本發(fā)明涉及數(shù)字輸出緩沖器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器及其控制方法。

背景技術(shù)：
隨著傳感器的興起，傳感器與主機(jī)間有線信號(hào)傳輸情況越來(lái)越復(fù)雜。在一些超低功耗應(yīng)用場(chǎng)合，傳感器大部分時(shí)間都是處于待機(jī)狀態(tài)，只在極短時(shí)間內(nèi)完成一次傳感及數(shù)據(jù)輸出。傳感器通過(guò)數(shù)字輸出緩沖器將數(shù)據(jù)輸出，隨著數(shù)字信號(hào)頻率的上升，數(shù)字輸出緩沖器對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出緩沖時(shí)需要消耗大量功率。因此，有必要設(shè)計(jì)一種降低功耗的數(shù)字輸出緩沖器。中國(guó)專利公開(kāi)號(hào)CN103269217，公開(kāi)日2013年8月28日，發(fā)明的名稱為輸出緩沖器，該申請(qǐng)案公開(kāi)了一種輸出緩沖器，它包括第一與第二晶體管及自偏壓電路，第一晶體管具有控制電極、耦接輸出端的輸入電極及輸出電極，第二晶體管具有控制電極、耦接第一晶體管的輸出電極的輸入電極及耦接參考電壓的輸出電極，自偏壓電路耦接輸出端及第一晶體管的控制電極。其不足之處是，該輸出緩沖器的功耗較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有數(shù)字輸出緩沖器功耗較大的技術(shù)問(wèn)題，提供了一種能夠降低功耗的快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器及其控制方法。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：本發(fā)明的一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器，包括時(shí)序產(chǎn)生器、電容失配探測(cè)器、電容陣列控制器、開(kāi)關(guān)電容陣列、電流探測(cè)器、電感L、負(fù)載電容CL、第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5，所述開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端與第三開(kāi)關(guān)管SW3的第一導(dǎo)通端、第四開(kāi)關(guān)管SW4的第一導(dǎo)通端和第五開(kāi)關(guān)管SW5的第一導(dǎo)通端電連接，第四開(kāi)關(guān)管SW4的第二導(dǎo)通端與電源VDD電連接，第五開(kāi)關(guān)管SW5的第二導(dǎo)通端與開(kāi)關(guān)電容陣列的第二導(dǎo)通端都接地，第三開(kāi)關(guān)管SW3的第二導(dǎo)通端與電感L一端電連接，電感L另一端與負(fù)載電容CL的上極板、第一開(kāi)關(guān)管SW1的第一導(dǎo)通端、第二開(kāi)關(guān)管SW2的第一導(dǎo)通端和電容失配探測(cè)器的檢測(cè)端電連接，所述負(fù)載電容CL的下極板和第二開(kāi)關(guān)管SW2的第二導(dǎo)通端都接地，所述第一開(kāi)關(guān)管SW1的第二導(dǎo)通端與電源VDD電連接，電容失配探測(cè)器的輸出端與電容陣列控制器的輸入端電連接，電容陣列控制器還與開(kāi)關(guān)電容陣列的控制端電連接，所述第一開(kāi)關(guān)管SW1的控制端、第二開(kāi)關(guān)管SW2的控制端、第三開(kāi)關(guān)管SW3的控制端、第四開(kāi)關(guān)管SW4的控制端、第五開(kāi)關(guān)管SW5的控制端、電容失配探測(cè)器和電流探測(cè)器分別與時(shí)序產(chǎn)生器電連接，所述電流探測(cè)器的兩個(gè)檢測(cè)端分別與第三開(kāi)關(guān)管SW3的第一導(dǎo)通端和第二導(dǎo)通端電連接，所述時(shí)序產(chǎn)生器的輸入端為數(shù)字輸出緩沖器的信號(hào)輸入端，所述負(fù)載電容CL的上極板為數(shù)字輸出緩沖器的信號(hào)輸出端。在本技術(shù)方案中，時(shí)序產(chǎn)生器、開(kāi)關(guān)電容陣列、電感L、負(fù)載電容CL、第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5組成了快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器的主體電路，其功能是通過(guò)控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5來(lái)控制LC振蕩把開(kāi)關(guān)電容陣列上的電荷按照輸入信號(hào)Din無(wú)損地搬到負(fù)載電容CL上，并把負(fù)載電容CL的上極板加強(qiáng)到電源VDD的電壓，或者是把CL上的電荷按照輸入信號(hào)Din無(wú)損地搬到開(kāi)關(guān)電容陣列上，并把負(fù)載電容CL的上極板加強(qiáng)到地，這樣在輸出口Dout可以實(shí)現(xiàn)從低電平到高電平的轉(zhuǎn)換并加強(qiáng)及從高電平到低電平的轉(zhuǎn)換并加強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)了從Din到Dout的數(shù)據(jù)無(wú)損緩沖驅(qū)動(dòng)。第一開(kāi)關(guān)管SW1及第二開(kāi)關(guān)管SW2實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字輸出口Dout的電平的加強(qiáng)，把Dout維持在低阻的高電平或低阻的低電平上。