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新型指數(shù)可變增益放大電路的制作方法

文檔序號:7543786閱讀:174來源:國知局
新型指數(shù)可變增益放大電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種新型指數(shù)可變增益放大電路,由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十三MOS管構(gòu)成;所述共模反饋模塊可以自動調(diào)節(jié)第七M(jìn)OS7至第十MOS管的柵極電壓,使得第七M(jìn)OS管至第十MOS管構(gòu)成是一個電流源,該電流大小等于I1+I2;第十一MOS管至第十二MOS管管子是作為共源共柵(cascade),為輸入管M1-M2提供比較穩(wěn)定的漏-源電壓,降低輸入管輸出阻抗的影響。這種新型指數(shù)可變增益放大電路可調(diào)范圍大,適合增益范圍大的運用,能夠?qū)崿F(xiàn)電壓增益跟隨增益控制的線性變化而指數(shù)變化。
【專利說明】新型指數(shù)可變增益放大電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種增益放大電路,尤其涉及一種新型指數(shù)可變增益放大電路?!颈尘凹夹g(shù)】
[0002]放大電路可分為可變增益放大電路和指數(shù)可變增益放大電路。所述可變增益放大電路是指對輸入信號進(jìn)行放大的電路,而且該放大增益可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié),一般有個控制端,用來控制放大的增益。所述指數(shù)可變增益放大電路又稱為分貝線性放大電路(linear-1n-dB),是指對輸入信號進(jìn)行可變增益放大的電路,而且該放大增益用分貝表示時,可在一定范圍線性內(nèi)調(diào)節(jié);若使用常的輸出電壓幅度除以輸入電壓幅度的增益定義,則增益是指數(shù)變化;當(dāng)控制端電壓或電流線性變化時,放大電路的增益按指數(shù)變化。
[0003]一般的實現(xiàn)增益可調(diào)放大的電路如附圖1所示,一個可變電阻接在兩個NMOS管Ml和M2的源級中間,起到負(fù)反饋的作用,使得增益可近似為MOS管漏極和源級之間的電阻的t匕,這種電路的線性度比較好,特別是輸入信號大,需要的增益小的時候;但是,可變電阻的可變范圍很少可以做到幾個數(shù)量級以上,導(dǎo)致可調(diào)增益的范圍比較小,不太適合做指數(shù)可變增益放大電路。
[0004]還有一種可變增益的實現(xiàn)方式為利用MOS管的比例,如附圖2所示,根據(jù)MOS管
的工作原理,圖2所示電路的電壓增益可近似為
【權(quán)利要求】
1.一種新型指數(shù)可變增益放大電路,其特征在于:由第一 MOS管(I )、第二 MOS管(2)、第三MOS管(3)、第四MOS管(4)、第五MOS管(5)、第六MOS管(6)、第七M(jìn)OS管(7)、第八MOS管(8)、第九MOS管(9)、第十MOS管(10)、第十一 MOS管(11 )、第十二 MOS管(12)和第十三MOS管(13)構(gòu)成;所述第一 MOS管(I)源極連接第十三MOS管(13)的漏極,柵極連接輸入正電壓(Vin+),漏極連接電流(11);所述第二 MOS管(2)的源極連接第十二 MOS管(12)的漏極,柵極連接輸入負(fù)電壓(Vin-),漏極連接電流(II);所述第三MOS管(3)的源極和柵極均與第十三MOS管(13)的源極連接,第三MOS管(3)的漏極和第四MOS管(4)的漏極均連接電流(12),第四MOS管(4)的源極和柵極均與第十二 MOS管(12)的柵極連接;所述第十三MOS管(13)和第十二 MOS管(12)的源極分別與第七M(jìn)OS管(7)和第八MOS管(8)的漏極連接,柵極均連接電壓(Vb3);所述第五MOS管(5)的漏極接在第七M(jìn)OS管(7)的漏極和第十三MOS管(13)的源極之間,所述第六MOS管(6)的漏極接在第八MOS管(8)的漏極和第十二 MOS管(12)的源極之間;其中第五MOS管(5)的源極與第六MOS管(6)的源極連接,柵極與第六MOS管(6)的柵極連接;所述第七M(jìn)OS管(7)的柵極和第八MOS管(8)的柵極均與共模反饋模塊(14)連接,第七M(jìn)OS管(7)的源極連接第九MOS管(9)的漏極,第八MOS管(8)的源極連接連接第十MOS管(10)的漏極;所述第九MOS管(9)和第十MOS管(10)的源極均與第十一 MOS管(11)的漏極連接,柵極均與共模反饋模塊(14)連接,且所述第十一MOS管(11)的柵極也與共模反饋模塊(14)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的新型指數(shù)可變增益放大電路,其特征在于:所述第五MOS管(5)和第六MOS管(6)的源極和柵極之間并接有一電容(Cl)。
【文檔編號】H03G3/20GK203406838SQ201320529319
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】劉雄 申請人:蘇州蘇爾達(dá)信息科技有限公司
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