電子部件和彈性波裝置制造方法
【專利摘要】電子部件(51)包括：安裝基板(53)；位于安裝基板(53)的安裝面(53a)上的突起物(57)；以及位于突起物(57)上并連接于突起物(57)的SAW裝置(1)。SAW裝置(1)包括：元件基板(3)；位于元件基板(3)的第一主面(3a)上的激勵(lì)電極(5)；位于第一主面(3a)上并與激勵(lì)電極(5)連接的焊盤(7)；以及位于激勵(lì)電極(5)上并在焊盤(7)上形成焊盤露出部(9h)的蓋(9)。另外，SAW裝置(1)使蓋(9)的上表面(9a)與安裝面(53a)對(duì)置，使突起物(57)位于焊盤露出部(9h)內(nèi)，并使焊盤(7)抵接于突起物(57)。
【專利說明】電子部件和彈性波裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及彈性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)裝置等彈性波裝置以及具 有該彈性波裝置的電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002]已知具有如下部件的彈性波裝置:元件基板；位于元件基板上的激勵(lì)電極；覆蓋 激勵(lì)電極的樹脂性的蓋；以及與激勵(lì)電極電連接，設(shè)置在蓋的上表面等處的焊料突起物 (bump)。這種彈性波裝置將蓋的上表面與安裝基板的安裝面對(duì)置配置，使焊料突起物抵接 于安裝基板的安裝面上配置的焊盤(pad)，在此狀態(tài)下進(jìn)行加熱，從而安裝到安裝基板上。 另外，安裝后的彈性波裝置由模制樹脂覆蓋并密封。
[0003]專利文獻(xiàn)I中，在彈性波裝置的蓋上，形成從其下表面(元件基板側(cè)的面)貫通至 上表面的開口部。在開口部的整體中填充焊料。在彈性波裝置安裝到安裝基板之前，填充 的焊料一度被熔融并再次固化，由此，蓋上表面?zhèn)鹊囊徊糠钟捎诒砻鎻埩Χ儓A，成為球狀 的突起物。突起物在成為球狀的過程中，從開口部的內(nèi)周面分離，另一方面，從蓋的上表面 突出。不過，加熱突起物并且彈性波裝置安裝到安裝基板上之后，突起物從球狀恢復(fù)為填充 于開口部的形狀，另外，蓋的上表面與安裝基板的安裝面接觸。其結(jié)果是，在專利文獻(xiàn)I中， 模制樹脂的壓力不易施加于蓋體，另外，突起物也被蓋包圍，提高了可靠性。
[0004]專利文獻(xiàn)2中，在彈性波裝置的蓋上，形成從其下表面貫通至上表面的開口部。開 口部中，將金屬填充至比蓋的上表面略低的位置，由此形成柱狀的端子。焊料突起物形成在 該端子之上，填滿開口部的上端。
[0005]專利文獻(xiàn)I和2中，至少在彈性波裝置已安裝到安裝基板的階段中，焊料突起物填 充到蓋的開口部中。因此，焊料突起物變化為蓋的開口部的形狀。其結(jié)果是，例如，焊料突 起物會(huì)形成在同開口部的內(nèi)周面與蓋的上表面的角部接觸的位置處容易產(chǎn)生應(yīng)力集中的 形狀，焊料突起物容易產(chǎn)生破裂。即，由于蓋的開口部的形狀，限制了突起物的形狀的自由 度,產(chǎn)生各種故障。
[0006]因此，期望提供一種能夠提高突起物的形狀的自由度的彈性波裝置和具有該彈性 波裝置的電子部件。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)I JP特開2006-217226號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2 JP特開2010-56671號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的電子部件包括:安裝基板；位于該安裝基板的安裝面 上的突起物；以及位于該突起物上并與該突起物連接的彈性波裝置，其中，該彈性波裝置具 有:元件基板；激勵(lì)電極，位于該元件基板的主面上；焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì)電極上，形成有使所述焊盤露出的、由孔部或缺口部或者 它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，使該蓋的上表面與所述安裝面對(duì)置，使所述突起物位于所 述焊盤露出部內(nèi)，并使所述焊盤抵接于所述突起物。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的彈性波裝置包括:元件基板；激勵(lì)電極，位于該元件 基板的主面上；焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì)電極 上，形成有使所述焊盤露出的、由孔部或缺口部或者它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，其中， 所述焊盤露出部在所述蓋的上表面?zhèn)鹊牟糠痔幣c所述蓋的側(cè)面外側(cè)連通。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的彈性波裝置包括:元件基板；激勵(lì)電極，位于該元件 基板的主面上；多個(gè)焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì) 電極上，形成有使所述焊盤露出的、由孔部或缺口部或者它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，其 中，所述多個(gè)焊盤露出部中的至少一部分在所述蓋的上表面?zhèn)鹊牟糠痔幭嗷ミB接。
[0014]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠提高突起物的形狀的自由度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的外觀立體圖。
[0016]圖2是剖開圖1的SAW裝置的一部分進(jìn)行顯示的立體圖。
[0017]圖3是表示安裝了圖1的SAW裝置的電子部件的一部分的剖視圖。
[0018]圖4是圖3的區(qū)域IV的放大圖。
[0019]圖5(a)?圖5(d)是說明圖2的電子部件的制造方法的剖視圖。
[0020]圖6(a)?圖6(c)是表不圖5(d)的后續(xù)的剖視圖。
[0021]圖7是表示第二實(shí)施方式的SAW裝置的剖視圖。
[0022]圖8(a)?圖8(d)是說明圖7的SAW裝置的制造方法的剖視圖。
[0023]圖9是表示第三實(shí)施方式的SAW裝置的剖視圖。
[0024]圖10是表示第四實(shí)施方式的SAW裝置的剖視圖。
[0025]圖11是表示第五實(shí)施方式的SAW裝置的剖視圖。
[0026]圖12是表示第六實(shí)施方式的SAW裝置的一部分的立體圖。
[0027]圖13是表示第七實(shí)施方式的SAW裝置的立體圖。
[0028]圖14(a)是表示第八實(shí)施方式的SAW裝置的俯視圖，圖14(b)是圖14(a)的區(qū)域 B的放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的SAW裝置。此外，以下的說明中使 用的圖為示意圖，圖中的尺寸比例等與現(xiàn)實(shí)不一定一致。
[0030]在第二實(shí)施方式及以后的實(shí)施方式中，對(duì)于與已經(jīng)說明的實(shí)施方式相同或類似的 結(jié)構(gòu)，使用與已經(jīng)說明的實(shí)施方式相同的符號(hào)，或者有時(shí)省略圖示或說明。
