技術(shù)編號(hào)：7520077
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及柵壓自舉開關(guān)的襯偏效應(yīng)消除技術(shù)。背景技術(shù)在模擬電路中，通常用MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的功能。以N型MOS開關(guān)為例，MOS管的導(dǎo)通電阻與柵極到源極的電壓有關(guān)，該電壓越小則導(dǎo)通電阻越大。一般在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，柵極電壓固定在一個(gè)高電平，源極接輸入信號(hào)。因而，導(dǎo)通電阻會(huì)隨著輸入信號(hào)的變化而變化，尤其是當(dāng)信號(hào)電壓接近柵極電壓的時(shí)候，N型MOS管近似關(guān)斷。為了能處理較高電壓的信號(hào)，通常將柵極接最高電平，也就是電源電壓，前提...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。