本發(fā)明涉及到IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)領(lǐng)域，特別涉及電磁爐IGBT開機(jī)保護(hù)。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品可靠性要求越來越高，在電磁爐日益普及的今天，各種IGBT開機(jī)保護(hù)電路也層出不窮，使電磁爐的可靠性越來越高。
在現(xiàn)有的技術(shù)中，很多IGBT開機(jī)保護(hù)電路是通過外部附加電路來實(shí)現(xiàn)的，這些電路不僅可靠性不夠，而且?guī)砀郊映杀尽?/p>
本發(fā)明借鑒于以上問題，結(jié)合相關(guān)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)及專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)電磁爐IGBT器件提出了基于驅(qū)動(dòng)芯片來保護(hù)IBGT的方法，使電磁爐IGBT的控制更加簡單，可靠。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了解決電磁爐控制系統(tǒng)在上電期間，MCU必須有一段上電復(fù)位時(shí)間，在此上電復(fù)位時(shí)間期間，若不對(duì)IGBT提供保護(hù)，將可能使IGBT長時(shí)間導(dǎo)通過流而損壞。為此，系統(tǒng)必須在上電期間對(duì)IGBT加以保護(hù)。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種在IGBT驅(qū)動(dòng)芯片中提供上電復(fù)位期間保護(hù)IGBT的方法，包括如下步驟：
1、在上電期間，產(chǎn)生一低電平復(fù)位信號(hào)，經(jīng)過一定時(shí)間后，復(fù)位信號(hào)變?yōu)楦唠娖叫盘?hào)，在低電平復(fù)位期間，芯片將關(guān)閉IGBT，以達(dá)到開機(jī)保護(hù)IGBT的目的；
2、將低電平復(fù)位信號(hào)與MCU控制IGBT的信號(hào)相與非而產(chǎn)生新的控制信號(hào)；
3、將新的控制信號(hào)處理及電平移位，使其直接控制IGBT，同時(shí)在處理電路中，使輸出信號(hào)在復(fù)位信號(hào)為低電平“0”時(shí)，輸出為低電平，在復(fù)位信號(hào)為高電平“1”時(shí)，僅跟隨MCU控制信號(hào)變化。
附圖說明
圖1為實(shí)施方案原理框圖。
圖中同相端A，反相端B均為來自MCU控制信號(hào)，不同驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，接入信號(hào)不同，具體接入方法在具體實(shí)施方式中描述。
具體實(shí)施方式
以下是本發(fā)明的實(shí)施方案，由于在電磁爐控制系統(tǒng)中，有MCU輸出高電平時(shí)開啟IGBT和MCU輸出低電平時(shí)開啟IGBT兩種方式；因此，此說明書中將MCU高電平和低電平開啟IGBT兩種方式集中在一起描述說明，如果將驅(qū)動(dòng)芯片做為MCU高電平開啟IGBT和MCU低電平開啟IGBT兩種獨(dú)立的芯片，亦在該專利保護(hù)之列。該發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)在于圖1中F信號(hào)的產(chǎn)生。
一、MCU高電平輸出信號(hào)開啟IGBT方式：
001、在MCU高電平輸出信號(hào)開啟IGBT方式下，信號(hào)由同相端A接入，反相端B懸空不接；
002、在上電期間，復(fù)位信號(hào)C為一低電平，經(jīng)過一定時(shí)間(約200毫秒)后，復(fù)位信號(hào)C變?yōu)楦唠娖叫盘?hào)；
003、將復(fù)位信號(hào)C與控制信號(hào)D及E相與非而產(chǎn)生新的控制信號(hào)F；
004、將新的控制信號(hào)F電平移位產(chǎn)生新的控制信號(hào)G，控制信號(hào)F在VCC(一般情況為5V)電平時(shí)，控制信號(hào)G輸出為VDD(一般情況為15V)，控制信號(hào)F在0電平時(shí)，控制信號(hào)G輸出為0電平，以控制IGBT。
二、MCU低電平輸出信號(hào)開啟IGBT方式：
005、在MCU低電平輸出信號(hào)開啟IGBT方式下，信號(hào)由反相端B接入，同相端A懸空不接；
006、在上電期間，復(fù)位信號(hào)C為一低電平，經(jīng)過一定時(shí)間(約200毫秒)后，復(fù)位信號(hào)C變?yōu)楦唠娖叫盘?hào)；
007、將復(fù)位信號(hào)C與控制信號(hào)D及E相與非而產(chǎn)生新的控制信號(hào)F；
008、將新的控制信號(hào)F電平移位產(chǎn)生新的控制信號(hào)G，控制信號(hào)F在VCC(一般情況為5V)電平時(shí)，控制信號(hào)G輸出為VDD(一般情況為15V)，控制信號(hào)F在0電平時(shí)，控制信號(hào)G輸出為0電平，以控制IGBT。