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一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路的制作方法

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一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路,所述復(fù)位電路包括:低壓差線性穩(wěn)壓器LDO,用于輸出輸出電壓VDD;帶隙基準(zhǔn)源,用于輸出基準(zhǔn)電壓VREF;比較器,用于對(duì)輸出電壓VDD和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行電壓比較;D觸發(fā)器,用于根據(jù)延遲時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述比較器所輸出的信號(hào)進(jìn)行延遲;倒相放大器,用于接收所述D觸發(fā)器所輸出的信號(hào)進(jìn)行取反放大;與非門,用于對(duì)所述倒相放大器所處理后的信號(hào)進(jìn)行相與獲得復(fù)位信號(hào)。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過(guò)復(fù)位信號(hào)去復(fù)位數(shù)字,解決數(shù)字復(fù)位時(shí)功耗過(guò)大或者復(fù)位不成功的問(wèn)題,可以避免很多中間狀態(tài),提高數(shù)字的可靠性。
【專利說(shuō)明】一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及射頻識(shí)別【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路。

【背景技術(shù)】
[0002]射頻識(shí)別(RadfoFrequencyIdentification!,RFID)技術(shù)是一種非接觸式的自 動(dòng)識(shí)別技術(shù),它通過(guò)電磁波或電感禍合方式傳遞信號(hào),以完成對(duì)目標(biāo)對(duì)象的自動(dòng)識(shí)別。與條 形碼、磁卡、接觸式1C卡等其它自動(dòng)識(shí)別技術(shù)相比,即RFID技術(shù)具有識(shí)別過(guò)程無(wú)須人工干 預(yù)、可同時(shí)識(shí)別多個(gè)目標(biāo)、信息存儲(chǔ)量大、可工作于各種惡劣環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)。因此,RFID技術(shù) 已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于固定資產(chǎn)管理、生產(chǎn)線自動(dòng)化、動(dòng)物和車輛識(shí)別、公路收費(fèi)、門禁系統(tǒng)、 倉(cāng)儲(chǔ)、商品防偽、航空包裹管理、集裝箱管理等領(lǐng)域。典型的射頻識(shí)別系統(tǒng)可以分為標(biāo)簽、閱 讀器和后端數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)三個(gè)部分。
[0003] RFID標(biāo)簽主要分為無(wú)源標(biāo)簽和有源標(biāo)簽兩種類型,無(wú)源式被動(dòng)射頻識(shí)別標(biāo)簽系統(tǒng) 的能量來(lái)自讀寫(xiě)器發(fā)射的射頻能量,無(wú)須內(nèi)置電源,通過(guò)天線接收到射頻信號(hào),在內(nèi)部經(jīng)過(guò) 整流及穩(wěn)壓電路產(chǎn)生復(fù)位電路和數(shù)字電路所需的穩(wěn)定電源REG_VDDA,該復(fù)位電路檢測(cè)整流 及穩(wěn)壓電路輸出的REG_VDDA上電電壓,當(dāng)REG_VDDA電壓達(dá)到復(fù)位電路的工作電壓范圍時(shí), 復(fù)位電路產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)P〇WER_READY對(duì)數(shù)字電路進(jìn)行復(fù)位,在數(shù)字電路被初始化為確定狀 態(tài)后輸出數(shù)字邏輯控制信號(hào)控制射頻前端中整流電路的限幅電路,在極強(qiáng)場(chǎng)的情況下導(dǎo)通 漏電開(kāi)關(guān)將整流器輸出的電荷釋放到地,以此起到保護(hù)耐壓能力有限的射頻前端器件;在 極弱場(chǎng)強(qiáng)的情況下,關(guān)斷漏電開(kāi)關(guān)以控制整流及穩(wěn)壓電路輸出穩(wěn)定的REG_VDDA電壓,保證 整個(gè)系統(tǒng)有足夠的電能工作。
[0004] 上電復(fù)位模塊對(duì)于任何一款芯片來(lái)說(shuō)都是重要模塊,高精度上電復(fù)位模塊對(duì)數(shù)模 混合和數(shù)字模塊由至關(guān)重要的作用。
[0005]但是在上電過(guò)程中,由復(fù)位電路檢測(cè)REG_VDDA上電電壓,當(dāng)REG_VDDA電壓未達(dá)到 復(fù)位電路的工作范圍時(shí),數(shù)字電路不會(huì)被復(fù)位,復(fù)位信號(hào)尚未給出時(shí)數(shù)字邏輯系統(tǒng)的電源 是不確定的,該數(shù)字邏輯系統(tǒng)輸出的控制信號(hào)也處于未被驅(qū)動(dòng)的不定狀態(tài),該不定態(tài)會(huì)使 限幅電路的漏電開(kāi)關(guān)處于或開(kāi)或關(guān)的狀態(tài),造成不可控制的電荷泄露,無(wú)法準(zhǔn)確控制數(shù)字 電路輸出有效的數(shù)字邏輯控制信號(hào)保持REG_VDDA電壓穩(wěn)定,影響系統(tǒng)整流的效率,即弱場(chǎng) 條件下的靈敏度,更嚴(yán)重的情形是該不定態(tài)會(huì)使無(wú)源被動(dòng)式射頻標(biāo)簽系統(tǒng)無(wú)法完成上電復(fù) 位功能,導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù) 位電路,通過(guò)復(fù)位信號(hào)去復(fù)位數(shù)字,可以避免很多中間狀態(tài),解決數(shù)字復(fù)位時(shí)功耗過(guò)大或者 復(fù)位不成功的問(wèn)題,提高數(shù)字的可靠性。
[0007] 為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路,所述復(fù)位電 路包括:
[0008] 低壓差線性穩(wěn)壓器(LowDropoutRegulator,LDO),用于輸出輸出電壓VDD;
[0009] 帶隙基準(zhǔn)源,用于輸出基準(zhǔn)電壓VREF;
[0010] 比較器,用于對(duì)輸出電壓VDD和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行電壓比較;
[0011] D觸發(fā)器,用于根據(jù)延遲時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述比較器所輸出的信號(hào)進(jìn)行延遲;
[0012] 倒相放大器,用于接收所述D觸發(fā)器所輸出的信號(hào)進(jìn)行取反放大;
[0013] 與非門,用于對(duì)所述倒相放大器所處理后的信號(hào)進(jìn)行相與獲得復(fù)位信號(hào)。
[0014] 優(yōu)選地,所述D觸發(fā)器包括至少三個(gè)依次連接的D觸發(fā)器。
[0015] 優(yōu)選地,當(dāng)輸出電壓VDD達(dá)到上電復(fù)位電壓時(shí),所述比較器用于輸出一個(gè)復(fù)位初 始信號(hào)。
[0016] 在本發(fā)明實(shí)施例中,通過(guò)復(fù)位信號(hào)去復(fù)位數(shù)字,解決數(shù)字復(fù)位時(shí)功耗過(guò)大或者復(fù) 位不成功的問(wèn)題,可以避免很多中間狀態(tài),提高數(shù)字的可靠性;能解決集成電路制造工藝、 應(yīng)用環(huán)境和溫度對(duì)無(wú)線射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片接收通路解碼、同步、發(fā)送通路返回信號(hào)比特率 精度、編碼、占空比等的影響,降低標(biāo)簽芯片的功耗,提尚芯片的成品率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以 根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路的組成示意圖;
[0019] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例中復(fù)位電路的波形示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;?本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路的組成示意圖,如圖1所示,該 復(fù)位電路包括:
[0022] 低壓差線性穩(wěn)壓器LD0,用于輸出輸出電壓VDD;
[0023] 帶隙基準(zhǔn)源,用于輸出基準(zhǔn)電壓VREF;
[0024] 比較器,用于對(duì)輸出電壓VDD和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行電壓比較;
[0025]D觸發(fā)器,用于根據(jù)延遲時(shí)鐘信號(hào)對(duì)比較器所輸出的信號(hào)進(jìn)行延遲;
[0026] 倒相放大器,用于接收D觸發(fā)器所輸出的信號(hào)進(jìn)行取反放大;
[0027] 與非門,用于對(duì)倒相放大器所處理后的信號(hào)進(jìn)行相與獲得復(fù)位信號(hào)。
[0028] 具體實(shí)施中,該D觸發(fā)器包括至少三個(gè)依次連接的D觸發(fā)器,用于接收三個(gè)延遲時(shí) 鐘,如圖1所示。
[0029] 當(dāng)輸出電壓VDD達(dá)到上電復(fù)位電壓時(shí),比較器用于輸出一個(gè)復(fù)位初始信號(hào)。
[0030] 圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例中波形的示意圖。在實(shí)施過(guò)程中,電源的接入由LD0 的輸出電壓VDD開(kāi)始上升,將VDD的分壓與VREF進(jìn)行比較,當(dāng)VDD達(dá)到上電復(fù)位電壓

