本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)的電路和對(duì)應(yīng)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

第一實(shí)施例涉及一種用于提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)的電路，所述電路包括：

–至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管，

–其中所述電路被布置為

–基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第一機(jī)械應(yīng)力水平并且基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第二機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

第二實(shí)施例涉及一種用于確定機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)的方法，所述方法包括：

–基于至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第一機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第二機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平確定機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

第三實(shí)施例涉及一種可直接加載到數(shù)字處理裝置的存儲(chǔ)器中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括用于執(zhí)行本文中描述的方法的步驟的軟件代碼部分。

附圖說明

參照附圖示出和圖示實(shí)施例。附圖用于圖示基本原理，使得僅圖示理解基本原理所必要的方面。附圖不是成比例的。在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)表示同樣的特征。

圖1示出利用npn晶體管的具有輸出電壓Vo1的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖；

圖2示出具有輸出電壓Vo2的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖，該應(yīng)力傳感器與圖1中示出的電路相比具有增加的應(yīng)力靈敏度；

圖3示出利用pnp晶體管的具有輸出電壓Vo3的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖；

圖4示出用于減小溫度漂移的包括pnp晶體管和npn晶體管的示例性電路；

圖5示出用于減小溫度漂移的替代電路；

圖6示出用于減小溫度漂移的又一個(gè)替代電路；

圖7示出通過解耦npn晶體管的集電極電流并且根據(jù)圖5中描繪的實(shí)施例使用這個(gè)集電極電流來組合圖5和圖6中示出的電路的電路的另一示例；

圖8A示出其中由電流源將電流注入到npn晶體管的基極中的進(jìn)一步電路；

圖8B示出其中由電流源將電流注入到npn晶體管的基極中的另一電路。

具體實(shí)施方式

多數(shù)類型的封裝(比如，塑料包封(PEL)封裝)將機(jī)械應(yīng)力施加在由封裝提供的半導(dǎo)體管芯上。這種機(jī)械應(yīng)力的原因是多方面的，并且可基于例如封裝組分(模制化合物、半導(dǎo)體管芯、引線框架)的熱膨脹系數(shù)(CTE)的失配、封裝的有機(jī)部分(模制化合物、粘合劑)的水分吸收或化學(xué)固化收縮。機(jī)械應(yīng)力可具有顯著大小，例如高達(dá)300 MPa和更高的量。半導(dǎo)體管芯自身可經(jīng)受壓縮(即，負(fù)應(yīng)力)，但管芯涂層、頂部包封（glob top）或陶瓷封裝的使用可導(dǎo)致張力(即，正應(yīng)力)。

應(yīng)力是影響電路的可靠性的危險(xiǎn)因素，并且它可改變半導(dǎo)體管芯的電子部件的參數(shù)。這能夠減小例如霍爾傳感器電路、帶隙電路、溫度傳感器、片上張弛振蕩器或電流基準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。

應(yīng)力向量T和法向量n之間的線性關(guān)系是從力的靜態(tài)平衡和線性動(dòng)量的守恒的基本定律得出的。在材料中的每個(gè)點(diǎn)處的柯西應(yīng)力張量的分量滿足平衡方程(零加速度運(yùn)動(dòng)的柯西方程)。此外，角動(dòng)量的守恒的原理意味著：應(yīng)力張量是對(duì)稱的。因此，在任何點(diǎn)和時(shí)刻處的介質(zhì)的應(yīng)力狀態(tài)能夠由僅六個(gè)獨(dú)立參數(shù)而非九個(gè)獨(dú)立參數(shù)指定，即

其中元素σ_xx、σ_yy、σ_zz被稱為正交法向應(yīng)力(相對(duì)于選擇的坐標(biāo)系)，并且元素σ_xy、σ_xz、σ_yz被稱為正交剪切應(yīng)力(參見例如，https://en.wikipedia.org/wiki/Stress_%28mechanics%29和https://en.wikipedia.org/wiki/Cauchy_stress_tensor)。

由于封裝的層狀結(jié)構(gòu)，管芯表面的主要部分具有總計(jì)σ_xx和σ_yy的主應(yīng)力分量(在管芯的表面被布置在xy平面中的情況下)。對(duì)于這種管芯，特別地對(duì)于由該管芯提供的電路，監(jiān)測(cè)或測(cè)量機(jī)械應(yīng)力是有益的。

因此，目的是具有一種具有下面的優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)優(yōu)點(diǎn)的應(yīng)力傳感器：

–該應(yīng)力傳感器對(duì)特定的一組機(jī)械應(yīng)力分量示出高靈敏度。

–該應(yīng)力傳感器未經(jīng)歷(基本上未經(jīng)歷)來自其它應(yīng)力分量的串?dāng)_。

–該應(yīng)力傳感器示出定義的、低的或減小的溫度依賴性。

對(duì)機(jī)械應(yīng)力分量σ_xx+σ_yy做出響應(yīng)的壓阻應(yīng)力傳感器是已知的。此外，對(duì)機(jī)械應(yīng)力分量σ_xx-σ_yy做出響應(yīng)的壓阻應(yīng)力傳感器和壓電MOS應(yīng)力傳感器是已知的。

本文中提出的示例提供應(yīng)力傳感器(應(yīng)力傳感器元件)，所述應(yīng)力傳感器包括利用至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益的機(jī)械應(yīng)力依賴性以高靈敏度測(cè)量應(yīng)力分量σ_xx+σ_yy的電路。

根據(jù)[Hussain, Safina等人的"Understanding the impact of temperature variations on measurement of stress dependent parameters of bipolar junction transistors." Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), 2014 IEEE Intersociety Conference on. IEEE, 2014]，(100)硅的垂直雙極型結(jié)型晶體管(BJT)的電流增益總計(jì)

