本發(fā)明涉及一種主動(dòng)電路，特別是一種能夠在旁路模式下，維持阻抗匹配的主動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

主動(dòng)電路?？捎脕?lái)增進(jìn)前一級(jí)電路輸出的信號(hào)的強(qiáng)度或質(zhì)量，并供給下一級(jí)電路使用。然而在某些使用情境下，例如主動(dòng)電路離前一級(jí)電路的信號(hào)源的距離足夠接近的情況下，主動(dòng)電路所接收到的信號(hào)強(qiáng)度或質(zhì)量本身可能就已經(jīng)足夠良好，而可直接供給下一級(jí)的電路使用。此時(shí)，為了避免不必要的電能損耗，主動(dòng)電路可能會(huì)啟動(dòng)旁路模式，并將接收到的信號(hào)通過(guò)主動(dòng)電路中的信號(hào)旁路直接輸出，如此一來(lái)，即可失能主動(dòng)電路中的主動(dòng)組件，以減少電能損耗。

然而，在主動(dòng)組件的阻抗原已設(shè)計(jì)為與信號(hào)路徑互相匹配的情況下，當(dāng)主動(dòng)電路啟動(dòng)旁路模式而失能主動(dòng)組件時(shí)，可能會(huì)因?yàn)橹鲃?dòng)組件的負(fù)載效應(yīng)(loadingeffect)導(dǎo)致信號(hào)路徑上的負(fù)載不相匹配，造成輸出信號(hào)的強(qiáng)度或質(zhì)量下降的問(wèn)題。因此有必要設(shè)計(jì)一種主動(dòng)電路，使其能夠在旁路模式下，維持與信號(hào)路徑的阻抗相匹配，以避免輸出信號(hào)的強(qiáng)度或質(zhì)量下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種主動(dòng)電路，主動(dòng)電路包含主動(dòng)組件、輸入單元及旁路單元。主動(dòng)組件具有輸入端及輸出端，主動(dòng)組件的輸出端耦接至主動(dòng)電路的輸出端，并用以輸出輸出信號(hào)。輸入單元具有輸入端及輸出端，輸入單元的輸入端耦接于主動(dòng)電路的輸入端，而輸入單元的輸出端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)耦接于主動(dòng)組件的輸入端，輸入單元可根據(jù)第一控制信號(hào)調(diào)整輸入單元的電容值。輸入單元包含第一開關(guān)，第一開關(guān)具有第一端、第二端及控制端，第一開關(guān)的控制端接收第一控制信號(hào)。旁路單元具有輸入端及輸出端，旁路單元的輸入端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)耦接于輸入單元的輸出端，旁路單元的輸出端耦接于主動(dòng)電路的輸出端。旁路單元根據(jù)第二控制信號(hào)導(dǎo)通或截止信號(hào)旁路。旁路單元包含第二開關(guān)，第二開關(guān)具有第一端、第二端及控制端，第二開關(guān)的控制端接收第二控制信號(hào)。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種主動(dòng)電路。主動(dòng)電路包含主動(dòng)組件、輸入單元、旁路單元及第三開關(guān)。主動(dòng)組件具有輸入端及輸出端，主動(dòng)組件的輸出端用以輸出輸出信號(hào)。輸入單元具有輸入端及輸出端，輸入單元的輸入端耦接于主動(dòng)電路的輸入端，而輸入單元的輸出端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)耦接于主動(dòng)組件的輸入端，輸入單元可根據(jù)第一控制信號(hào)調(diào)整輸入單元的電容值。輸入單元包含第一開關(guān)，第一開關(guān)具有第一端、第二端及控制端，第一開關(guān)的控制端接收第一控制信號(hào)。旁路單元耦接于輸入單元與主動(dòng)電路的輸出端之間，具有輸入端及輸出端，旁路單元的輸入端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)耦接于輸入單元的輸出端，而旁路單元的輸出端耦接于主動(dòng)電路的輸出端，旁路單元可根據(jù)第二控制信號(hào)導(dǎo)通或截止信號(hào)旁路。旁路單元包含第二開關(guān)，第二開關(guān)具有第一端、第二端及控制端，第二開關(guān)的控制端接收第二控制信號(hào)。第三開關(guān)耦接于主動(dòng)組件與主動(dòng)電路的輸出端之間，具有第一端、第二端及控制端。第三開關(guān)的第一端耦接于主動(dòng)組件的輸出端，第三開關(guān)的第二端耦接于主動(dòng)電路的輸出端，而第三開關(guān)的控制端接收第三控制信號(hào)。第一開關(guān)的尺寸大于第二開關(guān)的尺寸，且第一開關(guān)的尺寸大于第三開關(guān)的尺寸。

