晶體振蕩器以及產(chǎn)生振蕩信號的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自我供電的晶體振蕩器，該晶體振蕩器具有晶體單元以及能量注入模塊。該晶體單元是用來振蕩以產(chǎn)生振蕩信號；該能量注入模塊耦接至該晶體單元，用來間歇地將能量注入該晶體單元。本發(fā)明還提供一種產(chǎn)生振蕩信號的方法，包含有：利用晶體單元來振蕩以產(chǎn)生該振蕩信號；以及間歇地將能量注入該晶體單元。本發(fā)明藉由能量注入機制可大幅地降低功率消耗。
【專利說明】晶體振蕩器以及產(chǎn)生振蕩信號的方法
【【技術領域】】
[0001]本發(fā)明關于一種晶體振蕩器，尤指一種自我供電的晶體振蕩器以及相關振蕩信號產(chǎn)生方法，其是利用功率/能量注入機制來補償晶體單元的能量損失并且消耗較低功率。
【【背景技術】】
[0002]即時追蹤(real-time tracking)被廣泛地應用在許多電子裝置上，例如數(shù)字相機、全球定位導航系統(tǒng)、移動電話等等。實務上，一般會采用一個32.768kHz的晶體(crystal, XTAL)來搭配振蕩電路以產(chǎn)生實時時鐘，其原因在于此種晶體的高頻振蕩在面對外在環(huán)境的變化下具有較高的穩(wěn)定性。另一方面，某些電子裝置是便攜式的且配備有有限容量的電池。為了增加以電池供電的可攜式電子裝置的使用時間，設計者亟需降低這類電子裝置的元件功耗，其中也包含晶體振蕩器的功耗。
[0003]在現(xiàn)有技術中，皮耳士振蕩器(Pierce oscillator)為常用的晶體振蕩器架構。I Thommen 在 “An Improved Low Power Crystal Oscillator，，，Proc.0f the25thESSCIRC, pp.146-149，Sept.，1999”中提出了這種通過振幅控制機制，可實現(xiàn)功耗只有亞微瓦(sub-uW)等級的皮耳士振蕩電路。為了降低皮耳士振蕩器的大負載電容所產(chǎn)生的額外功率消耗，D.Ruff ieux 又在 “A High-Stability, Ultra-Low-Power Quartz DifferentialOscillator Circuit for Demanding Radio Applications, ^Proc.0f the28thESSCIRC, pp.85-88，Sept.，2002”中提出一種差動振蕩器。然而，上述兩種架構都需要使用操作在線性區(qū)域的放大器，因而造成可觀的靜態(tài)功耗，也使得降低晶體振蕩器的整體功耗的難度大幅提高。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種晶體振蕩器以及產(chǎn)生振蕩信號的方法。
[0005]本發(fā)明提出一種晶體振蕩器，包含有:晶體單元以及能量注入模塊。該晶體單元是用來振蕩以產(chǎn)生振蕩信號；該能量注入模塊耦接至該晶體單元，用來間歇地將能量注入該晶體單元。
[0006]本發(fā)明還提出一種產(chǎn)生振蕩信號的方法，包含有:利用晶體單元來振蕩以產(chǎn)生該振蕩信號；以及間歇地將能量注入該晶體單元。
[0007]上述晶體振蕩器以及產(chǎn)生振蕩信號的方法藉由能量注入機制可大幅地降低功率消耗。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0008]圖1繪示了晶體單元的振蕩波形。
[0009]圖2繪示了代表該晶體單元的共振模式的等效電路。
[0010]圖3為依據(jù)本發(fā)明一實施例的晶體振蕩器的示意圖。
[0011]圖4為圖3中晶體振蕩器的信號的波形圖。[0012]圖5為依據(jù)本發(fā)明一實施例的切割器以及脈沖產(chǎn)生器的電路圖。
[0013]圖6為依據(jù)本發(fā)明一實施例的能量供應級的電路圖。
[0014]圖7為依據(jù)本發(fā)明一實施例的能量供應級中的升壓器的電路圖。
【【具體實施方式】】