【權(quán)利要求】
1. 一種應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路,其特征在于,所述復(fù)位電路包括: 低壓差線性穩(wěn)壓器LDO,用于輸出輸出電壓VDD ; 帶隙基準(zhǔn)源,用于輸出基準(zhǔn)電壓VREF ; 比較器,用于對(duì)輸出電壓VDD和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行電壓比較; D觸發(fā)器,用于根據(jù)延遲時(shí)鐘信號(hào)對(duì)所述比較器所輸出的信號(hào)進(jìn)行延遲; 倒相放大器,用于接收所述D觸發(fā)器所輸出的信號(hào)進(jìn)行取反放大; 與非口,用于對(duì)所述倒相放大器所處理后的信號(hào)進(jìn)行相與獲得復(fù)位信號(hào)。
2. 如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路,其特征在于,所述D觸發(fā)器包括至 少=個(gè)依次連接的D觸發(fā)器。
3. 如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于射頻識(shí)別的復(fù)位電路,其特征在于,當(dāng)輸出電壓VDD達(dá)到 上電復(fù)位電壓時(shí),所述比較器用于輸出一個(gè)復(fù)位初始信號(hào)。
【文檔編號(hào)】H03K17/22GK104467766SQ201410734970
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月5日
【發(fā)明者】胡建國(guó), 吳勁, 李啟文, 段志奎, 丁一, 王德明 申請(qǐng)人:廣州中大數(shù)碼科技有限公司, 廣州華南物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)創(chuàng)新中心
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