專(zhuān)利名稱(chēng)：具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)及其襯偏效應(yīng)消除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除技術(shù)。
背景技術(shù)：
在模擬電路中，通常用MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的功能。以N型MOS開(kāi)關(guān)為例，MOS管的導(dǎo)通電阻與柵極到源極的電壓有關(guān)，該電壓越小則導(dǎo)通電阻越大。一般在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，柵極電壓固定在一個(gè)高電平，源極接輸入信號(hào)。因而，導(dǎo)通電阻會(huì)隨著輸入信號(hào)的變化而變化，尤其是當(dāng)信號(hào)電壓接近柵極電壓的時(shí)候，N型MOS管近似關(guān)斷。為了能處理較高電壓的信號(hào)，通常將柵極接最高電平，也就是電源電壓，前提是要保證MOS管不被擊穿。 為了能處理接近甚至高于電源電壓的信號(hào)，柵壓自舉技術(shù)通過(guò)抬高柵極電壓使其高于電源電壓，從而實(shí)現(xiàn)更高的可處理信號(hào)電壓，圖I所示為一種典型的柵壓自舉開(kāi)關(guān)電路。圖I中，Ml為實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能的NMOS管，其余部分為柵壓自舉電路，在兩相時(shí)鐘phi和Phib的控制下將N2抬至電源電壓以上。該電路分為兩個(gè)工作狀態(tài)，當(dāng)phi為低電平，phib為高電平時(shí)，電路處于預(yù)充電狀態(tài)。假設(shè)電源電壓為Vdd，此時(shí)N4=2*Vdd，M4打開(kāi)，同時(shí)M13也打開(kāi)，C3被充至Vdd。另一方面，M6打開(kāi)，NI充至Vdd，使得M9關(guān)斷。并且M12打開(kāi)，N2被拉到零，Ml, M8，MlO都關(guān)斷。該狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)phi為高電平phib為低電平時(shí)，電路進(jìn)入自舉工作狀態(tài)。此時(shí)N4=Vdd，M4關(guān)斷，且M12也關(guān)斷。另一方面，M7打開(kāi)，NI被拉低，故M9打開(kāi)，N2拉高，從而把Ml，MlO打開(kāi)。MlO打開(kāi)后，N3被抬高至接近輸入信號(hào)Vin，由于N6，N2節(jié)點(diǎn)沒(méi)有額外的直流通路，故N6，N2也被抬高相同的電壓。由于N6，N2節(jié)點(diǎn)之前的電壓為Vdd，故自舉之后的電壓接近Vdd+Vin。最終實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高于電源電壓且隨輸入信號(hào)變化的開(kāi)啟電壓，無(wú)論輸入信號(hào)為多少，Ml的柵極到源極的電壓恒定在Vdd。然而，NMOS管的導(dǎo)通電壓除了跟柵極到源極電壓有關(guān)還跟源極到襯底的電壓有關(guān)，源極比襯底電壓高出越多，襯偏效應(yīng)就越明顯，閾值電壓也就越高，使得導(dǎo)通電阻越大。為了消除襯偏效應(yīng)，通常將Ml的襯底和源端短接，但是在圖I電路中，這會(huì)導(dǎo)致Ml無(wú)法有效關(guān)斷，因?yàn)楫?dāng)輸入信號(hào)較高時(shí)，輸入信號(hào)會(huì)通過(guò)襯底和漏端的PN結(jié)和開(kāi)關(guān)的另一端導(dǎo)通。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)及其襯偏效應(yīng)消除方法，不但能消除柵壓自舉開(kāi)關(guān)電路中起開(kāi)關(guān)作用的MOS晶體管的襯偏效應(yīng)，而且能確保該MOS晶體管的有效關(guān)斷。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，包含作為開(kāi)關(guān)的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管Ml、與該MOS晶體管Ml相連的柵壓自舉電路，MOS晶體管Ml的襯底通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本MOS晶體管Ml的源端相連；其中，控制開(kāi)關(guān)在所述柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在所述柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。本發(fā)明還提供了一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，包含以下步驟提供一作為開(kāi)關(guān)的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管(Ml)；提供一柵壓自舉電路，該柵壓自舉電路與所述(Ml)相連；將所述(Ml)的襯底，通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本MOS晶體管(Ml)的源端相連；其中，所述控制開(kāi)關(guān)在所述柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在所述柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。本發(fā)明還提供了一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，包含由第一金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管和第二 MOS晶體管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)、與該第一 MOS晶體管相連的柵壓自舉電 路；所述第一 MOS晶體管的源極接輸入信號(hào)，所述第一 MOS晶體管的漏極接所述第二MOS晶體管的源極；所述第二 MOS晶體管的柵極接所述第一 MOS晶體管的柵極；所述第二 MOS晶體管的漏極作為輸出信號(hào)輸出；所述第一 MOS晶體管的襯底與該第一 MOS晶體管的源極短接；所述第二 MOS晶體管的襯底與該第二 MOS晶體管的漏極短接。