅箔的光澤面的均方根高度sq的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

另外，該電解銅箔在光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq優(yōu)選0.315μm以下，優(yōu)選0.292μm以下，優(yōu)選0.230μm以下，優(yōu)選0.200μm以下，優(yōu)選0.180μm以下，更優(yōu)選0.120μm以下，更優(yōu)選0.115μm以下。根據(jù)這種構(gòu)成，可將設(shè)置粗化處理層之后的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa、及/或設(shè)置粗化處理層之后的電解銅箔的光澤面的均方根高度sq控制為適當(dāng)值，關(guān)于使用該電解銅箔形成的電路的間距，可實(shí)現(xiàn)l/s(線(xiàn)/間隙)＝22μm以下/22μm以下、優(yōu)選20μm以下/20μm以下的微間距。在電解銅箔的光澤面?zhèn)仍O(shè)置粗化處理層之前的光澤面的均方根高度sq的下限沒(méi)有特別限定，例如為0.001μm以上、或0.010μm以上、或0.050μm以上、或0.100μm以上。

本發(fā)明的電解銅箔的常溫抗拉強(qiáng)度優(yōu)選30kg/mm²以上。所謂“常溫抗拉強(qiáng)度”，表示室溫下的抗拉強(qiáng)度，依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。如果常溫抗拉強(qiáng)度為30kg/mm²以上，則具有操作時(shí)不易產(chǎn)生褶皺的效果。更優(yōu)選35kg/mm²以上。

本發(fā)明的電解銅箔的常溫伸長(zhǎng)率優(yōu)選3％以上。所謂“常溫伸長(zhǎng)率”，表示室溫下的伸長(zhǎng)率，依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。如果常溫伸長(zhǎng)率為3％以上，則具有不易破裂的效果。常溫伸長(zhǎng)率更優(yōu)選4％以上。

本發(fā)明的電解銅箔的高溫抗拉強(qiáng)度優(yōu)選10kg/mm²以上。所謂“高溫抗拉強(qiáng)度”，表示180℃下的抗拉強(qiáng)度，依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。如果高溫抗拉強(qiáng)度為10kg/mm²以上，則具有不易產(chǎn)生與樹(shù)脂貼附時(shí)的褶皺的效果。更優(yōu)選15kg/mm²以上。

本發(fā)明的電解銅箔的高溫伸長(zhǎng)率優(yōu)選2％以上。所謂“高溫伸長(zhǎng)率”，表示180℃下的伸長(zhǎng)率，依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。如果高溫伸長(zhǎng)率為2％以上，則具有防止電路的龜裂產(chǎn)生的效果。高溫伸長(zhǎng)率優(yōu)選3％以上，更優(yōu)選6％以上，更優(yōu)選15％以上。

本發(fā)明的電解銅箔在沒(méi)有設(shè)置下述表面處理層的情況下，關(guān)于除該表面處理層以外的部分，除可使用純銅以外，也可使用例如摻入sn的銅、摻入ag的銅、添加有ti、w、mo、cr、zr、mg、ni、sn、ag、co、fe、as、p等的銅合金。本說(shuō)明書(shū)中單獨(dú)使用用語(yǔ)“銅箔”時(shí)，也包括銅合金箔。這些銅合金箔可通過(guò)如下方式進(jìn)行制造，即，在制造電解銅箔時(shí)使用的電解液中添加合金元素(例如選自由ti、w、mo、cr、zr、mg、ni、sn、ag、co、fe、as及p所組成的群中的一種或兩種以上元素)而制造電解銅箔。另外，該電解銅箔的厚度沒(méi)有特別限定，典型來(lái)說(shuō)為0.5～3000μm，優(yōu)選1.0～1000μm，優(yōu)選1.0～300μm，優(yōu)選1.0～100μm，優(yōu)選3.0～75μm，優(yōu)選4～40μm，優(yōu)選5～37μm，優(yōu)選6～28μm，優(yōu)選7～25μm，優(yōu)選8～19μm。

＜電解銅箔的制造方法＞

本發(fā)明的電解銅箔是從硫酸銅鍍?cè)≈性阝伝虿讳P鋼的滾筒上電解析出銅而制造。以下表示該電解條件。

＜電解條件＞

電解液組成：cu50～150g/l，h2so460～150g/l，

電流密度：30～120a/dm²

電解液溫度：50～60度

添加物：氯離子20～80ppm，膠0.01～10.0ppm

此外，本說(shuō)明書(shū)所記載的用于電解、蝕刻、表面處理或鍍覆等的處理液(蝕刻液、電解液等)的剩余部分如果沒(méi)有特別明確說(shuō)明，則為水。

此時(shí)使用的電解滾筒的滾筒表面的面粗糙度sa為0.270μm以下，優(yōu)選0.15μm以下。另外，滾筒表面的均方根高度sq為0.315μm以下，優(yōu)選0.20μm以下。表面具有該面粗糙度sa或均方根高度sq的電解滾筒首先通過(guò)粒度號(hào)數(shù)為300(p300)～500(p500)號(hào)的研磨帶對(duì)鈦或不銹鋼的滾筒的表面進(jìn)行研磨。此時(shí)，將研磨帶在滾筒的寬度方向上以特定寬度卷繞，通過(guò)一邊以特定速度使研磨帶向滾筒的寬度方向移動(dòng)一邊使?jié)L筒旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行研磨。該研磨時(shí)的滾筒表面的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)為130～190m/分鐘。另外，研磨時(shí)間設(shè)為在研磨帶的1次行程中通過(guò)滾筒表面的(寬度方向的位置的)1點(diǎn)的時(shí)間與行程次數(shù)的積。此外，所述在1次行程中通過(guò)滾筒表面的1點(diǎn)的時(shí)間設(shè)為將研磨帶的寬度除以研磨帶的滾筒的寬度方向的移動(dòng)速度所得的值。另外，所謂研磨帶的1次行程，意指利用研磨帶將滾筒的圓周方向的表面從滾筒的軸(寬度)方向(電解銅箔的寬度方向)的一端部至另一端部研磨1次。即，研磨時(shí)間以下式表示。