本發(fā)明的實(shí)施例所提供的主動(dòng)電路可以在旁路模式下，利用截止開關(guān)的等效電容來(lái)補(bǔ)償信號(hào)路徑上的虛部阻抗，使得射頻信號(hào)在進(jìn)入旁路單元或主動(dòng)組件之前的阻抗能夠被有效地降低，因而降低負(fù)載效應(yīng)，進(jìn)而維持主動(dòng)電路的輸出信號(hào)強(qiáng)度及質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

圖1是本發(fā)明所提供的一實(shí)施例的主動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明所提供的另一實(shí)施例的主動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明所提供的另一實(shí)施例的主動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明所提供的另一實(shí)施例的主動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

主要圖示說(shuō)明：

10芯片

100、200、300、400主動(dòng)電路

110主動(dòng)組件

112匹配電路

120輸入單元

130旁路單元

in輸入端

out輸出端

gnd地端

vdd系統(tǒng)電壓

m1第一晶體管

m2第二晶體管

n節(jié)點(diǎn)

sw1第一開關(guān)

sw2第二開關(guān)

sw3第三開關(guān)

sw4第四開關(guān)

sw5第五開關(guān)

c1第一電容

c2第二電容

c3第三電容

c4第四電容

cm1、cm2匹配電容

lg、l1電感

sigrf射頻信號(hào)

sigctrl1第一控制信號(hào)

sigctrl2第二控制信號(hào)

sigctrl3第三控制信號(hào)

sigctrl4第四控制信號(hào)

sigctrl5第五控制信號(hào)

v1第一電壓

vref參考電壓

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明理解成并不局限于以下描述的這種實(shí)施方式，并且本發(fā)明的技術(shù)理念可以與其他公知技術(shù)或功能與那些公知技術(shù)相同的其他技術(shù)組合實(shí)施。

在以下具體實(shí)施例的說(shuō)明中，為了清楚展示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及工作方式，將借助諸多方向性詞語(yǔ)進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)將“前”、“后”、“左”、“右”、“外”、“內(nèi)”、“向外”、“向內(nèi)”、“軸向”、“徑向”等詞語(yǔ)理解為方便用語(yǔ)，而不應(yīng)當(dāng)理解為限定性詞語(yǔ)。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)電路100，主動(dòng)電路100包含主動(dòng)組件110、輸入單元120及旁路單元130。

在圖1的實(shí)施例中，主動(dòng)電路100可作為無(wú)線射頻信號(hào)接收端，而主動(dòng)組件110則為可放大射頻信號(hào)sigrf的低噪聲放大器(lownoiseamplifier，lna)。在此實(shí)施例中，圖1的主動(dòng)電路100可經(jīng)由電感l(wèi)g接收射頻信號(hào)sigrf，電感l(wèi)g的電感值與主動(dòng)組件110中的阻抗可設(shè)計(jì)成互相匹配，使得主動(dòng)電路100在主動(dòng)模式下，能夠減少信號(hào)反彈，并使主動(dòng)組件110能夠放大射頻信號(hào)sigrf。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，主動(dòng)電路100是設(shè)置于芯片10內(nèi)，而電感l(wèi)g則是設(shè)置于芯片10的外部，并耦接至主動(dòng)電路100之輸入端in。

主動(dòng)組件110具有輸入端及輸出端，主動(dòng)組件110的輸出端耦接至主動(dòng)電路100的輸出端out，且主動(dòng)組件110的輸出端可輸出輸出信號(hào)。在此實(shí)施例中，主動(dòng)組件110可包含第一晶體管m1、第二晶體管m2、電感l(wèi)1及匹配電路112。