第四開(kāi)關(guān)管SW4及第五開(kāi)關(guān)管SW5實(shí)現(xiàn)對(duì)開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端的電平的加強(qiáng)，把開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端維持在低阻的高電平或低阻的低電平上。在輸入信號(hào)Din從低電平跳變到高電平，再由高電平跳變到低電平的過(guò)程中，快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器工作分為T1、T2、T3和T4四個(gè)階段，時(shí)序產(chǎn)生器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5工作。當(dāng)輸入信號(hào)Din從低電平跳變到高電平時(shí)，進(jìn)入T1區(qū)間，第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)電容陣列中儲(chǔ)存的電荷經(jīng)由第三開(kāi)關(guān)管SW3提供給電感L，由于電感L與負(fù)載電容CL組成串聯(lián)共振電路，負(fù)載電容CL由于共振而充入電壓，其上極板的電壓可以自由振蕩到VDD。在T1區(qū)間，電感L中的電流從0開(kāi)始往正向增大，到達(dá)峰值后，在負(fù)載電容CL上極板的電壓振蕩到最高點(diǎn)，電感L中電流又回到0。接著進(jìn)入T2區(qū)間，電感L中的電流回到0點(diǎn)，是T1區(qū)間的結(jié)束點(diǎn)，同時(shí)是T2區(qū)間的開(kāi)始點(diǎn)。第一開(kāi)關(guān)管SW1、第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第四開(kāi)關(guān)管SW4斷開(kāi)，負(fù)載電容CL的上極板經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)管SW1加強(qiáng)到VDD，負(fù)載電容CL的上極板的電壓達(dá)到VDD，輸出口Dout輸出高電平，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第五開(kāi)關(guān)管SW5加強(qiáng)到GND，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端維持在低電平。當(dāng)輸入信號(hào)Din從高電平跳變到低電平時(shí)，進(jìn)入T3區(qū)間，第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)。負(fù)載電容CL上的電荷經(jīng)由電感L，第三開(kāi)關(guān)管SW3被開(kāi)關(guān)電容陣列回收。這一過(guò)程，負(fù)載電容CL上的電壓從VDD自由振蕩到0，電感L中的電流從0開(kāi)始反向增大到最大點(diǎn)，然后又回到0。接著進(jìn)入T4區(qū)間，電感L中的電流回到0點(diǎn)，是T3區(qū)間的結(jié)束點(diǎn)，同時(shí)是T4區(qū)間的開(kāi)始點(diǎn)。第二開(kāi)關(guān)管SW2和第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)。負(fù)載電容CL上極板經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)管SW2加強(qiáng)到GND，輸出口Dout輸出低電平，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第四開(kāi)關(guān)管SW4加強(qiáng)到VDD，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端維持在高電平。電流探測(cè)器給主體電路提供負(fù)反饋，由于T1階段和T3階段需要在電感L中的電流恰好變?yōu)?時(shí)結(jié)束，從而降低功耗，同時(shí)避免電感L中殘余電流高頻振蕩產(chǎn)生電路噪聲。因此時(shí)序產(chǎn)生器控制T1階段和T3階段的持續(xù)時(shí)間很重要。T1階段和T3階段的持續(xù)時(shí)間相同，都為時(shí)間T。時(shí)序產(chǎn)生器內(nèi)預(yù)先設(shè)有時(shí)間T的初始數(shù)值，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，電流探測(cè)器探測(cè)到電感L中的殘余電流，輸出Dcmp值到時(shí)序產(chǎn)生器，Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向，或者Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向及大小，時(shí)序產(chǎn)生器根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值。第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，如果電流探測(cè)器檢測(cè)到有殘余電流從電感L流向負(fù)載電容CL，則時(shí)間T值增大，如果電流探測(cè)器檢測(cè)到有殘余電流從負(fù)載電容CL流向電感L，則時(shí)間T值減小。電容失配探測(cè)器和電容陣列控制器組成了快速啟動(dòng)開(kāi)關(guān)電容陣列的輔助控制電路。