其中

π₁₁、π₁₂是在相應(yīng)摻雜水平下的發(fā)射極和基極中的少數(shù)載流子的壓阻系數(shù)，

是帶隙縮窄的變化(=基極和發(fā)射極之間的帶隙的差異)，

T是絕對(duì)溫度，并且

k是玻爾茲曼常數(shù)。

帶隙縮窄的變化ΔE_GBE相對(duì)于機(jī)械應(yīng)力基本上不變，并且它的溫度依賴性也可能可忽略。

壓阻系數(shù)π₁₁、π₁₂的值隨著較高的摻雜水平而減小。少數(shù)載流子的壓阻系數(shù)類似于多數(shù)載流子的壓阻系數(shù)。

對(duì)于具有總計(jì)小于或等于10¹⁸/cm3的基極摻雜和大于10²⁰/cm3的發(fā)射極摻雜的npn型晶體管，下面的系數(shù)是已知的：

這導(dǎo)致針對(duì)σ_xx+σ_yy總計(jì)(-45%)/GPa的電流增益的應(yīng)力依賴性以及針對(duì)σ_zz總計(jì)(+82%)/GPa的電流增益的應(yīng)力依賴性，其中應(yīng)力分量σ_zz與xy平面正交。

與具有總計(jì)(-24%)/GPa的應(yīng)力系數(shù)的(100)硅的低n摻雜電阻器的橫向電阻器L布置(即，以L形式布置在xy平面中的電阻器，特別地的是彼此垂直地布置在xy平面內(nèi)的兩個(gè)電阻器)相比，考慮到應(yīng)力分量之和σ_xx+σ_yy的電流增益的應(yīng)力靈敏度是大的。

作為應(yīng)力依賴量的電流增益相對(duì)于例如電阻的優(yōu)點(diǎn)在于：電流增益具有量綱1，而電阻具有量綱電壓除以電流。對(duì)于電路，相對(duì)于不同維度的比較的增加的復(fù)雜性，相同維度的兩個(gè)量的比較是有利的。此外，比較不同維度的值還可導(dǎo)致降低的準(zhǔn)確性。

例如，將集電極電流與基極電流進(jìn)行比較以便確定電流增益是相當(dāng)高效的。然而，重要的是，將電阻器上的電壓與通過這個(gè)電阻器的電流進(jìn)行比較以便確定它的電阻。對(duì)于后者，可能需要具有不同的應(yīng)力依賴性但具有類似的溫度依賴性的第二電阻器以通過二者之間的比較來提取應(yīng)力。利用本文中提出的解決方案，不需要第二晶體管確定機(jī)械應(yīng)力。

該電路可利用下面的電流中的任何兩種電流：基極電流Ib、集電極電流Ic或基極電流Ib。電流增益可被確定為集電極電流Ic與基極電流Ib之比，即：

。

然而，發(fā)射極電流與基極電流之比等于電流增益加一，即：

。

此外，可考慮發(fā)射極電流與集電極電流之比，發(fā)射極電流與集電極電流之比等于

。

npn型晶體管的電流增益隨著機(jī)械應(yīng)力而減小(例如，按照(-45%)/GPa減小)。pnp型晶體管的電流增益隨著應(yīng)力而增加，因?yàn)殡娏髟鲆娴膽?yīng)力依賴性由基極的壓電系數(shù)確定，對(duì)于n摻雜和p摻雜，基極的壓電系數(shù)具有相反的符號(hào)。

因此，通過比較npn型晶體管和pnp型晶體管的電流增益，能夠增加應(yīng)力靈敏度。這種比較抵消(或顯著減少)共同項(xiàng)，比如殘余溫度依賴性。因此，npn型晶體管和pnp型晶體管的電流增益對(duì)應(yīng)力具有相反的依賴性，但具有類似的溫度依賴性。通過減法，溫度依賴性可被消除(或至少顯著減少)，并且應(yīng)力依賴性可被放大。

晶體管與電阻器的組合能夠被用于增加應(yīng)力傳感器的應(yīng)力靈敏度(特別地，使應(yīng)力傳感器的應(yīng)力靈敏度最大化)。

替代于垂直晶體管，能夠使用橫向晶體管。在這種情況下，每個(gè)垂直晶體管可由兩個(gè)相同的橫向晶體管(即，具有相同類型)替換，所述兩個(gè)相同的橫向晶體管被布置為垂直于彼此。這也被稱為L(zhǎng)布局。

也能夠通過以下級(jí)聯(lián)來改進(jìn)晶體管應(yīng)力傳感器的靈敏度：電流被注入到第一晶體管的發(fā)射極中并且從第一晶體管的基極被提取，然后乘以例如電流反射鏡并且被注入到第二晶體管的發(fā)射極中并且從第二晶體管的基極被提取。利用每個(gè)另外的晶體管級(jí)，應(yīng)力靈敏度近似地加倍。

圖1示出具有輸出電壓Vo1的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖。電流源101連接在節(jié)點(diǎn)102和節(jié)點(diǎn)103之間。朝著節(jié)點(diǎn)103提供電流I0。npn晶體管104的集電極連接到節(jié)點(diǎn)102。晶體管104的基極連接到節(jié)點(diǎn)105，并且晶體管104的發(fā)射極連接到NMOS(n溝道MOSFET)106的漏極，其中NMOS 106的源極連接到地。

節(jié)點(diǎn)103連接到NMOS 107的漏極，其中NMOS 107的源極連接到地。NMOS 106的柵極連接到NMOS 107的柵極并且連接到節(jié)點(diǎn)103。節(jié)點(diǎn)103還連接到NMOS 108的柵極。NMOS 108的源極連接到地。

電阻器R1被布置在節(jié)點(diǎn)102和節(jié)點(diǎn)105之間。電阻器R2被布置在節(jié)點(diǎn)102和節(jié)點(diǎn)109之間。節(jié)點(diǎn)109連接到NMOS 108的漏極。

在節(jié)點(diǎn)105和節(jié)點(diǎn)109之間提供輸出電壓Vo1。節(jié)點(diǎn)102可連接到電源電壓。

NMOS晶體管107和106用作電流源：NMOS 106強(qiáng)迫發(fā)射極電流通過NPN晶體管104。這個(gè)發(fā)射極電流的分?jǐn)?shù)1/(1+β)流經(jīng)電阻器R1并且流入到晶體管104的基極中。NMOS 108強(qiáng)迫電流通過電阻器R2。輸出電壓Vo1導(dǎo)致：