[0015]在說明書及權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。本領域中技術人員應可理解，電子裝置制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及權利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)分的準貝U。在通篇說明書及權利要求當中所提及的“包含”為開放式的用語，故應解釋成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接到第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝置，或通過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。
[0016]請一并參考圖1和圖2，圖1繪示了一晶體單元的振蕩波形，而圖2則繪示了代表該晶體單元的共振模式的等效電路。當該晶體單元的兩端的電壓Vcp降到O時，該晶體單元的能量完全地轉(zhuǎn)移到電感Ls中，造成流過電感Ls的電感電流Iu會達到最大值。而當電感電流L流出電感Ls時，電壓Vcp會逐漸地升高，且電感Ls中所儲存的能量將會轉(zhuǎn)移并且儲存到電容Cp中。然而，在共振的過程中，儲存在該晶體單元中的能量會慢慢地因為動態(tài)阻抗(motional resistance)(以電阻Rs為模型)而耗損。若是可以在每一振蕩周期都重新對該晶體單元補充能量以彌補電阻Rs所消耗的能量，則該晶體單元便可保持完美的振蕩。因此，本發(fā)明提出一種能量注入機制，其會間歇地(intermittently)將能量注入該晶體單元，這樣一來便可補償上述的能量損失以維持振蕩。
[0017]請參考圖3，圖3是依據(jù)本發(fā)明一實施例的晶體振蕩器的示意圖。晶體振蕩器300包含有晶體單元302、能量注入模塊(power injection module) 310以及振蕩起始電路(oscillation start-up circuit) 330。首先,振蕩起始電路330會觸發(fā)晶體單元302好讓振蕩行為開始動作，振蕩起始電路330可以是相關現(xiàn)有技術中在晶體振蕩器中使用的任何振蕩電路，例如皮耳士振蕩器。一`旦晶體單元302開始振蕩或是能量注入模塊310開始間歇地將能量注入晶體單元302中，振蕩起始電路330便會被關閉且完全不會耗電。之后，晶體單元302的能量耗損將利用能量注入模塊310來補償。
[0018]在此實施例中，能量注入模塊310包含有:切割級(slicing stage) 312、脈沖產(chǎn)生級314以及能量供應級(power delivering stage) 316。本實施例中的能量注入模塊310具有差動注入機制，來將能量從晶體單元302的兩端以差動形式注入進晶體單元302。差動注入機制的目的是在于取得晶體單元302的兩端之間的直流平衡，在相關現(xiàn)有技術中，通常是藉由連接于晶體單元302的兩端之間的大反饋電阻來達到直流平衡，然而大反饋電阻的耗電相對較大，因此為了降低功耗，本發(fā)明在此使用該差動注入機制來代替上述的大反饋電阻。在說明時，能量注入模塊310是使用差動注入機制來將能量注入晶體單元302，但本發(fā)明并不以此為限，在其它實施例中，能量注入模塊310也可以僅將能量間歇地注入晶體單元302的任一端點。
[0019]在圖3中由于采用差動注入機制，架構中每一級都具有成對的元件。因此，切割級312包含有切割器312A以及切割器312B，分別耦接至晶體單元302，用來接收振蕩信號Vxi和振蕩信號vx。并將其分別切割以產(chǎn)生切割信號Vdt和切割信號V。,’ ；脈沖產(chǎn)生級314包含有脈沖產(chǎn)生器314A和脈沖產(chǎn)生器314B，分別耦接至切割級312，用來接收切割信號Vek和切害帽號V。/，并且據(jù)以從切割信號Vdt和切割信號V。,’抽取出脈沖信號，以分別產(chǎn)生脈沖信號Veg和脈沖信號Veg’ ；能量供應級316包含有能量供應電路316A和316B，耦接至脈沖產(chǎn)生級314，用來分別依據(jù)脈沖信號Veg和脈沖信號VJ來間歇地將能量傳送到晶體單元302。圖4繪示了上述所提及的信號波形。當振蕩信號Vxi處在正半周期，切割信號Vck會升高，而當振蕩信號Vxi處在負半周期，切割信號Vdt則會下降。之后，切割信號Vdt的上升沿(risingedge)會被提取用來當作脈沖信號由于脈沖信號Veg是由切割信號Vdt的上升沿所取出，故脈沖信號Veg的脈沖會在電壓Vxi上升時產(chǎn)生；相同的，脈沖信號VJ的脈沖會在電壓Vx。