專利名稱：兩路輸出頻率源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻領(lǐng)域，特別涉及一種頻率源。
背景技術(shù)：
頻率源廣泛應(yīng)用于射頻電路中。隨著射頻電路向著更多功能、更高要求方向發(fā)展，單一的頻率源已經(jīng)不能滿足射頻電路的要求。因此，需要提出一種能夠輸出多路相同頻率或不同頻率的頻率源。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種微波爐，解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法對(duì)諧振腔中待處理的物質(zhì)進(jìn)行攪拌的問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種兩路輸出頻率源，包括振蕩晶體，所述振蕩晶體產(chǎn)生振蕩頻率；第一頻率產(chǎn)生電路，所述第一頻率產(chǎn)生電路連接至所述振蕩晶體，其中，所述第一頻率產(chǎn)生電路包括第一鎖相環(huán)，所述第一鎖相環(huán)連接至所述振蕩晶體；第一低通濾波器，所述第一低通濾波器連接至所述第一鎖相環(huán)；第一壓控振蕩器，所述第一壓控振蕩器連接至所述第一低通濾波器M倍頻器，所述M倍頻器連接于所述第一壓控振蕩器和所述第一鎖相環(huán)之間；第一隔離網(wǎng)絡(luò)，所述第一隔離網(wǎng)絡(luò)連接至所述第一壓控振蕩器；第一放大器，所述第一放大器連接至所述第一隔離網(wǎng)絡(luò)；以及第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)連接至所述第一放大器，并輸出第一頻率；以及第二頻率產(chǎn)生電路，所述第二頻率產(chǎn)生電路連接至所述振蕩晶體，其中，所述第二頻率產(chǎn)生電路包括第二鎖相環(huán)，所述第二鎖相環(huán)連接至所述振蕩晶體；第二低通濾波器，所述第二低通濾波器連接至所述第二鎖相環(huán)；第二壓控振蕩器，所述第二壓控振蕩器連接至所述第二低通濾波器N倍頻器，所述N倍頻器連接于所述第二壓控振蕩器和所述第二鎖相環(huán)之間；第二隔離網(wǎng)絡(luò)，所述第二隔離網(wǎng)絡(luò)連接至所述第二壓控振蕩器；第二放大器，所述第二放大器連接至所述第二隔離網(wǎng)絡(luò)；以及第二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)連接至所述第二放大器，并輸出第二頻率?？蛇x地，M和N相等。可選地，M和N不相等。本發(fā)明的有益效果是利用本發(fā)明提出的兩路輸出頻率源，可滿足射頻電路對(duì)兩個(gè)相等或不等頻率的需求。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明一種兩路輸出頻率源一個(gè)實(shí)施例的電路示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1為本發(fā)明一種兩路輸出頻率源一個(gè)實(shí)施例的電路示意圖。如圖1所示，頻率源10包括振蕩晶體100，振蕩晶體100產(chǎn)生頻率f。頻率源10還包括第一頻率產(chǎn)生電路101和第二頻率產(chǎn)生電路102，其均連接至振蕩晶體100，且分別輸出第一頻率fl和第二頻率f2。具體地，第一頻率產(chǎn)生電路101包括鎖相環(huán)PPL1，其連接至振蕩晶體100。低通濾波器LPFl連接至鎖相環(huán)PPLl的輸出端，以對(duì)鎖相環(huán)PPLl的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波。壓控振蕩器VCOl連接至低通濾波器LPFl，其輸出一方面通過M倍頻器反饋回鎖相環(huán)PPLl，另一方面輸出至隔離網(wǎng)絡(luò)1011。放大器AMPl連接至隔離網(wǎng)絡(luò)1011的輸出端。通過在壓控振蕩器VCOl和放大器AMPl之間連接隔離網(wǎng)絡(luò)1011，可去除外圍電路對(duì)頻率源的不良影響。匹配網(wǎng)絡(luò)1012連接至放大器AMPl的輸出端，并輸出第一頻率f I。類似地，第二頻率產(chǎn)生電路102包括鎖相環(huán)PPL2，其連接至振蕩晶體100。低通濾波器LPF2連接至鎖相環(huán)PPL2的輸出端，以對(duì)鎖相環(huán)PPL2的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波。