本發(fā)明涉及電路裝置、振蕩裝置以及電子設(shè)備等。

背景技術(shù)：
以往，被稱為TCXO(temperaturecompensatedcrystaloscillator：溫度補償石英振蕩器)的溫度補償型石英振蕩裝置是公知的。該TCXO被用作例如便攜終端等無線設(shè)備的RF電路的基準(zhǔn)信號源等。作為實現(xiàn)TCXO的電路裝置的現(xiàn)有技術(shù)，例如有專利文獻1中公開的技術(shù)。然而，在石英振子等振蕩器中會發(fā)生如下問題等：在振蕩器上附著了制造時產(chǎn)生的異物的狀態(tài)下使用時，由于該異物的原因?qū)е抡袷庮l率不穩(wěn)定，如果所附著的異物脫落，則振蕩頻率會跳至不同的頻率。該情況下，可以考慮以下方法：在振蕩裝置中安裝振蕩器之前，對單體的振蕩器進行過驅(qū)動(overdrive)(強激勵)，從而去除異物。然而，根據(jù)振蕩裝置的封裝結(jié)構(gòu)的不同，有的結(jié)構(gòu)難以進行這種振蕩器單體中的過驅(qū)動試驗。此外，即便振蕩裝置的封裝結(jié)構(gòu)是可以進行過驅(qū)動試驗的結(jié)構(gòu)，也存在如下問題：隨著振蕩裝置的封裝或嵌入的電路裝置(IC)的小型化，難以設(shè)置過驅(qū)動用的電極(端子)。專利文獻1：日本特開2009-124214號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的幾個方式，可以提供能夠有效利用電路裝置所具有的電路元件來實現(xiàn)振蕩器的過驅(qū)動(overdrive)的電路裝置、振蕩裝置以及電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式涉及一種電路裝置，其包含：提供振蕩用電流的電流供給電路；振蕩電路，其具有振蕩器的振蕩用晶體管，基于來自所述電流供給電路的所述振蕩用電流，通過所述振蕩用晶體管來驅(qū)動所述振蕩器；以及控制所述電流供給電路的控制部，在設(shè)定為過驅(qū)動模式的情況下，所述振蕩電路以比通常模式時的驅(qū)動能力大的驅(qū)動能力來驅(qū)動所述振蕩器。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，基于來自電流供給電路的振蕩用電流，通過振蕩用晶體管來驅(qū)動振蕩器，進行振蕩器的振蕩動作。而且，當(dāng)設(shè)定為過驅(qū)動模式時，以比通常模式中的驅(qū)動能力大的驅(qū)動能力來驅(qū)動振蕩器。因此，可以有效利用電路裝置所具有的電路元件來實現(xiàn)振蕩器的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，還包含調(diào)節(jié)器，該調(diào)節(jié)器被提供電源電壓，并基于所述電源電壓生成振蕩用電源電壓，在所述通常模式中，所述電流供給電路基于來自所述調(diào)節(jié)器的所述振蕩用電源電壓而工作，對所述振蕩電路提供所述振蕩用電流，在所述過驅(qū)動模式中，所述電流供給電路基于所述電源電壓而工作，對所述振蕩電路提供所述振蕩用電流。這樣，在通常模式中，電流供給電路基于振蕩用電源電壓而工作，對振蕩電路提供振蕩用電流。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的振蕩動作等。另一方面，在過驅(qū)動模式中，電流供給電路基于電源電壓而工作，對振蕩電路提供振蕩用電流。因此，在過驅(qū)動模式中，能夠提高振蕩電路的驅(qū)動能力，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，還包含調(diào)節(jié)器，該調(diào)節(jié)器被提供電源電壓，并基于所述電源電壓生成振蕩用電源電壓，在所述通常模式中，所述振蕩電路的所述振蕩用晶體管從被提供所述振蕩用電源電壓而工作的所述電流供給電路得到所述振蕩用電流的供給，進行晶體管動作，在所述過驅(qū)動模式中，所述振蕩電路的所述振蕩用晶體管被提供所述電源電壓而進行晶體管動作。