一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電感電容壓控振蕩器【技術領域】，具體涉及一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器。本發(fā)明加快了交叉耦合MOS管的電流切換速度，從而減小了交叉耦合MOS管的電流波形占空比，進而降低了交叉耦合MOS管給低相位噪聲電感電容壓控振蕩器帶來的相位噪聲。另外，本發(fā)明減少了后尾電流源NMOS管的陷阱數(shù)量，進一步降低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。本發(fā)明增大交叉耦合負阻所提供的能量，進而增加諧振電路的振蕩波形幅度，從而再次降低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及電感電容壓控振蕩器【技術領域】，具體涉及一種低相位噪聲電感電容壓 控振蕩器。 一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器

【背景技術】
[0002] 電感電容壓控振蕩器是時鐘產(chǎn)生和時鐘綜合電路里的關鍵模塊，通常利用電感電 容壓控振蕩器產(chǎn)生高頻的振蕩信號。但是，隨著振蕩頻率升高，振蕩波形很微小的抖動對其 它電路的工作都有很大的影響，所以隨著頻率的升高對低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的 相位噪聲要求也越來越嚴格。
[0003] 在低相位噪聲電感電容壓控振蕩器中，電感和電容并聯(lián)形成諧振電路，在有外界 提供給諧振電路足夠大的能量后，諧振電路振蕩產(chǎn)生頻率為的正弦波，而提供 能量的單元通常由交叉耦合的M0S對形成負阻來完成。將交叉耦合的M0S對與諧振電路并 聯(lián)就可以形成基本的振蕩模塊。
[0004] 在低相位噪聲電感電容壓控振蕩器中，提供給諧振電路能量的交叉耦合M0S管在 導通時會有電流流過，在電流不為0時就會將電流噪聲傳遞到諧振電路中，導致低相位噪 聲電感電容壓控振蕩器輸出信號噪聲增加。在振蕩時，每個交叉稱合M0S管的電流波形呈 周期性變化，如果能減小電流波形的占空比，進而減小交叉耦合負阻給諧振電路帶來的噪 聲，從而降低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的輸出相位噪聲。另外，低相位噪聲電感電容 壓控振蕩器的尾電流源M0S管在工作時會產(chǎn)生陷阱，這些陷阱會增大尾電流源上所流過電 流的噪聲，從而影響諧振電路振蕩波形的頻譜純度，增大輸出波形相位噪聲。
[0005] 在諧振電路振蕩時，振蕩波形容易受到周圍噪聲的干擾，如果振蕩波形的幅度很 小，受到外界干擾會更加嚴重，從而會增大輸出波形相位噪聲。所以，如果能增大交叉耦合 負阻所提供的能量，那么諧振電路的振蕩波形幅度也會增加，從而降低低相位噪聲電感電 容壓控振蕩器的相位噪聲。
[0006] 圖1所示為現(xiàn)有技術中尾電流源固定偏置的低相位噪聲電感電容壓控振蕩器結 構示意圖，符號-p表示接電源，符號丄表示接地。ind是兩端電感；Cvarl和Cvar2是可 變電容；可變電容調(diào)節(jié)電壓Vtune與Cvarl和Cvar2的陽極相連；固定電容C1接到輸入差 分電壓輸出節(jié)點VC0P和Cvarl陰極之間；固定電容C2接到輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N和 Cvar2陰極之間；由ind、Cvarl、Cvar2、C1和C2形成基本的諧振電路。
[0007] PM0S管Mpl和PM0S管Mp2的襯底接電源電壓Vdd ;PM0S管Mpl的漏極和PM0S管 Mp2的柵極接輸入差分電壓輸出節(jié)點VCOP ;PM0S管Mp2的漏極和PM0S管Mpl的柵極接輸 入差分電壓輸出節(jié)點VCON ;PM0S管Mpl和PM0S管Mp2交叉耦合形成負阻為諧振電路提供 能量。
[0008] NM0S管Mnl的漏極和NM0S管Mn2的柵極與輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P相連； NM0S管Mn2的漏極和NM0S管Mnl的柵極與輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N相連；NM0S管Mnl 的襯底和源極短接與NMOS管Mn3的漏極相連；NMOS管Mn2的襯底和源極短接與NMOS管Mn3 的漏極相連；NM0S管Mn3的柵極接控制電壓Vc ;NM0S管Mn3的襯底和源極短接后接地Gnd。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] (一）要解決的技術問題
[0010] 減小電流波形的占空比，進而減小交叉耦合負阻給諧振電路帶來的噪聲，從而降 低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的輸出相位噪聲。
[0011] 減小尾電流源NM0S管陷阱數(shù)量，從而降低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相 位噪聲。
[0012] 增大交叉耦合負阻所提供的的能量，進而增加諧振電路的振蕩波形幅度，從而降 低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。
[0013] (二）技術方案