上升時產(chǎn)生。當脈沖產(chǎn)生時，能量供應級316會被觸發(fā)并將能量注入晶體單元302。特別是當電壓Vxi上升時，能量供應級316會提供高于電壓Vxi的電壓電平(level)的第一供應電壓(例如Vdd)至晶體單元302的端點Ei,來對晶體單元302中的電容Cp充電至該第一供應電壓，以補償能量損失。在差動注入機制之下，能量供應級316另提供第二供應電壓(例如接地電壓)至晶體單元302的端點E。。當電壓Vx。上升時，能量供應級316會提供高于電壓Vxo的電壓電平的第一供應電壓(例如Vdd)至晶體單元302的端點E。，來對晶體單元302中的電容Cp充電至該第一供應電壓，同時能量供應級316會提供該第二供應電壓(例如接地電壓)至晶體單元302的端點Ep由于從能量供應級316所注入的能量遵守晶體單元302中的能量流動方向，因此可以將該能量注入機制所引起的擾動降到最低。
[0020]圖5為依據(jù)本發(fā)明一實施例的切割器312A以及脈沖產(chǎn)生器314A的電路圖。晶體單元302在第一端點Ei所產(chǎn)生的振蕩信號Vxi會分別通過耦合電路(例如電容Cl和電容C2)而交流稱合(alternating current (AC) -coupled)至一 P型金屬氧化半導體晶體管(Ptype Metal-Oxide-Semiconductor, PMOS) M3以及一 N型金屬氧化半導體晶體管M4的柵極。偏壓電路(例如二極管連接形式晶體管(Diode-connected transistor)Ml和M2)分別提供不同直流偏壓點的偏壓給P型金屬氧化半導體晶體管M3以及N型金屬氧化半導體晶體管M4，其結果是晶體管M3和晶體管M4會正常地截止，這樣一來，P型金屬氧化半導體晶體管M3以及N型金屬氧化半導體晶體管M4便不會造成靜態(tài)電流和能量的消耗。另外，切割電路耦接至該耦合電路，用來接收通過該耦合電路所耦合的該振蕩信號，并依據(jù)該振蕩信號產(chǎn)生至少一切割信號，例如在該切割電路中，P型金屬氧化半導體晶體管M3以及N型金屬氧化半導體晶體管M4的輸出會依據(jù)振蕩信號Vxi的電壓電平而在高低電平之間切換，進而產(chǎn)生一方波。該方波會被傳送到一 P型金屬氧化半導體晶體管M5和一 N型金屬氧化半導體晶體管M6所構成的反相器以產(chǎn)生切割信號V。,。切割信號Vdt會被傳送到脈沖產(chǎn)生器314A。脈沖產(chǎn)生器314A包含有或非門322以及反相器324，反相器324會將切割信號Vck反相并據(jù)以輸出反相信號Vinv，或非門322的一輸入端是連接到切割信號V。,，而或非門322的另一輸入端則是連接到反相信號Vinv，或非門322會藉由對這些輸入信號執(zhí)行或非運算操作來提取出切割信號Vck的上升沿并產(chǎn)生脈沖信號Veg。切割器312B和脈沖產(chǎn)生器314B的運作機制基本上和圖5中所繪示的原理大致相同，唯一的差別在于輸入和輸出的信號不同。對于切割器312B和脈沖產(chǎn)生器314B來說，是將振蕩信號Vx。輸入切割器312B，且脈沖產(chǎn)生器314B所輸出的信號是脈沖信號VJ。
[0021]圖6為依據(jù)本發(fā)明一實施例的能量供應級316的電路圖。能量供應電路316A和能量供應電路316B都包含有兩個開關(較佳實施方式為使用金屬氧化半導體晶體管來實作)，來提供第一供應電壓(Vdd)或是第二供應電壓(接地電壓)給晶體單元302的兩端，以間歇地將能量注入晶體單元302。然而在低電壓設計中，脈沖信號Veg和脈沖信號VJ的電壓可能沒有超過晶體管M7?MlO的臨界電壓而無法使其全部導通來將能量注入晶體單元302,因此便需要一升壓級(boosting stage)。