其中

I₁₀₆是通過NMOS 106的電流，并且

I₁₀₈是通過NMOS 108的電流。

在電路布局中，NMOS晶體管106至108可被布置為靠近彼此以暴露于等量的機(jī)械應(yīng)力以及基本上相同的溫度。然后，流經(jīng)NMOS晶體管的電流可基本上取決于總計(jì)W/L(寬度W和長(zhǎng)度L之比)的溝道尺寸之比。

作為選擇，NMOS 108的尺寸可被修整以在參考應(yīng)力和/或參考溫度將輸出電壓Vo1調(diào)整至預(yù)定值。

另一選擇是將電阻器R1和R2定位為彼此靠近，使得它們暴露于基本上相同量的機(jī)械相等應(yīng)力以及溫度。如果假設(shè)相同量的機(jī)械應(yīng)力影響晶體管104以及電阻器R1、R2，則輸出電壓Vo1導(dǎo)致

其中電流反射鏡比

其中I₁₀₇是通過NMOS 107的電流，并且應(yīng)力靈敏度

其中π₀是電流源101的系數(shù)，并且π_β是晶體管104的電流增益的系數(shù)。

垂直于芯片表面的應(yīng)力分量(即，當(dāng)芯片表面是xy平面時(shí)的z分量)能夠被省略，因?yàn)閦方向上的這個(gè)應(yīng)力分量遠(yuǎn)小于平面內(nèi)應(yīng)力分量。

根據(jù)已經(jīng)被包括在用于獲得Vo1的公式中的又一假設(shè)，包括NMOS 108的電流反射鏡被修整以便在零機(jī)械應(yīng)力下(例如，在晶片級(jí)上)獲得零輸出電壓Vo1，即：

電阻器R1和R2的壓阻系數(shù)π₁和π₂與電流增益的壓電系數(shù)π_β組合。因此，應(yīng)力靈敏度能夠增加：對(duì)于系數(shù)π_β<0，這可導(dǎo)致π₂<0以及π₁>0。因此，電阻器R2可以是具有總計(jì)(-24%)/GPa的應(yīng)力系數(shù)的橫向低n摻雜電阻器L，并且電阻器R1可以是具有總計(jì)(+53.4%)/GPa的應(yīng)力系數(shù)的垂直低n摻雜電阻器。作為結(jié)果，如果電阻器R1和R2二者都相同，則與僅45%/GPa相比，輸出電壓Vo1的應(yīng)力靈敏度與成比例。這導(dǎo)致靈敏度增加到原來的2.7倍。

然而，(基本上)相同的電阻器R1和R2仍可具有優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)榕c電阻器R1和R2是具有帶有不同溫度依賴性的不同類型的電阻器的情況相比，輸出電壓Vo1的溫度依賴性更小。

應(yīng)力靈敏度甚至可進(jìn)一步增加。

圖2示出具有輸出電壓Vo2的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖。圖2的電路圖基于圖1。

與圖1相比，節(jié)點(diǎn)103未連接到NMOS 108的柵極。替代地，節(jié)點(diǎn)102經(jīng)由電流源201連接到節(jié)點(diǎn)202。節(jié)點(diǎn)202連接到NMOS 203的漏極。NMOS 203的源極連接到地。NMOS 203的柵極連接到節(jié)點(diǎn)202并且連接到NMOS 108的柵極。朝著節(jié)點(diǎn)202提供電流I1。

電流I1被包括NMOS 203和NMOS 108的可調(diào)整電流反射鏡鏡像，并且電流I1被迫流經(jīng)具有壓電系數(shù)π₂<0的電阻器R2。電流I0被包括NMOS 107和NMOS 106的電流反射鏡鏡像，并且從npn晶體管104的發(fā)射極獲得電流I0。在那里，它引起流經(jīng)具有壓電系數(shù)π₁>0的電阻器R1的基極電流。

因此，根據(jù)圖2，能夠使電流I0和I1變得應(yīng)力依賴，其中與電流I1的應(yīng)力依賴性相比，能夠使電流I0的應(yīng)力依賴性處于相反方向。因此，隨著增加的應(yīng)力，電流中的一個(gè)增加，另一個(gè)電流減小，這導(dǎo)致輸出電壓Vo2的應(yīng)力靈敏度的顯著增加。

在圖2中，從與電阻器R2相同的類型的電阻得到電流I0。因此，電流I0的應(yīng)力依賴性具有與電阻器R2的應(yīng)力依賴性相同的大小和相反的符號(hào)。

電流I0被發(fā)送通過晶體管104，晶體管104的電流增益β減小。因此，基極電流比電流I0甚至增加得更多。由于電阻器R1也增加，所以電阻器R1上的電壓顯著增加。相反地，電流I1減小，因?yàn)閺淖鳛樵黾拥碾娮杵鱎1的類型得到電流I1。這個(gè)電流I1被鏡像到減小的電阻器R2中，使得R2上的電壓比電流I1減小得更多。因此，輸出電壓Vo2與總計(jì)的成比例，輸出電壓Vo2是在電阻器R1和R2將會(huì)相同的情況下的幾乎4.5倍。

要注意的是，電阻器的“類型”可包括下面的任何類型：

–垂直n摻雜電阻器，

–橫向n摻雜電阻器，

–可被按照L形布置(在xy平面中是平面的)的電阻器，

–外延層中的橫向電阻器，

–多晶硅電阻器，

–p摻雜電阻器，例如布置在npn晶體管的p摻雜基極中的電阻器。

相同類型的電阻器可具有(基本上)相同的溫度系數(shù)和相同的應(yīng)力依賴性，但它們可具有不同的電阻值。

該電路利用npn晶體管104。然而，能夠以類似方式應(yīng)用pnp型晶體管。

圖3示出利用pnp晶體管306的具有輸出電壓Vo3的應(yīng)力傳感器的示例性電路圖。

晶體管306的發(fā)射極經(jīng)由電流源302連接到節(jié)點(diǎn)303。作為選擇，該電流源可以是可調(diào)整的。節(jié)點(diǎn)303經(jīng)由電流源301連接到節(jié)點(diǎn)304。節(jié)點(diǎn)303可連接到電源電壓。節(jié)點(diǎn)304經(jīng)由電阻器R3連接到地。晶體管306的基極連接到節(jié)點(diǎn)305。節(jié)點(diǎn)305經(jīng)由電阻器R4連接到地。晶體管306的集電極連接到地。從節(jié)點(diǎn)303朝著節(jié)點(diǎn)304傳送電流I3，并且從節(jié)點(diǎn)303朝著晶體管306的發(fā)射極傳送電流I4。在節(jié)點(diǎn)304和節(jié)點(diǎn)305之間提供輸出電壓Vo3。

