一種適用于smd石英晶體諧振器1612的石英晶片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及石英晶片【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，包括呈雙凸形的晶片本體，所述晶片本體的長(zhǎng)度為I.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm，所述晶片本體的上表面和下表面均設(shè)置有呈長(zhǎng)方形的鍍銀電極，晶片本體的中線和鍍銀電極的中線之間的距離為0.2-0.8mn，所述鍍銀電極包括基礎(chǔ)電極和鍍?cè)谒龌A(chǔ)電極上表面的鍍銀層，所述基礎(chǔ)電極和鍍銀層之間還鍍有一層厚度為60-80ym的鍍鉻層。本實(shí)用新型所述的石英晶片能夠滿足石2英晶體諧振器2016的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
【專利說(shuō)明】 —種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及石英晶片【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片。

【背景技術(shù)】
[0002]石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元件，由于石英晶體諧振器具有頻率穩(wěn)定度高的特點(diǎn)，在電子領(lǐng)域一直占有比較重要的地位。信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，更是促使了這種晶振器的蓬勃發(fā)展。它在遠(yuǎn)程通信、移動(dòng)電話系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、導(dǎo)航、遙控、航空航天、高速計(jì)算機(jī)、精密計(jì)測(cè)器以及消費(fèi)類民用電子產(chǎn)品中占有重要的地位。
[0003]同時(shí)為了節(jié)能減耗，國(guó)際上的電路板的尺寸越做越小，所需要的電子元器件在保證性能的情況下的尺寸也越來(lái)越小，國(guó)際上SMD表面貼裝石英晶體諧振器不斷地向小型化、高精度的趨勢(shì)發(fā)展。根據(jù)SMD石英晶體諧振器1612的基座內(nèi)部空間結(jié)構(gòu)尺寸，目前的晶片尺寸不僅不能滿足諧振器型號(hào)1612的要求，還造成了該小型晶片的產(chǎn)出率低，原材料和輔助材料消耗高，相應(yīng)生產(chǎn)成本也較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，該石英晶片能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0005]本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，包括呈雙凸形的晶片本體，所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.1-1.0mm，寬度為
0.8-0.65mm，所述晶片本體的上表面和下表面均設(shè)置有呈長(zhǎng)方形的鍍銀電極，晶片本體的中線和鍍銀電極的中線之間的距離為0.2-0.8_，所述鍍銀電極包括基礎(chǔ)電極和鍍?cè)谒龌A(chǔ)電極上表面的鍍銀層，所述基礎(chǔ)電極和鍍銀層之間還鍍有一層厚度為60-80 μ m的鍍鉻層。
[0006]其中，所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.08-1.02mm,寬度為0.78-0.68mm。
[0007]其中，所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.08mm,寬度為0.78mm。
[0008]其中，所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.05mm,寬度為0.70mm。
[0009]其中，所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.02mm,寬度為0.68mm。
[0010]其中，所述晶片本體的四周設(shè)置有弧形倒邊。
[0011]其中，所述晶片本體邊緣的厚度是中央的厚度的一半。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型所述的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是本實(shí)用新型所述鍍銀電極的局部剖視圖。
[0015]圖3是本實(shí)用新型所述晶片本體的主視圖。
[0016]圖4是本實(shí)用新型所述晶片本體的俯視圖。
[0017]圖5是本實(shí)用新型所述晶片本體的右視圖。
[0018]附圖標(biāo)記為:1 一晶片本體、2—弧形倒邊、3—鍛銀電極、31—基礎(chǔ)電極、32—鍛絡(luò)層、33鍛銀層。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖1-5對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0020]見(jiàn)圖1-5，一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，包括呈雙凸形的晶片本體I，所述晶片本體I的長(zhǎng)度A為1.1-1.0mm,寬度B為0.8-0.65mm。
[0021]所述晶片本體I的上表面和下表面均設(shè)置有呈長(zhǎng)方形的鍍銀電極3，晶片本體I的中線Hl和鍍銀電極3的中線H2之間的距離H為0.2-0.8mm。優(yōu)選的，晶片本體I的中線Hl和鍍銀電極3的中線H2之間的距離H為0.3-0.7mm ;更為優(yōu)選的，晶片本體I的中線Hl和鍍銀電極3的中線H2之間的距離H為0.3mm ;另一優(yōu)選的，晶片本體I的中線Hl和鍍銀電極3的中線H2之間的距離H為0.5mm ;另一優(yōu)選的，晶片本體I的中線Hl和鍍銀電極3的中線H2之間的距離H為0.7mm。本實(shí)用新型可以針對(duì)不同規(guī)格產(chǎn)品設(shè)計(jì)相應(yīng)的偏移量，產(chǎn)品的電阻集中、溫度測(cè)試無(wú)跳點(diǎn)，產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定。
