本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體的說(shuō)，是一種基于比較放大電路的LED燈帶用電源。

背景技術(shù)：

目前隨著人們的生活水平的不斷提高，對(duì)生活的環(huán)境美化的要求也越來(lái)越高，人們?yōu)榱嗣阑约旱木幼…h(huán)境，便采用具有多種光源色彩的LED燈帶在對(duì)室內(nèi)進(jìn)行美化。然而，現(xiàn)有的LED燈帶用電源易受外界的電磁波干擾而出現(xiàn)輸出電壓和電流不穩(wěn)定，導(dǎo)致光控LED燈的亮度不穩(wěn)定，嚴(yán)重影響了LED燈的使用壽命；并且現(xiàn)有的LED燈帶用電源還存在負(fù)載能力差的問(wèn)題。

因此，提供一種既能輸出穩(wěn)定的電壓和電流，又能提高負(fù)載能力的LED燈帶用電源便是當(dāng)務(wù)之急。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的LED燈帶用電源輸出電壓和電流不穩(wěn)定，并且負(fù)載能力差的缺陷，提供的一種基于比較放大電路的LED燈帶用電源。

本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種基于比較放大電路的LED燈帶用電源，主要由控制芯片U2，二極管整流器U1，變壓器T，三極管VT1，串接在二極管整流器U1的正極輸出端與三極管VT1的發(fā)射極之間的比較放大電路，P極經(jīng)電阻R2后與三極管VT1的基極相連接、N極與控制芯片U2的VCC管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1，正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地的極性電容C1，正極經(jīng)電阻R1后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極接地的極性電容C2，P極與控制芯片U2的VREF管腳相連接、N極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的RC管腳相連接的二極管D2，正極與變壓器T副邊電感線圈L3的同名端相連接、負(fù)極與變壓器T副邊電感線圈L3的非同名端相連接后接地的極性電容C11，P極與極性電容C11的正極相連接、N極與變壓器T副邊電感線圈L3的非同名端共同形成輸出端的穩(wěn)壓二極管D9，一端與變壓器T原邊電感線圈L2的非同名端相連接、另一端接地的電阻R14，分別與控制芯片U2的COMP管腳和VFB管腳以及IS管腳相連接的電壓調(diào)整電路，以及分別與三極管VT1的集電極和控制芯片U2的OUT管腳以及電壓調(diào)整電路相連接的恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路組成；所述恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路還與變壓器T原邊電感線圈L1的同名端和非同名端以及電感線圈L2的同名端相連接；所述控制芯片U2的GND管腳接地、其IS管腳與RC管腳相連接。

所述比較放大電路由三極管VT6，三極管VT7，場(chǎng)效應(yīng)管MOS2，正極經(jīng)電阻R21后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接的極性電容C12，負(fù)極與三極管VT6的基極相連接、正極經(jīng)電阻R20后與極性電容C12的正極相連接的極性電容C15，正極經(jīng)電阻R22后與極性電容C12的正極相連接、負(fù)極接地的極性電容C13，正極經(jīng)電阻R23后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，P極經(jīng)電阻R25后與三極管VT6的集電極相連接、N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接的二極管D10，一端與三極管VT6的發(fā)射極相連接、另一端與三極管VT7的集電極相連接后接地的可調(diào)電阻R27，P極電阻R24后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、N極與可調(diào)電阻R27的可調(diào)端相連接的二極管D11，負(fù)極與三極管VT7的基極相連接、正極經(jīng)電阻R26后與三極管VT6的發(fā)射極相連接的極性電容C16，N極經(jīng)電阻R29后與三極管VT7的發(fā)射極相連接、P極經(jīng)可調(diào)電阻R28后與三極管VT6的集電極相連接的二極管D13，以及P極與三極管VT6的集電極相連接、N極與三極管VT1的發(fā)射極相連接的穩(wěn)壓二極管D12組成。

所述電壓調(diào)整電路由三極管VT2，三極管VT3，P極經(jīng)電阻R4后與控制芯片U2的COMP管腳相連接、N極經(jīng)電阻R后與三極管VT2的集電極相連接的二極管D3，正極經(jīng)電阻R6后與控制芯片U2的VFB管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C3，N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、P極經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的二極管D4，負(fù)極與二極管D4的P極相連接、正極與三極管VT2的基極相連接的極性電容C4，一端與極性電容C3的正極相連接、另一端與二極管D4的N極相連接的電阻R7，正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的極性電容C5，N極與控制芯片U2的IS管腳相連接、P極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D5，以及正極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT3的基極相連接、負(fù)極與恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路相連接的極性電容C6組成；所述三極管VT3的基極與控制芯片U2的RC管腳相連接、其集電極與極性電容C3的正極相連接。