如以上所指示，晶體管的電流增益也可取決于溫度。因此，輸出電壓的溫度漂移可被補(bǔ)償。在這個(gè)方面，補(bǔ)償指代減小溫度漂移或基于這種溫度漂移的負(fù)面影響。本文中描述的補(bǔ)償可指代這種負(fù)面影響的部分或完全補(bǔ)償。通過利用至少一個(gè)npn型晶體管和至少一個(gè)pnp型晶體管的組合，可特別地減小溫度漂移。

圖4示出用于減小溫度漂移的示例性電路。節(jié)點(diǎn)407(節(jié)點(diǎn)407可連接到電源電壓)連接到pnp晶體管401的發(fā)射極。晶體管401的集電極連接到節(jié)點(diǎn)403，節(jié)點(diǎn)403連接到npn晶體管402的集電極。晶體管402的發(fā)射極連接到地。

電流源405連接在pnp晶體管401的基極和地之間。電流I₄₀₁從晶體管401的基極朝著地流動(dòng)。

電流源406連接在節(jié)點(diǎn)408和npn晶體管402的基極之間。電流I₄₀₂從節(jié)點(diǎn)408朝著晶體管402的基極流動(dòng)。要注意的是，節(jié)點(diǎn)407和節(jié)點(diǎn)408可連接到至少一個(gè)電源電壓，特別地連接到不同的電源電壓。

經(jīng)由節(jié)點(diǎn)403提供輸出電流Io4。作為選擇，節(jié)點(diǎn)403可連接到電流源409以提供偏移。

電流源406強(qiáng)迫npn晶體管402的基極電流I₄₀₂，并且電流源405強(qiáng)迫pnp晶體管401的基極電流I₄₀₁。npn晶體管402和pnp晶體管401的集電極端子短路。如果電阻負(fù)載連接到節(jié)點(diǎn)403，則輸出電流Io4導(dǎo)致兩種集電極電流的差異。因此，輸出電流Io4如下與npn或pnp晶體管的單個(gè)集電極電流相比具有高機(jī)械應(yīng)力靈敏度和降低的溫度依賴性：

。

此外，像上述示例中一樣，能夠基于不同比率從單個(gè)電流得到電流I₄₀₁、I₄₀₂。

不同類型的電阻器可被用于增加(或調(diào)整)應(yīng)力靈敏度的水平也是一種選擇。

可有益地提供電路，使得電流I₄₀₂隨著機(jī)械應(yīng)力而減小，因?yàn)閚pn晶體管402的電流增益也隨著機(jī)械應(yīng)力而減小。因此，晶體管402的集電極電流甚至隨著機(jī)械應(yīng)力而更有力地減小。相反地，電流I₄₀₁可隨著應(yīng)力而增加，因?yàn)閜np晶體管401的電流增益隨著應(yīng)力而增加。因此，晶體管401的集電極電流甚至隨著應(yīng)力而更有力地增加。電流I₄₀₂、I₄₀₁中的至少一個(gè)可以是可修整的以解決電阻器的制造效應(yīng)和/或晶體管的電流增益。

一種選擇是，對(duì)于輸出節(jié)點(diǎn)403增加或減少進(jìn)一步電流(這由電流源409指示)，以便移動(dòng)輸出電流Io4的零點(diǎn)(即，Io4=0處的應(yīng)力和溫度)并且修整輸出電流Io4的應(yīng)力依賴性。

圖5示出用于減小溫度漂移的示例性電路。節(jié)點(diǎn)506經(jīng)由電流源503連接到pnp晶體管501的發(fā)射極。晶體管501的集電極連接到地。節(jié)點(diǎn)507經(jīng)由可選的(可調(diào)整的)電流源504連接到npn晶體管502的集電極，晶體管502的發(fā)射極連接到地。晶體管501的基極連接到晶體管502的基極。經(jīng)由節(jié)點(diǎn)508提供輸出電流Io5，節(jié)點(diǎn)508連接到晶體管502的集電極。

節(jié)點(diǎn)506和節(jié)點(diǎn)507可連接到至少一個(gè)電源電壓。

npn晶體管502的集電極電流等于npn晶體管502的電流增益與pnp晶體管501的電流增益之比，使得npn晶體管502的集電極電流的應(yīng)力依賴性與npn晶體管502的壓電系數(shù)減去pnp晶體管501的壓電系數(shù)的減法成比例，由此公共熱漂移抵消(可至少部分地抵消，特別地完全抵消)。因此，npn晶體管502的集電極電流I_cn總計(jì)：

其中I_ep是pnp晶體管501的發(fā)射極電流。

通過對(duì)節(jié)點(diǎn)508增加或減少特別地與電流I_ep成比例的電流，能夠修整輸出電流Io5的應(yīng)力依賴性。由電流源504及其與電流源503的連接示例性地指示這一點(diǎn)。要注意的是，可選的電流的極性可以是任意的，使得可選的電流可流入到輸出節(jié)點(diǎn)508中以及可選的電流可從輸出節(jié)點(diǎn)508流出。

根據(jù)圖5中示出的示例，晶體管501和502的基極電流是相同的。由于pnp晶體管501的電流增益可低于npn晶體管502的電流增益，所以電流I_ep可顯著小于電流I_cn。如果pnp晶體管501的發(fā)射極面積是npn晶體管502的發(fā)射極面積的1/5至1/20，則可使兩個(gè)電流I_ep和I_cn相似。一種選擇也是，提取pnp晶體管501的基極電流，例如由電流反射鏡操縱該基極電流，并且再一次吸收來自npn晶體管502的基極的該基極電流。這可適合于將“大”pnp基極電流減小至“小”npn基極電流的水平。

要注意的是，晶體管501和502可被實(shí)現(xiàn)為組合結(jié)構(gòu)。它可例如利用4層結(jié)構(gòu)，例如pnpn結(jié)構(gòu)。