[0014] 為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，包 括基本振蕩模塊，所述基本振蕩模塊包括：電源電壓Vdd、可變電容Cvarl、可變電容Cvar2、 可變電容調(diào)節(jié)電壓Vtune、兩端電感ind、固定電容Cl、固定電容C2、NMOS管Mnl、NMOS管 Mn2、PM0S管Mpl和PM0S管Mp2,其特征在于，所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器還包括： NM0S管Mn4、固定電容Cel、固定電容Cc2、尾電流源偏置電壓Vbias、電阻R1和電阻R2 ;所 述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定電容Cel ;所述 固定電容Cel的另一端與NM0S管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ;所述NM0S管Mn4的 漏極與NM0S管Mn3的漏極相連，所述NM0S管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ;在輸入差 分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ;固定電容Cc2另一端與NM0S管Mn4柵極相連；電 阻R1連接在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn3的柵極之間；電阻R2連接在尾電流源 偏置電壓Vbias和NM0S管Mn4的柵極之間。
[0015] 優(yōu)選地，所述NM0S管Mnl的襯底與源極斷開，所述NM0S管Mnl的襯底與電源電壓 Vdd相連；所述NM0S管Mn2的襯底與源極斷開，所述NM0S管Mn2的襯底與電源電壓Vdd相 連。
[0016] 優(yōu)選地，所述NM0S管Mnl和Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連的負阻襯底偏壓大于 所述NM0S管Mnl和Mn2的源極電壓。
[0017] 優(yōu)選地，所述可變電容Cvarl和Cvar2的尺寸相同。
[0018] 為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種制作低相位噪聲電感電容壓控振蕩器 的方法，所述方法分為如下步驟：
[0019] 在所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定 電容Cel ;
[0020] 將所述固定電容Cel的另一端與NMOS管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ;
[0021] 將所述NMOS管Mn4的漏極與NMOS管Mn3的漏極相連；
[0022] 將所述NM0S管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ;
[0023] 在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ;
[0024] 將固定電容Cc2另一端與NMOS管Mn4柵極相連；
[0025] 在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn3的柵極之間連接電阻R1 ;
[0026] 在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn4的柵極之間連接電阻R2。
[0027] 為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了另一種制作低相位噪聲電感電容壓控振蕩 器的方法，所述方法分為如下步驟：
[0028] 將所述NM0S管Mnl的襯底與源極斷開；
[0029] 將所述NM0S管Mnl的襯底與電源電壓Vdd相連；
[0030] 將所述NM0S管Mn2的襯底與源極斷開；
[0031] 將所述NM0S管Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連；
[0032] 在所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定 電容Cel ;
[0033] 將所述固定電容Cel的另一端與NM0S管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ;
[0034] 將所述NM0S管Mn4的漏極與NM0S管Mn3的漏極相連；
[0035] 將所述NM0S管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ;
[0036] 在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ;
[0037] 將固定電容Cc2另一端與NM0S管Mn4柵極相連；
[0038] 在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn3的柵極之間連接電阻R1 ;
[0039] 在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn4的柵極之間連接電阻R2。
[0040] (三）有益效果
