Ldmos功率放大器溫度效應抑制的電路裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。本實用新型有益的效果是：本實用新型結(jié)構(gòu)通過結(jié)合三極管的溫度特性和NTC熱敏電阻，對LDMOS管子的溫度效應實現(xiàn)較好的抑制作用，針對現(xiàn)有LDMOS管的特性，提供一種具有溫度補償機制的，可使大功率射頻LDMOS放大器在不同溫度下維持其靜態(tài)工作電流的穩(wěn)定，達到恒定功率輸出的目的。
【專利說明】LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型是應用于無線通信技術(shù)中的射頻LDMOS功率放大器的溫度效應抑制裝置，特別涉及WCDMA，CDMA制式的通信系統(tǒng)中對采用射頻LDMOS器件的大功率功率放大器的輸出功率穩(wěn)定有較大作用的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]LDMOS管是專為射頻功放放大器設(shè)計的改進型N溝道M0SFET，常工作在AB類，在工作點附近具有正的溫度特性，即在一定的柵壓下，當工作溫度升高時，其靜態(tài)電流Idq升高；當工作溫度降低時，Idq降低。一般地，當LDMOS管熱沉溫度從20°C升高到100°C時，其靜態(tài)工作電流Idq變化140% ;當溫度降低至0°C時，變化量也有30%。Idq變化會影響系統(tǒng)的增益、效率和線性等指標，其中又以線性影響最大。因此，在工作中維持功率管IDQ穩(wěn)定，是功放板設(shè)計的關(guān)鍵點之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型要解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供一種具有溫度補償機制、不同溫度下維持其靜態(tài)工作電流的穩(wěn)定，達到恒定功率輸出的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置。
[0004]本實用新型解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案:這種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管Tl、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，電源模塊通過限流電阻RO和三極管Tl、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳I連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。
[0005]所述限流電阻RO和三極管Tl、T2的基級之間連接有分壓電阻Rl、R2。
[0006]所述三極管Tl、T2的發(fā)射極接地。
[0007]所述LDMOS功率放大器的管腳I為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳I輸入。
[0008]本實用新型有益的效果是:本實用新型結(jié)構(gòu)通過結(jié)合三極管的溫度特性和NTC(Negative Temperature Coefficient負溫度系數(shù))熱敏電阻,對LDMOS管子的溫度效應實現(xiàn)較好的抑制作用，針對現(xiàn)有LDMOS管的特性，提供一種具有溫度補償機制的，可使大功率射頻LDMOS放大器在不同溫度下維持其靜態(tài)工作電流的穩(wěn)定，達到恒定功率輸出的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型電路示意圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明:[0011]如圖所示，這種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管Tl、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，電源模塊通過限流電阻RO和三極管Tl、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳I (柵極)連通，限流電阻RO和三極管T1、T2的基級之間連接有分壓電阻R1、R2，三極管Τ1、Τ2的發(fā)射極接地。LDMOS功率放大器的管腳2 (源極)接地，管腳3 (漏極)為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通，由微控制器MCU來控制電源模塊輸出一個合適的電壓(按照LDMOS功率放大器的輸出功率來定)，LDMOS功率放大器的管腳I為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳I輸入。LDMOS功率放大器的正溫度特性被NTC電阻R3的負溫度特性所抵消，最終實現(xiàn)了功放管的額輸出功率穩(wěn)定。
[0012]電路通過三極管Tl來牽制三極管Τ2的集電極電流，溫度升高，使三極管Τ2的UBE電壓變小，三極管Τ2的集電極電流增加，三極管Τ2集電極對地的電壓升高，這時，同樣由于溫度升高使得三極管Tl的UBE電壓也變小，這樣就削弱了三極管Τ2基極電流的增大，從而抑制了三極管Τ2集電極電流的增加，使得三極管Τ2集電極對地電壓隨溫度的升高保持一定的穩(wěn)定。當溫度降低時三極管Tl牽制三極管Τ2的效果相同，從而不管是溫度升高還是降低三極管Τ2集電極對地的電壓都保持在一定的恒定值下。而三極管Τ2集電極的電壓在保持恒定的同時，NTC電阻R3與分壓電阻R1、R2組成的LDMOS功率放大器柵極供電電壓卻在有序變化，當溫度升高時NTC電阻R3的阻值會變小，從而使得整體上加到柵極的電壓會變小，抵制了由于溫度升高而使LDMOS功率放大器漏極的電流增大的因素。當溫度降低時原理相同，最終使LDMOS功率放大器的柵壓也就實現(xiàn)了相對的“負溫度特性”，最終保證了LDMOS功率放大器的輸出功率穩(wěn)定。
[0013]本實用新型利用三極管本身的溫度特性互相制約實現(xiàn)LDMOS功率放大器柵極供電電源的溫度特性穩(wěn)定，從而為NTC電阻R3的負溫度特性提供了一個精準的電壓參考，而NTC電阻R3的負溫度特性通過電路實現(xiàn)了與LDMOS功率放大器正溫度特性的相互抵消，最終實現(xiàn)了有效抑制功放管的溫度效應。
[0014]除上述實施例外，本實用新型還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實用新型要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻RO、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是:電源模塊通過限流電阻RO和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳I連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是:所述限流電阻RO和三極管Tl、Τ2的基級之間連接有分壓電阻Rl、R2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是:所述三極管Tl、Τ2的發(fā)射極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是:所述LDMOS功率放大器的管腳I為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳I輸入。
【文檔編號】H03F3/20GK203387470SQ201320328616
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月6日
【發(fā)明者】吳志堅, 李成恩 申請人:三維通信股份有限公司