研磨時(shí)間(分鐘)＝每1行程的研磨帶的寬度(cm/次)/研磨帶的移動(dòng)速度(cm/分鐘)×行程次數(shù)(次)

以往在電解銅箔的制造中，研磨時(shí)間設(shè)為1.6～3分鐘，本發(fā)明中設(shè)為3.5～10分鐘，另外，本發(fā)明中，在研磨時(shí)以水潤(rùn)濕滾筒表面的情況下設(shè)為6～10分鐘。作為所述研磨時(shí)間的算出例，例如在以寬度10cm的研磨帶將移動(dòng)速度設(shè)為20cm/分鐘時(shí)，滾筒表面的1點(diǎn)的1行程的研磨時(shí)間成為0.5分鐘。通過(guò)將其乘以總行程次數(shù)而算出(例如0.5分鐘×10行程＝5分鐘)。通過(guò)增大研磨帶的粒度號(hào)數(shù)、及/或提高滾筒表面的旋轉(zhuǎn)速度、及/或延長(zhǎng)研磨時(shí)間、及/或在研磨時(shí)以水潤(rùn)濕滾筒表面，可減小滾筒表面的面粗糙度sa及滾筒表面的均方根高度sq。另外，通過(guò)減小研磨帶的粒度號(hào)數(shù)、及/或降低滾筒表面的旋轉(zhuǎn)速度、及/或縮短研磨時(shí)間、及/或在研磨時(shí)使?jié)L筒表面干燥，可增大滾筒表面的面粗糙度sa及滾筒表面的均方根高度sq。此外，通過(guò)延長(zhǎng)研磨時(shí)間，可減小面粗糙度sa，并且以比sa變小的程度大的程度減小均方根高度sq。另外，通過(guò)縮短研磨時(shí)間，可增大面粗糙度sa，并且以比面粗糙度sa變大的程度大的程度增大均方根高度sq。此外，所述研磨帶的粒度號(hào)數(shù)是指用于研磨帶的研磨材的粒度。而且，該研磨材的粒度是基于fepa(federationofeuropeanproducersofabrasives，歐洲磨料生產(chǎn)者聯(lián)合會(huì))-standard43-1：2006、43-2：2006。

另外，通過(guò)在研磨時(shí)以水潤(rùn)濕滾筒表面，可減小均方根高度sq，并且以比均方根高度sq變小的程度大的程度減小面粗糙度sa。另外，通過(guò)在研磨時(shí)使?jié)L筒表面干燥，可增大均方根高度sq，并且以比均方根高度sq變大的程度大的程度增大面粗糙度sa。

這樣，可制作光澤面的面粗糙度sa為0.270μm以下、優(yōu)選0.150μm以下、及/或均方根高度sq為0.315μm以下、優(yōu)選0.200μm以下的電解銅箔。

另外，通過(guò)對(duì)光澤面的面粗糙度sa為0.270μm以下、優(yōu)選0.150μm以下、及/或均方根高度sq為0.315μm以下、優(yōu)選0.200μm以下的電解銅箔的光澤面?zhèn)冗M(jìn)行下述粗化處理或表面處理，可制作在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺?，且所述光澤面的面粗糙度sa為0.470μm以下、優(yōu)選0.380μm以下、及/或所述光澤面的均方根高度sq為0.550μm以下、優(yōu)選0.490μm以下的電解銅箔。

此外，電解滾筒表面的面粗糙度sa及均方根高度sq能以如下方式進(jìn)行測(cè)定。

·通過(guò)使樹(shù)脂膜(聚氯乙烯)浸漬于溶劑(丙酮)中而膨潤(rùn)。

·使所述膨潤(rùn)的樹(shù)脂膜接觸于電解滾筒表面，在丙酮從樹(shù)脂膜揮發(fā)后將樹(shù)脂膜剝離，采集電解滾筒表面的復(fù)制品。

·利用激光顯微鏡對(duì)該復(fù)制品進(jìn)行測(cè)定，測(cè)定面粗糙度sa及均方根高度sq的值。

然后，將所獲得的復(fù)制品的面粗糙度sa及均方根高度sq的值設(shè)為電解滾筒表面的面粗糙度sa及均方根高度sq。

＜粗化處理及其他表面處理＞

對(duì)于電解銅箔的光澤面、及與光澤面為相反側(cè)的面的其中一個(gè)或兩個(gè)，例如為了使與絕緣基板的密接性良好等，也可通過(guò)實(shí)施粗化處理而設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如可通過(guò)由銅或銅合金形成粗化粒子來(lái)進(jìn)行。粗化處理可為微細(xì)的粗化處理，也可通過(guò)形成針狀、棒狀或粒子狀的粗化粒子來(lái)進(jìn)行。粗化處理層也可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任意一種以上單質(zhì)的合金所構(gòu)成的層等。另外，在由銅或銅合金形成粗化粒子后，也可進(jìn)而進(jìn)行以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其后，可以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，也可進(jìn)而對(duì)該表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)劑處理等處理?；蛘?，也可不進(jìn)行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，進(jìn)而對(duì)該表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)劑處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層，也可在電解銅箔的表面形成選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶聯(lián)劑處理層也可分別以多層形成(例如2層以上、3層以上等)。

