一種低阻抗的石英晶體諧振器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及石英晶體諧振器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種低阻抗的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域和‘第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠，晶片本體分別通過第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與基座粘接固定，第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均為40-60ym，晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為10-30ym。本實(shí)用新型能降低晶片本體的阻抗，減少阻抗不良品，可大幅度減少阻抗不良率4.61%以上，與同一工單的阻抗均值比較，改善后可下降4.3Q。
【專利說明】一種低阻抗的石英晶體諧振器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及石英晶體諧振器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種低阻抗的石英晶體諧振器。

【背景技術(shù)】
[0002]石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元件，隨著科技的發(fā)展和生活水平的提高，人們對電子產(chǎn)品不斷追求質(zhì)量輕、體積小、外觀美等優(yōu)點(diǎn)的產(chǎn)品。而石英晶體諧振器的壓電效應(yīng)能夠?yàn)殡娮赢a(chǎn)品提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號。為滿足現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)要求，石英晶體諧振器自身體積也不斷縮小，才能與智能化的電子產(chǎn)品完美結(jié)合。石英晶體諧振器在智能電子領(lǐng)域的作用如:1.手機(jī)的通話、攝像、衛(wèi)星定位等功能；2.汽車的引擎控制；
3.電子手表的計(jì)時(shí)功能等。從中體現(xiàn)出晶體扮演著不可缺少的重要角色。
[0003]為滿足石英晶體諧振器能正常穩(wěn)定起振，對于各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)要求特別高，如阻抗?，F(xiàn)有的小型石英晶體諧振器的阻抗偏大，阻抗不良品高，生產(chǎn)效益低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種低阻抗的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器的阻抗不良品低，生產(chǎn)效益高。
[0005]本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種低阻抗的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠，晶片本體分別通過第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與基座粘接固定，第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均為40-60 μ m，晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為10-30 μ m。
[0006]其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40-50 μ m，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20-30 μ m。
[0007]其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為50 μ m,所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為30 μ m。
[0008]其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為45 μ m,所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為25 μ m。
[0009]其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40 μ m,所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20 μ m。
[0010]其中，所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500 埃。
[0011]其中，所述鍍銀層與所述晶片本體之間設(shè)置有鍍鉻層。
[0012]其中，所述鍍鉻層的厚度為4(Γ50埃。
[0013]其中，所述上鍍膜層中部開設(shè)有刻蝕層，刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。
[0014]其中，所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型通過將第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均設(shè)置為40-60 μ m，晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離設(shè)置為10-30μπι，能降低晶片本體的阻抗，減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益；可大幅度減少阻抗不良4.61%以上，與同一工單的阻抗均值比較，改善后可下降4.3 Ω。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一所述晶片本體的剖視圖。
[0019]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的俯視圖。
[0021]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的主視圖。
[0022]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的右視圖。
[0023]附圖標(biāo)記為:1 一晶片本體、2—基座、11 一上鍛膜層、111 一刻蝕層、12—側(cè)面鍛膜層、13—下鍍膜層、14 一鍍鉻層、141 一第一涂覆區(qū)域、142—第二涂覆區(qū)域、151—第一導(dǎo)電膠、152—第二導(dǎo)電膠。

【具體實(shí)施方式】
[0024]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖1-7對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對本實(shí)用新型的限定。
[0025]如圖1-3所示為本實(shí)用新型所述一種低阻抗的石英晶體諧振器的實(shí)施例一，包括基座2和固定于基座2內(nèi)的晶片本體1，晶片本體I的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層11、側(cè)面鍍膜層12和下鍍膜層13，基座2內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域141和第二涂覆區(qū)域142，第一涂覆區(qū)域141設(shè)置有第一導(dǎo)電膠151，第二涂覆區(qū)域142設(shè)置有第二導(dǎo)電膠152，晶片本體I分別通過第一導(dǎo)電膠151、第二導(dǎo)電膠152與基座2粘接固定，第一導(dǎo)電膠151和第二導(dǎo)電膠152的高度E均為40-60 μ m,晶片本體I的底面與第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為10-30 μ m。
[0026]所述第一導(dǎo)電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141的左上角，第二導(dǎo)電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142的右上角；或者，所述第一導(dǎo)電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141的右上角，第二導(dǎo)電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142的左上角；或者，所述第一導(dǎo)電膠151涂布于第一涂覆區(qū)域141靠近頂部的中心位置，第二導(dǎo)電膠152涂布于第二涂覆區(qū)域142靠近頂部的中心位置。
[0027]本實(shí)用新型通過將第一導(dǎo)電膠151和第二導(dǎo)電膠152的高度均設(shè)置為40_60 μ m，晶片本體I的底面與第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離設(shè)置為10-30 μ m，能降低晶片本體I的阻抗，減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益；可大幅度減少阻抗不良4.61%以上，與同一工單的阻抗均值比較，改善后可下降4.3 Ω。