圖6示出用于減小溫度漂移的替代電路。PMOS 603(p溝道MOSFET)的柵極連接到節(jié)點(diǎn)607并且連接到PMOS 604的柵極。PMOS 603的漏極連接到pnp晶體管601的發(fā)射極，其中這個(gè)晶體管601的集電極連接到地。PMOS 603的源極連接到節(jié)點(diǎn)610。PMOS 603和PMOS 604可被視為經(jīng)由應(yīng)用于節(jié)點(diǎn)607的信號(hào)控制的電流源。PMOS 604可以是可調(diào)整的。

晶體管601的基極連接到npn晶體管602的基極。晶體管602的集電極連接到節(jié)點(diǎn)608，并且晶體管602的發(fā)射極連接到節(jié)點(diǎn)605。節(jié)點(diǎn)605經(jīng)由電阻器R5連接到地。

PMOS 604的源極連接到節(jié)點(diǎn)609，并且PMOS 604的漏極連接到節(jié)點(diǎn)606。節(jié)點(diǎn)606經(jīng)由電阻器R6連接到地。

節(jié)點(diǎn)608、609和610(或這些節(jié)點(diǎn)的一部分)可連接到相同的電源電壓或連接到不同的電源電壓。

跨節(jié)點(diǎn)605和606提供輸出電壓Vo6。

根據(jù)圖6，可使用流經(jīng)電阻器R5的npn晶體管602的發(fā)射極電流。將電阻器R5上的電壓降與電阻器R6上的電壓降進(jìn)行比較，電阻器R6上的電壓降對(duì)應(yīng)于經(jīng)過R6的原電流。因此，與圖1至圖3中示出的實(shí)施例相比改進(jìn)了輸出電壓Vo6的溫度穩(wěn)定性，因?yàn)閚pn晶體管602和pnp晶體管601的電流增益的溫度系數(shù)(幾乎或完全)彼此抵消。

圖7示出通過解耦npn晶體管的集電極電流并且根據(jù)圖5中描繪的實(shí)施例使用這個(gè)集電極電流來組合圖5和圖6中示出的電路的電路的另一示例。

將電源電壓饋送給節(jié)點(diǎn)709。節(jié)點(diǎn)709經(jīng)由電流源701連接到節(jié)點(diǎn)711。NMOS 702的漏極連接到節(jié)點(diǎn)711。節(jié)點(diǎn)711還連接到NMOS 702的柵極和(可調(diào)整)NMOS 703的柵極。NMOS 702的源極和NMOS 703的源極連接到地。

節(jié)點(diǎn)710連接到npn晶體管704的集電極。晶體管704的發(fā)射極連接到NMOS 703的漏極。晶體管704的基極連接到pnp晶體管705的基極。晶體管705的集電極連接到地，并且晶體管705的發(fā)射極連接到節(jié)點(diǎn)712。節(jié)點(diǎn)712經(jīng)由電阻器R7連接到節(jié)點(diǎn)709。

節(jié)點(diǎn)709經(jīng)由電阻器R8連接到節(jié)點(diǎn)713，并且節(jié)點(diǎn)713連接到npn晶體管706的集電極。晶體管706的發(fā)射極連接到地，并且晶體管706的基極連接到pnp晶體管707的基極。晶體管707的集電極連接到地，并且晶體管707的發(fā)射極經(jīng)由電流源708連接到節(jié)點(diǎn)709。

跨節(jié)點(diǎn)712和713提供輸出電壓Vo7。

圖7的這個(gè)電路提供具有特定應(yīng)力依賴性的電流(例如，以便偏置霍耳效應(yīng)裝置，由此抵消壓電-霍爾依賴性的大部分)，并且該電路提供另外的應(yīng)力傳感器輸出信號(hào)，所述另外的應(yīng)力傳感器輸出信號(hào)可被用于布置在管芯上的一些電路的應(yīng)力感生漂移的精確補(bǔ)償目的。

圖5和圖6的實(shí)施例具有兩個(gè)基極發(fā)射極結(jié)，即串聯(lián)連接的pnp晶體管的基極發(fā)射極結(jié)和npn晶體管的基極發(fā)射極結(jié)。然而，電流被注入到pnp晶體管(即，圖5中的晶體管501和圖6中的晶體管601)的發(fā)射極中。作為替代實(shí)施例，也可從npn晶體管的發(fā)射極獲得電流。然后，pnp晶體管的發(fā)射極電流可被解耦并且經(jīng)電阻器發(fā)送。

根據(jù)圖7，電流I₇₁₄(流入到pnp晶體管705的發(fā)射極中的電流)和電流I₇₁₅(從電流源701朝著節(jié)點(diǎn)711流動(dòng)的電流)之比總計(jì)：

。

圖7的電路的右側(cè)部分716類似于圖6中示出的電路。與圖6相比，部分716利用npn集電極電流I₇₁₈而不是npn發(fā)射極電流。要注意的是，具有大電流增益β的npn晶體管的發(fā)射極電流和集電極電流之差可以是可忽略的。

電流I₇₁₈(流入到npn晶體管706的集電極中的電流)和電流I₇₁₉(流入到pnp晶體管707的發(fā)射極中的電流)之比總計(jì)：

。

與電流比 (其對(duì)應(yīng)于圖7中示出的電路的左手側(cè)的部分717)相比，這個(gè)電流比(其對(duì)應(yīng)于圖7中示出的電路的部分716)具有帶有相反的符號(hào)的應(yīng)力依賴性。因此，如果比較電阻器R7和R8上的電壓降(通過輸出電壓Vo7)，則能夠獲得兩倍的機(jī)械應(yīng)力靈敏度。

還要注意的是，圖7的電路在沒有增加溫度漂移的缺點(diǎn)的情況下增加總體應(yīng)力靈敏度，因?yàn)樽髠?cè)部分717和右側(cè)部分716各自基本上得到溫度補(bǔ)償。

圖5至圖7的實(shí)施例各自示出：npn晶體管和pnp晶體管通過它們的基極來耦合(直接或間接)。因此，晶體管中的一個(gè)的基極電流是從另一晶體管的基極電流得到的。作為替代方案，npn晶體管和pnp晶體管可經(jīng)由它們的發(fā)射極耦合。