另外，粗化處理層可使用包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中的至少一種以上物質(zhì)的由硫酸·硫酸銅所構(gòu)成的電解浴來(lái)形成。關(guān)于粗化處理層，為了防止落粉、提高剝離強(qiáng)度，宜利用由硫酸·硫酸銅所構(gòu)成的電解浴進(jìn)行包鍍。

具體處理?xiàng)l件如以下所述。

(液體組成1)

cuso4·5h2o：39.3～118g/l

cu：10～30g/l

h2so4：10～150g/l

na2wo4·2h2o：0～90mg/l

w：0～50mg/l

十二烷基硫酸鈉：0～50mg

h3aso3(60％水溶液)：0～6315mg/l

as：0～2000mg/l

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

(電流條件1)

電流密度：25～110a/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～500as/dm²

鍍覆時(shí)間：0.5～20秒

(液體組成2)

cuso4·5h2o：78～314g/l

cu：20～80g/l

h2so4：50～200g/l

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

(電流條件2)

電流密度：5～50a/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～300as/dm²

鍍覆時(shí)間：1～60秒

另外，作為粗化處理層的銅-鈷-鎳合金鍍覆層可通過(guò)電解鍍覆，以形成像附著量為15～40mg/dm²的銅-100～3000μg/dm²的鈷-100～1500μg/dm²的鎳這樣的3元系合金層的方式實(shí)施。如果co附著量小于100μg/dm²，則有耐熱性變差，蝕刻性變差的情況。如果co附著量超過(guò)3000μg/dm²，則在必須考慮磁性的影響的情況下并不優(yōu)選，而有產(chǎn)生蝕刻斑，且耐酸性及耐化學(xué)品性變差的情況。如果ni附著量小于100μg/dm²，則有耐熱性變差的情況。另一方面，如果ni附著量超過(guò)1500μg/dm²，則有蝕刻殘余變多的情況。優(yōu)選co附著量為1000～2500μg/dm²，優(yōu)選鎳附著量為500～1200μg/dm²。于此，所謂蝕刻斑是指在利用氯化銅進(jìn)行蝕刻的情況下，co不溶解而殘留，且所謂蝕刻殘余是指在利用氯化銨進(jìn)行堿性蝕刻的情況下，ni不溶解而殘留。

用來(lái)形成這種3元系銅-鈷-鎳合金鍍層的鍍?cè)〖板兏矖l件的一例如以下所述：

鍍?cè)〗M成：cu10～20g/l，co1～10g/l，ni1～10g/l

ph值：1～4

溫度：30～50℃

電流密度：20～30a/dm²

鍍覆時(shí)間：1～5秒

用來(lái)形成這種3元系銅-鈷-鎳合金鍍層的鍍?cè)〖板兏矖l件的其他例如下所述：

鍍?cè)〗M成：cu10～20g/l，co1～10g/l，ni1～10g/l

ph值：1～4

溫度：30～50℃

電流密度：30～45a/dm²

鍍覆時(shí)間：0.1～2.0秒

此外，在形成所述粗化處理層的處理中，通過(guò)縮短鍍覆時(shí)間，可減小在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺拥碾娊忏~箔的所述光澤面的面粗糙度sa、及/或所述光澤面的均方根高度sq。另外，在形成所述粗化處理層的處理中，通過(guò)延長(zhǎng)鍍覆時(shí)間，可增大在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺拥碾娊忏~箔的所述光澤面的面粗糙度sa及/或所述光澤面的均方根高度sq。

另外，在形成所述粗化處理層的處理中，通過(guò)提高電流密度且使鍍覆時(shí)間非常短，可進(jìn)一步減小在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺拥碾娊忏~箔的所述光澤面的面粗糙度sa及/或所述光澤面的均方根高度sq。另外，在形成所述粗化處理層的處理中，通過(guò)提高電流密度且延長(zhǎng)鍍覆時(shí)間，可進(jìn)一步增大在光澤面?zhèn)染哂写只幚韺拥碾娊忏~箔的所述光澤面的面粗糙度sa及/或所述光澤面的均方根高度sq。

本發(fā)明的電解銅箔可在光澤面及與光澤面為相反側(cè)的面中的其中一個(gè)或兩個(gè)上具備粗化處理層，也可在粗化處理層上具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的一種以上的層。另外，可在電解銅箔上具備粗化處理層，可在粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可在耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，也可在鉻酸鹽處理層上具備硅烷偶聯(lián)劑處理層。

本發(fā)明的電解銅箔也可在光澤面、及與光澤面為相反側(cè)的面的其中一個(gè)或兩個(gè)、或粗化處理層上、或耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或硅烷偶聯(lián)劑處理層上具備樹(shù)脂層。樹(shù)脂層也可為絕緣樹(shù)脂層。

另外，作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上元素的層，也可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上元素所構(gòu)成的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可包含含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為銅-鋅合金層、鋅-鎳合金層、鎳-鈷合金層、銅-鎳合金層、鉻-鋅合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為包含鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。所述鎳-鋅合金層也可除不可避免的雜質(zhì)以外，含有鎳50wt％～99wt％、鋅50wt％～1wt％。所述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計(jì)附著量也可為5～1000mg/m²、優(yōu)選10～500mg/m²、優(yōu)選20～100mg/m²。另外，包含所述鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(＝鎳的附著量/鋅的附著量)優(yōu)選1.5～10。另外，包含所述鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳的附著量?jī)?yōu)選0.5mg/m²～500mg/m²，更優(yōu)選1mg/m²～50mg/m²。

例如耐熱層及/或防銹層也可為依序積層有附著量為1mg/m²～100mg/m²、優(yōu)選5mg/m²～50mg/m²的鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m²～80mg/m²、優(yōu)選5mg/m²～40mg/m²的錫層的層，所述鎳合金層也可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中的任一種構(gòu)成。另外，耐熱層及/或防銹層的鎳或鎳合金與錫的合計(jì)附著量?jī)?yōu)選2mg/m²～150mg/m²，更優(yōu)選10mg/m²～70mg/m²。另外，耐熱層及/或防銹層優(yōu)選[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]＝0.25～10，更優(yōu)選0.33～3。