所述恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路由三極管VT4，三極管VT5，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1，N極經(jīng)電阻R19后與三極管VT4的集電極相連接、P極經(jīng)電阻R18后與變壓器T原邊電感線圈L2的同名端相連接的二極管D8，一端與二極管D8的P極相連接、另一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的可調(diào)電阻R17，負(fù)極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、正極與控制芯片U2的OUT管腳相連接的極性電容C7，負(fù)極與變壓器T原邊電感線圈L2的同名端相連接、正極經(jīng)電阻R16后與三極管VT5的發(fā)射極相連接的極性電容C8，N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接、P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT5的發(fā)射極相連接的二極管D7，負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、正極與三極管VT5的基極相連接的極性電容C9，N極經(jīng)電阻R13后與三極管VT5的集電極相連接、P極與三極管VT1的集電極相連接的二極管D6，負(fù)極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接、正極經(jīng)電阻R11后與二極管D6的P極相連接的極性電容C10，以及一端與極性電容C10的正極相連接、另一端與變壓器T原邊電感線圈L1的同名端相連接的電感L4組成；所述變壓器T原邊電感線圈L1的非同名端還與極性電容C10的正極相連接、其同名端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接；所述三極管VT4的集電極接地、其基極與極性電容C6的負(fù)極相連接、其發(fā)射極與極性電容C7的負(fù)極相連接。

為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述控制芯片U2則優(yōu)先采用3S44集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：

(1)本發(fā)明能對(duì)輸入電壓和電流的高瞬態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)，防止電流的頻點(diǎn)出現(xiàn)漂移，使電壓和電流保持平穩(wěn)，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓和電流；并且本發(fā)明能對(duì)輸出電壓和電路進(jìn)行過(guò)壓過(guò)流調(diào)節(jié)，并能對(duì)輸出電壓中浪通電壓和輸出電流中的浪通電流進(jìn)行抑制，使輸出電壓和電流的強(qiáng)度提高了40％以上，從而有效的提高了本發(fā)明的負(fù)載能力。

(2)本發(fā)明能有效的提高輸入電壓的耐壓性和動(dòng)態(tài)范圍，并且能將電流的中間零點(diǎn)偏移控制在0.3nA以內(nèi)，從而提高了本發(fā)明負(fù)載能力。

(3)本發(fā)明的控制芯片U2采用3S44集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且該芯片與外部電路相結(jié)合有效的提高了本發(fā)明輸出電壓和電流的穩(wěn)定性和可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的比較放大電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例

如圖1所示，本發(fā)明主要由控制芯片U2，二極管整流器U1，變壓器T，三極管VT1，串接在二極管整流器U1的正極輸出端與三極管VT1的發(fā)射極之間的比較放大電路，P極經(jīng)電阻R2后與三極管VT1的基極相連接、N極與控制芯片U2的VCC管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1，正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地的極性電容C1，正極經(jīng)電阻R1后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極接地的極性電容C2，P極與控制芯片U2的VREF管腳相連接、N極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的RC管腳相連接的二極管D2，正極與變壓器T副邊電感線圈L3的同名端相連接、負(fù)極與變壓器T副邊電感線圈L3的非同名端相連接后接地的極性電容C11，P極與極性電容C11的正極相連接、N極與變壓器T副邊電感線圈L3的非同名端共同形成輸出端的穩(wěn)壓二極管D9，一端與變壓器T原邊電感線圈L2的非同名端相連接、另一端接地的電阻R14，分別與控制芯片U2的COMP管腳和VFB管腳以及IS管腳相連接的電壓調(diào)整電路，以及分別與三極管VT1的集電極和控制芯片U2的OUT管腳以及電壓調(diào)整電路相連接的恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路組成。

所述恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路還與變壓器T原邊電感線圈L1的同名端和非同名端以及電感線圈L2的同名端相連接；所述控制芯片U2的GND管腳接地、其IS管腳與RC管腳相連接；所述二極管整流器U1的兩個(gè)輸入端共同形成本發(fā)明的輸入端并與外部電源相連接。為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述控制芯片U2則優(yōu)先采用3S44集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步地，所述電壓調(diào)整電路由三極管VT2，三極管VT3，電阻R4，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電阻R9，可調(diào)電阻R10，極性電容C3，極性電容C4，極性電容C5，極性電容C6，二極管D3，二極管D4，以及二極管D5組成。

連接時(shí)，二極管D3的P極經(jīng)電阻R4后與控制芯片U2的COMP管腳相連接、其N極則經(jīng)電阻R后與三極管VT2的集電極相連接。極性電容C3的正極經(jīng)電阻R6后與控制芯片U2的VFB管腳相連接、其負(fù)極則接地。二極管D4的N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、其P極則經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的發(fā)射極相連接。

其中，極性電容C4的負(fù)極與二極管D4的P極相連接、其正極則與三極管VT2的基極相連接。電阻R7的一端與極性電容C3的正極相連接、其另一端則與二極管D4的N極相連接。極性電容C5的正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其負(fù)極則經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的發(fā)射極相連接。

同時(shí)，二極管D5的N極與控制芯片U2的IS管腳相連接、其P極則與三極管VT3的發(fā)射極相連接。極性電容C6的正極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT3的基極相連接、其負(fù)極則與恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路相連接。所述三極管VT3的基極與控制芯片U2的RC管腳相連接、其集電極與極性電容C3的正極相連接。