在T2區(qū)間，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，同時(shí)在第一開(kāi)關(guān)管SW1、第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通前，電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓V，比較電壓V與電源VDD電壓的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。如果電壓V等于電源VDD電壓，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca增大；如果電壓V大于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca減小。在T4區(qū)間，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，同時(shí)在第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通前，電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓V，比較電壓V與0的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。如果電壓V等于0，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca減??；如果電壓V大于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca增大。通過(guò)實(shí)時(shí)調(diào)整各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)使開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配，從而不需要使用巨大的儲(chǔ)能電容，不用為了電路建立而對(duì)巨大的儲(chǔ)能電容進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間充電，節(jié)省了功耗，同時(shí)由于對(duì)開(kāi)關(guān)電容陣列的充電時(shí)間較少使得數(shù)字輸出緩沖器能夠快速啟動(dòng)。作為優(yōu)選，所述電容失配探測(cè)器包括數(shù)據(jù)處理模塊和電壓檢測(cè)模塊，所述電壓檢測(cè)模塊的檢測(cè)端與負(fù)載電容CL的上極板電連接，所述電壓檢測(cè)模塊的數(shù)據(jù)輸出端與數(shù)據(jù)處理模塊的輸入端電連接，所述數(shù)據(jù)處理模塊還分別與時(shí)序產(chǎn)生器和電容陣列控制器電連接。電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓，數(shù)據(jù)處理模塊對(duì)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且與時(shí)序產(chǎn)生器和電容陣列控制器進(jìn)行信息交換。作為優(yōu)選，所述開(kāi)關(guān)電容陣列包括若干個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)電容電路，所述開(kāi)關(guān)電容電路包括電容器以及受電容陣列控制器控制的開(kāi)關(guān)模塊，所述電容器和開(kāi)關(guān)模塊串聯(lián)，所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端與電容陣列控制器電連接。電容陣列控制器通過(guò)每個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路中的開(kāi)關(guān)模塊來(lái)控制該開(kāi)關(guān)電容電路的通斷，通過(guò)控制各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca。本發(fā)明的一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器的控制方法，包括以下步驟：S1：時(shí)序產(chǎn)生器讀取輸入信號(hào)Din，當(dāng)輸入信號(hào)Din由低電平跳變至高電平時(shí)，則執(zhí)行步驟S2，當(dāng)輸入信號(hào)Din由高電平跳變至低電平時(shí)，則執(zhí)行步驟S4；S2：時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間，控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)T時(shí)間；S3：T時(shí)間結(jié)束時(shí)，時(shí)序產(chǎn)生器控制第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第四開(kāi)關(guān)管SW4斷開(kāi)，控制電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板在第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)的電壓V，檢測(cè)完成后，時(shí)序產(chǎn)生器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1和第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通，電容失配探測(cè)器比較電壓V與電源VDD電壓的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配；S4：時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間，控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)T時(shí)間；S5：T時(shí)間結(jié)束時(shí)，時