[0031]〈第一實(shí)施方式〉
[0032](SAW裝置等的結(jié)構(gòu))
[0033]圖1是本發(fā)明第I實(shí)施方式所涉及的SAW裝置I的外觀立體圖。另外，圖2是剖 開SAW裝置I的一部分進(jìn)行顯示的立體圖。[0034]此外，SAW裝置I中，以任一方向?yàn)樯戏交蛳路骄桑谝韵碌膶?shí)施方式中，為了方 便，定義正交坐標(biāo)系xyz，并且將z方向的正向(圖1的紙面上方側(cè))作為上方，對(duì)于蓋9 等，有時(shí)使用上表面、下表面等用語。
[0035]SAW裝置I由所謂的晶片級(jí)封裝(Wafer Level Package，WLP)形的SAW裝置構(gòu)成。 SAW裝置I包括:元件基板3 ;在元件基板3的第一主面3a上設(shè)置的激勵(lì)電極5 (圖2);在 第一主面3a上設(shè)置的、與激勵(lì)電極5連接的焊盤7 ;覆蓋激勵(lì)電極5并使焊盤7露出的蓋 9(圖1);以及在元件基板3的第二主面3b上設(shè)置的背面部11。
[0036]SAW裝置I經(jīng)由多個(gè)焊盤7中的任一者進(jìn)行信號(hào)輸入。輸入的信號(hào)通過激勵(lì)電極 5等進(jìn)行濾波。并且，SAW裝置I經(jīng)由多個(gè)焊盤7中的任一者輸出濾波后的信號(hào)。各部件的 具體結(jié)構(gòu)如下所述。
[0037]元件基板3由壓電基板構(gòu)成。具體而言，例如，元件基板3由鉭酸鋰單晶體、鈮酸 鋰單晶體等具有壓電性的單晶體的基板構(gòu)成。元件基板3例如形成為長方體狀，具有呈矩 形且相互平行并且平坦的第一主面3a和第二主面3b。元件基板3的大小可以適當(dāng)設(shè)定，例 如，厚度(z方向)為0.2mm?0.5mm, 一邊的長度(x方向或y方向)為0.5mm?3mm。
[0038]激勵(lì)電極5(圖2)在第一主面3a上以層狀(平板狀)形成。激勵(lì)電極5是所謂 的IDT(Interdigital Transducer,叉指式換能器)，具有一對(duì)梳齒狀電極13。各梳齒狀電 極13包括:母線13a，在元件基板3的彈性表面波的傳播方向(在本實(shí)施方式中為X方向) 上延伸；以及多個(gè)電極指13b，從母線13a起在與上述傳播方向垂直的方向(在本實(shí)施方式 中為y方向)上延伸。在兩個(gè)梳齒狀電極13之間,各自的電極指13b設(shè)置為相互嚙合(交 叉)。
[0039]此外，圖2等為不意圖，因此不出具有多根電極指13b的兩對(duì)梳齒狀電極13。實(shí)際 上，也可以設(shè)置具有更多根電極指的多對(duì)梳齒狀電極。另外，可以構(gòu)成由多個(gè)激勵(lì)電極5以 串聯(lián)連接或并聯(lián)連接等方式連接而成的梯形SAW濾波器，還可以構(gòu)成在X方向上排列多個(gè) 激勵(lì)電極5而成的雙模式SAW諧振器濾波器。
[0040]焊盤7在第一主面3a上以層狀形成。焊盤7的平面形狀可以適當(dāng)設(shè)定。作為理 想的方式，另外也是本實(shí)施方式中采用的方式，焊盤7的平面形狀為圓形。焊盤7的數(shù)量以 及配置位置根據(jù)由激勵(lì)電極5構(gòu)成的濾波器的結(jié)構(gòu)等進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定。在本實(shí)施方式中，例 示沿第一主面3a的外周排列六個(gè)焊盤7的情況。
[0041]激勵(lì)電極5與焊盤7由布線15(圖2)連接。布線15在第一主面3a上以層狀形 成，連接激勵(lì)電極5的母線13a與焊盤7。此外，布線15不僅可以具有在第一主面3a上形 成的部分，還可以具有在隔著絕緣體的狀態(tài)下與該部分立體交叉的部分。
[0042]激勵(lì)電極5、焊盤7、以及布線15 (的在第一主面3a上形成的部分)例如由相互相 同的導(dǎo)電材料構(gòu)成。導(dǎo)電材料例如為Al-Cu合金等Al合金。另外，激勵(lì)電極5、焊盤7、以 及布線15例如以相互相同的厚度形成，它們的厚度例如為100?500nm。另外，在使布線 15相互立體交叉的情況下，第一主面3a側(cè)的布線15例如由Al-Cu合金形成，在其上隔著 絕緣體配置的布線15例如由從下到上依次為Cr / Ni / Au或者Cr / Al的多層結(jié)構(gòu)的布 線形成。此外，在立體布線的上側(cè)布線由Cr / Ni / Au形成的情況下，最上層的Au與樹脂 的粘著性較弱，因此由樹脂構(gòu)成的蓋9不宜層疊在該立體布線上。由此，能夠抑制蓋9的剝 離。另一方面，在立體布線的上側(cè)布線由Cr / Al形成的情況下，蓋9可以層疊在該立體布線上。
[0043]此外，除了具有與激勵(lì)電極5相同的材料和厚度的層以外，焊盤7還可以具有連 接強(qiáng)化層，以實(shí)現(xiàn)提高與突起物(參照?qǐng)D3)的連接性等目的。例如，焊盤7還可以具有與 Al-Cu合金層重疊的鎳層和與鎳層重疊的金層。
[0044]蓋9 (圖1)的外側(cè)形狀例如大致形成為覆蓋第一主面3a整體的一定厚度的層狀。 即，在本實(shí)施方式中，第一主面3a為矩形，與此對(duì)應(yīng)，蓋9的外側(cè)形狀大致形成為薄型的長 方體狀。并且，蓋9具有相對(duì)于第一主面3a大致平行且平坦的上表面9a。
[0045]蓋9設(shè)置在第一主面3a上，具有:框部17 (第一層，圖1和圖2),在第一主面3a 的俯視下包圍激勵(lì)電極5 ；以及蓋部19 (第二層，圖1)，與框部17重疊，并堵塞框部17的開 口。并且，利用由第一主面3a (嚴(yán)格地說，是后述的保護(hù)層25)、框部17、以及蓋部19包圍 而成的空間，形成使激勵(lì)電極5易于振動(dòng)的振動(dòng)空間21 (圖2)。
[0046]振動(dòng)空間21的平面形狀可以適當(dāng)設(shè)定，在本實(shí)施方式中，為了能夠避開位于振動(dòng) 空間21的四個(gè)角落的焊盤7并確保振動(dòng)空間21的面積較大，例示大致形成為八邊形的情 況。此外，也可以理解為，蓋9的形狀是在下表面9b側(cè)形成了構(gòu)成振動(dòng)空間21的凹部的形 狀。
[0047]在大致一定厚度的層中形成一個(gè)以上(本實(shí)施方式中為兩個(gè))作為振動(dòng)空間21 的開口，由此構(gòu)成框部17?？虿?7的厚度(振動(dòng)空間21的高度)例如為數(shù)iim?30iim。 蓋部19由大致一定厚度的層構(gòu)成。蓋部19的厚度例如為數(shù)y m?30 ii m。
[0048]框部17和蓋部19可以由相同的材料形成，也可以由相互不同的材料形成。在本 申請(qǐng)中，為了便于說明，明示出框部17與蓋部19的邊界線，但在實(shí)際的產(chǎn)品中，框部17與 蓋部19可以由相同材料一體地形成。
[0049]蓋9 (框部17與蓋部19)由感光性樹脂形成。感光性樹脂例如是利用丙烯基或甲 基丙烯基等的自由基聚合反應(yīng)而固化的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯酸 酯系的樹脂。此外，還能夠使用聚酰亞胺系樹脂等。
[0050]蓋9上還形成用于露出焊盤7的焊盤露出部9h (圖1)。焊盤露出部9h由框部17 上形成的第一焊盤露出部17h和蓋部19上形成的第二焊盤露出部19h(圖1)構(gòu)成。
