一種電路開關及用電電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種電路開關及用電電路，屬于開關領域。所述電路開關包括：壓電陶瓷、濾波電路、共射放大電路、穩(wěn)壓電路、共集放大電路和可控硅管，壓電陶瓷與濾波電路電連接，共射放大電路分別與濾波電路和穩(wěn)壓電路電連接，共集放大電路分別與穩(wěn)壓電路和可控硅管的控制極電連接，所述可控硅管的正極與所述發(fā)光二極管負極電連接。本實用新型通過采用壓電陶瓷將壓力信號轉化為電信號，然后對電信號進行濾波、一級放大、穩(wěn)壓和二級放大，最后采用經過處理的電信號驅動可控硅管，當電量足夠大時，確定可控硅管導通，過段時間關閉，從而實現(xiàn)電路開關的功能，且這種開關不容易誤開，精度高。
【專利說明】—種電路開關及用電電路

【技術領域】
[0001]本實用新型屬于開關領域，特別涉及一種電路開關及用電電路。

【背景技術】
[0002]開關是指一個可以使電路開路、使電流中斷或使其流到其他電路的電子元件。
[0003]隨著電子技術的日益進步，傳統(tǒng)開關已經很難滿足日常生活中的應用場景。例如，過道照明燈需要在人經過時自動打開，一段時間后自動熄滅。現(xiàn)有技術中，過道照明燈一般是聲控開關，當開關感應到人聲或腳步聲時自動打開，在達到預定時間后熄滅。
[0004]在實現(xiàn)本實用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題:
[0005]聲控開關受聲音控制，在接收到非人聲時也會打開，因此容易誤開，精度不高。
實用新型內容
[0006]為了解決現(xiàn)有技術中聲控開關容易誤開，精度不高的問題，本實用新型提供了一種電路開關及用電電路。所述技術方案如下:
[0007]—方面，本實用新型實施例提供了一種電路開關，所述電路開關包括:
[0008]將壓力信號轉換為電信號的壓電陶瓷、對所述壓電陶瓷產生的所述電信號進行濾波的濾波電路、對濾波后的所述電信號進行一級放大的共射放大電路、對一級放大后的所述電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路、對穩(wěn)壓后的所述電信號進行二級放大的共集放大電路、接收所述共集放大電路輸出的經過二級放大后的所述電信號的可控硅管Q3 ；
[0009]所述濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，所述共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，所述穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，所述共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl ；
[0010]所述電容Cl串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的基極和所述壓電陶瓷的一端之間，所述壓電陶瓷的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述電阻Rl和所述電阻R2串聯(lián)后連接在所述電容Cl兩端，所述電阻R4的一端連接在所述電阻Rl和所述電阻R2之間，所述電阻R4的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地；所述電容C4和所述穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且所述穩(wěn)壓二極管D3的正極與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述穩(wěn)壓二極管D3的負極與所述NPN型半導體三極管Ql的基極連接，所述電阻R6兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述穩(wěn)壓二極管D3的正極，所述NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在所述電阻R2和所述電阻R4之間；所述電阻R5兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述可控硅管Q3的控制極，所述可控硅管Q3的陰極與所述電阻R6連接，所述二極管Dl的負極和正極分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的集電極和所述可控硅管Q3的陽極。
[0011]在實用新型實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述電路開關還包括反饋電路，所述反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3 ；
[0012]所述電阻R3兩端分別連接在所述NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及所述電阻R2和所述電阻R4之間，所述電容C2和所述電容C3串聯(lián)后連接在所述電阻R3兩端，所述電容C2和所述電容C3之間接地。
[0013]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述二極管Dl的正極和所述可控硅管Q3的陽極之間接用電器，所述可控硅管Q3的陰極與電源BT的負極連接，所述電源BT的正極連接在所述用電器和所述二極管Dl之間。