本發(fā)明實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，起開(kāi)關(guān)作用的Ml的襯底并不直接與其源端短接，而是通過(guò)一個(gè)控制開(kāi)關(guān)與其源端相連。該控制開(kāi)關(guān)在柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。由于該控制開(kāi)關(guān)由柵壓自舉電路當(dāng)前所處的模式?jīng)Q定，而起開(kāi)關(guān)作用的Ml的襯底與其源端是否能夠連通又由該控制開(kāi)關(guān)決定。因此，當(dāng)柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，由于控制開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，因此Ml的襯底相當(dāng)于接地，避免了 Ml因輸入信號(hào)較高而導(dǎo)致輸入信號(hào)通過(guò)襯底和漏端的PN結(jié)和開(kāi)關(guān)的另一端導(dǎo)通，保證了 Ml的徹底關(guān)斷；而當(dāng)柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，由于控制開(kāi)關(guān)處于打開(kāi)狀態(tài)，因此Ml的襯底將通過(guò)該控制開(kāi)關(guān)與其漏端連通，消除襯偏效應(yīng)，使得無(wú)論輸入信號(hào)為多少，開(kāi)關(guān)Ml的導(dǎo)通電阻都保持不變。通過(guò)靈活的連接開(kāi)關(guān)Ml的襯底與其源端，即減小了其導(dǎo)通阻抗，也保證了完全關(guān)斷。另外，控制開(kāi)關(guān)為MOS晶體管，如可以直接將柵壓自舉電路中，漏端與Ml的源端和輸入信號(hào)相連的M10，直接作為該控制開(kāi)關(guān)(M10的源端直接連接該Ml的襯底)。由于在柵壓自舉電路中，MlO在柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。因此，直接將該MlO作為控制開(kāi)關(guān)，Ml的襯底通過(guò)MlO和本Ml的源端相連，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，而且不增加額外的電路，不犧牲電路面積，也不會(huì)增加電路的功耗。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中典型的柵壓自舉開(kāi)關(guān)電路；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法流程圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒(méi)有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，包含作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管Ml、與該MOS晶體管Ml相連的柵壓自舉電路。柵壓自舉電路以及柵壓自舉電路與作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管Ml的連接關(guān)系與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。在本實(shí)施方式中，該MOS晶體管Ml的襯底通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本MOS晶體管Ml的源端相連，如圖2所示。該控制開(kāi)關(guān)在柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。該控制開(kāi)關(guān)可通過(guò)MOS晶體管實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，由于該控制開(kāi)關(guān)由柵壓自舉電路當(dāng)前所處的模式?jīng)Q定，而起開(kāi)關(guān)作用的Ml的襯底與其源端是否能夠連通又由該控制開(kāi)關(guān)決定。因此，當(dāng)柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，由于控制開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，因此Ml的襯底相當(dāng)于接地，避免了 Ml因輸入信號(hào)較高而導(dǎo)致輸入信號(hào)通過(guò)襯底和漏端的PN結(jié)和開(kāi)關(guān)的另一端導(dǎo)通，保證了 Ml的徹底關(guān)斷；而當(dāng)柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，由于控制開(kāi)關(guān)處于打開(kāi)狀態(tài)，因此Ml的襯底將通過(guò)該控制開(kāi)關(guān)與其漏端連通，消除襯偏效應(yīng)，使得無(wú)論輸入信號(hào)為多少，開(kāi)關(guān)Ml的導(dǎo)通電阻都保持不變。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，僅在開(kāi)關(guān)Ml導(dǎo)通的時(shí)候?qū)⒁r底與源端相連，消除了襯偏效應(yīng)，降低了開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻，同時(shí)在開(kāi)關(guān)關(guān)斷的時(shí)候?qū)⒁r底接地，以保證充分關(guān)斷。除此之外，由于消除了襯偏效應(yīng)，使得無(wú)論輸入信號(hào)為多少，開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻都能保持不變。