所謂鉻酸鹽處理層是指經(jīng)包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體處理過(guò)的層。鉻酸鹽處理層也可包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態(tài))。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉經(jīng)鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過(guò)的鉻酸鹽處理層、或經(jīng)包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過(guò)的鉻酸鹽處理層等。

用于硅烷偶聯(lián)劑處理的硅烷偶聯(lián)劑可使用公知的硅烷偶聯(lián)劑，例如可使用氨基系硅烷偶聯(lián)劑或環(huán)氧系硅烷偶聯(lián)劑、巰基系硅烷偶聯(lián)劑。另外，硅烷偶聯(lián)劑也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷等。

所述硅烷偶聯(lián)劑處理層也可使用環(huán)氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巰基系硅烷等硅烷偶聯(lián)劑等來(lái)形成。此外，這種硅烷偶聯(lián)劑也可混合2種以上而使用。其中，優(yōu)選使用氨基系硅烷偶聯(lián)劑或環(huán)氧系硅烷偶聯(lián)劑而形成的硅烷偶聯(lián)劑處理層。

于此所謂氨基系硅烷偶聯(lián)劑，可為選自由n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(n-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、n-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-(3-丙烯酰氧基-2-羥基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、n-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、n-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-n-芐基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(n,n-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(n,n-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、n-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(n-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所組成的群中的氨基系硅烷偶聯(lián)劑。

以硅原子換算計(jì)，硅烷偶聯(lián)劑處理層宜在0.05mg/m²～200mg/m²、優(yōu)選0.15mg/m²～20mg/m²、優(yōu)選0.3mg/m²～2.0mg/m²的范圍內(nèi)設(shè)置。在所述范圍的情況下，可進(jìn)一步提高樹(shù)脂基材與金屬箔的密接性。

所述樹(shù)脂層可為粘結(jié)劑，也可為粘結(jié)用半硬化狀態(tài)(b-階段狀態(tài))的絕緣樹(shù)脂層。所謂半硬化狀態(tài)(b-階段狀態(tài))，包括即使用手指接觸于該樹(shù)脂層的表面也沒(méi)有粘附感，可將該絕緣樹(shù)脂層重疊而進(jìn)行保管，當(dāng)進(jìn)一步受到加熱處理時(shí)會(huì)引起硬化反應(yīng)的狀態(tài)。

另外，所述樹(shù)脂層可包含熱硬化性樹(shù)脂，也可為熱塑性樹(shù)脂。另外，所述樹(shù)脂層也可包含熱塑性樹(shù)脂。樹(shù)脂的種類(lèi)沒(méi)有特別限定，作為優(yōu)選樹(shù)脂，例如可列舉包含環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二酰亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹(shù)脂、氨基甲酸酯樹(shù)脂等的樹(shù)脂。

所述樹(shù)脂層可包含公知的樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)(可使用含有無(wú)機(jī)化合物及/或有機(jī)化合物的電介質(zhì)、含有金屬氧化物的電介質(zhì)等任意電介質(zhì))、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸體、骨架材等。另外，所述樹(shù)脂層也可使用例如國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2008/004399、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2008/053878、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2009/084533、日本特開(kāi)平11-5828號(hào)、日本特開(kāi)平11-140281號(hào)、日本專(zhuān)利第3184485號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo97/02728、日本專(zhuān)利第3676375號(hào)、日本特開(kāi)2000-43188號(hào)、日本專(zhuān)利第3612594號(hào)、日本特開(kāi)2002-179772號(hào)、日本特開(kāi)2002-359444號(hào)、日本特開(kāi)2003-304068號(hào)、日本專(zhuān)利第3992225號(hào)、日本特開(kāi)2003-249739號(hào)、日本專(zhuān)利第4136509號(hào)、日本特開(kāi)2004-82687號(hào)、日本專(zhuān)利第4025177號(hào)、日本特開(kāi)2004-349654號(hào)、日本專(zhuān)利第4286060號(hào)、日本特開(kāi)2005-262506號(hào)、日本專(zhuān)利第4570070號(hào)、日本特開(kāi)2005-53218號(hào)、日本專(zhuān)利第3949676號(hào)、日本專(zhuān)利第4178415號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2004/005588、日本特開(kāi)2006-257153號(hào)、日本特開(kāi)2007-326923號(hào)、日本特開(kāi)2008-111169號(hào)、日本專(zhuān)利第5024930號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2006/028207、日本專(zhuān)利第4828427號(hào)、日本特開(kāi)2009-67029號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2006/134868、日本專(zhuān)利第5046927號(hào)、日本特開(kāi)2009-173017號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2007/105635、日本專(zhuān)利第5180815號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2008/114858、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2009/008471、日本特開(kāi)2011-14727號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2009/001850、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2009/145179、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)wo2011/068157、日本特開(kāi)2013-19056號(hào)中所記載的物質(zhì)(樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸體、骨架材等)及/或樹(shù)脂層的形成方法、形成裝置來(lái)形成。

將這些樹(shù)脂溶解于例如甲基乙基酮(mek)、甲苯等溶劑中而制成樹(shù)脂液，并利用例如輥式涂布法等將該樹(shù)脂液涂布于所述電解銅箔上、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽皮膜層、或所述硅烷偶聯(lián)劑層上，繼而視需要進(jìn)行加熱干燥而將溶劑去除，成為b-階段狀態(tài)。干燥時(shí)使用例如熱風(fēng)干燥爐即可，干燥溫度為100～250℃、優(yōu)選130～200℃即可。