(shí)序控制器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)，控制第二開(kāi)關(guān)管SW2和第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通；時(shí)序產(chǎn)生器內(nèi)預(yù)先設(shè)有時(shí)間T的初始數(shù)值，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，電流探測(cè)器探測(cè)到電感L中的殘余電流，輸出Dcmp值到時(shí)序產(chǎn)生器，Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向，或者Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向及大小，時(shí)序產(chǎn)生器根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值。作為優(yōu)選，所述時(shí)序產(chǎn)生器根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值的方法包括以下步驟：時(shí)序產(chǎn)生器設(shè)有一個(gè)與時(shí)間值對(duì)應(yīng)的Dsgm值，Dsgm值的初始值對(duì)應(yīng)的時(shí)間值為時(shí)間T的初始數(shù)值，時(shí)序產(chǎn)生器對(duì)Dsgm值和接收到的Dcmp值進(jìn)行積分，得到最新的Dsgm值，將該最新的Dsgm值對(duì)應(yīng)的時(shí)間值作為時(shí)間T的最新數(shù)值。作為優(yōu)選，所述步驟S3中電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷的方法包括以下步驟：如果電壓V等于電源VDD電壓，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca增大；如果電壓V大于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca減小。作為優(yōu)選，所述步驟S5包括以下步驟：T時(shí)間結(jié)束時(shí)，時(shí)序控制器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)，電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板在第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)的電壓V，檢測(cè)完成后，時(shí)序產(chǎn)生器控制第二開(kāi)關(guān)管SW2和第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通，電容失配探測(cè)器比較電壓V與0的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配。作為優(yōu)選，所述步驟S5中電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷的方法包括以下步驟：如果電壓V等于0，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca減小；如果電壓V大于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca增大。本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性效果是：(1)有效降低了數(shù)字輸出緩沖器的功耗。(2)啟動(dòng)快速，即刻建立起穩(wěn)定傳輸路徑，同時(shí)對(duì)于負(fù)載電容的變化具有極快的響應(yīng)能力。(3)避免電感L中殘余電流高頻振蕩產(chǎn)生電路噪聲。(4)采用了電容匹配技術(shù)，從傳輸?shù)牡谝粋€(gè)數(shù)據(jù)開(kāi)始就是有效的，而采用大電容的話，在建立過(guò)程中，數(shù)據(jù)的完整性會(huì)得到破壞，要一個(gè)很長(zhǎng)的時(shí)間數(shù)據(jù)才會(huì)有效。(5)由于開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)的電容都是小電容，因此可以很方便把開(kāi)關(guān)電容陣列集成到芯片內(nèi)部。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明的一種電路原理連接框圖；圖2是電容失配探測(cè)器的電路原理連接框圖；圖3是本發(fā)明的一個(gè)工作周期的控制信號(hào)時(shí)序圖；圖4是本發(fā)明的電容匹配時(shí)序圖。圖中：1、時(shí)序產(chǎn)生器，2、電容失配探測(cè)器，3、電容陣列控制器，4、開(kāi)關(guān)電容陣列，5、電流探測(cè)器，6、數(shù)據(jù)處理模塊，7、電壓檢測(cè)模塊，8、電容器，9、開(kāi)關(guān)模塊。具體實(shí)施方式下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。