[0014]另一方面，本實用新型實施例還提供了一種用電電路，所述電路包括:
[0015]電路開關、電源、以及將所述電源的電能輸出到用電器的輸出模塊，所述電源通過所述電路開關與所述輸出模塊電連接；所述電路開關包括:將間斷的壓力信號轉換為連續(xù)穩(wěn)定的電信號的壓電陶瓷、對所述壓電陶瓷產生的所述電信號進行濾波的濾波電路、對濾波后的所述電信號進行一級放大的共射放大電路、對一級放大后的所述電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路、對穩(wěn)壓后的所述電信號進行二級放大的共集放大電路、接收所述共集放大電路輸出經過二級放大后的所述電信號改變自身導通狀態(tài)的可控硅管；
[0016]所述濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，所述共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，所述穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，所述共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl ；
[0017]所述電容Cl串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的基極和所述壓電陶瓷的一端之間，所述壓電陶瓷的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述電阻Rl和所述電阻R2串聯(lián)后連接在所述電容Cl兩端，所述電阻R4的一端連接在所述電阻Rl和所述電阻R2之間，所述電阻R4的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地；所述電容C4和所述穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且所述穩(wěn)壓二極管D3的正極與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述穩(wěn)壓二極管D3的負極與所述NPN型半導體三極管Ql的基極連接，所述電阻R6兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述穩(wěn)壓二極管D3的正極，所述NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在所述電阻R2和所述電阻R4之間；所述電阻R5兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述可控硅管Q3的控制極，所述可控硅管Q3的陰極與所述電阻R6連接，所述二極管Dl的負極和正極分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的集電極和所述可控硅管Q3的陽極。
[0018]在實用新型實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述電路開關還包括反饋電路，所述反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3 ；
[0019]所述電阻R3兩端分別連接在所述NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及所述電阻R2和所述電阻R4之間，所述電容C2和所述電容C3串聯(lián)后連接在所述電阻R3兩端，所述電容C2和所述電容C3之間接地。
[0020]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述二極管Dl的正極和所述可控硅管Q3的陽極之間接用電器，所述可控硅管Q3的陰極與電源的負極連接，所述電源的正極連接在所述用電器和所述二極管Dl之間。
[0021]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述輸出模塊包括:
[0022]發(fā)光二極管、光電倍增單元、驅動單元和電壓倍增單元，所述發(fā)光二極管分別與所述電源及所述電路開關電連接，所述光電倍增模塊與所述發(fā)光二極管相對設置，所述驅動單元分別與所述光電倍增單元和所述電壓倍增單元電連接。
[0023]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述光電倍增單元包括光電倍增管。
[0024]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述驅動單元包括高頻諧振電路，所述高頻諧振電路包括NPN型半導體三極管Q4、石英晶體振蕩器X、可變電容C11、電容C12、電容C14、電阻R11、電阻R12和電阻R13，所述電容C12的兩端分別與所述NPN型半導體三極管Q4的基極和發(fā)射極相連，所述NPN型半導體三極管Q4的發(fā)射極通過所述電阻R13接地，所述電容C13并聯(lián)在所述電阻R13兩端，所述石英晶體振蕩器X和所述可變電容Cll串聯(lián)，且所述石英晶體振蕩器X和所述可變電容Cll并聯(lián)在所述電容C12和電容C13兩端，所述電阻R12兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Q4的基極和集電極，所述NPN型半導體三極管Q4的集電極通過所述電容C14接地，所述NPN型半導體三極管Q4的基極通過所述電阻Rll接地，所述NPN型半導體三極管Q4的集電極和發(fā)射極分別與所述光電倍增單元和所述電壓倍增單元電連接。