[0051]本實(shí)施方式的第一焊盤露出部17h是在框部17的厚度方向上貫通框部17的孔 部，在蓋9的下表面9b上開口。另外，第一焊盤露出部17h位于焊盤7上。俯視下的、第一 焊盤露出部17h的形狀以及相對(duì)于焊盤7的相對(duì)大小可以適當(dāng)設(shè)定。作為理想的方式，另 外也是本實(shí)施方式中采用的方式，在俯視下，第一焊盤露出部17h是徑(面積)大于焊盤7 的圓形，其內(nèi)周面位于焊盤7的外緣的外側(cè)。另外，第一焊盤露出部17h與焊盤7形成為同 心圓狀，焊盤7的外緣與第一焊盤露出部17h的距離在第一焊盤露出部17h的整個(gè)周長上 保持恒定。
[0052]第二焊盤露出部19h是與蓋部19的側(cè)面外側(cè)連通的缺口部。另外，第二焊盤露出 部19h位于第一焊盤露出部17h上。第二焊盤露出部19h的平面形狀以及相對(duì)于第一焊盤 露出部17h的相對(duì)大小可以適當(dāng)設(shè)定。作為理想的方式，另外也是本實(shí)施方式中采用的方 式，在俯視下，第二焊盤露出部19h包含徑(面積)大于第一焊盤露出部17h的圓形或者扇 形，其內(nèi)表面位于第一焊盤露出部17h的內(nèi)周面的外側(cè)。另外，第二焊盤露出部19h與第一 焊盤露出部17h形成為同心圓狀，第一焊盤露出部17h的內(nèi)周面與第二焊盤露出部19h的距離在第二焊盤露出部19h的整個(gè)周長上保持恒定。
[0053]此外，根據(jù)第一焊盤露出部17h以及第二焊盤露出部19h的徑(面積)的說明可 以理解，較為理想的是，焊盤露出部9h中，蓋9的上表面9a側(cè)的部分的徑(面積)形成得 大于蓋9的下表面9b側(cè)的部分。
[0054]第二焊盤露出部19h例如形成為圓形，并且該圓形的中心與蓋9側(cè)面的距離比半 徑短，或者形成為延伸至蓋9的側(cè)面外側(cè)的形狀，由此連通至蓋9的側(cè)面外側(cè)。此外，第一 焊盤露出部17h也可以與第二焊盤露出部19h同樣，不是由孔部形成，而是由缺口部形成。
[0055]背面部11未特別圖示，例如具有:背面電極，覆蓋元件基板3的第二主面3b的大 致整個(gè)表面；以及絕緣性的保護(hù)層，覆蓋背面電極。利用背面電極，由于溫度變化等在元件 基板3表面充電的電荷放電。利用保護(hù)層，元件基板3的損傷得到抑制。此外，下面有時(shí)省 略背面部11的圖示或說明。
[0056]圖3是表示安裝了 SAW裝置I的電子部件51的一部分的剖視圖，對(duì)應(yīng)于圖1的 II1-1II 線。
[0057]電子部件51包括:安裝基板53 ;焊盤55，設(shè)置在安裝基板53的安裝面53a上；突 起物57，配置在焊盤55上；SAW裝置1，經(jīng)由突起物57安裝在安裝面53a上；以及模制樹脂 59，密封SAW裝置I。
[0058]此外，電子部件51例如除此以外還包括IC等，該IC安裝于安裝基板53并經(jīng)由安 裝基板53連接于SAW裝置1，由模制樹脂59與SAW裝置I 一起進(jìn)行密封，從而構(gòu)成模塊。
[0059]安裝基板53例如與焊盤55 —起，或者與焊盤55和突起物57 —起，由印刷線路板 構(gòu)成。印刷線路板可以是剛性基板，也可以是柔性基板。另外，印刷線路板可以是一層板， 也可以是二層板，還可以是多層板。另外，印刷線路板的基材、絕緣材料、以及導(dǎo)電材料可以 從適當(dāng)?shù)牟牧现羞M(jìn)行選擇。
[0060]突起物57收容于蓋9的焊盤露出部9h，抵接于SAW裝置I的焊盤7。突起物57 由通過加熱而熔融并粘合于焊盤7的金屬形成。突起物57例如由焊料構(gòu)成。焊料可以是 Pb-Sn合金焊料等使用鉛的焊料,也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊 料、Sn-Cu合金焊料等無鉛焊料。
[0061]模制樹脂59例如以環(huán)氧樹脂、固化材料、以及填充劑為主要成分。模制樹脂59不 僅從背面部11側(cè)和側(cè)面覆蓋SAW裝置I，還填充到SAW裝置I與安裝基板53之間。具體而 言，模制樹脂59在蓋9的上表面9a與安裝基板53的安裝面53a之間以及焊盤露出部9h 的內(nèi)周面與突起物57之間進(jìn)行填充。
[0062]圖4是圖3的區(qū)域IV的放大圖。
[0063]元件基板3的第一主面3a上重疊有保護(hù)層25，蓋9重疊在保護(hù)層25上。保護(hù)層 25覆蓋激勵(lì)電極5 (參照?qǐng)D5(b)等)，起到防止激勵(lì)電極5的氧化等作用。保護(hù)層25例如 由氧化硅(Si02等)、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氮化硅、或者硅形成。保護(hù)層25的厚度例如是 激勵(lì)電極5的厚度的I / 10左右(10?30nm)，或者比激勵(lì)電極5更厚的200nm?1500nm。
[0064]焊盤7從保護(hù)層25露出。此外，在圖4中，用于使保護(hù)層25的焊盤7露出的開口 采用與焊盤7相同的形狀和面積，但該開口也可以大于焊盤7，還可以小于焊盤7(保護(hù)層 25的開口周圍的部分可以覆蓋焊盤7的外周部)。
[0065]突起物57大致呈球體被焊盤7和焊盤55壓碎后的形狀。即，突起物57具有與焊盤7及55接觸的兩個(gè)平面、以及與兩個(gè)平面連接的外周面，這兩個(gè)平面及外周面在俯視下 為圓形，外周面在側(cè)視下呈中央側(cè)向外側(cè)突出的曲面狀。
[0066]突起物57與焊盤7及55接觸的平面的面積最好與焊盤7及焊盤55的面積相同 或者較小。
[0067]焊盤露出部9h的整個(gè)內(nèi)表面均不接觸突起物57。因此，焊盤露出部9h的內(nèi)表面 與突起物57的間隙在蓋9的上表面9a至下表面9b上形成，并填充有模制樹脂59。
[0068]第一焊盤露出部17h的內(nèi)周面由向越接近蓋9的上表面9a側(cè)則第一焊盤露出部 17h越大的方向傾斜的傾斜面(錐形面)構(gòu)成。傾斜面相對(duì)于第一主面3a的角度a例如為 80°左右。較為理想的是，第一焊盤露出部17h的開口于蓋9的下表面9b的部分(換言之， 面積最小的部分)的面積大于焊盤7。例如，在焊盤7的直徑為60 iim以上且不足125 iim 的情況下，第一焊盤露出部17h的下表面9b處的直徑為100 u m以上且250 y m以下。
[0069]第二焊盤露出部19h與第一焊盤露出部17h同樣，其內(nèi)表面由向越接近蓋9的上 表面9a側(cè)則第二焊盤露出部19h越大的方向傾斜的傾斜面(錐形面)構(gòu)成。傾斜面相對(duì)于 第一主面3a的角度P可以與第一焊盤露出部17h的角度a相同，也可以較大或者較小。 此外，在圖4中，例示角度P大于角度a的情況。第二焊盤露出部19h在第一焊盤露出部 17h側(cè)的底面部分(換言之，面積最小的部分)處，面積大于第一焊盤露出部17h的開口于 第二焊盤露出部19h側(cè)的部分(換言之，第一焊盤露出部17h的面積最大的部分)。例如， 其直徑的差為數(shù)U m以上且數(shù)十ii m以下。
[0070]此外，第一焊盤露出部17h以及第二焊盤露出部19h的內(nèi)表面在圖4中在側(cè)視下 呈直線狀，但實(shí)際上，端部處可以為圓角部，還可以整體彎曲。
[0071](SAW裝置等的制造方法)
[0072]圖5(a)?圖6(c)是說明SAW裝置I以及電子部件51的制造方法的剖視圖(對(duì) 應(yīng)于圖1的II1-1II線)。制造步驟從圖5(a)至圖6(c)依次執(zhí)行。
