技術(shù)特征：

1.一種高精度高斜率線性電流槽，包括：主功率回路、電流差分采樣及參考求差電路、閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路；其特征在于：所述主功率回路由開關(guān)管和電流采樣電阻R_sense構(gòu)成，所述電流采樣電阻R_sense將電流Is轉(zhuǎn)化成為電壓V_sense+-V_sense-，輸入到所述電流差分采樣及參考求差電路；所述電流采樣及求差電路由運算放大器A1以及周圍電阻構(gòu)成，采樣電壓V_sense和參考電壓V_reference都輸入至運算放大器A1，生成表示誤差量的電壓V_diff，三者的比例關(guān)系由電阻的比例決定；V_sense+和V_reference+輸入運算放大器A1的一個輸入端，V_sense-和V_reference-輸入到運算放大器A1的另一個輸入端；所述電壓V_diff輸入到所述閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路；所述閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路由運算放大器A2以及周圍電阻電容構(gòu)成，所述閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路的輸出電壓作為主功率電流Is最直接的控制量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電流槽，其特征在于：所述開關(guān)管為低導(dǎo)納的MOSFET或者低倍數(shù)功率三極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線性電流槽，其特征在于：所述主功率回路中，MOSFET的源極與電阻R_sense的一端相連，電阻R_sense的另一端與主功率回路的參考地PGND相連，MOSFET的漏極作為線性電流槽的一個輸入端口，而參考地PGND作為線性電流槽的另一個輸入端口；MOSFET的門極電壓Vg作為主功率電流Is最直接的控制量，由閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路提供。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線性電流槽，其特征在于：所述電流采樣及求差電路中，放大器A1輸入端1與電阻R_a1的一端相連，電阻R_a1的另一端與MOSFET的源極相連，采樣V_sense+，放大器A1輸入端1與電阻R_c1的一端相連，電阻R_c1的另一端與V_reference+相連，電阻R_b1的一端與放大器A1輸出端相連，電阻R_b1的另一端與放大器A1輸入端1相連。放大器A1輸入端2與電阻R_a2的一端相連，電阻R_a2的另一端與參考地PGND相連，采樣V_sense-。放大器A1輸入端2與電阻R_c2的一端相連，電阻R_c2的另一端與V_reference-相連，電阻R_b2的一端與放大器A1輸入端2相連相連，電阻R_b2的另一端接地AGND。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線性電流槽，其特征在于：所述閉環(huán)反饋控制及驅(qū)動電路中，運算放大器A2的輸入端1通過電路R_con與電流采樣及求差電路的輸出端相連，運算放大器A2的輸入端2接地，運算放大器A2的輸出端通過電阻R_gate與MOSFET的門極相連。在運算放大器A2的輸入端1與運算放大器A2的輸出端之間串接電阻R_con2和電容C_con，電阻R_con2的一端與運算放大器A2的輸入端1相連，電阻R_con2的另一端與電容C_con的一端相連，電容C_con的另一端與運算放大器A2的輸出端相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電流槽，其特征在于：所述運算放大器A2需要有較大的輸出電流能夠保證驅(qū)動MOSFET的門極寄生電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的線性電流槽，其特征在于：，通過多個線性電流槽電路并聯(lián)進行功率擴展。