[0041] 本發(fā)明，加快了交叉耦合M0S管的電流切換速度，從而減小了交叉耦合M0S管的電 流波形占空比，進而降低了交叉耦合M0S管給低相位噪聲電感電容壓控振蕩器帶來的相位 噪聲。另外，本發(fā)明減少了后尾電流源NM0S管的陷阱數(shù)量，進一步降低低相位噪聲電感電 容壓控振蕩器的相位噪聲。本發(fā)明將交叉耦合的NM0S管Mnl和Mn2的襯底接到電源電壓 Vdd上，NM0S管Mnl和Mn2的閾值電壓會減小，從而流過NM0S管Mnl和Mn2的電流會增大， 交叉耦合的NM0S管Mnl和Mn2形成的負阻給諧振電路提供的能量更大，從而使諧振電路振 蕩波形的幅度增加，所以降低了低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。本發(fā)明增大 交叉耦合負阻所提供的的能量，進而增加諧振電路的振蕩波形幅度，從而再次降低低相位 噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。
[0042] 通過電路仿真工具Spectre仿真發(fā)現(xiàn)，對于如圖1所示的固定尾電流源低相 位噪聲電感電容壓控振蕩器結構，電路振蕩在6. 25GHz時，頻偏1MHz處的相位噪聲 為-108. 13dBc/Hz，仿真結果如圖4所示。而在采用了本發(fā)明所提出的NM0S尾電流源動態(tài) 切換技術后，電路結構如圖2所示，對圖2所示電路進行仿真，電路振蕩在6. 25GHz時，頻偏 1MHz處的相位噪聲仿真結果如圖5所示為-113. 96dBc/Hz。相對于固定尾電流源結構，采 用NM0S尾電流源動態(tài)切換技術后相位噪聲降低了 5. 83dB。
[0043] 另外，在圖3中，將交叉耦合NM0S管Mnl和Mn2的襯底接到電源電壓Vdd，從而減 小Mnl和Mn2的閾值電壓，提高交叉耦合NM0S管為諧振電路提供的能量，增大低相位噪聲 電感電容壓控振蕩器振蕩波形幅度，降低相位噪聲。圖3所示電路既采用了 NM0S尾電流源 動態(tài)技術，又將Mnl和Mn2的襯底接到電源電壓Vdd，對圖3所示的電路采用Spectre進行 仿真發(fā)現(xiàn)，電路工作在6. 25GHz時，頻偏1MHz處的相位噪聲如圖6所示為-115. 38dBc/Hz， 與只采用NM0S尾電流源動態(tài)切換技術的圖2電路相比，相位噪聲降低了 1. 42dB。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0044] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0045] 圖1是現(xiàn)有技術中尾電流源固定偏置的低相位噪聲電感電容壓控振蕩器一個實 施例的結構示意圖；
[0046] 圖2是根據(jù)本發(fā)明一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器一個實施例的結構不意 圖；
[0047] 圖3是根據(jù)本發(fā)明一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器一個實施例的改進結構 示意圖；
[0048] 圖4是圖1所示尾電流源固定偏置的低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在振蕩頻率 為6. 25GHz時的相位噪聲仿真結果圖；
[0049] 圖5是圖2所不一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在振蕩頻率為6. 25GHz時相 位噪聲仿真結果圖；
[0050] 圖6是圖3所不一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在振蕩頻率為6. 25GHz時相 位噪聲仿真結果圖。

【具體實施方式】
[0051] 下面結合說明書附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以 下實施例僅用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。
[0052] 圖2所不為本發(fā)明一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的一個實施例，ind表不 電感，Cl、C2、Ccl和Cc2表示固定電容，Cvarl和Cvar2表示可變電容，R1和R2表示電阻， Mnl、Mn2、Mn3和Mn4表示NM0S管，Mpl和Mp2表示PM0S管。其中，電感ind、固定電容C1和 C2、可變電容Cvarl和Cvar2形成基本的諧振電路，并且將電壓Vtune接在可變電容Cvarl 和Cvar2的陽極用來改變Cvarl和Cvar2的電容值，從而改變低相位噪聲電感電容壓控振 蕩器的振蕩頻率。交叉耦合的PM0S管Mpl和Mp2以及交叉耦合NM0S管Mnl和Mn2分別與 諧振電路并聯(lián)并為其提供振蕩所需的能量。相比圖1，所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器 在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定電容Cel ;所述固定電容Cel的另一端與NM0S管 Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ;所述NM0S管Mn4的漏極與NM0S管Mn3的漏極相連，所 述NM0S管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ;在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容 Cc2 ;固定電容Cc2另一端與NM0S管Mn4柵極相連；尾電流源NM0S管Mn3和Mn4接在交叉 耦合NM0S負阻Mnl和Mn2的源極與地之間；在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn3的 柵極之間接電阻R1 ;在尾電流源偏置電壓Vbias和NM0S管Mn4的柵極之間接電阻R2 ;電壓 Vbias通過電阻R1和R2分別給NM0S管Mn3和NM0S管Mn4提供直流偏置電壓。固定電容 C1和C2的電容值大小相等，可變電容Cvarl和Cvar2的尺寸相同。