具備所述樹(shù)脂層的電解銅箔可以如下形態(tài)使用，即，在將該樹(shù)脂層重疊于基材后對(duì)整體進(jìn)行熱壓接而使該樹(shù)脂層熱硬化，其后形成特定的配線(xiàn)圖案。

如果使用該附樹(shù)脂的電解銅箔，則可減少制造多層印刷配線(xiàn)基板時(shí)的預(yù)浸體材的使用片數(shù)。并且，即使將樹(shù)脂層的厚度設(shè)為像可確保層間絕緣那樣的厚度、或完全不使用預(yù)浸體材，也可制造覆銅積層板。另外，此時(shí)也可在基材的表面底漆涂布絕緣樹(shù)脂而進(jìn)一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用預(yù)浸體材的情況下，具有如下優(yōu)點(diǎn)：節(jié)約預(yù)浸體材的材料成本，另外，積層步驟也變得簡(jiǎn)單，因此經(jīng)濟(jì)上變得有利，并且相應(yīng)于預(yù)浸體材的厚度，制造的多層印刷配線(xiàn)基板的厚度變薄，可制造1層的厚度為100μm以下的極薄多層印刷配線(xiàn)基板。

該樹(shù)脂層的厚度優(yōu)選0.1～80μm。如果樹(shù)脂層的厚度薄于0.1μm，則有粘結(jié)力降低，不介隔預(yù)浸體材而將該附樹(shù)脂的附載體銅箔積層于具備內(nèi)層材的基材時(shí)難以確保與內(nèi)層材的電路之間的層間絕緣的情況。

另一方面，如果樹(shù)脂層的厚度厚于80μm，則難以通過(guò)1次涂布步驟形成目標(biāo)厚度的樹(shù)脂層，會(huì)花費(fèi)多余的材料費(fèi)與步驟數(shù)，因此經(jīng)濟(jì)上變得不利。而且，由于所形成的樹(shù)脂層的可撓性差，因此有在操作時(shí)容易產(chǎn)生龜裂等，且在與內(nèi)層材的熱壓接時(shí)產(chǎn)生過(guò)量的樹(shù)脂流動(dòng)而難以順利地進(jìn)行積層的情況。

進(jìn)而，作為該附樹(shù)脂的電解銅箔的另一個(gè)制品形態(tài)，也可利用樹(shù)脂層被覆于所述光澤面、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述硅烷偶聯(lián)劑處理層上，在成為半硬化狀態(tài)后，以附樹(shù)脂的電解銅箔的形態(tài)制造。

進(jìn)而，通過(guò)在印刷配線(xiàn)板搭載電子零件類(lèi)，印刷電路板完成。在本發(fā)明中，“印刷配線(xiàn)板”也包含這樣搭載有電子零件類(lèi)的印刷配線(xiàn)板及印刷電路板、印刷基板、撓性印刷配線(xiàn)板及剛性印刷配線(xiàn)板。

另外，可使用該印刷配線(xiàn)板來(lái)制作電子機(jī)器，可使用該搭載有電子零件類(lèi)的印刷電路板來(lái)制作電子機(jī)器，也可使用該搭載有電子零件類(lèi)的印刷基板來(lái)制作電子機(jī)器。以下，表示一些使用本發(fā)明的電解銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造步驟的例子。

在本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括以下步驟：將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層而形成覆銅積層板，其后通過(guò)半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一方法來(lái)形成電路。絕緣基板也可設(shè)為內(nèi)設(shè)內(nèi)層電路的絕緣基板。

本發(fā)明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進(jìn)行薄的無(wú)電解鍍覆，在形成圖案后使用電鍍及蝕刻形成導(dǎo)體圖案的方法。

因此，在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔全部去除；

在通過(guò)利用蝕刻將所述電解銅箔去除而露出的所述樹(shù)脂設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

對(duì)包含所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層上設(shè)置抗鍍覆層；

對(duì)所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除；

在所述抗鍍覆層被去除后的形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電解鍍覆層；

將所述抗鍍覆層去除；及

通過(guò)快速蝕刻等將位于形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電解鍍覆層去除。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與所述絕緣樹(shù)脂基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔全部去除；

在通過(guò)利用蝕刻等將所述電解銅箔去除而露出的包含所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層上設(shè)置抗鍍覆層；

對(duì)所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除；

在所述抗鍍覆層被去除后的形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電解鍍覆層；

將所述抗鍍覆層去除；及

通過(guò)快速蝕刻等將位于形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電解鍍覆層去除。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與所述絕緣樹(shù)脂基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔全部去除；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

在通過(guò)利用蝕刻等將所述電解銅箔去除而露出的包含所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層上設(shè)置抗鍍覆層；

對(duì)所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除；

在所述抗鍍覆層被去除后的形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電解鍍覆層；

將所述抗鍍覆層去除；及

通過(guò)快速蝕刻等將位于形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電解鍍覆層去除。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔全部去除；

對(duì)通過(guò)利用蝕刻將所述電解銅箔去除而露出的所述樹(shù)脂的表面設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層上設(shè)置抗鍍覆層；

對(duì)所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除；

在所述抗鍍覆層被去除后的形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電解鍍覆層；

將所述抗鍍覆層去除；及

通過(guò)快速蝕刻等將位于形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電解鍍覆層及電解銅箔去除。

本發(fā)明中，所謂改良型半加成法是指在絕緣層上積層金屬箔，通過(guò)抗鍍覆層保護(hù)非電路形成部，通過(guò)電解鍍覆進(jìn)行電路形成部的銅層加厚后，去除抗蝕劑，并通過(guò)(快速)蝕刻將所述電路形成部以外的金屬箔去除，由此在絕緣層上形成電路的方法。