[0022]在一實施例中，能量注入模塊310另包含有一升壓級318，耦接于脈沖產(chǎn)生級314和能量供應級316之間。在差動注入機制之下，升壓級318包含有一對升壓器318A和升壓器318B，升壓器318A和升壓器318B用來分別將脈沖信號Veg和脈沖信號Veg’轉(zhuǎn)換為升壓信號Vji和升壓信號V」。，其大約是該第一供應電壓(Vdd)的四到五倍，以導通晶體管M7?10。圖7為依據(jù)本發(fā)明一實施例的升壓器318A的電路圖。請注意，此設計也適用于升壓器318B。如圖所示，脈沖產(chǎn)生器314A所產(chǎn)生的脈沖信號Veg用來觸發(fā)一閂鎖電路350，其中較佳實施方式為使用RS閂鎖器(RS-1atch)。RS閂鎖器350的輸出V。和輸出V?！霓D(zhuǎn)換會致能升壓器318A。當RS閂鎖器的輸出V。降低且RS閂鎖器的輸出V?！邥r，信號Vsp和信號Vsn皆會下降。同時，當該閂鎖信號產(chǎn)生電平轉(zhuǎn)換(level transition)時,一升壓電路370的電容C3?C6 (之前由于信號Vsp和信號Vsn的高電位因此形成并聯(lián)電容陣列)會被轉(zhuǎn)換為串聯(lián)電容串(由于信號Vsp和信號Vsn降為低電位)，因此,會產(chǎn)生相當于該第一供應電壓的四到五倍的一輸出電壓升壓信號Vjitj此外,一部分升壓電壓(partial-boosted voltage)Vrs會被反饋來重置RS閂鎖器350以進行下一升壓操作，其中該部分升壓信號產(chǎn)生于該多個電容之間的一節(jié)點。一延遲電路360用來以不同的延遲量來延遲RS閂鎖器350的輸出V0和輸出V。’，以確保在升壓電路370中的P型金屬氧化半導體晶體管M31?M38被導通之前，N型金屬氧化半導體晶體管M21?M25保持在截止狀態(tài)，這樣一來便不會發(fā)生貫穿電流(shot through current)。
[0023]基于該晶體振蕩器，本發(fā)明提出一種產(chǎn)生振蕩信號的方法，包含有:
[0024]利用一晶體單元來振蕩以產(chǎn)生該振蕩信號；以及
[0025]間歇地將能量注入該晶體單元。
[0026]在一實施例中，間歇地將該能量注入該晶體單元的步驟包含有:
[0027]切割該振蕩信號以產(chǎn)生至少一切割信號；
[0028]從該至少一切割信號抽取至少一脈沖信號；以及
[0029]依據(jù)該至少一脈沖信號來將該能量間歇地供應至該晶體單元。
[0030]依據(jù)以上關于晶體振蕩器的實施例的說明和圖示，已清楚地傳達本發(fā)明的原理和操作細節(jié)。為簡潔起見，在此省略相關方法的細節(jié)說明。
[0031]以上文中所提及的“一實施例”代表針對所述實施例所描述的特定特征、結構或者是特性包含于本發(fā)明的至少一實施方式中。再者，文中不同段落中所出現(xiàn)的“一實施例”并非代表相同的實施例。因此，盡管以上對于不同實施例描述時，分別提及了不同的結構特征或是方法性的動作，但應當注意的是，這些不同特征可通過適當?shù)男薷亩瑫r實現(xiàn)于同一特定實施方式中。
[0032]本發(fā)明的目的之一在于提供一種晶體振蕩器，其具有極低的功耗。本發(fā)明的另一個目的在于將功率/能量注入機制應用在晶體振蕩器，其中該晶體振蕩器的晶體單元被用來當作超高質(zhì)量電感電容共振腔(ultra-high-Q LC tank)且能量被間歇地注入該電感電容共振腔以維持該晶體單元的振蕩。相較于使用晶體單元來當作振蕩電路(例如皮耳士振蕩器)的反饋回路中的電感裝置，本發(fā)明的能量注入機制相反地使用了較少的耗電被動元件(即皮耳士振蕩器的負載電容和反饋電阻較為耗電)，也不需要操作在線性區(qū)域的放大器，如此一來，本發(fā)明所提出的晶體振蕩器可大幅地降低功耗，此外，上述切割級和升壓級的相關機制藉由間歇地將能量注入上述晶體單元，也可以有效地降低功耗。因此，本發(fā)明克服了相關現(xiàn)有技術的問題。
[0033] 本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權利要求所界定者為準。
【權利要求】
1.一種晶體振蕩器，其特征在于，包含有: 晶體單元，用來振蕩以產(chǎn)生振蕩信號；以及 能量注入模塊，耦接至該晶體單元，用來間歇地將能量注入該晶體單元。
2.如權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，該能量注入模塊包含有: 切割級，耦接至該晶體單元，用來接收并切割至少該振蕩信號以產(chǎn)生至少一切割信號; 脈沖產(chǎn)生級，耦接至該切割級，用來接收該至少一切割信號，以及從該至少一切割信號抽取至少一脈沖信號；以及 能量供應級，耦接至該脈沖產(chǎn)生級，用來依據(jù)該至少一脈沖信號來間歇地將該能量供應至該晶體單元。