第一晶體管m1具有第一端、第二端及控制端，第一晶體管m1的控制端耦接于主動(dòng)組件110的輸入端。第二晶體管m2具有第一端、第二端及控制端，第二晶體管m2的第一端耦接于主動(dòng)組件110的輸出端，第二晶體管m2的第二端耦接于第一晶體管m1的第一端，而第二晶體管m2的控制端則可接收參考電壓vref。電感l(wèi)1耦接于第一晶體管m1的第二端與地端gnd之間，電感l(wèi)1具有第一端及第二端，電感l(wèi)1的第一端耦接于第一晶體管m1的第二端，而電感l(wèi)1的第二端耦接于地端gnd。匹配電路112具有第一端及第二端，匹配電路112的第一端可接收系統(tǒng)電壓vdd，而匹配電路112的第二端則可耦接于第二晶體管m2的第一端。主動(dòng)組件110可通過(guò)調(diào)整匹配電路112中的被動(dòng)組件，例如電感或電阻，來(lái)調(diào)整主動(dòng)組件110所需的阻抗。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，若系統(tǒng)電壓vdd為1.8v至3.3v，則參考電壓vref可為1.5v至3.3v。

此外，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，根據(jù)系統(tǒng)需求和主動(dòng)電路100功能的不同，主動(dòng)組件110亦可為功率放大器(poweramplifier，pa)、混頻器(mixer)或其他主動(dòng)組件。

輸入單元120具有輸入端及輸出端，輸入單元120的輸入端耦接于主動(dòng)電路100的輸入端in，而輸入單元120的輸出端則經(jīng)由節(jié)點(diǎn)n耦接于主動(dòng)組件110的輸入端，輸入單元120可根據(jù)第一控制信號(hào)sigctrl1調(diào)整輸入單元120的電容值。輸入單元120包含第一開關(guān)sw1，第一開關(guān)sw1具有第一端、第二端及控制端，第一開關(guān)sw1的控制端可接收第一控制信號(hào)sigctrl1。

旁路單元130具有輸入端及輸出端，旁路單元130的輸入端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)n耦接于輸入單元120的輸出端，而旁路單元130的輸出端則耦接于主動(dòng)電路100的輸出端out，旁路單元130可根據(jù)第二控制信號(hào)sigctrl2導(dǎo)通或截止信號(hào)旁路。信號(hào)旁路可由節(jié)點(diǎn)n經(jīng)由旁路單元130與主動(dòng)電路100的輸出端out的信號(hào)路徑所形成。旁路單元130包含第二開關(guān)sw2，第二開關(guān)具有第一端、第二端及控制端，第二開關(guān)sw2的控制端可接收第二控制信號(hào)。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，第一開關(guān)sw1及第二開關(guān)sw2皆可為金氧半場(chǎng)效晶體管。

在主動(dòng)電路的主動(dòng)模式下，第一控制信號(hào)sigctrl1會(huì)導(dǎo)通第一開關(guān)sw1，且第二控制信號(hào)sigctrl2截止第二開關(guān)sw2，此時(shí)主動(dòng)組件110可以放大射頻信號(hào)sigrf。在主動(dòng)電路的旁路模式下，第一控制信號(hào)sigctrl1會(huì)截止第一開關(guān)sw1使得第一開關(guān)sw1成為等效電容ce，且第二控制信號(hào)sigctrl2則可導(dǎo)通第二開關(guān)sw2，此時(shí)射頻信號(hào)sigrf可在不通過(guò)主動(dòng)組件110的情況下，直接經(jīng)由旁路單元130輸出至主動(dòng)電路100的輸出端out，而等效電容ce則可以補(bǔ)償主動(dòng)組件110所造成的負(fù)載效應(yīng)。