實(shí)施例：本發(fā)明的一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器，如圖1所示，包括時(shí)序產(chǎn)生器1、電容失配探測(cè)器2、電容陣列控制器3、開(kāi)關(guān)電容陣列4、電流探測(cè)器5、電感L、負(fù)載電容CL、第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5，開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端與第三開(kāi)關(guān)管SW3的第一導(dǎo)通端、第四開(kāi)關(guān)管SW4的第一導(dǎo)通端和第五開(kāi)關(guān)管SW5的第一導(dǎo)通端電連接，第四開(kāi)關(guān)管SW4的第二導(dǎo)通端與電源VDD電連接，第五開(kāi)關(guān)管SW5的第二導(dǎo)通端與開(kāi)關(guān)電容陣列4的第二導(dǎo)通端都接地，第三開(kāi)關(guān)管SW3的第二導(dǎo)通端與電感L一端電連接，電感L另一端與負(fù)載電容CL的上極板、第一開(kāi)關(guān)管SW1的第一導(dǎo)通端、第二開(kāi)關(guān)管SW2的第一導(dǎo)通端和電容失配探測(cè)器2的檢測(cè)端電連接，負(fù)載電容CL的下極板和第二開(kāi)關(guān)管SW2的第二導(dǎo)通端都接地，第一開(kāi)關(guān)管SW1的第二導(dǎo)通端與電源VDD電連接，電容失配探測(cè)器2的輸出端與電容陣列控制器3的輸入端電連接，電容陣列控制器3還與開(kāi)關(guān)電容陣列4的控制端電連接，第一開(kāi)關(guān)管SW1的控制端、第二開(kāi)關(guān)管SW2的控制端、第三開(kāi)關(guān)管SW3的控制端、第四開(kāi)關(guān)管SW4的控制端、第五開(kāi)關(guān)管SW5的控制端、電容失配探測(cè)器2和電流探測(cè)器5分別與時(shí)序產(chǎn)生器1電連接，電流探測(cè)器5的兩個(gè)檢測(cè)端分別與第三開(kāi)關(guān)管SW3的第一導(dǎo)通端和第二導(dǎo)通端電連接，時(shí)序產(chǎn)生器1的輸入端為數(shù)字輸出緩沖器的信號(hào)輸入端，負(fù)載電容CL的上極板為數(shù)字輸出緩沖器的信號(hào)輸出端。如圖2所示，電容失配探測(cè)器2包括數(shù)據(jù)處理模塊6和電壓檢測(cè)模塊7，電壓檢測(cè)模塊7的檢測(cè)端與負(fù)載電容CL的上極板電連接，電壓檢測(cè)模塊7的數(shù)據(jù)輸出端與數(shù)據(jù)處理模塊6的輸入端電連接，數(shù)據(jù)處理模塊6還分別與時(shí)序產(chǎn)生器1和電容陣列控制器3電連接。數(shù)據(jù)處理模塊6為雙向積分器，受時(shí)序產(chǎn)生器1控制，電壓檢測(cè)模塊7檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓，數(shù)據(jù)處理模塊6對(duì)電壓檢測(cè)模塊7檢測(cè)到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，并將處理結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器3。開(kāi)關(guān)電容陣列4包括若干個(gè)并聯(lián)的開(kāi)關(guān)電容電路，開(kāi)關(guān)電容電路包括電容器8以及受電容陣列控制器3控制的開(kāi)關(guān)模塊9，電容器8和開(kāi)關(guān)模塊9串聯(lián)，開(kāi)關(guān)模塊9的控制端與電容陣列控制器3電連接。電容陣列控制器3通過(guò)每個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路中的開(kāi)關(guān)模塊9來(lái)控制該開(kāi)關(guān)電容電路的通斷，通過(guò)控制各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列4的有效電容量Ca。時(shí)序產(chǎn)生器1、開(kāi)關(guān)電容陣列4、電感L、負(fù)載電容CL、第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5組成了快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器的主體電路，其功能是通過(guò)控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5來(lái)控制LC振蕩把開(kāi)關(guān)電容陣列4上的電荷按照輸入信號(hào)Din無(wú)損地搬到負(fù)載電容CL上，并把負(fù)載電容CL的上極板加強(qiáng)到電源VDD的電壓，或者是把CL上的電荷按照輸入信號(hào)Din無(wú)損地搬到開(kāi)關(guān)電容陣列4上，并把負(fù)載電容CL的上極板加強(qiáng)到地，這樣在輸出口Dout可以實(shí)現(xiàn)從低電平到高電平的轉(zhuǎn)換并加強(qiáng)及從高電平到低電平的轉(zhuǎn)換并加強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)了從Din到Dout的數(shù)據(jù)無(wú)損緩沖驅(qū)動(dòng)。第一開(kāi)關(guān)管SW1及第二開(kāi)關(guān)管SW2實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字輸出口Dout的電平的加強(qiáng)，把Dout維持在低阻的高電平或低阻的低電平上。第四開(kāi)關(guān)管SW4及第五開(kāi)關(guān)管SW5實(shí)現(xiàn)對(duì)開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端的電平的加強(qiáng)，把開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端維持在低阻的高電平或低阻的低電平上。如圖3所示，在輸入信號(hào)Din從低電平跳變到高電平，再由高電平跳變到低電平的過(guò)程中，快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器工作分為T1、T2、T3和T4四個(gè)階段，時(shí)序產(chǎn)生器1控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5工作。