圖8A示出其中由電流源將電流注入到npn晶體管803的基極中的另一電路。

PMOS 801的柵極連接到節(jié)點(diǎn)806并且連接到PMOS 802的柵極。PMOS 801的漏極連接到npn晶體管803的基極。PMOS 801的源極連接到節(jié)點(diǎn)807。PMOS 801和PMOS 802可(各自)被視為經(jīng)由應(yīng)用于節(jié)點(diǎn)806的信號(hào)控制的電流源。PMOS 802可以是可調(diào)整的。PMOS 802的源極連接到節(jié)點(diǎn)808，并且PMOS的漏極連接到節(jié)點(diǎn)810。

晶體管803的集電極連接到節(jié)點(diǎn)809，并且晶體管803的發(fā)射極連接到pnp晶體管804的發(fā)射極。晶體管804的集電極連接到地。晶體管804的基極連接到電流反射鏡805的輸入，電流反射鏡805的輸出連接到節(jié)點(diǎn)810。電流反射鏡也連接到地。

經(jīng)由節(jié)點(diǎn)810提供輸出電流Io8。節(jié)點(diǎn)807、808和809(或這些節(jié)點(diǎn)的一部分)可連接到相同的電源電壓或連接到不同的電源電壓。

因此，電流經(jīng)由PMOS 801(作為電流源)被注入到npn晶體管803的基極中。晶體管803的發(fā)射極電流流入到pnp晶體管804的發(fā)射極中。流經(jīng)pnp晶體管804的電流被電流反射鏡805鏡像，并且與從流入到npn晶體管803的基極中的原電流縮放的由PMOS 802(作為電流源)提供的電流進(jìn)行比較(例如，從由PMOS 802提供的電流減去流經(jīng)pnp晶體管804的電流)。再一次，輸出電流Io8基本上得到溫度補(bǔ)償并且應(yīng)力依賴。

替代地，有可能吸收來自pnp晶體管804的基極的電流，將npn晶體管803的基極連接到電流反射鏡的輸入，并且比較兩個(gè)基極電流。

在圖8B中指示這種方案。這里，晶體管803的集電極連接到節(jié)點(diǎn)809，并且晶體管803的發(fā)射極連接到pnp晶體管804的發(fā)射極。晶體管804的集電極連接到地。晶體管804的基極經(jīng)由電流源811連接到地，從而提供電流I₈₁₅。晶體管803的基極連接到電流反射鏡810的輸入。電流反射鏡810的輸出提供電流I₈₁₆。能夠?qū)㈦娏鱅₈₁₅和I₈₁₆進(jìn)行比較以提供應(yīng)力依賴輸出電流信號(hào)。

要注意的是，本文中描述的晶體管(即，pnp型晶體管(也被稱為pnp晶體管)和npn型晶體管(也被稱為npn晶體管))優(yōu)選地是雙極型結(jié)型晶體管。它們可以是基底雙極型晶體管，其中一個(gè)連接是基底。

還要注意的是，能夠使用MOSFET或雙極型結(jié)型晶體管實(shí)現(xiàn)電流反射鏡。

一種選擇是，電流增益的溫度系數(shù)被(完全地或至少部分地)補(bǔ)償，使得輸入電流獲得相反的溫度系數(shù)。關(guān)于圖1中可視化的示例，電流I0可具有溫度系數(shù)，使得考慮到變化的溫度，

常數(shù)。

因此，如果電流增益β每開爾文(K)增加2%，則電流I0也每K增加2%。出于這種考慮，可忽略電阻器R1和R2。

因此，一種選擇是，被迫流經(jīng)所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管(從其電流增益得到機(jī)械應(yīng)力水平)的電流具有與其電流增益基本上相同的溫度依賴性。

一種選擇也是，電路包括用于與所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的溫度依賴性相比減小輸出信號(hào)的溫度依賴性的構(gòu)件。

例如，對(duì)于圖4，這也可適用：通過將與晶體管401的電流增益β的溫度系數(shù)的倒數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度系數(shù)添加到電流源405，能夠使晶體管401的集電極電流相對(duì)于溫度不變(即，在溫度變化的情況下，由晶體管401提供的電流不改變)，即

因此，如果晶體管401的電流增益β^pnp隨著上升的溫度而增加，則電流I₄₀₁減小(經(jīng)由控制電流源405)，使得根據(jù)以上的公式的乘積(基本上)不變。

這同樣可適用于晶體管402和電流源406。

因此，可控制電流源405、406，使得晶體管401和402的集電極電流各自相對(duì)于變化的溫度而言不變。此外，可控制電流源405、406(以及可選地的是電流源409)，使得輸出電流Io4相對(duì)于變化的溫度不變，即：

其中I₄₀₉是由電流源409提供的電流。

作為結(jié)果，存在三個(gè)自由度(即，電流I₄₀₉、I₄₀₁和I₄₀₂)以達(dá)到(基本上)溫度不變性的目標(biāo)。

一種選擇也是，考慮輸出電流Io4自身的溫度系數(shù)，并且提供用于在隨后的處理階段中補(bǔ)償輸出電流Io4的溫度變化的構(gòu)件。例如，輸出電流Io4能夠由模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)字化并且在數(shù)字電路(例如，微控制器或處理器)中被處理。要注意的是，這種數(shù)字化并且可選地的是處理的信號(hào)能夠被視為電路的輸出電流，因?yàn)樗谳敵鲭娏鱅o4。轉(zhuǎn)換到數(shù)字域可具有優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樗峁┖艽蟪潭鹊撵`活性并且它可利用已經(jīng)存在的數(shù)字部件。例如，在許多應(yīng)用和電路中，存在模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及微控制器，使得可在目前情況下利用它們，而不需要另外的硬件(或僅非常有限的硬件)。

本文中提出的示例可特別地基于下面的解決方案中的至少一種解決方案。特別地，能夠利用下面的特征的組合以便達(dá)到期望的結(jié)果。方法的特征能夠與裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的（一個(gè)或多個(gè)）任何特征組合，或者反之亦然。

