1.用于冷原子干涉型重力儀中磁光阱磁場(chǎng)的快速開關(guān)裝置，其特征在于：包括依次連接的TTL信號(hào)輸入電路單元(1)、光電耦合電路單元(2)、MOSFET開關(guān)電路單元(3)和磁場(chǎng)響應(yīng)電路單元(4)；
所述的TTL信號(hào)輸入電路單元(1)由接線端子P1和限流電阻R1構(gòu)成，其中：接線端P1的1號(hào)引腳和TTL信號(hào)的負(fù)端連接，P1的2號(hào)引腳和TTL信號(hào)的正端連接，限流電阻的第一端和接線端P1的2號(hào)引腳相連；
所述的光電耦合電路單元(2)由光電耦合器U1、旁路電容C1、上拉電阻R2和輸出負(fù)載等效電容C2構(gòu)成，其中：光電耦合器U1的2號(hào)引腳和限流電阻R1的第二端相連，光電耦合器的3號(hào)引腳和TTL信號(hào)接線端的1號(hào)引腳相連，光電耦合器U1的5號(hào)引腳和地相連，光電耦合器U1的6號(hào)引腳和上拉電阻的第一端相連，光電耦合器U1的8號(hào)引腳和+5V的直流電壓相連，光電耦合器的其它引腳懸空，上拉電阻R2的第二端和光電耦器的8號(hào)引腳相連，輸出負(fù)載的等效電容C2的第一端和上拉電阻的第二端引腳相連，等效電容C2的第二端和地相連；
所述的MOSFET開關(guān)電路單元(3)由場(chǎng)效應(yīng)管Q1構(gòu)成，其中：場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極G和輸出負(fù)載的等效電容C2的第一端相連，場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極S和地相連，場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極D和高速二極管D1的第一端相連；
所述的磁場(chǎng)響應(yīng)電路單元(4)由高速二極管D1、功耗電阻R3、磁場(chǎng)線圈接線端P3和磁場(chǎng)線圈供電接線端P2構(gòu)成，其中：高速二極管D1的第二端和磁場(chǎng)線圈供電接線端P2的1號(hào)引腳相連，功耗電阻R3的第一端和高速二極管的第一端相連，功耗電阻R3的第二端和磁場(chǎng)線圈的接線端P3的2號(hào)引腳相連，磁場(chǎng)線圈的供電接線端P2的1號(hào)引腳和所需直流電壓相連，接線端P2的2號(hào)引腳和地相連，磁場(chǎng)線圈的接線端P3的1號(hào)引腳和磁場(chǎng)線圈供電接線端的1號(hào)引腳相連，磁場(chǎng)線圈接線端P3的1號(hào)引腳和2號(hào)引腳分別和磁場(chǎng)線圈的兩端相連。