3.如權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，該晶體單元具有第一端點；當該第一端點的電壓電平升高時，該能量供應級提供高于該第一端點的電壓電平的第一供應電壓至該第一端點；以及當該第一端點的電壓電平降低時，該能量供應級提供低于該第一端點的電壓電平的第二供應電壓至該第一端點。
4.如權利要求3所述的晶體振蕩器，其特征在于，該晶體單元還具有第二端點；當該能量供應級將該第一供應電壓供應至該晶體單元的第一端點時，該能量供應級供應該第二供應電壓至該晶體單元的第二端點；以及當該能量供應級將該第二供應電壓供應至該晶體單元的第一端點時，該能量供應級供應該第一供應電壓至該晶體單元的第二端點。
5.如權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，其中: 該切割級包含有一對切割器，具有第一切割器以及第二切割器，其中該第一切割器耦接至該晶體單元的第一端點，并且用來接收該振蕩信號以產(chǎn)生第一切割信號，該第二切割器耦接至該晶體單元的第二端點，并且用來接收該振蕩信號的反相信號以產(chǎn)生第二切割信號，其中該第二切割信號是該第一切割信號的反相信號；以及 該脈沖產(chǎn)生級包含有一對脈沖產(chǎn)生器，具有第一脈沖產(chǎn)生器以及第二脈沖產(chǎn)生器，其中該第一脈沖產(chǎn)生器耦接至該第一切割器，并且用來接收該第一切割信號以產(chǎn)生第一脈沖信號，以及該第二脈沖產(chǎn)生器耦接至該第二切割器，并且用來接收該第二切割信號以產(chǎn)生第二脈沖信號，其中該第二脈沖信號是該第一脈沖信號的反相信號。
6.如權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，該切割級包含有: 耦合電路，具有第一輸出端點以及第二輸出端點，用來接收該振蕩信號，以及將該振蕩信號分別I禹合至該第一輸出端點以及該第二輸出端點； 切割電路，耦接至該耦合電路，用來接收通過該耦合電路所耦合的該振蕩信號，并依據(jù)該振蕩信號產(chǎn)生該至少一切割信號；以及 偏壓電路，耦接至該切割電路以及該耦合電路，用來提供偏壓至該切割電路。
7.如權利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，該切割電路包含有: 第一晶體管，具有耦接至該耦合電路的第一輸出端點的控制端點以接收該振蕩信號，以及具有耦接至第一供應電壓的第一端點； 第二晶體管，具有控制端點、第一端點以及第二端點，其中該第二晶體管的控制端點耦接至該耦合電路的第 二輸出端點以接收該振蕩信號，該第二晶體管的第一端點耦接至該第一晶體管的第二端點，以及該第二晶體管的第二端點耦接至第二供應電壓；以及反相器，具有耦接至該第一晶體管的第二端點的輸入端，用來依據(jù)該第一晶體管的第二端點所提供的信號而在輸出端產(chǎn)生該至少一切割信號。
8.如權利要求7所述的晶體振蕩器，其特征在于，該偏壓電路包含有: 第一二極管連接形式晶體管，耦接于該耦合電路以及該第一晶體管之間，用來提供偏壓至該第一晶體管；以及 第二二極管連接形式晶體管，耦接于該耦合電路以及該第二晶體管之間，用來提供偏壓至該第二晶體管； 其中該第一晶體管以及該第二晶體管分別被偏壓在不同的直流偏壓點。
9.如權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，該脈沖產(chǎn)生級包含有: 反相器，耦接至該切割級，用來接收該至少一切割信號，并且據(jù)以產(chǎn)生至少一反相切割信號；以及 或非門，耦接至該反相器以及該切割器，用來接收該至少一切割信號以及該至少一反相切割信號，以產(chǎn)生該至少一脈沖信號。
10.如權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，該能量注入模塊另包含有: 升壓級，耦接于該脈沖產(chǎn)生級以及該能量供應級之間，用來對該至少一脈沖信號進行升壓以產(chǎn)生至少一升壓信號，其中該能量供應級依據(jù)該至少一升壓信號來將該能量間歇地供應至該晶體單元。
11.如權利要求10·所述的晶體振蕩器，其特征在于，該升壓級包含有一對升壓器，具有第一升壓器以及第二升壓器，該第一升壓器耦接至該脈沖產(chǎn)生級，用來接收該至少一脈沖信號的一脈沖信號以產(chǎn)生第一升壓信號，而該升壓器的該第二升壓器耦接至該脈沖產(chǎn)生級，用來接收該至少一脈沖信號的一反相脈沖信號以產(chǎn)生第二升壓信號，其中該第二升壓信號是該第一升壓信號的反相信號。