因此，在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與絕緣基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述電解銅箔設(shè)置抗鍍覆層；

在設(shè)置所述抗鍍覆層后，通過(guò)電解鍍覆形成電路；

將所述抗鍍覆層去除；及

利用快速蝕刻將通過(guò)去除所述抗鍍覆層而露出的電解銅箔去除。

在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔上設(shè)置抗鍍覆層；

對(duì)所述抗鍍覆層進(jìn)行曝光，其后將形成電路的區(qū)域的抗鍍覆層去除；

在所述抗鍍覆層被去除后的形成所述電路的區(qū)域設(shè)置電解鍍覆層；

將所述抗鍍覆層去除；及

通過(guò)快速蝕刻等將位于形成所述電路的區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電解鍍覆層及電解銅箔去除。

本發(fā)明中，所謂部分加成法是指如下方法，即，對(duì)設(shè)置導(dǎo)體層而成的基板、視需要穿設(shè)通孔或?qū)子每锥傻幕迳腺x予催化劑核，進(jìn)行蝕刻而形成導(dǎo)體電路，視需要設(shè)置阻焊劑層或抗鍍覆層后，在所述導(dǎo)體電路上通過(guò)無(wú)電解鍍覆處理對(duì)通孔或?qū)椎冗M(jìn)行加厚，由此制造印刷配線(xiàn)板。

因此，在使用部分加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與絕緣基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域賦予催化劑核；

在所述電解銅箔設(shè)置抗蝕涂層；

對(duì)所述抗蝕涂層進(jìn)行曝光，形成電路圖案；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔及所述催化劑核去除，形成電路；

將所述抗蝕涂層去除；

在通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔及所述催化劑核去除而露出的所述絕緣基板表面，設(shè)置阻焊劑層或抗鍍覆層；及

在沒(méi)有設(shè)置所述阻焊劑層或抗鍍覆層的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層。

本發(fā)明中，所謂減成法是指通過(guò)蝕刻等將覆銅積層板上的銅箔的多余部分選擇性地去除而形成導(dǎo)體圖案的方法。

因此，在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與絕緣基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層的表面設(shè)置電解鍍覆層；

在所述電解鍍覆層或/及所述電解銅箔的表面設(shè)置抗蝕涂層；

對(duì)所述抗蝕涂層進(jìn)行曝光，形成電路圖案；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔及所述無(wú)電解鍍覆層及所述電解鍍覆層去除，形成電路；及

將所述抗蝕涂層去除。

在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括以下步驟：

將本發(fā)明的電解銅箔與絕緣基板進(jìn)行積層；

在所述電解銅箔與絕緣基板設(shè)置通孔或/及盲孔；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電解鍍覆層；

在所述無(wú)電解鍍覆層的表面形成掩模；

在沒(méi)有形成掩模的所述無(wú)電解鍍覆層的表面設(shè)置電解鍍覆層；

在所述電解鍍覆層或/及所述電解銅箔的表面設(shè)置抗蝕涂層；

對(duì)所述抗蝕涂層進(jìn)行曝光，形成電路圖案；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述電解銅箔及所述無(wú)電解鍍覆層去除，形成電路；及

將所述抗蝕涂層去除。

也可不進(jìn)行設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟、及其后的去污步驟。

[實(shí)施例]

以下，通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的任何限定。

1.電解銅箔的制作

(實(shí)施例1～14、比較例1)

準(zhǔn)備鈦制旋轉(zhuǎn)滾筒(電解滾筒)。其次，在表1所記載的電解滾筒表面控制條件下進(jìn)行研磨，制成具有特定的面粗糙度sa及均方根高度sq的電解滾筒。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)表1所記載的粒度號(hào)數(shù)的研磨帶對(duì)該電解滾筒的表面進(jìn)行研磨。此時(shí)，將研磨帶在滾筒的寬度方向上以特定寬度卷繞，通過(guò)一邊使研磨帶向滾筒的寬度方向移動(dòng)一邊使?jié)L筒旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行研磨。將該研磨時(shí)的滾筒表面的旋轉(zhuǎn)速度示于表1。另外，研磨時(shí)間設(shè)為根據(jù)研磨帶的寬度與研磨帶的移動(dòng)速度所得的在1次行程中通過(guò)滾筒表面的1點(diǎn)的時(shí)間、與行程次數(shù)的積。于此，所謂研磨帶的1次行程是指利用研磨帶將旋轉(zhuǎn)滾筒的圓周方向的表面從軸方向(電解銅箔的寬度方向)的一端部至另一端部研磨1次。

即，研磨時(shí)間以下式表示。

研磨時(shí)間(分鐘)＝每1行程的研磨帶的寬度(cm/次)/研磨帶的移動(dòng)速度(cm/分鐘)×行程次數(shù)(次)

其次，在電解槽中，配置有所述電解滾筒，且在滾筒的周?chē)?，隔開(kāi)特定極間距離而配置有電極。其次，在電解槽中，在下述條件下進(jìn)行電解，一邊使電解滾筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅在該電解滾筒的表面析出直至厚度成為18μm。

＜電解條件＞

電解液組成：cu50～150g/l，h2so460～150g/l

電流密度：30～120a/dm²

電解液溫度：50～60度

添加物：氯離子20～80質(zhì)量ppm，膠0.01～5.0質(zhì)量ppm

此外，在實(shí)施例1、2、5、6、10～12、比較例1中，將膠濃度在所述范圍內(nèi)設(shè)為偏低。

另外，在實(shí)施例3、4、7、8、9、13、14中，將膠濃度在所述范圍內(nèi)設(shè)為偏高。

其次，將在旋轉(zhuǎn)的電解滾筒的表面析出的銅剝離，連續(xù)地制造厚度18μm的電解銅箔。

關(guān)于實(shí)施例1～4、10、比較例1，對(duì)以所述方式制作的電解銅箔的電解滾筒側(cè)的表面(光澤面)進(jìn)而依序?qū)嵤┮韵?1)～(4)所示的表面處理。