當(dāng)輸入信號(hào)Din從低電平跳變到高電平時(shí)，進(jìn)入T1區(qū)間，第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)電容陣列4中儲(chǔ)存的電荷經(jīng)由第三開(kāi)關(guān)管SW3提供給電感L，由于電感L與負(fù)載電容CL組成串聯(lián)共振電路，負(fù)載電容CL由于共振而充入電壓，其上極板的電壓可以自由振蕩到VDD。在T1區(qū)間，電感L中的電流從0開(kāi)始往正向增大，到達(dá)峰值后，在負(fù)載電容CL上極板的電壓振蕩到最高點(diǎn)，電感L中電流又回到0。接著進(jìn)入T2區(qū)間，電感L中的電流回到0點(diǎn)，是T1區(qū)間的結(jié)束點(diǎn)，同時(shí)是T2區(qū)間的開(kāi)始點(diǎn)。第一開(kāi)關(guān)管SW1、第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第四開(kāi)關(guān)管SW4斷開(kāi)，負(fù)載電容CL的上極板經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)管SW1加強(qiáng)到VDD，負(fù)載電容CL的上極板的電壓達(dá)到VDD，輸出口Dout輸出高電平，開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第五開(kāi)關(guān)管SW5加強(qiáng)到GND，開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端維持在低電平。當(dāng)輸入信號(hào)Din從高電平跳變到低電平時(shí)，進(jìn)入T3區(qū)間，第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)。負(fù)載電容CL上的電荷經(jīng)由電感L，第三開(kāi)關(guān)管SW3被開(kāi)關(guān)電容陣列4回收。這一過(guò)程，負(fù)載電容CL上的電壓從VDD自由振蕩到0，電感L中的電流從0開(kāi)始反向增大到最大點(diǎn)，然后又回到0。接著進(jìn)入T4區(qū)間，電感L中的電流回到0點(diǎn)，是T3區(qū)間的結(jié)束點(diǎn)，同時(shí)是T4區(qū)間的開(kāi)始點(diǎn)。第二開(kāi)關(guān)管SW2和第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)管SW1、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)。負(fù)載電容CL上極板經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)管SW2加強(qiáng)到GND，輸出口Dout輸出低電平，開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第四開(kāi)關(guān)管SW4加強(qiáng)到VDD，開(kāi)關(guān)電容陣列4的第一導(dǎo)通端維持在高電平。電流探測(cè)器5給主體電路提供負(fù)反饋，由于T1階段和T3階段需要在電感L中的電流恰好變?yōu)?時(shí)結(jié)束，從而降低功耗，同時(shí)避免電感L中殘余電流高頻振蕩產(chǎn)生電路噪聲。因此時(shí)序產(chǎn)生器1控制T1階段和T3階段的持續(xù)時(shí)間很重要。T1階段和T3階段的持續(xù)時(shí)間相同，都為時(shí)間T。時(shí)序產(chǎn)生器1內(nèi)預(yù)先設(shè)有時(shí)間T的初始數(shù)值，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，電流探測(cè)器5探測(cè)到電感L中的殘余電流，輸出Dcmp值到時(shí)序產(chǎn)生器，Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向，或者Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向及大小，時(shí)序產(chǎn)生器1根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值。第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，如果電流探測(cè)器5檢測(cè)到有殘余電流從電感L流向負(fù)載電容CL，則時(shí)間T值增大，如果電流探測(cè)器5檢測(cè)到有殘余電流從負(fù)載電容CL流向電感L，則時(shí)間T值減小。電容失配探測(cè)器2和電容陣列控制器3組成了快速啟動(dòng)開(kāi)關(guān)電容陣列4的輔助控制電路。開(kāi)關(guān)電容陣列4包括電容器C1、C2……Cn，電容器Cn的電容量Cn＝A×2n-1，n＝1，2，3……，A為常數(shù)。如圖4所示，在T2區(qū)間，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器1控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，同時(shí)在第一開(kāi)關(guān)管SW1、第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通前，電壓檢測(cè)模塊7檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓V，數(shù)據(jù)處理模塊6比較電壓V與電源VDD電壓的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器3，電容陣列控制器3根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。