另外，值得一提的是，在本實(shí)施方式中，作為開(kāi)關(guān)的Ml為N型MOS晶體管，但在實(shí)際應(yīng)用中，也可以是P型MOS晶體管，具體實(shí)現(xiàn)方式與本實(shí)施方式類(lèi)似，在此不再贅述。本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)。第二實(shí)施方式在第一實(shí)施方式的基礎(chǔ)上做了進(jìn)一步改進(jìn)，主要改進(jìn)之處在于在第一實(shí)施方式中，控制開(kāi)關(guān)并沒(méi)有特殊的限定，只需滿(mǎn)足“在柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)”的條件即可。而在本發(fā)明第二實(shí)施方式中，將柵壓自舉電路中，漏端與作為開(kāi)關(guān)的Ml的源端和輸入信號(hào)相連的MOS晶體管M10，作為該控制開(kāi)關(guān)。由于在柵壓自舉電路中，當(dāng)柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，MlO處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，MlO處于打開(kāi)狀態(tài)。因此，只需將Ml的襯底連接在MlO的源端，即可實(shí)現(xiàn)將柵壓自舉電路中的M10，作為該控制開(kāi)關(guān)。如圖3所示，在預(yù)充電模式，phib為高電平，N2被拉到地，Ml關(guān)斷。同時(shí)MlO關(guān)斷，N3拉到地，從而把Ml的襯底接地，保證完全關(guān)斷。在自舉模式，Ml打開(kāi)，同時(shí)MlO打開(kāi)，M13關(guān)斷，Ml的襯底通過(guò)MlO和其源端相連，消除襯偏效應(yīng)的影響，降低了 Ml的導(dǎo)通電阻。通過(guò)僅在開(kāi)關(guān)Ml導(dǎo)通的時(shí)候?qū)⒁r底與源端相連，消除了襯偏效應(yīng)，同時(shí)在開(kāi)關(guān)關(guān)斷的時(shí)候?qū)⒁r底接地，以保證充分關(guān)斷。不難發(fā)現(xiàn)，在本實(shí)施方式中，直接將柵壓自舉電路中漏端與Ml的源端和輸入信號(hào)相連的M10，直接作為該控制開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，而且不增加額外的電路，不犧牲電路面積，也不會(huì)增加電路的功耗。本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，具體流程如圖4所示。在步驟410中，提供一作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管Ml。在本實(shí)施方式中，該Ml為N型MOS晶體管。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，也可以是P型MOS晶體管。在步驟420中，提供一柵壓自舉電路，該柵壓自舉電路與該Ml相連。其中，柵壓自舉電路以及柵壓自舉電路與作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管Ml的連接關(guān)系與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不·再贅述。在步驟430中，將作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管Ml的襯底，通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本Ml的源端相連。其中，所述控制開(kāi)關(guān)在所述柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在所述柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。該控制開(kāi)關(guān)可為MOS晶體管。值得一提的是，可以將柵壓自舉電路中，漏端與Ml的源端和輸入信號(hào)相連的MOS晶體管M10，作為該控制開(kāi)關(guān)，如將該MlO的源端直接連接該Ml的襯底。不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)施方式為與第一(或第二)實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的方法實(shí)施例，本實(shí)施方式可與第一(或第二)實(shí)施方式互相配合實(shí)施。第一實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實(shí)施方式中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第一實(shí)施方式中。本發(fā)明第四實(shí)施方式涉及一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，包含由第一MOS晶體管和第二MOS晶體管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)、與該第一MOS晶體管相連的柵壓自舉電路。第一MOS晶體管的源極接輸入信號(hào)，第一 MOS晶體管的漏極接所述第二 MOS晶體管的源極；第二MOS晶體管的柵極接所述第一 MOS晶體管的柵極；所述第二 MOS晶體管的漏極作為輸出信號(hào)輸出。第一 MOS晶體管的襯底與該第一 MOS晶體管的源極短接；第二 MOS晶體管的襯底與該第二 MOS晶體管的漏極短接。在本實(shí)施方式中，第一 MOS晶體管和第二 MOS晶體管可均為N型MOS晶體管。如圖5所示，圖5中的Mla即為該第一 MOS晶體管，圖5中的Mlb即為該第二 MOS晶體管。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，由于Mla的襯底和輸入信號(hào)相連,Mlb的襯底和輸出信號(hào)相連。這樣即使Vin (輸入信號(hào))高于Vout (輸出信號(hào))，該電壓差也無(wú)法通過(guò)Mlb管子，反之，Vout高于Vin也無(wú)法通過(guò)Mla管子，從而實(shí)現(xiàn)了完全關(guān)斷。