(1)粗化處理

使用由cu、h2so4、as、w所構(gòu)成的以下所記載的銅粗化鍍?cè)⌒纬纱只Ｗ印?/p>

(液體組成1)

cuso4·5h2o：39.3～118g/l

cu：10～30g/l

h2so4：10～150g/l

na2wo4·2h2o：0～90mg/l

w：0～50mg/l

十二烷基硫酸鈉：0～50mg

h3aso3(60％水溶液)：0～6315mg/l

as：0～2000mg/l

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

(電流條件1)

電流密度：25～110a/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～500as/dm²

鍍覆時(shí)間：0.5～20秒

(液體組成2)

cuso4·5h2o：78～314g/l

cu：20～80g/l

h2so4：50～200g/l

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

(電流條件2)

電流密度：5～50a/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～300as/dm²

鍍覆時(shí)間：1～60秒

(2)阻隔處理(耐熱處理)

鎳鋅合金鍍覆

(液體組成)

ni13g/l

zn5g/l

ph值2

(電鍍條件)

溫度40℃

電流密度8a/dm²

(3)鉻酸鹽處理

鋅鉻酸鹽處理

(液體組成)

cro32.5g/l

zn0.7g/l

na2so410g/l

ph值4.8

(鋅鉻酸鹽條件)

溫度54℃

電流密度0.7as/dm²

(4)硅烷偶聯(lián)劑處理

(液體組成)

四乙氧基硅烷含量0.4vol％

ph值7.5

涂布方法溶液噴霧

關(guān)于實(shí)施例5～8、14，對(duì)以所述方式制作的電解銅箔的電解滾筒側(cè)的表面(光澤面)進(jìn)而依序?qū)嵤┮韵?1)～(5)所示的表面處理。

(1)粗化處理

為了形成3元系銅-鈷-鎳合金鍍層的粗化處理粒子，在以下鍍?cè)〖板兏矖l件下進(jìn)行粗化處理。

鍍?cè)〗M成：cu10～20g/l，co1～10g/l，ni1～10g/l

ph值：1～4

溫度：30～50℃

電流密度：20～30a/dm²

鍍覆時(shí)間：1～5秒

(2)耐熱處理

進(jìn)行co-ni合金鍍覆。以下記載co-ni合金鍍覆條件。

(電解液組成)

co：1～30g/l

ni：1～30g/l

ph值：1.0～3.5

(電解液溫)

30～80℃

(電流條件)

電流密度5.0a/dm²

鍍覆時(shí)間：0.1～5秒

(3)防銹處理

鋅-鎳合金鍍覆

(液體組成)

ni1～15g/l

zn10～40g/l

ph值3～4

(電鍍條件)

溫度40～55℃

電流密度2～5a/dm²

(4)鉻酸鹽處理

鋅鉻酸鹽處理

(液體組成)

cro32.5g/l

zn0.7g/l

na2so410g/l

ph值4.8

(鋅鉻酸鹽條件)

溫度54℃

電流密度0.7as/dm²

(5)硅烷偶聯(lián)劑處理

(液體組成)

n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷含量0.4vol％

ph值7.5

涂布方法溶液噴霧

關(guān)于實(shí)施例9，對(duì)以所述方式制作的電解銅箔的電解滾筒側(cè)的表面(光澤面)進(jìn)而依序?qū)嵤┮韵?1)～(3)所示的表面處理。

(1)阻隔處理(耐熱處理)

鎳-鋅合金鍍覆

(液體組成)

ni13g/l

zn5g/l

ph值2

(電鍍條件)

溫度40℃

電流密度8a/dm²

(2)鉻酸鹽處理

鋅鉻酸鹽處理

(液體組成)

cro32.5g/l

zn0.7g/l

na2so410g/l

ph值4.8

(鋅鉻酸鹽條件)

溫度54℃

電流密度0.7as/dm²

(3)硅烷偶聯(lián)劑處理

(液體組成)

四乙氧基硅烷含量0.4％

ph值7.5

涂布方法溶液噴霧

在所述表面處理后，進(jìn)而在下述條件下，在銅箔的表面處理層的表面進(jìn)行樹(shù)脂層的形成。

(樹(shù)脂合成例)

向在附有不銹鋼制錨型攪拌棒、氮?dú)鈱?dǎo)入管及停止旋塞的收集器上安裝有設(shè)有球形冷卻管的回流冷卻器的2l三口燒瓶中，添加3,4,3',4'-聯(lián)苯基四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內(nèi)酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、n-甲基-2-吡咯烷酮(以下記作nmp)300g、甲苯20g，在180℃下加熱1小時(shí)后冷卻至室溫附近，其后，添加3,4,3',4'-聯(lián)苯基四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-氨基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、nmp200g、甲苯40g，在室溫下混合1小時(shí)后，在180℃下加熱3小時(shí)，獲得固體成分38％的嵌段共聚聚酰亞胺。該嵌段共聚聚酰亞胺為下述所示的通式(1)：通式(2)＝3：2，數(shù)量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。