這樣，在通常模式中，由基于振蕩用電源電壓而工作的電流供給電路提供振蕩用電流，振蕩用晶體管進行晶體管動作。另一方面，在過驅(qū)動模式中，振蕩用晶體管被提供電源電壓而進行晶體管動作。因此，在過驅(qū)動模式中，振蕩用晶體管被提供電源電壓而工作，由此，能夠提高振蕩電路的驅(qū)動能力，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述振蕩電路包含雙極型的所述振蕩用晶體管和設(shè)置在所述振蕩用晶體管的集電極/基極之間的反饋電阻，在所述通常模式中，對所述振蕩用晶體管的所述集電極提供來自所述電流供給電路的所述振蕩用電流，在所述過驅(qū)動模式中，對所述振蕩用晶體管的所述集電極提供所述電源電壓。這樣，在過驅(qū)動模式中，由于向集電極提供電源電壓，使得雙極型的振蕩用晶體管進行晶體管動作，因此能夠提高振蕩電路的驅(qū)動能力。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述振蕩用晶體管由并聯(lián)設(shè)置在所述振蕩用電流的供給節(jié)點與第1電源節(jié)點之間的多個晶體管構(gòu)成，所述控制部進行如下控制：在所述過驅(qū)動模式中，與所述通常模式相比，增加被提供所述振蕩用電流而工作的所述晶體管的個數(shù)。這樣，在過驅(qū)動模式中，由于構(gòu)成振蕩用晶體管的晶體管的個數(shù)增加，因此能夠?qū)崿F(xiàn)過驅(qū)動時的驅(qū)動能力的維持等。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，還包含過驅(qū)動用驅(qū)動電路，在所述通常模式中，所述振蕩電路通過所述振蕩用晶體管來驅(qū)動所述振蕩器，在所述過驅(qū)動模式中，所述振蕩電路通過所述過驅(qū)動用驅(qū)動電路來驅(qū)動所述振蕩器。這樣，在過驅(qū)動模式中，由于能夠通過驅(qū)動能力高的過驅(qū)動用驅(qū)動電路來驅(qū)動振蕩器，因此，例如能夠增大負性電阻的絕對值，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述振蕩用晶體管是集電極被提供所述振蕩用電流而工作的雙極型晶體管，所述過驅(qū)動用驅(qū)動電路是由串聯(lián)連接的P型MOS晶體管和N型MOS晶體管構(gòu)成的反相器電路。這樣，在過驅(qū)動模式中，可以通過驅(qū)動能力比雙極型晶體管高的反相器電路來驅(qū)動振蕩器。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述振蕩電路包含與所述振蕩器的一端和另一端中的至少一方連接的可變電容電路，在所述過驅(qū)動模式中，所述控制部將所述可變電容電路的電容值設(shè)定為比所述通常模式小的電容值。這樣，在過驅(qū)動模式中，與振蕩器的一端和另一端中的至少一方連接的可變電容電路變小，由此，振蕩電路的負載電容變小。由此，能夠增大振蕩電路的負性電阻的絕對值，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述可變電容電路是振蕩頻率調(diào)整用的可變電容電路或者振蕩頻率的溫度補償用的可變電容電路。這樣，能夠有效地利用振蕩頻率調(diào)整用或振蕩頻率的溫度補償用的可變電容電路來實現(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，在本發(fā)明的一個方式中，可以是，所述振蕩電路包含雙極型的所述振蕩用晶體管和設(shè)置于所述振蕩用晶體管的集電極/基極之間的電阻值可變的反饋電阻，在所述過驅(qū)動模式中，所述控制部將所述反饋電阻的電阻值設(shè)定成比所述通常模式小的電阻值。