[0053] 圖3所示為本發(fā)明的一個較佳實施例的低相位噪聲電感電容壓控振蕩器結構示 意圖。相對圖2所示低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，所述NM0S管Mnl的襯底與源極斷 開，所述NM0S管Mnl的襯底與電源電壓Vdd相連；所述NM0S管Mn2的襯底與源極斷開，所 述NMOS管Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連。
[0054] 在低相位噪聲電感電容壓控振蕩器振蕩時，由于輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P和 VC0N是差分的振蕩波形，當VC0P為高電平時，VC0N為低電平，此時通過兩個耦合電容耦合 后Mn3管導通，Mn4管關閉；當VC0N為高電平時，VC0P為低電平，此時通過兩個耦合電容耦 合后Mn4管導通，Mn3管關閉。這樣，就在低相位噪聲電感電容壓控振蕩器振蕩時形成了交 替導通的兩個NM0S尾電流源。它的好處是可以減小低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相 位噪聲，下面來具體分析一下。
[0055] 從圖3上可以看出，兩個尾電流源管Mn3和Mn4柵源電壓分別表示為
[0056] * II) = I'bias-^cosCcaf ^
[0057] 其中，Vbias是Mn3和Mn4管柵極的直流偏置電壓，A是諧振電路振蕩波形的幅度， ω是振蕩波形的角頻率，φ是振蕩波形的相位。兩個尾電流源NM0S管Mn3和Mn4的總電流 大小為 ____1.
[0058] ~ ^ β(^ΜΛ·ΛτΑ ~ %,)* ( ? }
[0059] 進一步計算可以得出
[0060] ha} = ffUym&s - F&)2 -f- .42 c〇i2C?t - φ)] ^ ^ ^
[0061] 其中，β是尾電流源NMOS管的導電因子，Vth是尾電流源NMOS管的閾值電壓。 從方程4可以看出，在低相位噪聲電感電容壓控振蕩器輸出波形VC0P和VC0N相交處， 等于0,所以，此時總的尾電流源值最小，也就是說在差分輸出波形相交 處，交叉耦合負阻M0S管Mnl、Mn2、Mpl和Mp2的電流切換速度增加，從而這些交叉耦合M0S 管的電流波形占空比減小。因此，可以降低交叉耦合M0S管給諧振電路帶來的相位噪聲。
[0062] 另外，由于兩個尾電流源M0S管Mn3和Mn4交替導通，所以，每個M0S管在導通時 產(chǎn)生的陷阱在不導通時會逐漸減少，從而降低尾電流源管的噪聲電流，進而減小對LC Tank 相位噪聲的影響。
[0063] 如圖3所示，本發(fā)明將交叉耦合的NM0S管Μη 1和Mn2的襯底接到電源電壓Vdd上， 這樣NM0S管Mnl和Mn2的閾值電壓會減小，從而流過NM0S管Mnl和Mn2的電流會增大，交 叉耦合的Mnl和Mn2形成的負阻給諧振電路提供的能量更大，從而使諧振電路振蕩波形的 幅度增加，所以降低了低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。
[0064] 下面給出本發(fā)明中降低相位噪聲方案的仿真結果及分析。
[0065] 利用電路仿真工具Spectre對上面的電路進行仿真，該仿真實驗基于SMIC65nm CMOS工藝，電源電壓為1. 2V。
[0066] 對于圖1中的原始結構，電路振蕩在6. 25GHz時，頻偏1MHz處的相位噪聲 為-108. 13dBc/Hz，如圖4所示；采用了本發(fā)明中提出的NM0S尾電流源動態(tài)切換技術后，振 蕩在6. 25GHz時，頻偏1MHz處的相位噪聲為-113. 96Bc/Hz，如圖5所示；相對于圖1所示 的傳統(tǒng)結構，相位噪聲降低了 5. 83dB。
[0067] 圖3為本發(fā)明提出的低相位噪聲低相位噪聲電感電容壓控振蕩器結構，其中采用 了 NM0S尾電流源動態(tài)切換技術以及交叉耦合NM0S管襯底接電源的方法。對圖3進行仿真， 電路工作在6. 25GHz時，頻偏1MHz處的相位噪聲為-115. 38dBc/Hz，如圖6所示。相對于只 采用尾電流源動態(tài)切換技術，相位噪聲降低了 1. 42dB，即說明了將交叉耦合負阻NM0S管的 襯底接電源后，相位噪聲降低了 1.42dB。
[0068] 綜上所述，本發(fā)明的低相位噪聲低相位噪聲電感電容壓控振蕩器結構，采用了 N0MS尾電流源動態(tài)切換技術，可以減小交叉耦合負阻M0S管的電流波形占空比，并減少尾 電流源M0S管陷阱的產(chǎn)生，從而有效降低低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。另 夕卜，本發(fā)明方案中將交叉耦合NM0S管的襯底接電源，減小了 NM0S管閾值電壓，增大了交叉 耦合負阻的電流，從而降低了低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的相位噪聲。
