用于在電壓之間切換的系統(tǒng)和方法背景領域各種實施方式涉及電子電路，并且特別地，涉及在電壓之間切換的系統(tǒng)和方法。相關技術的描述一些存儲器系統(tǒng)在運行期間使用通常由電壓泵產生的多個電壓。具體地，存儲器系統(tǒng)在編程和擦除操作期間使用第一電壓泵產生高電壓并且在讀操作期間使用第二電壓泵產生較低的電壓。即，在編程/擦除操作期間第一電壓泵產生高電壓并且第二電壓泵關閉（即，0V）。相反地，在讀操作期間第二電壓泵產生較低的電壓并且第一電壓泵關閉（即，0V）。當?shù)谝浑妷罕煤?或第二電壓泵各自均關閉時，存儲器系統(tǒng)經(jīng)歷大量的泄漏電流。為了克服與泄漏電流相關的問題，增加電壓泵的尺寸，這樣就增加了管芯的面積。附圖簡述為了將容易地理解本發(fā)明的優(yōu)勢，將通過參考附圖中示出的特定的實施方式來給出以上簡單描述的本發(fā)明的更具體的描述。應當理解到，這些附圖描述僅是本發(fā)明的典型的實施方式，并非因此被認為是對本發(fā)明范圍的限制，將通過使用附圖來描述和解釋另外的特征和細節(jié)，其中：圖1是用于在電壓之間切換的電路的一個實施方式的原理圖；圖2是用于在電壓之間切換的系統(tǒng)的一個實施方式的框圖；圖3是用于在電壓之間切換的方法的一個實施方式的流程圖；以及圖4是圖1中的系統(tǒng)的操作的一個實施例的時序圖。詳細描述在描述中參考“一個實施方式（oneembodiment）”或者“一個實施方式（anembodiment）”意味著結合一個實施方式描述的特定的特征、結構、或者特性被包含在本發(fā)明的至少一個實施方式中。位于本描述中的不同位置中的短語“在一個實施方式中（inoneembodiment）”不一定指相同的實施方式。在以下的詳細描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體的細節(jié)以提供對本申請的主題的全面理解。然而，對本領域中的技術人員而言，將明顯的是，在沒有這些具體細節(jié)的情況下，也可以實踐已公開的實施方式、所要求的主題及其等同物。詳細描述包括對附圖的參考，附圖構成詳細描述的一部分。附圖示出了按照示例性的實施方式的圖解說明。這些實施方式，本文中還可以稱為“實施例”，被足夠詳細地描述以使那些本領域中的技術人員能夠實踐本文描述的所要求的主題的實施方式。可以組合各個實施方式，可以利用其它的實施方式，或者可以做出結構、邏輯和電氣上的變化而不偏離所要求的主題的范圍和精神。應該理解到，本文描述的實施方式并非意在限制主題的范圍，而是使本領域中的技術人員能夠實踐、做出和/或使用該主題。本文描述的各種實施方式包括在多個電壓之間切換的系統(tǒng)。一個系統(tǒng)包括輸出端、耦合至該輸出端的第一開關和耦合至該輸出端的第二開關。系統(tǒng)還包括耦合至第一開關并且被配置成耦合至第一電壓源的第一控制傳輸門和耦合至第二開關并且被配置成耦合至第二電壓源的第二控制傳輸門。還提供在多個電壓之間切換的裝置。一個裝置包括被配置成輸出第一對互補電壓的第一電平位移器和被配置成輸出第二對互補電壓的第二電平位移器。該裝置還包括耦合至第一電平位移器并且被配置成接收第一對互補電壓和輸出第一電壓的第一傳輸門，以及耦合至第二電平位移器并且被配置成接收第二對互補電壓和輸出第二電壓的第二傳輸門。在本實施方式中，第一電壓和第二電壓構成由該裝置輸出的第三對互補電壓。各種其它的實施方式提供在多個電壓之間切換的方法。一種方法包括在第一傳輸門接收第一對互補電壓和在第二傳輸門接收第二對互補電壓。該方法還包括選擇這兩對互補電壓中的最小電壓并且輸出包括最小電壓的第三對互補電壓?，F(xiàn)在轉至附圖，圖1是用于在多個電壓之間切換的電路100的一個實施方式的結構圖。至少在圖示的實施方式中，電路100包括耦合至電平位移器120和電平位移器130的反相器110、耦合至電平位移器120的傳輸門140、耦合至電平位移器130的傳輸門150、耦合至電平位移器120和電平位移器130的開關160、耦合至電平位移器120和電平位移器130的開關170以及耦合至開關160和開關170的輸出端180。反相器110可以是本領域中已知的或者將來開發(fā)的任何反相設備。即，反相器110可以是能夠接收信號并輸出反相信號的系統(tǒng)和/或設備。例如，當反相器110接收邏輯0信號時，反相器110輸出邏輯1信號。類似地，當反相器110接收邏輯1信號時，反相器110輸出邏輯0信號。反相器110的輸出端被配置成將輸出信號傳送至電平位移器120和電平位移器130。電平位移器120包括耦合至反相器110的輸出端的輸入端1210。電平位移器120還包括耦合至反相器110的輸入端的輸入端1220和耦合至負電壓Vbb的輸入端1230。在各種實施方式中，Vpwr是在大約1.6V至大約1.95V的范圍內的正電壓。