[0022]所述鍍銀電極3包括基礎(chǔ)電極31和鍍?cè)谒龌A(chǔ)電極31上表面的鍍銀層33。在晶振的制造工藝中，需要對(duì)石英晶片貼裝電極，石英晶片的上、下兩個(gè)端面上貼裝不同極性的電極，并分別向石英晶片外側(cè)引出電引腳；基礎(chǔ)電極31的設(shè)置用于通過(guò)電引腳焊接在電路板中，鍍銀層33的設(shè)置用于形成鍍銀電極3，鍍銀層33能增強(qiáng)晶片本體I的導(dǎo)電性能。
[0023]所述基礎(chǔ)電極31和鍍銀層33之間還鍍有一層厚度為60-80 μ m的鍍鉻層32。優(yōu)選的，鍍鉻層32的厚度為65-75 μ m ;更為優(yōu)選的，鍍鉻層32的厚度為65 μ m ;另一優(yōu)選的，鍍鉻層32的厚度為70 μ m ;另一優(yōu)選的，鍍鉻層32的厚度為75 μ m。鍍鉻層32的設(shè)置使石英晶片與銀電極附著更牢固，不易脫落，且鍍鉻層32厚度為60-80 μ m，使得該石英晶振的電極附著更牢靠、產(chǎn)品老化率良好、并能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的DLD不良現(xiàn)象。
[0024]本實(shí)用新型所述的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0025]本實(shí)施例中，將一片大小為35mmX30mm的石英晶片分別加工成型號(hào)為2016的石英晶片和型號(hào)為1612的石英晶片進(jìn)行比較，兩種方案均按照最小的預(yù)留研磨量為0.07mm，切割磨損量為0.21mm計(jì)算,能夠產(chǎn)出型號(hào)為2016晶片尺寸為1.4mmxl.05mm石英晶片469片，能夠產(chǎn)出型號(hào)為1612晶片尺寸為1.05mmx0.75mm的石英晶片766片；與產(chǎn)出型號(hào)為2016的石英晶片相比，產(chǎn)出型號(hào)為1612的石英晶片，產(chǎn)品產(chǎn)出率提高了 63.10%。
[0026]本實(shí)施例中，所述晶片本體I的長(zhǎng)度A為1.08-1.02mm，寬度B為0.78-0.68mm。該范圍內(nèi)的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0027]本實(shí)施例中，所述晶片本體I的長(zhǎng)度A為1.08mm，寬度B為0.78mm。該范圍內(nèi)的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0028]本實(shí)施例中，所述晶片本體I的長(zhǎng)度A為1.05mm，寬度B為0.70mm。該范圍內(nèi)的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0029]本實(shí)施例中，所述晶片本體I的長(zhǎng)度A為1.02mm，寬度B為0.68mm。該范圍內(nèi)的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0030]本實(shí)施例中，所述晶片本體I的四周設(shè)置有弧形倒邊2。弧形倒邊2的設(shè)置可以有效地改善晶片組裝時(shí)所產(chǎn)生的邊緣效應(yīng)，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。
[0031]本實(shí)施例中，所述晶片本體I邊緣的厚度是中央的厚度的一半。通過(guò)將晶片本體I邊緣的厚度設(shè)置成中央的厚度的一半，得到的石英晶片對(duì)振蕩器電路的穩(wěn)頻效果好。
[0032]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)現(xiàn)方案，除此之外，本實(shí)用新型還可以其它方式實(shí)現(xiàn)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下任何顯而易見(jiàn)的替換均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，包括呈雙凸形的晶片本體，其特征在于:所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm，所述晶片本體的上表面和下表面均設(shè)置有呈長(zhǎng)方形的鍍銀電極，晶片本體的中線和鍍銀電極的中線之間的距離為0.2-0.8_，所述鍍銀電極包括基礎(chǔ)電極和鍍?cè)谒龌A(chǔ)電極上表面的鍍銀層，所述基礎(chǔ)電極和鍍銀層之間還鍍有一層厚度為60-80 μ m的鍍鉻層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.08-1.02mm,寬度為0.78-0.68mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.08mm,寬度為0.78mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.05mm,寬度為0.70_。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體的長(zhǎng)度為1.02mm,寬度為0.68mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體的四周設(shè)置有弧形倒邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于SMD石英晶體諧振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本體邊緣的厚度是中央的厚度的一半。
【文檔編號(hào)】H03H9/02GK204031089SQ201420419408
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】符清銘 申請(qǐng)人:廣東惠倫晶體科技股份有限公司