[0073]與SAW裝置I的制造方法對(duì)應(yīng)的圖5(a)?圖6(a)的步驟在所謂的晶片加工中實(shí) 現(xiàn)。即，以通過分割而成為元件基板3的母基板為對(duì)象，實(shí)施薄膜形成法或光刻法等，隨后 通過進(jìn)行切割，同時(shí)形成多個(gè)SAW裝置I。不過，在圖5(a)?圖6(a)中，僅圖示與一個(gè)SAW 裝置I對(duì)應(yīng)的部分。另外，隨著加工的進(jìn)行，導(dǎo)電層或絕緣層的形狀發(fā)生變化，但有時(shí)在變 化前后使用共同的符號(hào)。
[0074]如圖5 (a)所示，首先在元件基板3的第一主面3a上形成激勵(lì)電極5、焊盤7、以及 布線15(圖5(a)中不圖示)。具體而言,首先利用派射法、蒸鍍法或者CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)法等薄膜形成法,在第一主面3a上形成金屬層。接著,對(duì)于金 屬層，通過使用縮小投影曝光機(jī)(stepper)和RIE (Reactive 1n Etching,反應(yīng)性離子蝕 亥IJ)裝置的光刻法等，進(jìn)行圖案化(patterning)。通過該圖案化，形成激勵(lì)電極5、布線15、 以及焊盤7。
[0075]形成激勵(lì)電極5等之后，如圖5(b)所示，形成保護(hù)層25。具體而言，首先，利用合 適的薄膜形成法形成作為保護(hù)層25的薄膜。薄膜形成法例如是濺射法或者CVD。接著，通 過光刻法等除去薄膜的一部分，從而露出焊盤7。據(jù)此形成保護(hù)層25。
[0076]形成保護(hù)層25之后，如圖5(c)所示，形成作為框部17的、由感光性樹脂構(gòu)成的薄 膜。薄膜例如通過貼附膜層而形成。膜層例如包括基膜31和重疊于基膜31并作為框部17的樹脂層，在使樹脂層緊貼于保護(hù)層25之后，如箭頭yl所示剝離基膜31。此外，作為框部 17的薄膜可以通過與保護(hù)層25同樣的薄膜形成法形成，此外還可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷法等形 成。
[0077]形成作為框部17的薄膜之后，如圖5(d)所示，利用光刻法等除去薄膜的一部分， 形成構(gòu)成振動(dòng)空間21的開口和第一焊盤露出部17h。另外，在切割線上也以一定的寬度除 去薄膜。這樣，形成框部17。此外，在通過膜層的貼附形成作為框部17的薄膜的情況下，剝 離基膜31的步驟也可以在光刻之后進(jìn)行。
[0078]形成框部17之后，如圖6(a)所示，形成蓋部19。蓋部19的形成方法與框部17的 形成方法大致相同。具體而言，首先，形成作為蓋部19的、由感光性樹脂構(gòu)成的薄膜。薄膜 例如與框部17同樣，通過貼附膜層而形成。利用光刻法等除去第一焊盤露出部17h上的薄 膜部分，形成第二焊盤露出部19h。另外，在切割線上也以一定的寬度除去薄膜。通過形成 蓋部19，形成由保護(hù)層25、框部17、以及蓋部19圍成的空間構(gòu)成的振動(dòng)空間21。
[0079]形成蓋部19之后，如圖6(b)以后所示，SAW裝置I從晶片切下，安裝到安裝基板 53上。如圖6(b)所示，安裝SAW裝置I之前，安裝基板53的安裝面53a上設(shè)置有焊盤55 及突起物57。突起物57例如由蒸鍍法、電鍍法或者印刷法形成，由于表面張力的影響等，大 致形成為球狀或半球狀。
[0080]并且，SAff裝置I的蓋9的上表面9a與安裝面53a對(duì)置配置。突起物57收容于 焊盤露出部9h并抵接于焊盤7，支撐SAW裝置I。隨后，使SAW裝置I和安裝基板53通過 回焊爐等進(jìn)行暫時(shí)加熱，利用突起物57的熔融和凝固固定突起物57與焊盤7。
[0081]隨后，如圖6 (C)所示，SAff裝置I由模制樹脂59覆蓋。模制樹脂59通過例如傳 遞模塑法或者印刷法供給到SAW裝置I的周圍。供給到SAW裝置I周圍的模制樹脂59利 用所提供的壓力，如箭頭y3所示，流入蓋9的上表面9a與安裝面53a之間，還流入焊盤露 出部9h的內(nèi)周面與突起物57之間。并且，如圖3所示，制造電子部件51。
[0082]根據(jù)以上實(shí)施方式，電子部件51包括:安裝基板53 ;位于安裝基板53的安裝面 53a上的突起物57 ;位于突起物57上并連接于突起物57的SAW裝置I ;以及覆蓋SAW裝置 I的模制樹脂。SAW裝置I包括:元件基板3 ;位于元件基板3的第一主面3a上的激勵(lì)電極 5 ;位于第一主面3a上并與激勵(lì)電極5連接的焊盤7 ;以及位于激勵(lì)電極5上并在焊盤7上 形成焊盤露出部9h的蓋9。另外，SAff裝置I使蓋9的上表面9a與安裝面53a對(duì)置，使突 起物57位于焊盤露出部9h內(nèi)，并使焊盤7抵接于突起物57。模制樹脂59在蓋9的上表面 9a與安裝面53a之間以及突起物57與焊盤露出部9h的內(nèi)表面之間進(jìn)行填充。
[0083]因此，突起物57的至少一部分為不受蓋9的焊盤露出部9h的形狀影響的形狀。 即，提高了突起物57的形狀的自由度。其結(jié)果是，例如，抑制形成由于焊盤露出部9h的內(nèi) 周面與上表面9a的角部或者焊盤露出部9h內(nèi)的框部17與蓋部19之間的階差而容易對(duì)突 起物57產(chǎn)生應(yīng)力集中的形狀，抑制突起物57發(fā)生分裂。尤其是，如實(shí)施方式這樣，在模制 樹脂59從蓋9的上表面9a到下表面9b為止，在突起物57與焊盤露出部9h的內(nèi)表面之間 進(jìn)行填充時(shí)，上述效果較為顯著。
[0084]焊盤露出部9h的內(nèi)表面具有與模制樹脂59接觸的傾斜面(第一焊盤露出部17h 的內(nèi)周面或者第二焊盤露出部19h的內(nèi)表面)，該傾斜面向越接近蓋9的上表面9a側(cè)則焊 盤露出部9h越大的方向傾斜。[0085]因此，例如，在該傾斜面與突起物57之間，模制樹脂59容易從蓋9的上表面9a側(cè) 流入下表面9b側(cè)，可抑制模制樹脂59中出現(xiàn)空洞。通過抑制空洞的形成，可抑制由于空洞 的膨脹等造成的SAW裝置I的變形等，提高SAW裝置I的可靠性。另外，突起物57為直徑 大于蓋9的厚度的大體上的球形，因此如圖4所例示，與焊盤7側(cè)相比，在蓋9的上表面9a 側(cè)處，具有徑較大的傾向。因此，可容易地使焊盤露出部9h的徑整體較小，同時(shí)確保焊盤露 出部9h的內(nèi)表面(傾斜面)與突起物57的距離。尤其是，如實(shí)施方式這樣，在焊盤露出部 9h從蓋9的下表面9b延伸到上表面9a，且越接近蓋9的上表面9a側(cè)越大時(shí),上述效果較 為顯著。
[0086]焊盤露出部9h具有:開口于蓋9的下表面9b的第一焊盤露出部17h ;以及與第一 焊盤露出部17h連通，開口于蓋9的上表面9a的第二焊盤露出部19h。模制樹脂59從第一 焊盤露出部17h到第二焊盤露出部19h為止進(jìn)行填充。第二焊盤露出部19h的最窄部分處 的開口面積(與蓋9的上表面平行的剖面的面積、缺口部中缺口最小的部分的面積)大于 第一焊盤露出部17h的最寬部分的開口面積。
[0087]因此，焊盤露出部9h作為整體，大體上上表面9a側(cè)比下表面9b側(cè)更寬，可收到與 上述傾斜面的效果相同的效果。即，在焊盤露出部9h的內(nèi)表面與突起物57之間，模制樹脂 59容易從蓋9的上表面9a側(cè)流入下表面9b側(cè)，可容易地使焊盤露出部9h的徑較小，同時(shí) 確保焊盤露出部9h的內(nèi)周面與突起物57的距離。