[0028]本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電膠151和所述第二導(dǎo)電膠152的高度E均為40_50 μ m,所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為20-30 μ m0該范圍內(nèi)的晶片本體I的阻抗較低，能減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益。
[0029]本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電膠151和所述第二導(dǎo)電膠152的高度E均為50 μ m,所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為30 μ m0該范圍內(nèi)的晶片本體I的阻抗較低，能減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益。
[0030]本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電膠151和所述第二導(dǎo)電膠152的高度E均為45 μ m,所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為25 μ m0該范圍內(nèi)的晶片本體I的阻抗較低，能減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益。
[0031]本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電膠151和所述第二導(dǎo)電膠152的高度E均為40 μ m,所述晶片本體I的底面與所述第一涂覆區(qū)域141、第二涂覆區(qū)域142的頂面之間的距離F為20 μ m0該范圍內(nèi)的晶片本體I的阻抗較低，能減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益。
[0032]本實(shí)施例中，所述上鍍膜層11、側(cè)面鍍膜層12、下鍍膜層13均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。鍍銀層作為電極使用，可以增強(qiáng)晶片本體I的導(dǎo)電性能，在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器。優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為3800-4200埃；更為優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為3800埃；另一優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為4000埃；另一優(yōu)選的，所述鍍銀層的厚度均為4200埃。通過將鍍銀層的厚度控制在3500-4500埃，晶片本體I的導(dǎo)電性能最佳。
[0033]本實(shí)施例中，所述鍍銀層與所述晶片本體I之間設(shè)置有鍍鉻層14。鍍鉻層14的設(shè)置使石英晶片與鍍銀層電極附著更牢固，不易脫落。
[0034]本實(shí)施例中，所述鍍鉻層14的厚度為4(Γ50埃。優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為42_48埃；更為優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為42埃；另一優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為45埃；另一優(yōu)選的，鍍鉻膜的厚度為48埃。采用鍍鉻膜，并控制其厚度為40-50埃時(shí)，使得該石英晶振的電極附著更牢靠、產(chǎn)品老化率良好、并能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的DLD不良現(xiàn)象。
[0035]如圖4所示為本實(shí)用新型所述一種低阻抗的石英晶體諧振器的實(shí)施例二，與上述實(shí)施例一的不同之處在于:所述上鍍膜層11中部開設(shè)有刻蝕層111，刻蝕層111的長邊與所述上鍍膜層11的長邊之間的距離C為0.25-0.40mm，刻蝕層111的短邊與上鍍膜層11的短邊之間的距離D為0.20-0.35mm。優(yōu)選，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.25-0.35mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.20-0.30mm ；更為優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.40mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.35mm;另一優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.30mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.25mm ;另一優(yōu)選的，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.25mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.20mm。本實(shí)用新型由于在刻蝕層111尺寸小于上鍍膜層11的尺寸，刻蝕掉中間一部分鍍膜材料，因此對高頻率FDLD參數(shù)影響小，并且可提高產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定性。
[0036]如圖5?7所示為本實(shí)用新型所述一種低阻抗的石英晶體諧振器的實(shí)施例三，與上述實(shí)施例一的不同之處在于:所述晶片本體I呈雙凸形，晶片本體I的長度A為1.1-1.0mm,寬度B為0.8-0.65mm。優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.08-1.02mm，寬度B為0.78-0.68mm;更為優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.08mm，寬度B為0.78mm ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.05mm,寬度B為0.70mm ;另一優(yōu)選的，所述晶片本體I的長度A為1.02mm,寬度B為0.68mm。本實(shí)用新型所述的石英晶片能夠滿足石英晶體諧振器1612的要求，生產(chǎn)時(shí)能提高單位晶片的產(chǎn)出率，且能降低單位產(chǎn)出晶片的原材料和輔助材料的消耗，相應(yīng)的生產(chǎn)成本較低。
[0037]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)現(xiàn)方案，除此之外，本實(shí)用新型還可以其它方式實(shí)現(xiàn)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下任何顯而易見的替換均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低阻抗的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，其特征在于:基座內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠，晶片本體分別通過第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與基座粘接固定，第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均為40-60 μ m,晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為10-30 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40-50 μ m,所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20-30 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為50 μ m，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為30 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為45 μ m，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為25 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40 μ m，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述鍍銀層與所述晶片本體之間設(shè)置有鍍鉻層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述鍍鉻層的厚度為40?50埃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述上鍍膜層中部開設(shè)有刻蝕層，刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于:所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm。
【文檔編號】H03H9/19GK204031090SQ201420417739
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】唐振桓 申請人:廣東惠倫晶體科技股份有限公司