如果電壓V等于電源VDD電壓，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl保持不變，則開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變，有效電容量Ca保持不變；如果電壓V小于電源VDD電壓，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl增大，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，有效電容量Ca增大；如果電壓V大于電源VDD電壓，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl減小，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，有效電容量Ca減小。當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器1控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，同時(shí)在第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通前，電壓檢測(cè)模塊7檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板的電壓V，數(shù)據(jù)處理模塊6比較電壓V與0的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器3，電容陣列控制器3根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。如果電壓V等于0，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl保持不變，則開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變，有效電容量Ca保持不變；如果電壓V小于0，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl減小，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，有效電容量Ca減小；如果電壓V大于0，數(shù)據(jù)處理模塊6輸出到電容陣列控制器3的數(shù)值Ctrl增大，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列4內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，有效電容量Ca增大。通過(guò)實(shí)時(shí)調(diào)整各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)使開(kāi)關(guān)電容陣列4的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配，從而不需要使用巨大的儲(chǔ)能電容，不用為了電路建立而對(duì)巨大的儲(chǔ)能電容進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間充電，節(jié)省了功耗，同時(shí)由于對(duì)開(kāi)關(guān)電容陣列4的充電時(shí)間較少使得數(shù)字輸出緩沖器能夠快速啟動(dòng)。本發(fā)明的一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器的控制方法，適用于上述的一種快速啟動(dòng)數(shù)字輸出緩沖器，包括以下步驟：S1：時(shí)序產(chǎn)生器讀取輸入信號(hào)Din，當(dāng)輸入信號(hào)Din由低電平跳變至高電平時(shí)，則執(zhí)行步驟S2，當(dāng)輸入信號(hào)Din由高電平跳變至低電平時(shí)，則執(zhí)行步驟S4；S2：時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間，控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)T時(shí)間；開(kāi)關(guān)電容陣列中儲(chǔ)存的電荷經(jīng)由第三開(kāi)關(guān)管SW3提供給電感L，由于電感L與負(fù)載電容CL組成串聯(lián)共振電路，負(fù)載電容CL由于共振而充入電壓，其上極板的電壓可以自由振蕩到VDD。這一過(guò)程，電感L中的電流從0開(kāi)始往正向增大，到達(dá)峰值后，在負(fù)載電容CL上極板的電壓振蕩到最高點(diǎn)，電感L中電流又回到0。S3：T時(shí)間結(jié)束時(shí)，時(shí)序產(chǎn)生器控制第二開(kāi)關(guān)管SW2、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第四開(kāi)關(guān)管SW4斷開(kāi)，控制電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板在第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)的電壓V，檢測(cè)完成后，時(shí)序產(chǎn)生器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1和第五開(kāi)關(guān)管SW5導(dǎo)通，電容失配探測(cè)器比較電壓V與電源VDD電壓的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配；負(fù)載電容CL的上極板經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)管SW1加強(qiáng)到VDD，負(fù)載電容CL的上極板的電壓達(dá)到VDD，輸出口Dout輸出高電平，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第五開(kāi)關(guān)管SW5加強(qiáng)到GND，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端維持在低電平。