[0088]焊盤露出部9h與蓋部19的側(cè)面外側(cè)連通。因此，如圖6(c)中箭頭y3所示，模制 樹脂59不僅從蓋9的上表面9a流入焊盤露出部9h，還從蓋9的側(cè)面流入焊盤露出部9h。 即，模制樹脂59容易流入焊盤露出部9h。其結(jié)果是，可抑制模制樹脂59中形成空洞。另 夕卜，從其他觀點(diǎn)來看，焊盤露出部9h無須為了不超出蓋9的側(cè)面外側(cè)而形成于內(nèi)側(cè)，因此能 夠使焊盤7靠近蓋9的外側(cè)。其結(jié)果是，能夠確保振動(dòng)空間21較大，或者使SAW裝置I小 型化。
[0089]<第二實(shí)施方式>
[0090]圖7表示第二實(shí)施方式的SAW裝置201，是相當(dāng)于圖6(a)的剖視圖。
[0091]在SAW裝置201中，第二焊盤露出部219h的內(nèi)周面與第一實(shí)施方式的第二焊盤露 出部19h的內(nèi)表面相反，由向越接近蓋209的上表面209a側(cè)則第二焊盤露出部219h越窄 的方向傾斜的傾斜面構(gòu)成。此外，第二焊盤露出部219h的最窄部分(本實(shí)施方式中是蓋9 的上表面9a側(cè)的部分)處的開口面積大于第一焊盤露出部17h的最寬部分的開口面積，這 一點(diǎn)與第一實(shí)施方式相同。
[0092]另外，SAW裝置201具有:在蓋9的上表面9a上重疊的增強(qiáng)層241 ；以及覆蓋增強(qiáng) 層241的絕緣層243。
[0093]增強(qiáng)層241用于增強(qiáng)蓋209 (尤其是蓋部219)的強(qiáng)度。增強(qiáng)層241在蓋209的較 大范圍上形成。例如，增強(qiáng)層241避開焊盤露出部209h的配置位置，在上表面209a的大致 整個(gè)表面上形成。因此，增強(qiáng)層241在俯視下大致覆蓋振動(dòng)空間21的整體，并且延伸至振 動(dòng)空間21的外側(cè)，與蓋部219—起由框部17支撐。
[0094]增強(qiáng)層241由與蓋209的材料相比楊氏模量較高的材料構(gòu)成。例如，蓋209由楊 氏模量為0.5?IGPa的樹脂形成，與此相對(duì)，增強(qiáng)層241由楊氏模量為100?250GPa的金 屬形成。增強(qiáng)層241的厚度例如為I?50 ii m。[0095]增強(qiáng)層241例如具有:在蓋209的上表面209a上重疊的基底層245 ；以及在基底層245上重疊的金屬部247。基底層245例如由銅、鈦、或者層疊了這些金屬的層形成。關(guān)于基底層245的厚度，例如在基底層245由銅構(gòu)成的情況下為300nm-I y m，在基底層245 由鈦構(gòu)成的情況下為1Onm-lOOnm。金屬部247例如由銅形成。
[0096]絕緣層243是用于抑制增強(qiáng)層241與突起物57的接觸等，使增強(qiáng)層241絕緣的層。 絕緣層243覆蓋增強(qiáng)層241的上表面以及側(cè)面的整體。絕緣層243例如由樹脂形成。
[0097]圖8 (a)-圖8 (d)是說明SAW裝置201的制造方法的對(duì)應(yīng)于圖7的剖視圖。
[0098]SAW裝置201的制造方法中，與第一實(shí)施方式同樣，也執(zhí)行圖5(a)-圖6(a)的步驟。不過，在蓋部219的形成中，通過使蓋209 (蓋部219)的材料、光刻的條件(正型?負(fù)型、曝光量等)、蝕刻的條件(蝕刻氣體的組成比、施加電壓、蝕刻時(shí)間等)與第一實(shí)施方式不同，形成越接近蓋209的上表面209a側(cè)則越寬的第二焊盤露出部219h。
[0099]例如，在由負(fù)型的感光性樹脂形成蓋部219的情況下，越接近蓋部219的上表面?zhèn)葎t感光性樹脂的交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行得越容易，越接近下表面?zhèn)葎t感光性樹脂的交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行得越慢，因此第二焊盤露出部219h具有越接近下表面?zhèn)葎t越寬的傾向。通過變更其他條件， 利用負(fù)型的感光性樹脂，也能夠使孔部越接近下表面?zhèn)仍秸?br> [0100]形成蓋209之后，如圖8(a)所示，形成作為基底層245的薄膜，進(jìn)而在其上形成抗蝕層249。作為基底層245的薄膜在元件基板3的第一主面3a側(cè)的整個(gè)表面上形成。基底層245例如利用濺射法形成。
[0101]抗蝕層249以在預(yù)定配置增強(qiáng)層241的范圍內(nèi)露出基底層245的方式形成。例如，通過旋轉(zhuǎn)涂敷等形成感光性樹脂的薄膜，利用光刻對(duì)該薄膜進(jìn)行圖案化，據(jù)此形成抗蝕層 249。
[0102]形成抗蝕層249之后，如圖8(b)所示，利用電鍍處理，在基底層245的露出部分上析出金屬。由此，在蓋9的上表面9a上形成具有期望厚度的金屬部247。
[0103]析出金屬部247之后，如圖8(c)所示，除去基底層245被抗蝕層249覆蓋的部分以及抗蝕層249。由此，形成由基底層245和金屬部247構(gòu)成的增強(qiáng)層241。此外，焊盤7 例如表面由金覆蓋，由此可抑制被除去基底層245的不需要部分的藥液所破壞。
[0104]形成增強(qiáng)層241之后，如圖8(d)所示，作為絕緣層243的薄膜在元件基板3的第一主面3a側(cè)的整個(gè)表面上形成。作為絕緣層243的薄膜例如利用旋轉(zhuǎn)涂敷法或噴射法形成。此外，在剛剛利用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷了作為絕緣層243的材料之后，成為該材料填充至金屬部247的高度的狀態(tài)。隨后，利用光刻等對(duì)該薄膜進(jìn)行圖案化，如圖7所示形成絕緣層 243。
[0105]根據(jù)以上的第二實(shí)施方式，雖然未特別圖示，但與第一實(shí)施方式同樣，SAW裝置 201能夠使蓋209的上表面209a與安裝面53a對(duì)置，使突起物57位于焊盤露出部209h內(nèi)， 并使焊盤7抵接于突起物57。并且，模制樹脂59能夠在蓋209的上表面209a與安裝面53a 之間以及突起物57與焊盤露出部209h的內(nèi)周面之間進(jìn)行填充。因此，與第一實(shí)施方式同樣，提高了突起物57的形狀的自由度。
[0106]焊盤露出部209h的內(nèi)表面具有與模制樹脂59接觸的傾斜面(第二焊盤露出部 219h的內(nèi)表面)，該傾斜面向越接近蓋209的上表面209a側(cè)則焊盤露出部209h越窄的方向傾斜。[0107]因此，例如，在該傾斜面與突起物57之間填充的模制樹脂59能夠在阻止蓋209從 安裝面53a分離的方向上對(duì)蓋9進(jìn)行卡合。其結(jié)果是，抑制突起物57與焊盤7的分離，可 望提高SAW裝置201的可靠性。
[0108]蓋209位于元件基板3的第一主面3a上，具有:框部17，包圍激勵(lì)電極5 ;以及蓋 部219，與框部17重疊，并堵塞框部17的開口。SAW裝置201具有:增強(qiáng)層241，重疊在蓋 209的上表面209a上，在平面透視圖中與框部17的開口重疊，由楊氏模量高于蓋209的材 料構(gòu)成。焊盤露出部209h的內(nèi)表面具有傾斜面(第二焊盤露出部219h的內(nèi)周面)，在貫通 蓋部219的部分，該傾斜面向越接近蓋209的上表面209a側(cè)則越窄的方向傾斜。