[0025]在實用新型實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述電壓倍增單元包括諧振變壓器和電壓倍增器，所述諧振變壓器與所述電壓倍增器電連接。
[0026]本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0027]通過采用壓電陶瓷將壓力信號轉化為電信號，然后對電信號進行濾波、一級放大、穩(wěn)壓和二級放大，最后采用經過處理的電信號驅動可控硅管，當電量足夠大時，確定可控硅管導通，過段時間關閉，從而實現(xiàn)電路開關的功能，且這種開關不容易誤開，精度高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是實用新型實施例一提供的電路開關的結構示意圖；
[0030]圖2是實用新型實施例一提供的電路開關的電路圖；
[0031]圖3是實用新型實施例二提供的用電電路的結構示意圖；
[0032]圖4是實用新型實施例二提供的用電電路的電路圖；
[0033]圖5是實用新型實施例二提供的用電電路的輸出模塊的結構示意圖；
[0034]圖6是實用新型實施例二提供的高頻諧振電路的電路圖；
[0035]圖7是實用新型實施例二提供的電壓倍增單元的結構示意圖；
[0036]圖8是實用新型實施例二提供的電壓倍增器的電路圖。

【具體實施方式】
[0037]為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。
[0038]實施例一
[0039]本實用新型實施例提供了一種電路開關，參見圖1，該裝置包括:
[0040]用于將間斷的壓力信號轉換為連續(xù)穩(wěn)定的電信號的壓電陶瓷1、用于對壓電陶瓷I產生的電信號進行濾波的濾波電路2、用于對濾波后的電信號進行一級放大的共射放大電路3、用于對一級放大后的電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路4、用于對穩(wěn)壓后的電信號進行二級放大的共集放大電路5、用于接收共集放大電路5輸出經過二級放大后的電信號改變自身導通狀態(tài)的可控硅管Q3。
[0041]壓電陶瓷I與濾波電路2電連接，共射放大電路3分別與濾波電路2和穩(wěn)壓電路4電連接，共集放大電路5分別與穩(wěn)壓電路4和可控硅管Q3的控制極電連接。
[0042]參見圖2，濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl。
[0043]電容Cl串聯(lián)在NPN型半導體三極管Q2的基極和壓電陶瓷的一端之間，壓電陶瓷的另一端與NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連。
[0044]電阻Rl和電阻R2串聯(lián)后連接在電容Cl兩端，電阻R4的一端連接在電阻Rl和電阻R2之間，電阻R4的另一端與NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地。
[0045]電容C4和穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且穩(wěn)壓二極管D3的正極與NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連，穩(wěn)壓二極管D3和NPN型半導體三極管Q2之間的線路接地。
[0046]穩(wěn)壓二極管D3的負極與NPN型半導體三極管Ql的基極連接，電阻R6兩端分別連接NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和穩(wěn)壓二極管D3的正極，NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在電阻R2和電阻R4之間。
[0047]電阻R5兩端分別連接NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和可控硅管Q3的控制極，可控硅管Q3的陰極與電阻R6連接，二極管Dl的負極和正極分別連接NPN型半導體三極管Ql的集電極和可控硅管Q3的陽極。
[0048]進一步地，電路開關還可以包括反饋電路，反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3，該反饋電路用于消除二級放大對NPN型三極管Q2的干擾。電阻R3兩端分別連接在NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及電阻R2和電阻R4之間，電容C2和電容C3串聯(lián)后連接在電阻R3兩端，電容C2和電容C3之間接地。
[0049]具體地，二極管Dl的正極和可控硅管Q3的陽極之間接用電器，可控硅管Q3的陰極與電源BT的負極連接，電源BT的正極連接在用電器和二極管Dl之間。其中，用電器可以是圖2中的發(fā)光二極管。