壓控振蕩器VC02連接至低通濾波器LPF2，其輸出一方面通過N倍頻器反饋回鎖相環(huán)PPL2，另一方面輸出至隔離網(wǎng)絡(luò)1021。放大器AMP2連接至隔離網(wǎng)絡(luò)1021的輸出端。通過在壓控振蕩器VC02和放大器AMP2之間連接隔離網(wǎng)絡(luò)1021，可去除外圍電路對(duì)頻率源的不良影響。匹配網(wǎng)絡(luò)1022連接至放大器AMP2的輸出端，并輸出第二頻率f2。在圖1所示實(shí)施例中，第一頻率產(chǎn)生電路101包括M倍頻器，第二頻率產(chǎn)生電路102包括N倍頻器。在一個(gè)實(shí)施例中，M和N相等。在另一實(shí)施例中，M和N可以不等。另外，圖1所示實(shí)施例中，頻率源10包括兩路頻率輸出。然而，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在其它實(shí)施例中，頻率源可包括多路頻率輸出。利用本發(fā)明提出的兩路輸出頻率源，可滿足射頻電路對(duì)兩個(gè)相等或不等頻率的需求。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種兩路輸出頻率源，其特征在于，包括: 振蕩晶體，所述振蕩晶體產(chǎn)生振蕩頻率； 第一頻率產(chǎn)生電路，所述第一頻率產(chǎn)生電路連接至所述振蕩晶體，其中，所述第一頻率產(chǎn)生電路包括: 第一鎖相環(huán)，所述第一鎖相環(huán)連接至所述振蕩晶體； 第一低通濾波器，所述第一低通濾波器連接至所述第一鎖相環(huán)； 第一壓控振蕩器，所述第一壓控振蕩器連接至所述第一低通濾波器； M倍頻器，所述M倍頻器連接于所述第一壓控振蕩器和所述第一鎖相環(huán)之間； 第一隔離網(wǎng)絡(luò)，所述第一隔離網(wǎng)絡(luò)連接至所述第一壓控振蕩器； 第一放大器，所述第一放大器連接至所述第一隔離網(wǎng)絡(luò)；以及第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)連接至所述第一放大器，并輸出第一頻率；以及第二頻率產(chǎn)生電路，所述第二頻率產(chǎn)生電路連接至所述振蕩晶體，其中，所述第二頻率產(chǎn)生電路包括: 第二鎖相環(huán)，所述第二鎖相環(huán)連接至所述振蕩晶體； 第二低通濾波器，所述第二低通濾波器連接至所述第二鎖相環(huán)； 第二壓控振蕩器，所述第二壓控振蕩器連接至所述第二低通濾波器； N倍頻器，所述N倍頻器連接于所述第二壓控振蕩器和所述第二鎖相環(huán)之間； 第二隔離網(wǎng)絡(luò)，所述第二隔離網(wǎng)絡(luò)連接至所述第二壓控振蕩器； 第二放大器，所述第二放大器連接至所述第二隔離網(wǎng)絡(luò)；以及 第二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)連接至所述第二放大器，并輸出第二頻率。
2.如權(quán)利要求1所述的兩路輸出頻率源，其特征在于，M和N相等。
3.如權(quán)利要求1所述的兩路輸出頻率源，其特征在于，M和N不相等。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種兩路輸出頻率源，包括振蕩晶體，其產(chǎn)生振蕩頻率；第一和第二頻率產(chǎn)生電路，其均連接振蕩晶體，其中，第一和第二頻率產(chǎn)生電路分別包括第一和第二鎖相環(huán)，其均連接振蕩晶體；第一和第二低通濾波器，其分別連接第一和第二鎖相環(huán)；第一和第二壓控振蕩器，其分別連接第一和第二低通濾波器；M和N倍頻器，其分別連接于第一和第二壓控振蕩器與第一和第二鎖相環(huán)之間；第一和第二隔離網(wǎng)絡(luò)，其分別連接第一和第二壓控振蕩器；第一和第二放大器，其分別連接第一和第二隔離網(wǎng)絡(luò)；以及第一和第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其分別連接第一和第二放大器，并輸出第一和第二頻率。本發(fā)明提出的兩路輸出頻率源，可滿足射頻電路對(duì)兩個(gè)相等或不等頻率的需求。
文檔編號(hào)H03L7/099GK103117743SQ20121059579
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月17日
發(fā)明者呂曉春, 楊治國(guó) 申請(qǐng)人:青島力宇倉(cāng)儲(chǔ)機(jī)械設(shè)備有限公司