[0109]因此，能夠增大焊盤露出部209h，抑制突起物57與焊盤露出部209h的內(nèi)表面接 觸，并且確保蓋209的上表面209a的面積較大，進(jìn)而確保增強(qiáng)層241的配置空間。其結(jié)果 是，實(shí)現(xiàn)小型且高強(qiáng)度的SAW裝置201。
[0110]〈第三實(shí)施方式〉
[0111]圖9表示第三實(shí)施方式的SAW裝置301，是相當(dāng)于圖6 (a)的剖視圖。
[0112]在SAW裝置301中，第一焊盤露出部317h的內(nèi)周面與第一實(shí)施方式的第一焊盤露 出部17h的內(nèi)周面相反，由向越接近蓋309的上表面309a側(cè)則第一焊盤露出部317h (焊盤 露出部309h)越窄的方向傾斜的傾斜面構(gòu)成。此外，SAW裝置301的第二焊盤露出部217h 與第二實(shí)施方式的SAW裝置201的第二焊盤露出部217h相同。另外，第二焊盤露出部219h 的最窄部分(本實(shí)施方式中是蓋309的上表面309a側(cè)的部分)處的開口面積大于第一焊盤 露出部317h的最寬部分(本實(shí)施方式中是蓋309的下表面309b側(cè)的部分)的開口面積， 這一點(diǎn)與第一及第二實(shí)施方式相同。
[0113]根據(jù)本實(shí)施方式，例如，框部317也與蓋部219同樣，能夠與模制樹脂59卡合，能 夠進(jìn)一步抑制蓋309與安裝基板53的安裝面53a的分離。
[0114]〈第四實(shí)施方式〉
[0115]圖10表示第四實(shí)施方式的SAW裝置401，是相當(dāng)于圖6(a)的剖視圖。
[0116]SAW裝置401的蓋409具有第三實(shí)施方式的框部317和第一實(shí)施方式的蓋部19。 SP，焊盤露出部409h具有第三實(shí)施方式的第一焊盤露出部317h和第一實(shí)施方式的第二焊 盤露出部19h。此外，第二焊盤露出部19h的最窄部分(本實(shí)施方式中是框部317側(cè)的部 分)處的開口面積大于第一焊盤露出部317h的最寬部分(本實(shí)施方式中是蓋309的下表 面309b側(cè)的部分)的開口面積，這一點(diǎn)與第一?第三實(shí)施方式相同。
[0117]根據(jù)本實(shí)施方式，例如，利用第二焊盤露出部19h，模制樹脂59的填充更加容易， 并且能夠使框部317與模制樹脂59卡合。
[0118]〈第五實(shí)施方式〉
[0119]圖11表不第五實(shí)施方式的SAW裝置501,是相當(dāng)于圖6 (a)的剖視圖。
[0120]SAff裝置501具有第一實(shí)施方式的SAW裝置I和配置于SAW裝置I的焊盤7上的 突起物57。突起物57與第一實(shí)施方式中配置于安裝基板53的焊盤55上的突起物57相 同，與焊盤露出部9h的內(nèi)周面分離。
[0121]這樣，突起物57可以不設(shè)置在安裝基板53上，而是設(shè)置在SAW裝置501上。在此 情況下，由SAW裝置501構(gòu)成與第一實(shí)施方式相同的電子部件51，收到與第一實(shí)施方式相同 的效果。[0122]〈第六實(shí)施方式〉
[0123]圖12是表示第六實(shí)施方式的SAW裝置601的一部分的立體圖。
[0124]在SAW裝置601中，多個(gè)焊盤露出部9h的一部分中，焊盤露出部9h在蓋9的上表 面?zhèn)鹊牟糠痔幭嗷ミB接。具體而言，焊盤露出部9h經(jīng)由形成于蓋部19的空隙相互連接。換 言之，第二焊盤露出部19h相互連接，第一焊盤露出部17h相互獨(dú)立。例如，焊盤露出部9h 之間接近配置，使得第二焊盤露出部19h的中心間的距離比第二焊盤露出部19h的直徑短， 由此進(jìn)行第二焊盤露出部19h之間的連接。
[0125]根據(jù)本實(shí)施方式，模制樹脂59也流入焊盤露出部9h之間，因此，例如對(duì)于位于難 以流入模制樹脂59的位置處的焊盤露出部9h，能夠經(jīng)由其他焊盤露出部9h供應(yīng)模制樹脂 59。另外，焊盤7之間能夠相鄰配置，實(shí)現(xiàn)SAW裝置的小型化。
[0126]〈第七實(shí)施方式〉
[0127]圖13是表示第七實(shí)施方式的SAW裝置701的立體圖。
[0128]SAW裝置701的蓋部719僅設(shè)置在覆蓋振動(dòng)空間21 (參照?qǐng)D2)的部分。例如， 蓋部719與振動(dòng)空間21大致為相似形狀，在其外周部大致以一定寬度與框部17重疊。并 且，蓋709的焊盤露出部709h僅由第一焊盤露出部17h構(gòu)成。不過，也可以認(rèn)為，焊盤露出 部709h由第一焊盤露出部17h和虛線所示的第二焊盤露出部719h構(gòu)成，第二焊盤露出部 719h經(jīng)由蓋部719上形成的溝部719r相互連接。
[0129]根據(jù)本實(shí)施方式，模制樹脂59容易流入焊盤露出部709h與突起物57之間。另外， 蓋部719采用最小必需程度的大小，因此能夠降低突起物57與蓋部719接觸的可能性，進(jìn) 而還可望實(shí)現(xiàn)SAW裝置I的小型化。
[0130]此外，與本實(shí)施方式相比，第一實(shí)施方式中，蓋部19與框部17的接觸面積較大，蓋 部19從框部17剝離的強(qiáng)度較高。其結(jié)果是，例如，在通過膜層的貼附形成蓋部19的情況 下，在剝離該膜層的基膜31 (參照?qǐng)D5(c))時(shí)，作為蓋部19的薄膜從框部17剝離的可能性 降低。
[0131]〈第八實(shí)施方式〉
[0132]圖14是表示第八實(shí)施方式的SAW裝置801的俯視圖。此外，該圖中用虛線表示振 動(dòng)空間21，在框部17與蓋部19重疊的部分處打上斜線。另外，SAW裝置801的布線15的 一部分(與焊盤7的連接部分)從蓋9露出，但在圖14中省略從蓋9露出的布線15。
[0133]在上述實(shí)施方式中，均示出第一焊盤露出部17h由孔部構(gòu)成的例子，而在SAW裝置 801中，第一焊盤露出部17h由缺口部形成。另外，在SAW裝置801中，第二焊盤露出部19h 也由缺口部形成。即，焊盤露出部9h由缺口部形成。這樣，焊盤露出部9h僅由缺口部形成， 則蓋9中不再存在繞至焊盤7外側(cè)的部分，相應(yīng)地，能夠使SAW裝置801小型化。
[0134]另外，在上述第六實(shí)施方式的SAW裝置601中，示出了多個(gè)焊盤露出部9h的一部 分中，第二焊盤露出部19h相互連接，第一焊盤露出部17h相互獨(dú)立的例子，但在SAW裝置 801中，多個(gè)焊盤露出部9h的一部分中，不僅第二焊盤露出部19h相互連接，第一焊盤露出 部17h也相互連接。
[0135]另外，在SAW裝置801中，元件基板3的第一主面3a的四角中的三角處設(shè)置標(biāo)志 23。在將SAW裝置801安裝于安裝基板53時(shí)等情況下，為了進(jìn)行定位而使用該標(biāo)志23。具 體而言，通過三個(gè)標(biāo)志23識(shí)別SAW裝置801的xy方向上的位置等，以此為基礎(chǔ)調(diào)整SAW裝置801的位置，使得焊盤7位于與其對(duì)應(yīng)的安裝基板53側(cè)的焊盤55上。標(biāo)志23例如使用 與焊盤7相同的材料，利用與焊盤7相同的步驟形成。
[0136]從SAW裝置的小型化的觀點(diǎn)出發(fā)，框部17最好盡可能小，但另一方面，框部17是 形成蓋部19時(shí)的支撐部分，因此若框部17過小，則在形成蓋部19時(shí)容易產(chǎn)生蓋部19的形 狀變形等故障。對(duì)此，在SAW裝置801中，設(shè)置凸部17p，從而使框部17也位于相鄰的焊盤 7之間。由此，能夠使SAW裝置小型化，同時(shí)確?？虿?7的面積，消除形成蓋部19時(shí)的故障。