這樣，在過驅(qū)動模式中，通過減小反饋電阻的電阻值，能夠增大振蕩電路的負性電阻的絕對值，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的過驅(qū)動。此外，本發(fā)明的其他方式涉及一種振蕩裝置，該振蕩裝置包含上述任意一個方式所述的電路裝置和所述振蕩器。此外，本發(fā)明的其他方式涉及一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包含上述任意一個方式所述的電路裝置。附圖說明圖1是關(guān)于過驅(qū)動試驗的說明圖。圖2的(A)～圖2的(C)是單密封結(jié)構(gòu)的封裝的例子。圖3的(A)、圖3的(B)是H型結(jié)構(gòu)的封裝的例子。圖4的(A)是本實施方式的電路裝置和振蕩裝置的結(jié)構(gòu)例，圖4的(B)是本實施方式的方法的說明圖。圖5的(A)、圖5的(B)是示出電流調(diào)整比特及振蕩頻率與振蕩用電流之間的關(guān)系的圖。圖6的(A)、圖6的(B)是控制振蕩用電流來實現(xiàn)過驅(qū)動的方法的說明圖。圖7是本實施方式的電路裝置的詳細結(jié)構(gòu)例。圖8是本實施方式的電路裝置的第1變形例。圖9是第1變形例的動作說明圖。圖10是本實施方式的電路裝置的第2變形例。圖11是本實施方式的電路裝置的第3變形例。圖12是本實施方式的電路裝置的第4變形例。圖13是本實施方式的電路裝置的第5變形例。圖14是本實施方式的電路裝置的第6變形例。圖15是本實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)例。標(biāo)號說明XTAL：振蕩器，BT：振蕩用晶體管，RF：反饋電阻，IOS：振蕩用電流，BUF：緩沖電路，C1、C2：第1、第2電容器（可變電容電路），C3：第3電容器，CM：電流鏡像電路，TB1：基準(zhǔn)電流晶體管，TB2：電流供給晶體管，BA1～BAM：晶體管，GA1～GAM：控制信號，BT0～BTN：晶體管，SA1～SAM、SC1～SCN、SD1、SD2、SWA、SWB：開關(guān)元件，INV：反相器電路（過驅(qū)動用驅(qū)動電路），C1A、C1B、C2A、C2B：電容器，10：振蕩電路，20：電流供給電路，28：溫度補償電壓產(chǎn)生電路，30：控制部，40：存儲器，50：調(diào)節(jié)器，500：電路裝置，510：通信部，520：處理部，530：操作部，540：顯示部，550：存儲部。具體實施方式以下，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。另外，以下說明的本實施方式不對權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的內(nèi)容進行不當(dāng)?shù)南薅ǎ緦嵤┓绞街姓f明的所有結(jié)構(gòu)并非都是作為本發(fā)明的解決手段所必需的。1.過驅(qū)動如前所述，在石英振子等振蕩器中，在振蕩器上附著了制造時所產(chǎn)生的異物的狀態(tài)下使用時，會發(fā)生振蕩頻率不穩(wěn)定，或者振蕩頻率跳動等問題。因此，在圖1中，在將振蕩器XTAL安裝于振蕩裝置之前，對單體的振蕩器XTAL進行過驅(qū)動試驗。具體而言，在振蕩器XTAL(石英振子等)中流過較大的交流電流，使其大幅振動，由此去除附著在振蕩器XTAL的表面的異物。然而，根據(jù)振蕩裝置的封裝結(jié)構(gòu)的不同，有的結(jié)構(gòu)難以進行這樣的振蕩器單體的過驅(qū)動試驗。此外，隨著振蕩裝置等的小型化，還存在難以設(shè)置過驅(qū)動用的電極這樣的問題。例如在圖2的(A)～圖2的(C)中，作為石英振蕩器等振蕩裝置200的封裝結(jié)構(gòu)，示出了單密封結(jié)構(gòu)的例子。