12.如權利要求10所述的晶體振蕩器，其特征在于，該升壓級包含有: 閂鎖電路，耦接至該脈沖產(chǎn)生級，用來依據(jù)該至少一脈沖信號以及一部分升壓信號來產(chǎn)生閂鎖信號以及反相閂鎖信號；以及 升壓電路，具有多個電容，用來依據(jù)該閂鎖信號以及該反相閂鎖信號來產(chǎn)生該至少一升壓信號，其中該部分升壓信號產(chǎn)生于該多個電容之間的一節(jié)點。
13.如權利要求12所述的晶體振蕩器，其特征在于，當該閂鎖信號產(chǎn)生電平轉(zhuǎn)換時，該升壓電路的該多個電容從多個并聯(lián)電容陣列轉(zhuǎn)變?yōu)橐淮?lián)電容串，進而產(chǎn)生該至少一升壓信號。
14.如權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，另包含有: 振蕩起始電路，耦接至該晶體單元，用來觸發(fā)該晶體單元開始振蕩，其中當該能量注入模塊間歇地將該能量供應至該晶體單元時，該振蕩起始電路會被關閉。
15.—種產(chǎn)生振蕩信號的方法,其特征在于,包含有: 利用晶體單元來振蕩以產(chǎn)生該振蕩信號；以及 間歇地將能量注入該晶體單元。
16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，間歇地將該能量注入該晶體單元的步驟包含有: 切割該振蕩信號以產(chǎn)生至少一切割信號；從該至少一切割信號抽取至少一脈沖信號；以及 依據(jù)該至少一脈沖信號來將該能量間歇地供應至該晶體單元。
17.如權利要求15所述的方法，其特征在于，該晶體單元具有第一端點，且間歇地將該能量注入該晶體單元的步驟包含有: 當該第一端點的電壓電平升高時，提供高于該第一端點的電壓電平的第一供應電壓至該第一端點；以及 當該第一端點的電壓電平降低時，提供低于該第一端點的電壓電平的第二供應電壓至該第一端點。
18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，該晶體單元另具有第二端點，且間歇地將該能量注入該晶體單元的步驟另包含有: 當該第一供應電壓被供應至該晶體單元的第一端點時，供應該第二供應電壓至該晶體單元的第二端點；以及 當該第二供應電壓被供應至該晶體單元的第一端點時，供應該第一供應電壓至該晶體單元的該二端點。
19.如權利要求16所述的方法，其特征在于，從該至少一切割信號抽取該至少一脈沖信號的步驟包含有: 接收該至少一切割信號，并且據(jù)以產(chǎn)生至少一反相切割信號；以及對該至少一切割信號以及該至少一`反相切割信號執(zhí)行或非運算操作，以產(chǎn)生該至少一脈沖信號。
20.如權利要求16所述的方法，其特征在于，另包含有: 對該至少一脈沖信號進行升壓以產(chǎn)生至少一升壓信號；以及 依據(jù)該至少一升壓信號來將該能量間歇地供應至該晶體單元。
21.如權利要求20所述的方法，其特征在于，對該至少一脈沖信號進行升壓以產(chǎn)生該至少一升壓信號的步驟包含有: 依據(jù)該至少一脈沖信號以及一部分升壓信號來產(chǎn)生閂鎖信號以及反相閂鎖信號；以及利用具有多個電容的升壓電路來依據(jù)該閂鎖信號以及該反相閂鎖信號來產(chǎn)生該至少一升壓信號，其中該部分升壓信號產(chǎn)生于該多個電容之間的一節(jié)點。
22.如權利要求21所述的方法，其特征在于，利用具有該多個電容的該升壓電路來產(chǎn)生該至少一升壓信號的步驟包含有: 當該閂鎖信號發(fā)生電平轉(zhuǎn)換時，該升壓電路的該多個電容從多個并聯(lián)電容陣列轉(zhuǎn)變?yōu)橐淮?lián)電容串，進而產(chǎn)生該至少一升壓信號。
23.如權利要求15所述的方法，其特征在于，另包含有: 利用振蕩起始電路來觸發(fā)該晶體單元開始振蕩；以及 當間歇地將該能量注入至該晶體單元時，關閉該振蕩起始電路。
【文檔編號】H03B5/20GK103825554SQ201310553492
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權日:2012年11月15日
【發(fā)明者】蕭耕然 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司