[0137]凸部17p突出到蓋部19的外側(cè)。換言之，在存在凸部17p的部分處，蓋部19的外 周位于凸部17p的外周的內(nèi)側(cè)。若在存在框部17的凸部17p的部分處，在蓋部19上也設(shè) 置相同的凸部，框部17與蓋部19的外周位于同一面內(nèi)，則以該存在凸部17p的部分為起 點(diǎn)，蓋9容易從元件基板3剝離，本申請(qǐng)發(fā)明人已確認(rèn)這一點(diǎn)。根據(jù)推測，由樹脂構(gòu)成的蓋 部19因溫度變化而收縮時(shí)，在框部17中形成了凸部17p的部分處，蓋部19的收縮應(yīng)力產(chǎn) 生作用，從而產(chǎn)生該問題。
[0138]對(duì)此，在存在凸部17p的部分處，蓋部19的外周位于凸部17p的外周的內(nèi)側(cè)，以此 方式形成蓋部19，由此能夠抑制蓋9從元件基板3剝離。以蓋部19的外周為基準(zhǔn)時(shí)的凸 部17p的突出量d為20 ii m以上為佳,為36 ii m以上尤佳。據(jù)此,為了使蓋部19的外周遠(yuǎn) 離框部17的凸部17p，考慮最好使蓋部19盡可能小。但是，若蓋部19過小，則在元件基板 3的短邊側(cè)，框部17容易發(fā)生破裂。
[0139]相關(guān)的原因并不清楚，但作為一個(gè)原因，認(rèn)為在元件基板3產(chǎn)生翹曲時(shí)元件基板3 的短邊側(cè)容易受到較大的應(yīng)力，因此在該部分加上蓋部19的收縮應(yīng)力后，以蓋部19的邊緣 為起點(diǎn)產(chǎn)生破裂。通過使元件基板3的短邊側(cè)的框部17與蓋部19的重疊寬度w為80 ii m 以上，能夠抑制這種框部17的破裂的產(chǎn)生。
[0140]另外，在SAW裝置801中，框部17和蓋部19分別具有發(fā)圓的第一角部17s和第二 角部19s。如圖14(b)的放大圖所示，第二角部19s的外周位于第一角部17s的外周的內(nèi) 偵牝其曲率半徑大于第一角部17s的曲率半徑。在這種角部處也具有蓋9容易從元件基板3 剝離的傾向，但通過使第二角部19s的外周位于第一角部17s的外周的內(nèi)側(cè)，并使其曲率半 徑大于第一角部17s的曲率半徑，能夠抑制該部分的框部17從元件基板3的剝離的發(fā)生。
[0141](實(shí)施例)
[0142]制作圖14(a)所示的SAW裝置801，進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)，由此調(diào)查是否發(fā)生框部 17的破裂。溫度循環(huán)試驗(yàn)中，在_40°C中放置30分鐘后在85°C中放置30分鐘，以此為一 個(gè)循環(huán)，進(jìn)行100次循環(huán)。元件基板3由鉭酸鋰單晶體構(gòu)成，厚度為0.2mm,平面尺寸為 1.82mmX1.32mm。另外，蓋9使用環(huán)氧丙烯酸酯，框部17和蓋部19的厚度均為30 y m。
[0143]在該條件下，框部17與蓋部19的重疊寬度w為40 ii m的裝置(實(shí)施例1)和80 ii m 的裝置(實(shí)施例2)各制作22個(gè)，調(diào)查元件基板3的短邊側(cè)上框部17是否發(fā)生破裂。此外， 通過目視來確認(rèn)是否發(fā)生破裂。
[0144]在溫度循環(huán)試驗(yàn)之后，比較實(shí)施例1的SAW裝置的破裂發(fā)生率與實(shí)施例2的SAW 裝置的破裂發(fā)生率，與實(shí)施例1的SAW裝置的破裂發(fā)生率相比，實(shí)施例2的SAW裝置的破裂 發(fā)生率明顯減少。此外，實(shí)施例2的SAW裝置的破裂發(fā)生率為O。據(jù)此可以確認(rèn)，通過使元 件基板3的短邊側(cè)的框部17與蓋部19的重疊寬度w為80 ii m以上，能夠有效抑制框部17產(chǎn)生破裂。
[0145]本發(fā)明并不限定于以上實(shí)施方式，還可以通過各種方式實(shí)施。
[0146]可以適當(dāng)組合上述實(shí)施方式。例如，第二實(shí)施方式的增強(qiáng)層241 (圖7)也可以設(shè) 置在所有其他實(shí)施方式中。在第五?第七實(shí)施方式(圖11?圖13)中，第一焊盤露出部或 者第二焊盤露出部的傾斜面組合并不限定于第一實(shí)施方式的傾斜面組合，也可以是第二? 第四實(shí)施方式(圖7、圖9和圖10)的傾斜面組合。
[0147]彈性波裝置并不限定于SAW裝置。例如，彈性波裝置也可以是壓電薄膜諧振器，還 可以是彈性邊界波裝置(包含在廣義的SAW裝置中)。此外，在彈性邊界波裝置中，激勵(lì)電 極上不需要空隙(振動(dòng)空間)。換言之，蓋不需要具有平面形狀相互不同的框部和蓋部，可 以僅由一層形成。另外，在彈性邊界波裝置中，保護(hù)層和蓋可以兼用。
[0148]另外，在彈性波裝置中，保護(hù)層和背面部并不是必需的，可以省略。另外，在彈性波 裝置中設(shè)置有增強(qiáng)層的情況下，覆蓋增強(qiáng)層的絕緣層并不是必需的，可以省略。相反，在彈 性波裝置中，還可以增加位于框部與蓋部之間的導(dǎo)電層、覆蓋蓋的上表面和側(cè)面的絕緣膜 等適當(dāng)?shù)膶印?br> [0149]在蓋的焊盤露出部(9h等)中，內(nèi)表面也可以不具有傾斜面，另外，蓋的上表面?zhèn)?的開口面積也可以不大于蓋的下表面?zhèn)鹊拈_口面積。例如，可以從蓋的下表面直到上表面 以一定開口面積的孔部形成焊盤露出部，還可以由第一焊盤露出部和第二焊盤露出部構(gòu)成 焊盤露出部，其中第一焊盤露出部由以一定開口面積形成的孔部構(gòu)成，第二焊盤露出部由 以一定開口面積形成、開口面積大于或小于第一焊盤露出孔部的孔部構(gòu)成。另外，還可以由 以下部分構(gòu)成:由以一定開口面積形成的孔部構(gòu)成的第一或第二焊盤露出部，以及內(nèi)表面 傾斜的第二或第一焊盤露出部。
[0150]蓋的焊盤露出部與蓋側(cè)面外側(cè)連通的缺口部的方式并不限定于焊盤露出部探出 到蓋側(cè)面的方式，焊盤露出部之間的連接也并不限定于焊盤露出部相互重疊的連接。例如， 可以在蓋上形成連接焊盤露出部與蓋側(cè)面的溝部，也可以在蓋上形成將焊盤露出部相互連 接的溝部。將焊盤露出部與蓋側(cè)面外側(cè)連通的方式、或者將焊盤露出部相互連接的方式并 不限定于僅在蓋的上表面?zhèn)炔糠?例如僅在蓋部)，或者從蓋的上表面一直到下表面進(jìn)行。 例如，也可以僅在蓋的下表面?zhèn)炔糠?例如僅在框部)將焊盤露出部相互連接等。
[0151]較為理想的是，在蓋的焊盤露出部與突起物之間，從蓋的上表面到下表面填充模 制樹脂。不過，也可以僅在突起物容易產(chǎn)生破裂的位置(例如焊盤露出部與蓋的上表面的 角部)等的一部分處，分離焊盤露出部的內(nèi)周面與突起物，以填充模制樹脂。
[0152]在焊盤露出部與蓋側(cè)面外側(cè)連通的情況下，蓋的上表面可以抵接于安裝基板的安 裝面。即，蓋的上表面與安裝面之間可以不填充模制樹脂。即使蓋的上表面抵接于安裝面， 模制樹脂也從蓋側(cè)面外側(cè)流入焊盤露出部，因此可抑制在突起物的周圍形成空洞。