[0050]具體地，壓電陶瓷I接收壓力信號轉化為電信號，開始時電信號電量較小，不足以驅動NPN型半導體三極管Q2，當電信號的電量累積足夠大時，才能驅動NPN型半導體三極管Q2，之后電信號再經過過濾、一級放大、穩(wěn)壓和二級放大處理，就可以使可控硅管Q3達到導通狀態(tài)。具體地，當壓電陶瓷I受壓力作用時，其產生的電量可以維持可控硅管Q3處于導通狀態(tài)T時間，這里的T時間和選用的壓電陶瓷I的本身的性能有關這里不再贅述，而相應地，這個電路開關所控制的電路也會維持T時間的暢通狀態(tài)，之后電信號衰退，可控硅管Q3也將處于不導通狀態(tài)。
[0051]本實用新型實施例通過采用壓電陶瓷將壓力信號轉化為電信號，然后對電信號進行濾波、一級放大、穩(wěn)壓和二級放大，最后采用經過處理的電信號驅動可控硅管，當電量足夠大時，確定可控硅管導通，過段時間關閉，從而實現(xiàn)電路開關的功能，且這種開關不容易k開，精度聞。
[0052]實施例二
[0053]本實用新型實施例提供了一種用電電路，參見圖3?圖4，該用電電路包括:
[0054]電路開關11、電源12、以及將電源12的電能輸出到用電器的輸出模塊13，電源12通過電路開關11與輸出模塊13電連接。
[0055]具體地，電路開關11包括將間斷的壓力信號轉換為連續(xù)穩(wěn)定的電信號的壓電陶瓷1、對壓電陶瓷I產生的電信號進行濾波的濾波電路2、對濾波后的電信號進行一級放大的共射放大電路3、對一級放大后的電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路4、對穩(wěn)壓后的電信號進行二級放大的共集放大電路5、接收共集放大電路5輸出經過二級放大后的電信號改變自身導通狀態(tài)的可控硅管Q3。
[0056]壓電陶瓷I與濾波電路2電連接，共射放大電路3分別與濾波電路2和穩(wěn)壓電路4電連接，共集放大電路5分別與穩(wěn)壓電路4和可控硅管Q3的控制極電連接。
[0057]濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl。
[0058]電容Cl和NPN型半導體三極管Q2與壓電陶瓷串聯(lián)，且電容與NPN型半導體三極管Q2的基極相連，壓電陶瓷與NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連。
[0059]電阻Rl和電阻R2串聯(lián)后連接在電容Cl兩端，電阻R4的一端連接在電阻Rl和電阻R2之間，電阻R4的另一端與NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地。
[0060]電容C4和穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且穩(wěn)壓二極管D3的正極與NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連，穩(wěn)壓二極管D3和NPN型半導體三極管Q2之間接地。
[0061]穩(wěn)壓二極管D3的負極與NPN型半導體三極管Ql的基極連接，電阻R6兩端分別連接NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和穩(wěn)壓二極管D3的正極，NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在電阻R2和電阻R4之間。
[0062]電阻R5兩端分別連接NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和可控硅管Q3的控制極，可控硅管Q3的陰極與電阻R6連接，二極管Dl的負極和正極分別連接NPN型半導體三極管Ql的集電極和可控硅管Q3的陽極。
[0063]在本實用新型實施例的一種實現(xiàn)方式中，上述電容Cl為lu，電容C2為47u，電容C3為220u，電容C4為lu，電阻Rl為4.7K,電阻R2為2.2M,電阻R3為2.2K,電阻R4為
4.7K,電阻R5為1K,電阻R6為3.3K。
[0064]在本實用新型實施例的其他實現(xiàn)方式中，上述電子元件的屬性數(shù)值還可以是作其他設置，這里不再贅述。
[0065]進一步地，電路開關還可以包括反饋電路，反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3，該反饋電路用于消除二級放大對NPN型半導體三極管Q2的干擾。電阻R3兩端分別連接在NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及電阻R2和電阻R4之間，電容C2和電容C3串聯(lián)后連接在電阻R3兩端，電容C2和電容C3之間接地。
[0066]其中，二極管Dl的正極和可控硅管Q3的陽極之間接用電器，可控硅管Q3的陰極與電源12的負極連接，電源12的正極連接在用電器和二極管Dl之間。具體地，用電器是通過輸出模塊連接在二極管Dl的正極和可控硅管Q3的陽極之間的。
[0067]具體地，電源12為該用電電路提供能量來源，通常我們選用高容量電池或直接用220V家用電直接供電。
[0068]參見圖5，輸出模塊13包括:發(fā)光二極管21、光電倍增單元22、驅動單元23和電壓倍增單元24，發(fā)光二極管21分別與電源12及電路開關11電連接，光電倍增模塊22與發(fā)光二極管21相對設置，驅動單元23分別與光電倍增單元22和電壓倍增單元24電連接。