利用nmp將合成例中所獲得的嵌段共聚聚酰亞胺溶液進(jìn)一步稀釋?zhuān)瞥晒腆w成分10％的嵌段共聚聚酰亞胺溶液。在60℃下，在該嵌段共聚聚酰亞胺溶液中，以雙(4-順丁烯二酰亞胺苯基)甲烷(bmi-h，k-i化成)的固體成分重量比率為35、嵌段共聚聚酰亞胺的固體成分重量比率為65的方式(即，樹(shù)脂溶液中所含的雙(4-順丁烯二酰亞胺苯基)甲烷固體成分重量：樹(shù)脂溶液中所含的嵌段共聚聚酰亞胺固體成分重量＝35：65)，溶解并混合雙(4-順丁烯二酰亞胺苯基)甲烷20分鐘，而制成樹(shù)脂溶液。其后，在實(shí)施例28中，在銅箔的m面(高光澤面)，在實(shí)施例8中，在銅箔的極薄銅表面，使用逆輥涂敷機(jī)涂敷所述樹(shù)脂溶液，在氮?dú)猸h(huán)境下，在120℃下進(jìn)行3分鐘干燥處理，在160℃下進(jìn)行3分鐘干燥處理后，最后在300℃下進(jìn)行2分鐘加熱處理，從而制作具備樹(shù)脂層的銅箔。此外，樹(shù)脂層的厚度設(shè)為2μm。

關(guān)于實(shí)施例11～13，對(duì)以所述方式制作的電解銅箔的電解滾筒側(cè)的表面(光澤面)進(jìn)而進(jìn)行以下(1)所示的粗化處理后，依序?qū)嵤?shí)施例5的(2)～(5)的表面處理。

(1)粗化處理

為了形成3元系銅-鈷-鎳合金鍍層的粗化處理粒子，在以下的鍍?cè)〖板兏矖l件下進(jìn)行粗化處理。

鍍?cè)〗M成：cu10～20g/l，co1～10g/l，ni1～10g/l

ph值：1～4

溫度：30～50℃

電流密度：30～45a/dm²

鍍覆時(shí)間：0.1～1.5秒

2.電解銅箔的評(píng)價(jià)

＜光澤面的面粗糙度sa及均方根高度sq＞

對(duì)表面處理前(即不具有粗化處理層)的電解銅箔的光澤面及表面處理后的電解銅箔的光澤面，依據(jù)iso-25178-2：2012，利用olympus公司制造的激光顯微鏡ols4100(lextols4100)，測(cè)定面粗糙度sa及均方根高度。此時(shí)，使用激光顯微鏡中的物鏡50倍，進(jìn)行3處的200μm×1000μm面積(具體來(lái)說(shuō)為200000μm²)的測(cè)定，算出面粗糙度sa及均方根高度sq。將3處所獲得的面粗糙度sa及均方根高度sq的算術(shù)平均值分別設(shè)為面粗糙度sa及均方根高度sq的值。此外，在激光顯微鏡測(cè)定中，在測(cè)定結(jié)果的測(cè)定面并非平面而成為曲面的情況下，在進(jìn)行平面修正后，算出面粗糙度sa及均方根高度sq。此外，激光顯微鏡的對(duì)于面粗糙度sa的測(cè)定環(huán)境溫度設(shè)為23～25℃。

＜常溫抗拉強(qiáng)度、高溫抗拉強(qiáng)度＞

電解銅箔的常溫抗拉強(qiáng)度及高溫抗拉強(qiáng)度依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。

＜常溫伸長(zhǎng)率、高溫伸長(zhǎng)率＞

電解銅箔的常溫伸長(zhǎng)率及高溫伸長(zhǎng)率依據(jù)ipc-tm-650進(jìn)行測(cè)定。此外，如上所述，所謂“高溫抗拉強(qiáng)度”表示180℃下的抗拉強(qiáng)度。另外，所謂“高溫伸長(zhǎng)率”表示180℃下的伸長(zhǎng)率。

＜電路形成性＞

利用熱壓接將表面處理后的電解銅箔分別從光澤面?zhèn)荣N合于雙順丁烯二酰亞胺三嗪樹(shù)脂預(yù)浸體。其后，將貼合于該預(yù)浸體的電解銅箔從與預(yù)浸體貼合的一側(cè)的相反側(cè)進(jìn)行蝕刻直至厚度成為9μm為止。然后，在進(jìn)行蝕刻后的電解銅箔表面設(shè)置抗蝕涂層后，進(jìn)行曝光、顯影而形成抗蝕劑圖案后，利用三氯化鐵進(jìn)行蝕刻，以l/s＝25μm/25μm、l/s＝22μm/22μm、l/s＝20μm/20μm、及l(fā)/s＝15μm/15μm分別形成20條長(zhǎng)度1mm的配線(xiàn)。繼而，測(cè)定從電路上方觀(guān)察的電路下端寬度的最大值與最小值的差(μm)，取測(cè)定5處所得的平均值。如果最大值與最小值的差為2μm以下，則判斷具有良好的電路直線(xiàn)性，設(shè)為◎。另外，當(dāng)該最大值與最小值的差超過(guò)2μm且為4μm以下時(shí)，設(shè)為〇。另外，當(dāng)該最大值與最小值的差超過(guò)4μm時(shí)，設(shè)為×。

將試驗(yàn)條件及試驗(yàn)結(jié)果示于表2。另外，圖1a是實(shí)施例2的電解銅箔的光澤面的sem像。圖1b是實(shí)施例10的電解銅箔的光澤面的sem像。

＜評(píng)價(jià)結(jié)果＞

實(shí)施例1～14中，不具有粗化處理層的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa均為0.270μm以下且均方根高度sq均為0.315μm以下，另外，具有粗化處理層的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa均為0.470μm以下且均方根高度sq均為0.550μm以下，電路形成性均良好。

比較例1中，不具有粗化處理層的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa超過(guò)0.270μm且均方根高度sq超過(guò)0.315μm，另外，具有粗化處理層的電解銅箔的光澤面的面粗糙度sa超過(guò)0.470μm且均方根高度sq超過(guò)0.550μm，電路形成性不良。