換言之，在主動(dòng)電路100的旁路模式下，第一開關(guān)sw1會(huì)被截止，第二開關(guān)sw2會(huì)被導(dǎo)通，此時(shí)主動(dòng)組件110中的第一晶體管m1的閘極-源極電容可能會(huì)造成負(fù)載效應(yīng)，然而因?yàn)榈谝婚_關(guān)sw1被截止后會(huì)成為等效電容ce，因此可以與電感l(wèi)g的虛部阻抗互相抵消，進(jìn)而減少第一晶體管m1的閘極-源極電容所造成的負(fù)載效應(yīng)的影響。舉例來(lái)說(shuō)，若電感l(wèi)g的電感值為l，則其阻抗可表示為jωl，其中j表示虛部，此時(shí)若等效電容ce的電容值為c，則其阻抗則可表示為此時(shí)，若不計(jì)信號(hào)路徑上的其他電容，則射頻信號(hào)sigrf在通過(guò)電感l(wèi)g及等效電容ce之后至節(jié)點(diǎn)n的阻抗可表示為因此若根據(jù)射頻信號(hào)sigrf的頻率，選擇適當(dāng)?shù)牡谝婚_關(guān)sw1的尺寸大小，即可使等效電容ce與電感l(wèi)g互相匹配，并使得主動(dòng)電路100在旁路模式下與節(jié)點(diǎn)n的虛部阻抗能夠互相抵銷。且由于旁路單元130的輸入端會(huì)經(jīng)由節(jié)點(diǎn)n耦接于輸入單元120的輸出端，因此第一晶體管m1所造成的負(fù)載效應(yīng)會(huì)因?yàn)榈刃щ娙輈e先與電感l(wèi)g的虛部的阻抗相抵銷，而減少其對(duì)于旁路單元130的影響。

換言之，主動(dòng)電路100可以在旁路模式下，透過(guò)第一開關(guān)sw1被截止時(shí)的等效電容ce來(lái)抵銷外部電感l(wèi)g的虛部阻抗，進(jìn)而減少第一晶體管m1的負(fù)載效應(yīng)對(duì)主動(dòng)電路100的影響，使得射頻信號(hào)sigrf能夠順利地經(jīng)由旁路單元130輸出至主動(dòng)電路的輸出端out。

此外，在圖1的實(shí)施例中，輸入單元120還可包含第一電容c1及第二電容c2以隔離接收信號(hào)中的直流電。第一電容c1具有第一端及第二端，第一電容c1的第一端耦接于主動(dòng)電路100的輸入端in，而第一電容c1的第二端耦接于第一開關(guān)sw1的第一端。第二電容c2具有第一端及第二端，第二電容c2的第一端耦接于第一開關(guān)sw1的第二端，而第二電容c2的第二端經(jīng)由節(jié)點(diǎn)n耦接于主動(dòng)組件110的輸入端。然而本發(fā)明并不以此為限，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，輸入單元120亦可不包含第一電容c1及第二電容c2，抑或是只包含第一電容c1或第二電容c2。

相似地，旁路單元130也可包含第三電容c3及第四電容c4以隔離信號(hào)中的直流電。第三電容c3具有第一端及第二端，第三電容c3的第一端耦接于主動(dòng)組件110的輸入端，而第三電容c3的第二端耦接于第二開關(guān)sw2的第一端。第四電容c4具有第一端及第二端，第四電容c4的第一端耦接于第二開關(guān)sw2的第二端，而第四電容c4的第二端耦接于主動(dòng)電路100的輸出端out。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，旁路單元130亦可不包含第三電容c3及第四電容c4，抑或是只包含第三電容c3或第四電容c4。

在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，當(dāng)選擇適當(dāng)大小的第一開關(guān)sw1時(shí)，同時(shí)也可能會(huì)改變主動(dòng)電路100的主動(dòng)模式的特性，例如噪聲指數(shù)(noisefigure)，抑或改變所需的電路面積，因此必須有所取舍。為了能夠更自由地選擇第一開關(guān)sw1，在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，主動(dòng)電路100還可包含其他的匹配電容。