[0069]具體地，發(fā)光二極管21是由電路開關控制的，當開關打開時，發(fā)光二極管21發(fā)光，產生光子輸入到光電倍增單元22。
[0070]具體地，光電倍增單元22包括光電倍增管，光電倍增電路已經是一種很成熟的電路了，這里不在贅述。
[0071]參見圖6,驅動單元23包括高頻諧振電路,高頻諧振電路包括NPN型半導體三極管Q4、石英晶體振蕩器X、可變電容C11、電容C12、電容C14、電阻R11、電阻R12和電阻R13，電容C12的兩端分別與NPN型半導體三極管Q4的基極和發(fā)射極相連，NPN型半導體三極管Q4的發(fā)射極通過電阻R13接地，電容C13并聯(lián)在電阻R13兩端，石英晶體振蕩器X和可變電容Cll串聯(lián)，且石英晶體振蕩器X和可變電容Cll并聯(lián)在電容C12和電容C13兩端，電阻R12兩端分別連接NPN型半導體三極管Q4的基極和集電極，NPN型半導體三極管Q4的集電極通過電容C14接地，NPN型半導體三極管Q4的基極通過電阻Rll接地，NPN型半導體三極管Q4的集電極和發(fā)射極分別作為驅動單元23的輸入端和輸出端。
[0072]驅動單元23的輸入端與光電倍增單元22電連接，驅動單元23的輸出端與電壓倍增單元24電連接，驅動單元23可產生高頻電信號。
[0073]參見圖7，電壓倍增單元24包括諧振變壓器31和電壓倍增器32，諧振變壓器31與電壓倍增器32電連接，電壓倍增器32的輸出端與用電器電連接。
[0074]具體地，參見圖8，驅動單元23輸出的高頻電信號由諧振變壓器31輸入，輸入的電信號將經過由二極管鏈(D21-D2n)和一組電容(C21-C2n)組成的電壓倍增器32轉化為高頻高壓電信號，另外我們可以根據(jù)實際需求電壓大小調整級數(shù)η的大小。
[0075]本實用新型實施例通過采用壓電陶瓷將壓力信號轉化為電信號，然后對電信號進行濾波、一級放大、穩(wěn)壓和二級放大，最后采用經過處理的電信號驅動可控硅管，當電量足夠大時，確定可控硅管導通，過段時間關閉，從而實現(xiàn)電路開關的功能，且這種開關不容易k開，精度聞。
[0076]上述本實用新型實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。
[0077]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種電路開關，其特征在于，所述電路開關包括: 將壓力信號轉換為電信號的壓電陶瓷、對所述壓電陶瓷產生的所述電信號進行濾波的濾波電路、對濾波后的所述電信號進行一級放大的共射放大電路、對一級放大后的所述電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路、對穩(wěn)壓后的所述電信號進行二級放大的共集放大電路、接收所述共集放大電路輸出的經過二級放大后的所述電信號的可控硅管Q3 ； 所述濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，所述共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，所述穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，所述共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl ； 所述電容Cl串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的基極和所述壓電陶瓷的一端之間，所述壓電陶瓷的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述電阻Rl和所述電阻R2串聯(lián)后連接在所述電容Cl兩端，所述電阻R4的一端連接在所述電阻Rl和所述電阻R2之間，所述電阻R4的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地；所述電容C4和所述穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且所述穩(wěn)壓二極管D3的正極與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述穩(wěn)壓二極管D3的負極與所述NPN型半導體三極管Ql的基極連接，所述電阻R6兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述穩(wěn)壓二極管D3的正極，所述NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在所述電阻R2和所述電阻R4之間；所述電阻R5兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述可控硅管Q3的控制極，所述可控硅管Q3的陰極與所述電阻R6連接，所述二極管Dl的負極和正極分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的集電極和所述可控硅管Q3的陽極。
2.根據(jù)權利要求1所述電路開關，其特征在于，所述電路開關還包括反饋電路，所述反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3 ； 所述電阻R3兩端分別連接在所述NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及所述電阻R2和所述電阻R4之間，所述電容C2和所述電容C3串聯(lián)后連接在所述電阻R3兩端，所述電容C2和所述電容C3之間接地。