提出一種用于提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)的電路，所述電路包括：

–至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管，

–其中所述電路被布置為

–基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第一機(jī)械應(yīng)力水平并且基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第二機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

因此，基于施加于電路(特別地，施加于電路的至少一個(gè)晶體管)的機(jī)械應(yīng)力的改變提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

在實(shí)施例中，所述電路包括：處理單元，用于確定第一和第二機(jī)械應(yīng)力水平并且用于提供機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

在實(shí)施例中，基于第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平之間的比較確定機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

在實(shí)施例中，經(jīng)由第一雙極型結(jié)型晶體管的三個(gè)端子中的至少兩個(gè)端子確定第一機(jī)械應(yīng)力水平，并且經(jīng)由第一雙極型結(jié)型晶體管的三個(gè)端子中的相同的兩個(gè)端子或不同的兩個(gè)端子確定第二機(jī)械應(yīng)力水平。

在實(shí)施例中，

–所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括第一雙極型結(jié)型晶體管和第二雙極型結(jié)型晶體管，

–經(jīng)由第一雙極型結(jié)型晶體管的三個(gè)端子中的至少兩個(gè)端子確定第一機(jī)械應(yīng)力水平，并且經(jīng)由第二雙極型結(jié)型晶體管的三個(gè)端子中的相同的兩個(gè)端子或不同的兩個(gè)端子確定第二機(jī)械應(yīng)力水平。

在實(shí)施例中，第一雙極型結(jié)型晶體管是pnp型晶體管并且第二雙極型結(jié)型晶體管是npn型晶體管，或者反之亦然。

在實(shí)施例中，

–所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括第一雙極型結(jié)型晶體管和第二雙極型結(jié)型晶體管，

–第一雙極型結(jié)型晶體管是pnp型晶體管并且第二雙極型結(jié)型晶體管是npn型晶體管，

–由此，所述電路強(qiáng)迫基極電流或發(fā)射極電流或集電極電流之比相對(duì)于機(jī)械應(yīng)力不變。

要注意的是，“不變”也包括基本上不變。作為進(jìn)一步示例，第一雙極型結(jié)型晶體管和第二雙極型結(jié)型晶體管可經(jīng)由它們的基極端子、經(jīng)由它們的集電極端子或經(jīng)由它們的發(fā)射極端子直接(或基本上直接)連接。

所述電路包括不同類型(npn和pnp類型)的兩個(gè)雙極型結(jié)型晶體管以及所述兩個(gè)雙極型結(jié)型晶體管利用它們的相同類型(發(fā)射極、集電極或基極)的端子之一連接具有溫度補(bǔ)償?shù)膬?yōu)點(diǎn)，并且增加所述電路的機(jī)械應(yīng)力靈敏度。

在實(shí)施例中，

–所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括至少一個(gè)pnp型晶體管和至少一個(gè)npn型晶體管，

–npn型晶體管的組合發(fā)射極面積大于pnp型晶體管的組合發(fā)射極面積。

在實(shí)施例中，

–所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括第一數(shù)量的pnp型晶體管和第二數(shù)量的npn型晶體管，

–第二數(shù)量高于第一數(shù)量，

–至少一個(gè)pnp型晶體管連接到至少兩個(gè)npn型晶體管。

因此，單個(gè)pnp晶體管可連接到幾個(gè)npn晶體管?？山?jīng)由相同類型的端子實(shí)現(xiàn)這種連接；即，pnp晶體管的發(fā)射極可連接到幾個(gè)npn晶體管的發(fā)射極。替代于發(fā)射極，可使用基極或集電極端子。

在實(shí)施例中，電流增益包括下面的電流中的兩種電流之比：

–基極電流；

–集電極電流；

–發(fā)射極電流。

在實(shí)施例中，所述電路還包括：調(diào)整部件，用于確定第一機(jī)械應(yīng)力水平并且用于存儲(chǔ)第一機(jī)械應(yīng)力水平。

因此，在所述電路的生產(chǎn)和/或組裝之后，能夠確定第一機(jī)械應(yīng)力水平?？捎芍圃焐袒蛴伤鲭娐返挠脩?在應(yīng)用場(chǎng)景中)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。也可在所述電路的運(yùn)行時(shí)期間實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。第一機(jī)械應(yīng)力水平可被存儲(chǔ)例如在存儲(chǔ)器(例如，EPROM)中。

第一機(jī)械應(yīng)力水平能夠被調(diào)整以提供預(yù)定結(jié)果，例如參考電壓或參考電流。存儲(chǔ)用于獲得這種預(yù)定結(jié)果的參數(shù)。這種參數(shù)允許將第一機(jī)械應(yīng)力水平調(diào)整至能夠有益于以后的使用情況場(chǎng)景的參考應(yīng)力水平：例如，可選擇參考應(yīng)力水平，使得在這個(gè)參考應(yīng)力水平附近的偏差(該偏差由相應(yīng)使用情況場(chǎng)景產(chǎn)生)處于要被檢測(cè)和處理的優(yōu)選范圍中。

在實(shí)施例中，調(diào)整部件包括下面各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：

–可調(diào)整電流源，

–可調(diào)整電阻器。

電流源可由MOSFET或雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)。

在實(shí)施例中，調(diào)整部件包括溫度傳感器，溫度傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)由溫度傳感器確定的溫度調(diào)整第一機(jī)械應(yīng)力水平。

一種選擇特別地的是，也基于由溫度傳感器確定的溫度控制可調(diào)整電流源。例如，控制單元可控制可調(diào)整電流源，使得根據(jù)實(shí)際溫度獲得用于第一機(jī)械應(yīng)力水平的預(yù)定結(jié)果(參考值)。

在實(shí)施例中，溫度傳感器被布置在所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的基底中或布置在所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的基底附近。

在實(shí)施例中，所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括下面各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：

–垂直雙極型結(jié)型晶體管，

–兩個(gè)橫向雙極型結(jié)型晶體管，其中所述兩個(gè)橫向雙極型結(jié)型晶體管被按照L形布置在基本上平行于管芯的表面的xy平面內(nèi)，

–包括至少一個(gè)橫向雙極型結(jié)型晶體管的布置，其中其基極電流的第一半在平行于基底的第一方向上流動(dòng)，并且該基極電流的第二半在平行于基底的第二方向上流動(dòng)，其中第一方向和第二方向基本上彼此正交，