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)電路200的示意圖，主動(dòng)電路200與主動(dòng)電路100具有相似的架構(gòu)及操作原理，兩者主要的差別在于主動(dòng)電路200還包含了匹配電容cm1，匹配電容cm1與輸入單元120并聯(lián)。匹配電容cm1具有第一端及第二端，匹配電容cm1的第一端耦接于主動(dòng)電路100的輸入端in，而匹配電容cm1的第二端則經(jīng)由節(jié)點(diǎn)耦接至旁路單元130。由于匹配電容cm1與輸入單元120并聯(lián)，因此在主動(dòng)電路200的旁路模式下，匹配電容cm1可與第一開關(guān)sw1的等效電容ce共同用以與外部電感l(wèi)g的虛部阻抗相抵消。舉例來(lái)說(shuō)，若射頻信號(hào)sigrf的頻率為2.6ghz至2.7ghz，電感l(wèi)g的電感值為8.2nh，第三電容c3及第四電容c4的電容值皆為10pf，而第一晶體管m1的閘極-源極電容的電容值為0.2pf，此時(shí)，可選擇等效電容ce的等效電容值為0.4pf的第一開關(guān)sw1，并選擇電容值為40ff的匹配電容，如此一來(lái)，匹配電容cm1與第一開關(guān)sw1并聯(lián)后，即可與外部電感l(wèi)g的虛部阻抗相抵消。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)電路300的示意圖，主動(dòng)電路300與主動(dòng)電路100具有相似的架構(gòu)及操作原理，兩者主要的差別在于主動(dòng)電路300還包含了匹配電容cm2。匹配電容cm2與輸入單元120串聯(lián)，并經(jīng)由節(jié)點(diǎn)n耦接至旁路單元130，亦即匹配電容cm2串聯(lián)于輸入單元120與旁路單元130之間。換言之，透過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇匹配電容cm2，即可使得匹配電容cm2與第一開關(guān)sw1在串聯(lián)后，與外部電感l(wèi)g的虛部阻抗相抵消。也就是說(shuō)，透過(guò)主動(dòng)電路200或300的匹配電容cm1及cm2，使用者即無(wú)須嚴(yán)格限定第一開關(guān)sw1的尺寸以調(diào)整其等效電容，而仍可避免第一晶體管m1的負(fù)載效應(yīng)影響輸出信號(hào)的強(qiáng)度或質(zhì)量。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，匹配電容cm2可串聯(lián)于主動(dòng)電路100的輸入端in與輸入單元120的輸入端之間。

此外，在主動(dòng)電路300中，當(dāng)匹配電容cm2與輸入單元120串聯(lián)時(shí)，匹配電容cm2亦可與電感l(wèi)g同樣設(shè)置于主動(dòng)電路300的外部，抑或芯片10的外部。

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)電路400的示意圖，主動(dòng)電路400與主動(dòng)電路100具有相似的架構(gòu)及操作原理，兩者主要的差別之一在于主動(dòng)電路400還包含了第三開關(guān)sw3。第三開關(guān)sw3耦接于主動(dòng)組件110與主動(dòng)電路400的輸出端out之間。第三開關(guān)sw3具有第一端、第二端及控制端，第三開關(guān)sw3的第一端耦接于主動(dòng)組件110的輸出端，第三開關(guān)sw3的第二端耦接于主動(dòng)電路400的輸出端out，而第三開關(guān)sw3的控制端可接收第三控制信號(hào)sigctrl3。

在主動(dòng)電路400的主動(dòng)模式下，第三控制信號(hào)sigctrl3可導(dǎo)通第三開關(guān)sw3，使得射頻信號(hào)sigrf能夠經(jīng)由主動(dòng)組件110輸出至主動(dòng)電路400的輸出端out。而于主動(dòng)電路400的旁路模式下，第三控制信號(hào)sigctrl3會(huì)截止第三開關(guān)sw3，避免自旁路單元130輸出的射頻信號(hào)sigrf流入主動(dòng)組件110，造成主動(dòng)組件110的誤動(dòng)作。

在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，為了使第一開關(guān)sw1被截止后的等效電容ce能夠與電感l(wèi)g的虛部阻抗相抵消，第一開關(guān)sw1的尺寸會(huì)大于第二開關(guān)sw2的尺寸，且第一開關(guān)sw1的尺寸會(huì)大于第三開關(guān)sw3的尺寸。當(dāng)然，在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，主動(dòng)電路400還可包含如主動(dòng)電路200的匹配電容cm1及/或主動(dòng)電路300的匹配電容cm2。