圖2的(B)是圖2的(A)的A-A’處的剖面圖。單密封結(jié)構(gòu)是在振蕩裝置200的封裝210內(nèi)的相同空間內(nèi)安裝了振蕩器XTAL(振子)和電路裝置IC，并通過蓋220(蓋部)進行了密封的封裝結(jié)構(gòu)。例如在圖2的(B)中，在封裝210內(nèi)的空間內(nèi)，設(shè)置有電路裝置IC和振蕩器XTAL，電路裝置IC的電極TIC與振蕩器XTAL的電極TXT通過布線LC連接。而且，在電路裝置IC的上方安裝了振蕩器XTAL，并通過振蕩器XTAL上方的蓋220進行了密封。而且，如圖2(C)所示，使用形成于封裝210的底面的用戶安裝電極TU1～TU4(振蕩裝置的控制電極)來進行振蕩裝置200的控制等。作為用戶安裝電極TU1～TU3，例如有頻率控制電極(VCON)、電源電極(VDD、VSS)等。該情況下，可以像用戶安裝電極TU1～TU4那樣，也使振蕩器XTAL的電極TXT(端子)露出到振蕩裝置200的外部，但是，由于電極TXT是影響特性的電極，因此通常不露出到外部。在該單密封結(jié)構(gòu)中，在安裝了電路裝置IC后安裝振蕩器XTAL。而且，電路裝置IC與振蕩器XTAL通過封裝210內(nèi)的布線LC連接。因此，存在以下問題：無法進行振蕩器XTAL單體的特性確認，無法進行圖1所示的振蕩器XTAL單體的過驅(qū)動試驗。因此，存在如下問題：在產(chǎn)品的品質(zhì)和成品率方面，比其他的封裝結(jié)構(gòu)差。在圖3的(A)、圖3的(B)中，作為振蕩裝置200的封裝結(jié)構(gòu)，示出了H型結(jié)構(gòu)的例子。圖3的(A)是圖2的(A)的A-A’處的剖面圖。在H型結(jié)構(gòu)中，在封裝210的上下設(shè)置了被稱作腔室的空間，在安裝在用戶基板上的下側(cè)腔室中安裝電路裝置IC，在上側(cè)腔室中安裝振蕩器XTAL。此外，電路裝置IC的電極TIC與振蕩器XTAL的電極TXT通過布線LC連接。并且，振蕩器XTAL側(cè)的腔室被蓋220密封。按照安裝振蕩器XTAL、安裝電路裝置IC這一順序來進行振蕩裝置200的組裝。在該H型結(jié)構(gòu)中進行過驅(qū)動的情況下，在安裝電路裝置IC的一側(cè)的腔室中設(shè)置有與振蕩器XTAL連接的電極，可以使用該電極執(zhí)行過驅(qū)動試驗。例如在圖3的(B)中，TU1～TU4是用戶安裝電極，TI1～TI4是IC安裝電極。而且，TOV1、TOV2是振蕩器XTAL的特性確認用電極，可以使用這些電極TOV1、TOV2來執(zhí)行過驅(qū)動試驗。具體而言，在安裝了振蕩器XTAL并通過蓋220進行了密封之后，使用電極TOV1、TOV2進行過驅(qū)動試驗。然后，安裝電路裝置IC，完成振蕩裝置200。然而，對于該H型結(jié)構(gòu)而言，隨著封裝的小型化和IC的小型化，也是難以設(shè)置過驅(qū)動用的電極(TOV1，TOV2)。例如，過驅(qū)動試驗是從外部使探針接觸過驅(qū)動用的電極，但是，如果封裝等進一步小型化，過驅(qū)動用的電極的大小變小，則難以進行探針的接觸作業(yè)。因此，可能無法去除附著在振蕩器上的異物，導(dǎo)致可靠性和成品率的降低等。2.結(jié)構(gòu)在圖4的(A)中示出了能夠解決以上那樣的問題的本實施方式的電路裝置和包含該電路裝置的振蕩裝置的結(jié)構(gòu)例。本實施方式的電路裝置包含振蕩電路10、電流供給電路20以及控制部30。此外，電路裝置還可以包含溫度補償電壓產(chǎn)生電路28和存儲器40。另外，本實施方式的電路裝置的結(jié)構(gòu)不限于圖4的(A)的結(jié)構(gòu)，可以實施其一部分結(jié)構(gòu)要素(例如溫度補償電壓產(chǎn)生電路)的省略/變更、或者其他結(jié)構(gòu)要素的追加等各種變形。此外，本實施方式的振蕩裝置還包含由振蕩電路10和電流供給電路20等構(gòu)...