–至少兩個(gè)級(jí)聯(lián)的雙極型結(jié)型晶體管。

在垂直雙極型結(jié)型晶體管中，基極電流(基本上)垂直于它的基底的表面流動(dòng)。在橫向雙極型結(jié)型晶體管中，基極電流(基本上)平行于基底的表面流動(dòng)。

在實(shí)施例中，被迫流經(jīng)所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流與其電流增益具有基本上相同的溫度依賴性。

在實(shí)施例中，

–在雙極型結(jié)型晶體管的基極處的電流被迫具有作為其電流增益的溫度依賴性的倒數(shù)的溫度依賴性，或者

–在雙極型結(jié)型晶體管的集電極或發(fā)射極處的電流被迫具有與其電流增益的溫度依賴性基本上相同的溫度依賴性。

在實(shí)施例中，所述電路包括用于與所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的溫度依賴性相比減小輸出信號(hào)的溫度依賴性的構(gòu)件。

此外，提供一種用于確定機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)的方法，所述方法包括：

–基于至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第一機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管的電流增益確定第二機(jī)械應(yīng)力水平，

–基于第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平確定機(jī)械應(yīng)力水平信號(hào)。

在實(shí)施例中，

–所述至少一個(gè)雙極型結(jié)型晶體管包括至少一個(gè)npn型晶體管和至少一個(gè)pnp型晶體管，

–通過比較npn型晶體管和pnp型晶體管的電流增益來確定第一機(jī)械應(yīng)力水平和第二機(jī)械應(yīng)力水平。

在實(shí)施例中，提供一種可直接加載到數(shù)字處理裝置的存儲(chǔ)器中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括用于執(zhí)行如本文中所述的方法的步驟的軟件代碼部分。

在一個(gè)或多個(gè)示例中，本文中描述的功能可被至少部分地實(shí)現(xiàn)在硬件諸如特定硬件部件或處理器中。更一般地講，技術(shù)可被實(shí)現(xiàn)在硬件、處理器、軟件、固件或其任何組合中。如果被實(shí)現(xiàn)在軟件中，則所述功能可被作為一個(gè)或多個(gè)指令或代碼存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上或者在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上作為一個(gè)或多個(gè)指令或代碼傳輸以及由基于硬件的處理單元執(zhí)行。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)對(duì)應(yīng)于有形介質(zhì)(諸如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì))或通信介質(zhì)(包括促進(jìn)例如根據(jù)通信協(xié)議將計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)地方傳送到另一個(gè)地方的任何介質(zhì))。以這種方式，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)通?？蓪?duì)應(yīng)于：(1)非暫態(tài)的有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，或(2)通信介質(zhì)(諸如，信號(hào)或載波)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)可以是能夠由一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)或一個(gè)或多個(gè)處理器訪問以檢索用于實(shí)現(xiàn)在本公開中描述的技術(shù)的指令、代碼和/或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的任何可用介質(zhì)。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。

舉例來說并且非限制性地，這種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)能夠包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲(chǔ)器、磁盤存儲(chǔ)器或其它磁存儲(chǔ)裝置、閃存或者能夠被用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲(chǔ)期望的程序代碼并且能夠由計(jì)算機(jī)訪問的任何其它介質(zhì)。此外，任何連接被合適地稱為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，即計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)。例如，如果使用同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、數(shù)字用戶線路(DSL)或無線技術(shù)(諸如，紅外、無線電和微波)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其它遠(yuǎn)程源傳輸指令，則同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、DSL或無線技術(shù)(諸如，紅外、無線電和微波)被包括在介質(zhì)的定義中。然而，應(yīng)該理解，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)不包括連接、載波、信號(hào)或其它暫態(tài)介質(zhì)，而是替代地涉及非暫態(tài)有形存儲(chǔ)介質(zhì)。如本文中所使用，磁盤和光盤包括壓縮盤(CD)、激光盤、光盤、數(shù)字通用盤(DVD)、軟盤和藍(lán)光光盤，其中磁盤通常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤利用激光光學(xué)地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上各項(xiàng)的組合也應(yīng)該被包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。

指令可由一個(gè)或多個(gè)處理器(諸如，一個(gè)或多個(gè)中央處理單元(CPU)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、通用微處理器、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列(FPGA)或其它等同的集成或分立邏輯電路)執(zhí)行。因此，如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“處理器”可指代任何前述的結(jié)構(gòu)或適合于實(shí)現(xiàn)本文中描述的技術(shù)的任何其它結(jié)構(gòu)。另外，在一些方面，可在被配置用于編碼和解碼或被合并在組合編碼解碼器中的專用硬件和/或軟件模塊內(nèi)提供本文中描述的功能。此外，能夠在一個(gè)或多個(gè)電路或邏輯元件中充分地實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)。

可在包括無線手機(jī)、集成電路(IC)或一組IC(例如，芯片組)的各種各樣裝置或設(shè)備中實(shí)現(xiàn)本公開的技術(shù)。在本公開中描述了各種部件、模塊或單元以強(qiáng)調(diào)被配置為執(zhí)行公開的技術(shù)的裝置的功能方面，但未必需要由不同的硬件單元實(shí)現(xiàn)。相反地，如上所述，可在單個(gè)硬件單元中組合各種單元，或者由一批互操作的硬件單元(如上所述包括一個(gè)或多個(gè)處理器)結(jié)合合適的軟件和/或固件提供各種單元。

雖然已公開本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠做出各種改變和修改，所述各種改變和修改將實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一些優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將明顯的是，執(zhí)行相同功能的其它部件可被合適地替換。應(yīng)該提及的是，參照特定附圖解釋的特征可與其它附圖的特征組合，即使在其中未明確地提及這一點(diǎn)的那些情況下也是如此。另外，可在使用適當(dāng)?shù)奶幚砥髦噶畹乃熊浖?shí)現(xiàn)方式中或在利用硬件邏輯和軟件邏輯的組合實(shí)現(xiàn)相同結(jié)果的混合實(shí)現(xiàn)方式中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法。對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的這種修改旨在要被所附權(quán)利要求覆蓋。