本發(fā)明涉及模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種準(zhǔn)推挽源級(jí)跟隨器。

背景技術(shù)：

隨著光纖通信的發(fā)展，使得光纖傳輸?shù)乃俣仍絹?lái)越快，對(duì)于LDD（激光器驅(qū)動(dòng)器）的速度要求也是越來(lái)越快。源極跟隨器是LDD的重要組成部分，主要是為驅(qū)動(dòng)器提供高帶寬速度。

根據(jù)不同的應(yīng)用條件，LDD需要工作在不同的電源電壓下。而傳統(tǒng)的電路工作在不同的電源電壓下帶寬速度是變化的，在高電壓下帶寬很高，而在低電壓下帶寬變小，導(dǎo)致LDD的工作速度不穩(wěn)定。

如圖1所示，傳統(tǒng)的準(zhǔn)推挽源極跟隨器，電路的帶寬為：

電路中的晶體管M5和晶體管M6柵極電壓是隨電壓變化的。電壓升高時(shí)，通過(guò)晶體管M5和晶體管M6的電流也增大，導(dǎo)致了晶體管M5和晶體管M6跨導(dǎo)gm5的增大。同時(shí)，流過(guò)晶體管M1和晶體管M2的電流也增大，跨導(dǎo)gm1也增大，而gm1-gm5也增大，電路的帶寬也增大，結(jié)果如圖3所示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種準(zhǔn)推挽源級(jí)跟隨器，其電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠?qū)崿F(xiàn)在不同的電源電壓下電路帶寬的穩(wěn)定性。

其技術(shù)方案是這樣的：一種準(zhǔn)推挽源級(jí)跟隨器，其包括晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、晶體管M4、晶體管M5和晶體管M6，所述晶體管M1的源極和所述晶體管M2的源極相連后連接電源VDD，所述晶體管M1的柵極和所述晶體管M2的柵極均連接輸入電壓Vin，所述晶體管M1的漏極連接所述晶體管M3的源極、所述晶體管M5的源極，所述晶體管M2的漏極連接所述晶體管M4的源極、所述晶體管M6的源極，所述晶體管M3的柵極和所述晶體管M4的柵極相連后連接參考電壓Vref1，所述晶體管M3的漏極和所述晶體管M4的漏極相連后接地，所述晶體管M5的源極與所述晶體管M6的柵極相連，所述晶體管M5的柵極與所述晶體管M6的源極相連，所述晶體管M5的源極與所述晶體管M6的源極為輸出端Vout，其特征在于，所述晶體管M5的漏極與所述晶體管M6的漏極相連后連接電流管M7的源極，所述電流管M7的柵極連接參考電壓Vref2、漏極接地。

采用本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)后，在柵極和漏極相互交叉的晶體管M5和晶體管M6下面加入電流管M7，電流管M7的柵極另外接一個(gè)參考電壓Vref2，在不同的電源電壓下電流管M7通過(guò)的電流是相同的，通過(guò)晶體管M5和晶體管M6的電流也是相同的，因此晶體管M5和晶體管M6的跨導(dǎo)gm5不變，流過(guò)晶體管M1和晶體管M2的電流也不變，晶體管M1和晶體管M2的跨導(dǎo)gm1也恒定，因此，gm1- gm5也不變，電路的帶寬穩(wěn)定不變，實(shí)現(xiàn)了在不同的電源電壓下電路帶寬的穩(wěn)定，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的準(zhǔn)推挽源極跟隨器；

圖2為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有的準(zhǔn)推挽源極跟隨器的電路帶寬示意圖；

圖4為本發(fā)明的電路帶寬示意圖。

具體實(shí)施方式

見(jiàn)圖2，圖4所示，一種準(zhǔn)推挽源級(jí)跟隨器，其包括晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、晶體管M4、晶體管M5和晶體管M6，晶體管M1的源極和晶體管M2的源極相連后連接電源VDD，晶體管M1的柵極和晶體管M2的柵極均連接輸入電壓Vin，晶體管M1的漏極連接晶體管M3的源極、晶體管M5的源極，晶體管M2的漏極連接晶體管M4的源極、晶體管M6的源極，晶體管M3的柵極和晶體管M4的柵極相連后連接參考電壓Vref1，晶體管M3的漏極和晶體管M4的漏極相連后接地，晶體管M5的源極與晶體管M6的柵極相連，晶體管M5的柵極與晶體管M6的源極相連，晶體管M5的源極與晶體管M6的源極為輸出端Vout，其特征在于，晶體管M5的漏極與晶體管M6的漏極相連后連接電流管M7的源極，電流管M7的柵極連接參考電壓Vref2、漏極接地。