[〇〇69] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型 也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，包括基本振蕩模塊，所述基本振蕩模塊包括： 電源電壓Vdd、可變電容Cvarl、可變電容Cvar2、可變電容調(diào)節(jié)電壓Vtune、兩端電感ind、固 定電容C1、固定電容C2、NMOS管Μη 1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp 1和PMOS管Mp2，所述固定電 容C1和C2的電容值大小相等，其特征在于，所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器還包括： NMOS管Mn4、固定電容Cel、固定電容Cc2、尾電流源偏置電壓Vbias、電阻R1和電阻R2 ;所 述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定電容Cel ;所述 固定電容Cel的另一端與NMOS管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ;所述NMOS管Mn4的 漏極與NMOS管Mn3的漏極相連，所述NMOS管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ;在輸入差 分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ;固定電容Cc2另一端與NMOS管Mn4柵極相連；電 阻R1連接在尾電流源偏置電壓Vbias和NMOS管Mn3的柵極之間；電阻R2連接在尾電流源 偏置電壓Vbias和NMOS管Mn4的柵極之間。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，其特征在于，所述 NMOS管Mnl的襯底與源極斷開，所述NMOS管Mnl的襯底與電源電壓Vdd相連；所述NMOS管 Mn2的襯底與源極斷開，所述NMOS管Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連。
3. 根據(jù)權利要求2所述的一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，其特征在于，所述 NMOS管Mnl和Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連的負阻襯底偏壓大于所述NMOS管Mnl和Mn2 的源極電壓。
4. 根據(jù)權利要求1?3項任一項所述的一種低相位噪聲電感電容壓控振蕩器，其特征 在于，所述可變電容Cvarl和Cvar2的尺寸相同。
5. -種制作權利要求1所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的方法，所述方法分為如 下步驟： 在所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定電容 Cel ； 將所述固定電容Cel的另一端與NMOS管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ; 將所述NMOS管Mn4的漏極與NMOS管Mn3的漏極相連； 將所述NMOS管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ; 在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ; 將固定電容Cc2另一端與NMOS管Mn4柵極相連； 在尾電流源偏置電壓Vbias和NMOS管Mn3的柵極之間連接電阻R1 ; 在尾電流源偏置電壓Vbias和NMOS管Mn4的柵極之間連接電阻R2。
6. -種制作權利要求4所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器的方法，所述方法分為如 下步驟： 將所述NMOS管Mnl的襯底與源極斷開； 將所述NMOS管Mnl的襯底與電源電壓Vdd相連； 將所述NMOS管Mn2的襯底與源極斷開； 將所述NMOS管Mn2的襯底與電源電壓Vdd相連； 在所述低相位噪聲電感電容壓控振蕩器在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0P處接固定電容 Cel ； 將所述固定電容Cel的另一端與NMOS管Mn3的柵極相連，取代控制電壓Vc ; 將所述NMOS管Mn4的漏極與NMOS管Mn3的漏極相連； 將所述NM0S管Mn4的襯底和源極短接后接地Gnd ; 在輸入差分電壓輸出節(jié)點VC0N處接固定電容Cc2 ; 將固定電容Cc2另一端與NMOS管Mn4柵極相連； 在尾電流源偏置電壓Vbias和NMOS管Mn3的柵極之間連接電阻R1 ; 在尾電流源偏置電壓Vbias和NMOS管Mn4的柵極之間連接電阻R2。
【文檔編號】H03L7/099GK104052404SQ201410256766
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月10日 優(yōu)先權日:2014年6月10日
【發(fā)明者】王源, 甘善良, 賈嵩, 張鋼剛, 張興 申請人:北京大學