此外，主動(dòng)電路400與主動(dòng)電路100兩者主要的差別之二在于主動(dòng)電路400還包含了第四開關(guān)sw4。為了避免在旁路模式下，因?yàn)樯漕l信號(hào)sigrf的擺幅過(guò)大，導(dǎo)致主動(dòng)組件110的第一晶體管m1被誤導(dǎo)通，主動(dòng)電路400還可包含第四開關(guān)sw4。第四開關(guān)sw4可耦接于主動(dòng)組件110的第一晶體管m1與地端gnd之間。第四開關(guān)sw4具有第一端、第二端及控制端，第四開關(guān)sw4的第一端耦接于主動(dòng)組件110的第一晶體管m1的第二端，第四開關(guān)sw4的第二端耦接于地端gnd，而第四開關(guān)sw4的控制端可接收第四控制信號(hào)sigctrl4。在主動(dòng)電路400的主動(dòng)模式下，第四控制信號(hào)sigctrl4會(huì)導(dǎo)通第四開關(guān)sw4，而在主動(dòng)電路400的旁路模式下，第四控制信號(hào)sigctrl4則會(huì)截止第四開關(guān)sw4。透過(guò)第四控制信號(hào)sigctrl4將第四開關(guān)sw4截止，即可以避免第一晶體管m1因?yàn)樯漕l信號(hào)sigrf的擺幅過(guò)大而被誤導(dǎo)通。

此外，為了進(jìn)一步確保第四開關(guān)sw4會(huì)被截止，主動(dòng)電路400還可以透過(guò)第五開關(guān)sw5使得第四開關(guān)sw4的第一端在旁路模式下保持在固定的第一電壓v1，例如為1.55v，以確保第四開關(guān)sw4不會(huì)被誤導(dǎo)通。

第五開關(guān)sw5具有第一端、第二端及控制端，第五開關(guān)sw5的第一端可接收第一電壓v1，第五開關(guān)sw5的第二端耦接于第四開關(guān)sw4的第一端及主動(dòng)組件110的第一晶體管m1的第二端，而第五開關(guān)sw5的控制端可接收第五控制信號(hào)sigctrl5。在主動(dòng)電路400的主動(dòng)模式下，第五控制信號(hào)sigctrl5會(huì)截止第五開關(guān)sw5，而在主動(dòng)電路400的旁路模式下，第五控制信號(hào)sigctrl5會(huì)導(dǎo)通第五開關(guān)sw5。如此一來(lái)，即可在旁路模式下，將第四開關(guān)sw4的第一端固定在較主動(dòng)模式為高的第一電壓v1，以避免第四開關(guān)sw4被射頻信號(hào)sigrf導(dǎo)通。

綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例所提供的主動(dòng)電路可以在旁路模式下，利用截止開關(guān)的等效電容來(lái)補(bǔ)償信號(hào)路徑上的虛部阻抗，使得射頻信號(hào)在進(jìn)入旁路單元或主動(dòng)組件之前的阻抗能夠被有效地降低，因而降低負(fù)載效應(yīng)，進(jìn)而維持主動(dòng)電路的輸出信號(hào)強(qiáng)度及質(zhì)量。

以上所述僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。

如無(wú)特別說(shuō)明，本文中出現(xiàn)的類似于“第一”、“第二”的限定語(yǔ)并非是指對(duì)時(shí)間順序、數(shù)量、或者重要性的限定，而僅僅是為了將本技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)特征與另一個(gè)技術(shù)特征相區(qū)分。同樣地，本文中出現(xiàn)的類似于“一”的限定語(yǔ)并非是指對(duì)數(shù)量的限定，而是描述在前文中未曾出現(xiàn)的技術(shù)特征。同樣地，本文中在數(shù)詞前出現(xiàn)的類似于“大約”、“近似地”的修飾語(yǔ)通常包含本數(shù)，并且其具體的含義應(yīng)當(dāng)結(jié)合上下文意理解。同樣地，除非是有特定的數(shù)量量詞修飾的名詞，否則在本文中應(yīng)當(dāng)視作即包含單數(shù)形式又包含復(fù)數(shù)形式，在該技術(shù)方案中即可以包括單數(shù)個(gè)該技術(shù)特征，也可以包括復(fù)數(shù)個(gè)該技術(shù)特征。

本說(shuō)明書中所述的只是本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。