更進(jìn)一步地，所述恒壓恒流驅(qū)動(dòng)電路由三極管VT4，三極管VT5，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1，電阻R11，電阻R12，電阻R13，電阻R14，電阻R15，電阻R16，可調(diào)電阻R17，電阻R18，電阻R19，極性電容C7，極性電容C8，極性電容C9，極性電容C10，二極管D6，二極管D7，二極管D8，以及電感L4組成。

連接時(shí)，二極管D8的N極經(jīng)電阻R19后與三極管VT4的集電極相連接、其P極則經(jīng)電阻R18后與變壓器T原邊電感線圈L2的同名端相連接。可調(diào)電阻R17的一端與二極管D8的P極相連接、其另一端則與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。極性電容C7的負(fù)極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、其正極則與控制芯片U2的OUT管腳相連接。

其中，極性電容C8的負(fù)極與變壓器T原邊電感線圈L2的同名端相連接、其正極則經(jīng)電阻R16后與三極管VT5的發(fā)射極相連接。的二極管D7N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接、其P極則經(jīng)電阻R15后與三極管VT5的發(fā)射極相連接。極性電容C9的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、其正極則與三極管VT5的基極相連接。

同時(shí)，二極管D6的N極經(jīng)電阻R13后與三極管VT5的集電極相連接、其P極則與三極管VT1的集電極相連接。極性電容C10的負(fù)極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接、其正極則經(jīng)電阻R11后與二極管D6的P極相連接。電感L4的一端與極性電容C10的正極相連接、其另一端則與變壓器T原邊電感線圈L1的同名端相連接。

所述變壓器T原邊電感線圈L1的非同名端還與極性電容C10的正極相連接、其同名端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接；所述三極管VT4的集電極接地、其基極與極性電容C6的負(fù)極相連接、其發(fā)射極與極性電容C7的負(fù)極相連接。

如圖2所示，所述比較放大電路由三極管VT6，三極管VT7，場(chǎng)效應(yīng)管MOS2，電阻R20，電阻R21，電阻R22，電阻R23，電阻R24，電阻R25，電阻R26，可調(diào)電阻R27，可調(diào)電阻R28，電阻R29，極性電容C12，極性電容C13，極性電容C14極性電容C15，極性電容C16，二極管D10，二極管D11，穩(wěn)壓二極管D12，以及二極管D13組成。

連接時(shí)，極性電容C12的正極經(jīng)電阻R21后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極相連接、其負(fù)極則與二極管整流器U1的正極輸出端相連接。極性電容C15的負(fù)極與三極管VT6的基極相連接、其正極則經(jīng)電阻R20后與極性電容C12的正極相連接。極性電容C13的正極經(jīng)電阻R22后與極性電容C12的正極相連接、其負(fù)極則接地。

其中，極性電容C14的正極經(jīng)電阻R23后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、其負(fù)極則接地。二極管D10的P極經(jīng)電阻R25后與三極管VT6的集電極相連接、其N極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接。可調(diào)電阻R27的一端與三極管VT6的發(fā)射極相連接、其另一端則與三極管VT7的集電極相連接后接地。二極管D11的P極電阻R24后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、其N極則與可調(diào)電阻R27的可調(diào)端相連接。

同時(shí)，極性電容C16的負(fù)極與三極管VT7的基極相連接、其正極則經(jīng)電阻R26后與三極管VT6的發(fā)射極相連接。二極管D13的N極經(jīng)電阻R29后與三極管VT7的發(fā)射極相連接、其P極則經(jīng)可調(diào)電阻R28后與三極管VT6的集電極相連接。穩(wěn)壓二極管D12的P極與三極管VT6的集電極相連接、其N極則與三極管VT1的發(fā)射極相連接。

運(yùn)行時(shí)，本發(fā)明能對(duì)輸入電壓和電流的高瞬態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)，防止電流的頻點(diǎn)出現(xiàn)漂移，使電壓和電流保持平穩(wěn)，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓和電流；并且本發(fā)明能對(duì)輸出電壓和電路進(jìn)行過(guò)壓過(guò)流調(diào)節(jié)，并能對(duì)輸出電壓中浪通電壓和輸出電流中的浪通電流進(jìn)行抑制，使輸出電壓和電流的強(qiáng)度提高了40％以上，從而有效的提高了本發(fā)明的負(fù)載能力。

同時(shí)，本發(fā)明能有效的提高輸入電壓的耐壓性和動(dòng)態(tài)范圍，并且能將電流的中間零點(diǎn)偏移控制在0.3nA以內(nèi)，從而提高了本發(fā)明負(fù)載能力。本發(fā)明的控制芯片U2采用3S44集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且該芯片與外部電路相結(jié)合有效的提高了本發(fā)明輸出電壓和電流的穩(wěn)定性和可靠性。

按照上述實(shí)施例，即可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。