[0153]突起物并不限定于通過加熱而熔融的金屬，也不限定于焊料。例如，突起物可以由 經(jīng)加熱而凝固的導(dǎo)電性粘合劑構(gòu)成。另外，突起物的形狀在彈性波裝置安裝前可以不是半 球狀。例如，可以在突起物為焊膏的狀態(tài)(整形為半球狀之前的狀態(tài))下，將彈性波裝置載 置于安裝基板上，并進(jìn)行回焊。另外，彈性波裝置與安裝基板接合后的突起物的形狀也并不 限定為球狀。根據(jù)焊盤的大小、突起物的量、突起物材料的潤濕性等不同，突起物的外周面 有時(shí)會(huì)呈凹狀。[0154]彈性波裝置的制造方法并不限定于實(shí)施方式中例示的方法。例如，不需要振動(dòng)空 間的蓋無須分別形成框部和蓋部，可以通過一次光刻等一體化地形成整個(gè)蓋。另外，例如， 需要振動(dòng)空間的蓋可以通過如下方式形成:在作為振動(dòng)空間的區(qū)域中形成犧牲層，隨后在 犧牲層上形成作為蓋的樹脂層，使?fàn)奚鼘尤芙獠臉渲瑢觾?nèi)流出。
[0155]符號(hào)說明:
[0156]1、SAW裝置(彈性波裝置)；3、元件基板；3a、第一主面；5、激勵(lì)電極；7、焊盤；9、 蓋；9a、上表面；9h、焊盤露出部；51、電子部件；53、安裝基板；57、突起物；59、模制樹脂。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件，其特征在于包括:安裝基板；位于該安裝基板的安裝面上的突起物；以及位于該突起物上并與該突起物連接的彈性波裝置，其中，該彈性波裝置具有:兀件基板；激勵(lì)電極，位于該元件基板的主面上；焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì)電極上，形成有使 所述焊盤露出的、由孔部或缺口部或者它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，使該蓋的上表面與所述安裝面對(duì)置，使所述突起物位于所述焊盤露出部內(nèi)，并使所述焊盤抵接于所述突起物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于還包括:覆蓋所述彈性波裝置的模制樹脂，該模制樹脂被填充在所述蓋的上表面與所述安裝面之間以及所述突起物與所述焊盤露出部的內(nèi)周面之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于:所述蓋具有:環(huán)狀的框部，位于所述元件基板的所述主面上并包圍所述激勵(lì)電極；以及蓋部，與該框部重疊并堵塞該框部，所述焊盤露出部具有:第一焊盤露出部，形成于所述框部，并由孔部或缺口部構(gòu)成；以及第二焊盤露出部，以與所述第一焊盤露出部連通的方式形成于所述蓋部，并由孔部或缺口部構(gòu)成，所述第一焊盤露出部的內(nèi)表面和所述第二焊盤露出部的內(nèi)表面中的至少一者在越接近所述蓋的上表面?zhèn)葎t越寬的方向上傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于:所述蓋具有:環(huán)狀的框部，位于所述元件基板的所述主面上并包圍所述激勵(lì)電極；以及蓋部，與該框部重疊并堵塞該框部，所述焊盤露出部具有:第一焊盤露出部，形成于所述框部，并由孔部或缺口部構(gòu)成；以及第二焊盤露出部，以與所述第一焊盤露出部連通的方式形成于所述蓋部，并由孔部或缺口部構(gòu)成，所述第一焊盤露出部的內(nèi)表面和所述第二焊盤露出部的內(nèi)表面中的至少一者在越接近所述蓋的上表面?zhèn)葎t越窄的方向上傾斜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其特征在于:所述第二焊盤露出部的內(nèi)表面在越接近所述蓋的上表面?zhèn)葎t越窄的方向上傾斜，所述彈性波裝置還具有:增強(qiáng)層，重疊在所述蓋的上表面上，在俯視透視下與所述框部的內(nèi)側(cè)重疊，由楊氏模量高于所述蓋的材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于:所述蓋具有:環(huán)狀的框部，位于所述元件基板的所述主面上并包圍所述激勵(lì)電極；以及蓋部，與該框部重疊并堵塞該框部，所述焊盤露出部具有:第一焊盤露出部，形成于所述框部，并由孔部或缺口部構(gòu)成；以及第二焊盤露出部，以與所述第一焊盤露出部連通的方式形成于所述蓋部，并由孔部或缺口部構(gòu)成，所述第一焊盤露出部的內(nèi)表面在越接近所述蓋的上表面?zhèn)葎t越寬的方向上傾斜，所述第二焊盤露出部的內(nèi)表面在越接近所述蓋的上表面?zhèn)葎t越窄的方向上傾斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于:所述模制樹脂從所述第一焊盤露出部到所述第二焊盤露出部為止進(jìn)行填充， 該第二焊盤露出部的最窄部分處的開口面積大于所述第一焊盤露出部的最寬部分處的開口面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于:所述第二焊盤露出部由與所述蓋的側(cè)面外側(cè)連通的缺口部構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于:所述焊盤露出部在所述蓋的上表面的俯視下設(shè)置多個(gè)，該多個(gè)焊盤露出部中的至少一部分在所述蓋的上表面?zhèn)鹊牟糠痔幭嗷ミB接。
10.一種彈性波裝置，其特征在于包括:兀件基板；激勵(lì)電極，位于該元件基板的主面上；焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì)電極上，形成有使所述焊盤露出的、由孔部或缺口部或者它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，其中，所述焊盤露出部在所述蓋的上表面?zhèn)鹊牟糠痔幣c所述蓋的側(cè)面外側(cè)連通。
11.一種彈性波裝置，其特征在于包括:兀件基板；激勵(lì)電極，位于該元件基板的主面上；多個(gè)焊盤，位于所述主面上并與所述激勵(lì)電極連接；以及蓋，位于所述激勵(lì)電極上，形成有使所述多個(gè)焊盤露出的、由孔部或缺口部或者它們的組合構(gòu)成的焊盤露出部，其中，所述多個(gè)焊盤露出部中的至少一部分在所述蓋的上表面?zhèn)鹊牟糠痔幭嗷ミB接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的彈性波裝置，其特征在于:所述蓋具有:環(huán)狀的框部，位于所述元件基板的所述主面上并包圍所述激勵(lì)電極；以及蓋部，與該框部重疊并堵塞該框部，所述框部具有在俯視下與所述蓋部的外周相比向外側(cè)突出的凸部。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的彈性波裝置，其特征在于:所述蓋具有:環(huán)狀的框部，位于所述元件基板的所述主面上并包圍所述激勵(lì)電極；以及蓋部，與該框部重疊并堵塞該框部，所述框部具有發(fā)圓的角部即第一角部，所述蓋部具有位于所述第一角部的斜上方的發(fā)圓的角部即第二角部，該第二角部的外周位于所述第一角`部的外周的內(nèi)側(cè)，并且所述第二角部的曲率半徑大于所述第一角部的曲率半徑。
【文檔編號(hào)】H03H9/25GK103460600SQ201280018203
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月19日
【發(fā)明者】大橋康隆, 南部雅樹, 森本祐介, 卷淵大輔, 生田貴紀(jì) 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社