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體實(shí)施例，而在實(shí)際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)其作各種改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，包含作為開(kāi)關(guān)的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管(Ml)、與該MOS晶體管(Ml)相連的柵壓自舉電路，其特征在于， 所述MOS晶體管(Ml)的襯底通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本MOS晶體管(Ml)的源端相連； 其中，所述控制開(kāi)關(guān)在所述柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在所述柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，其特征在于， 所述控制開(kāi)關(guān)為MOS晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，其特征在于， 所述控制開(kāi)關(guān)為所述柵壓自舉電路中，漏端與所述作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管的源端和輸入信號(hào)相連的MOS晶體管(MlO)； 其中，所述(MlO)的源端直接連接所述(Ml)的襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，其特征在于， 所述作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管(Ml)為N型MOS晶體管。
5.一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，其特征在于，包含以下步驟 提供一作為開(kāi)關(guān)的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管(Ml)； 提供一柵壓自舉電路，該柵壓自舉電路與所述(Ml)相連； 將所述(Ml)的襯底，通過(guò)一控制開(kāi)關(guān)與本MOS晶體管(Ml)的源端相連； 其中，所述控制開(kāi)關(guān)在所述柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在所述柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，其特征在于， 所述控制開(kāi)關(guān)為MOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，其特征在于，所述控制開(kāi)關(guān)為所述柵壓自舉電路中，漏端與所述(Ml)的源端和輸入信號(hào)相連的MOS晶體管(MlO)； 其中，通過(guò)以下方式將所述(Ml)的襯底通過(guò)所述(MlO)與本(Ml)的源端相連 將所述(MlO)的源端直接連接所述(Ml)的襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)的襯偏效應(yīng)消除方法，其特征在于， 所述作為開(kāi)關(guān)的MOS晶體管(Ml)為N型MOS晶體管。
9.一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，其特征在于，包含由第一金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管和第二 MOS晶體管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)、與該第一 MOS晶體管相連的柵壓自舉電路； 所述第一 MOS晶體管的源極接輸入信號(hào)，所述第一 MOS晶體管的漏極接所述第二 MOS晶體管的源極； 所述第二 MOS晶體管的柵極接所述第一 MOS晶體管的柵極；所述第二 MOS晶體管的漏極作為輸出信號(hào)輸出； 所述第一 MOS晶體管的襯底與該第一 MOS晶體管的源極短接；所述第二 MOS晶體管的襯底與該第二 MOS晶體管的漏極短接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所 述的具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一 MOS晶體管和第二 MOS晶體管均為N型MOS晶體管。
全文摘要
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，公開(kāi)了一種具有低導(dǎo)通電阻的柵壓自舉開(kāi)關(guān)及其襯偏效應(yīng)消除方法。本發(fā)明中，起開(kāi)關(guān)作用的M1的襯底并不直接與其源端短接，而是通過(guò)一個(gè)控制開(kāi)關(guān)與其源端相連。該控制開(kāi)關(guān)在柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，處于關(guān)斷狀態(tài)；在柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，處于打開(kāi)狀態(tài)。因此，當(dāng)柵壓自舉電路處于預(yù)充電模式時(shí)，M1的襯底相當(dāng)于接地，保證了M1的徹底關(guān)斷；而當(dāng)柵壓自舉電路處于自舉模式時(shí)，M1的襯底將通過(guò)該控制開(kāi)關(guān)與其漏端連通，消除襯偏效應(yīng)，使得無(wú)論輸入信號(hào)為多少，開(kāi)關(guān)M1的導(dǎo)通電阻都保持不變。
文檔編號(hào)H03K17/687GK102891672SQ20121036289
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者謝循, 方飛 申請(qǐng)人:泰凌微電子(上海)有限公司