3.根據(jù)權利要求1或2所述電路開關，其特征在于，所述二極管Dl的正極和所述可控硅管Q3的陽極之間接用電器，所述可控硅管Q3的陰極與電源BT的負極連接，所述電源BT的正極連接在所述用電器和所述二極管Dl之間。
4.一種用電電路，其特征在于，所述電路包括: 電路開關、電源、以及將所述電源的電能輸出到用電器的輸出模塊，所述電源通過所述電路開關與所述輸出模塊電連接；所述電路開關包括:將間斷的壓力信號轉換為連續(xù)穩(wěn)定的電信號的壓電陶瓷、對所述壓電陶瓷產生的所述電信號進行濾波的濾波電路、對濾波后的所述電信號進行一級放大的共射放大電路、對一級放大后的所述電信號進行穩(wěn)壓的穩(wěn)壓電路、對穩(wěn)壓后的所述電信號進行二級放大的共集放大電路、接收所述共集放大電路輸出經過二級放大后的所述電信號改變自身導通狀態(tài)的可控硅管； 所述濾波電路包括電容Cl和電阻Rl，所述共射放大電路包括NPN型半導體三極管Q2、電阻R2和電阻R4，所述穩(wěn)壓電路包括電容C4和穩(wěn)壓二極管D3，所述共集放大電路包括NPN型半導體三極管Q1、電阻R5、電阻R6和二極管Dl ； 所述電容Cl串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的基極和所述壓電陶瓷的一端之間，所述壓電陶瓷的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述電阻Rl和所述電阻R2串聯(lián)后連接在所述電容Cl兩端，所述電阻R4的一端連接在所述電阻Rl和所述電阻R2之間，所述電阻R4的另一端與所述NPN型半導體三極管Q2的集電極相連，且所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極接地；所述電容C4和所述穩(wěn)壓二極管D3串聯(lián)在所述NPN型半導體三極管Q2的集電極和發(fā)射極之間，且所述穩(wěn)壓二極管D3的正極與所述NPN型半導體三極管Q2的發(fā)射極相連；所述穩(wěn)壓二極管D3的負極與所述NPN型半導體三極管Ql的基極連接，所述電阻R6兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述穩(wěn)壓二極管D3的正極，所述NPN型半導體三極管Ql的集電極連接在所述電阻R2和所述電阻R4之間；所述電阻R5兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的發(fā)射極和所述可控硅管Q3的控制極，所述可控硅管Q3的陰極與所述電阻R6連接，所述二極管Dl的負極和正極分別連接所述NPN型半導體三極管Ql的集電極和所述可控硅管Q3的陽極。
5.根據(jù)權利要求4所述用電電路，其特征在于，所述電路開關還包括反饋電路，所述反饋電路包括電容C2、電容C3和電阻R3 ； 所述電阻R3兩端分別連接在所述NPN型半導體三極管Ql的集電極上以及所述電阻R2和所述電阻R4之間，所述電容C2和所述電容C3串聯(lián)后連接在所述電阻R3兩端，所述電容C2和所述電容C3之間接地。
6.根據(jù)權利要求4所述用電電路，其特征在于，所述二極管Dl的正極和所述可控硅管Q3的陽極之間接用電器，所述可控硅管Q3的陰極與電源的負極連接，所述電源的正極連接在所述用電器和所述二極管Dl之間。
7.根據(jù)權利要求4?6任一項所述用電電路，其特征在于，所述輸出模塊包括: 發(fā)光二極管、光電倍增單元、驅動單元和電壓倍增單元，所述發(fā)光二極管分別與所述電源及所述電路開關電連接，所述光電倍增模塊與所述發(fā)光二極管相對設置，所述驅動單元分別與所述光電倍增單元和所述電壓倍增單元電連接。
8.根據(jù)權利要求7所述用電電路，其特征在于，所述光電倍增單元包括光電倍增管。
9.根據(jù)權利要求7所述用電電路，其特征在于，所述驅動單元包括高頻諧振電路，所述高頻諧振電路包括NPN型半導體三極管Q4、石英晶體振蕩器X、可變電容C11、電容C12、電容C14、電阻R11、電阻R12和電阻R13，所述電容C12的兩端分別與所述NPN型半導體三極管Q4的基極和發(fā)射極相連，所述NPN型半導體三極管Q4的發(fā)射極通過所述電阻R13接地，所述電容C13并聯(lián)在所述電阻R13兩端，所述石英晶體振蕩器X和所述可變電容Cll串聯(lián)，且所述石英晶體振蕩器X和所述可變電容Cll并聯(lián)在所述電容C12和電容C13兩端，所述電阻R12兩端分別連接所述NPN型半導體三極管Q4的基極和集電極，所述NPN型半導體三極管Q4的集電極通過所述電容C14接地，所述NPN型半導體三極管Q4的基極通過所述電阻Rll接地，所述NPN型半導體三極管Q4的集電極和發(fā)射極分別與所述光電倍增單元和所述電壓倍增單元電連接。
10.根據(jù)權利要求7所述用電電路，其特征在于，所述電壓倍增單元包括諧振變壓器和電壓倍增器，所述諧振變壓器與所述電壓倍增器電連接。
【文檔編號】H03K17/72GK203933591SQ201420188298
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年4月17日 優(yōu)先權日:2014年4月17日
【發(fā)明者】趙培宇 申請人:江漢大學