S4：時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間，控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第二開(kāi)關(guān)管SW2、第四開(kāi)關(guān)管SW4和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)T時(shí)間；負(fù)載電容CL上的電荷經(jīng)由電感L，第三開(kāi)關(guān)管SW3被開(kāi)關(guān)電容陣列4回收。這一過(guò)程，負(fù)載電容CL上的電壓從VDD自由振蕩到0，電感L中的電流從0開(kāi)始反向增大到最大點(diǎn)，然后又回到0。S5：T時(shí)間結(jié)束時(shí)，時(shí)序控制器控制第一開(kāi)關(guān)管SW1、第三開(kāi)關(guān)管SW3和第五開(kāi)關(guān)管SW5斷開(kāi)，電容失配探測(cè)器檢測(cè)負(fù)載電容CL上極板在第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)的電壓V，檢測(cè)完成后，時(shí)序產(chǎn)生器控制第二開(kāi)關(guān)管SW2和第四開(kāi)關(guān)管SW4導(dǎo)通，電容失配探測(cè)器比較電壓V與0的大小，并將比較結(jié)果發(fā)送到電容陣列控制器，電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容量Ca與負(fù)載電容CL的電容量匹配；負(fù)載電容CL上極板經(jīng)由第二開(kāi)關(guān)管SW2加強(qiáng)到GND，輸出口Dout輸出低電平，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端經(jīng)由第四開(kāi)關(guān)管SW4加強(qiáng)到VDD，開(kāi)關(guān)電容陣列的第一導(dǎo)通端維持在高電平。時(shí)序產(chǎn)生器內(nèi)預(yù)先設(shè)有時(shí)間T的初始數(shù)值，當(dāng)時(shí)序產(chǎn)生器控制第三開(kāi)關(guān)管SW3導(dǎo)通T時(shí)間結(jié)束，即第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，電流探測(cè)器探測(cè)到電感L中的殘余電流，輸出Dcmp值到時(shí)序產(chǎn)生器，Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向，或者Dcmp值反應(yīng)殘余電流的方向及大小，時(shí)序產(chǎn)生器根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值。第三開(kāi)關(guān)管SW3斷開(kāi)時(shí)，如果電流探測(cè)器檢測(cè)到有殘余電流從電感L流向負(fù)載電容CL，則時(shí)間T值增大，如果電流探測(cè)器檢測(cè)到有殘余電流從負(fù)載電容CL流向電感L，則時(shí)間T值減小。時(shí)序產(chǎn)生器根據(jù)接收到的Dcmp值調(diào)整時(shí)間T的數(shù)值包括以下步驟：時(shí)序產(chǎn)生器設(shè)有一個(gè)與時(shí)間值對(duì)應(yīng)的Dsgm值，Dsgm值的初始值對(duì)應(yīng)的時(shí)間值為時(shí)間T的初始數(shù)值，時(shí)序產(chǎn)生器對(duì)Dsgm值和接收到的Dcmp值進(jìn)行積分，得到最新的Dsgm值，將該最新的Dsgm值對(duì)應(yīng)的時(shí)間值作為時(shí)間T的最新數(shù)值。步驟S3中電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷的方法包括以下步驟：如果電壓V等于電源VDD電壓，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容增大；如果電壓V大于電源VDD電壓，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容減小。步驟S5中電容陣列控制器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)控制開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的導(dǎo)通和關(guān)斷的方法包括以下步驟：如果電壓V等于0，則開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)各個(gè)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)不變；如果電壓V小于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容減?。蝗绻妷篤大于0，則調(diào)整開(kāi)關(guān)電容陣列內(nèi)相應(yīng)開(kāi)關(guān)電容電路的通斷狀態(tài)，使得開(kāi)關(guān)電容陣列的有效電容增大。