在一個實施方式中，Vpwr包括大約1.8V的電壓。在各種實施方式中，Vbb是在大約-2.2V至大約-1.0V的范圍內的負電壓。在一個實施方式中，Vbb包括大約-1.8V的電壓。電平位移器120還包括輸出端1240和輸出端1250。當電平位移器120從反相器110接收邏輯1信號時，電平位移器120被配置成通過輸出端1240輸出Vbb并且通過輸出端1250輸出Vpwr。另外，當電平位移器120從反相器110接收邏輯0信號時，電平位移器120被配置成通過輸出端1240輸出Vpwr并且通過輸出端1250輸出Vbb。相應地，輸出端1240和1250是互補輸出端。互補輸出端1240和1250均被提供到傳輸門140。電平位移器130包括耦合至反相器110的輸入端的輸入端1310和耦合至反相器110的輸出端的輸入端1320。電平位移器130還包括耦合至負電壓Vneg的輸入端1330。在各種實施方式中，Vneg是在大約-4.5V至大約-3.0V的范圍內的負電壓。在一個實施方式中，Vneg包括大約-4.0V的電壓。電平位移器130還包括輸出端1340和輸出端1350。當電平位移器130從反相器110接收邏輯1信號時，電平位移器130被配置成通過輸出端1340輸出Vpwr并且通過輸出端1350輸出Vneg。另外，當電平位移器130從反相器110接收邏輯0信號時，電平位移器130被配置成通過輸出端1340輸出Vneg并且通過輸出端1350輸出Vpwr。相應地，輸出端1340和1350是互補輸出端。互補輸出端1340和1350均被提供到傳輸門150。傳輸門140包括耦合至輸出端1240的輸入節(jié)點1410、耦合至輸入節(jié)點1410的開關1420、耦合至輸入節(jié)點1410和輸出端1250的開關1430以及耦合至開關1420和開關1430的輸出節(jié)點1440。在一個實施方式中，開關1420包括含有源極、漏極和柵極的高電壓P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（pMOSFET）。在本實施方式中，開關1420的源極被耦合至節(jié)點1410，開關1420的漏極被耦合至節(jié)點1440，以及開關1420的柵極被耦合至開關160，開關1420的柵極被耦合至Vbb。在一個實施方式中，開關1430包括含有源極、漏極和柵極的高電壓N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（nMOSFET）。在本實施方式中，開關1430的源極被耦合至節(jié)點1410，開關1430的漏極被耦合至節(jié)點1440，以及開關1430的柵極被耦合至輸出端1250。傳輸門150包括耦合至輸出端1340的輸入節(jié)點1510、耦合至輸入節(jié)點1510的開關1520、耦合至輸入節(jié)點1510和輸出端1350的開關1530以及耦合至開關1520和開關1530的輸出節(jié)點1540。在一個實施方式中，開關1520包括含有源極、漏極和柵極的高電壓pMOSFET。在本實施方式中，開關1520的源極被耦合至節(jié)點1510，開關1520的漏極被耦合至節(jié)點1540，以及開關1520的柵極被耦合至開關170，開關1520的柵極被耦合至Vneg。在一個實施方式中，開關1530包括含有源極、漏極和柵極的高電壓nMOSFET。在本實施方式中，開關1530的源極被耦合至節(jié)點1510，開關1530的漏極被耦合至節(jié)點1540，以及開關1530的柵極被耦合至輸出端1350。在一個實施方式中，開關160包括含有漏極、柵極和源極的高電壓nMOSFET。在本實施方式中，開關160的漏極被耦合至開關1420的柵極，開關160的柵極被耦合至輸出端1540，以及開關160的源極被耦合至輸出端180。在一個實施方式中，開關170包括含有漏極、柵極和源極的高電壓nMOSFET。在本實施方式中，開關170的漏極被耦合至開關1520的柵極，開關170的柵極被耦合至輸出端1440，以及開關170的源極被耦合至輸出端180。顯著地，開關170和160被交叉耦合至傳輸門140和150。此外，輸出節(jié)點1440和1540是互補輸出端，這樣互補輸出電壓被提供到開關160和170。以下的電路100的操作的實施例可以有益于理解電路100的各種實施方式。然而，電路100不局限于以下的實施例。在第一實施例中，反相器110接收邏輯1信號（例如，Vpwr）并且（通過輸入端1210）將邏輯0信號（例如，0V）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1320）將該邏輯0信號輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240輸出Vpwr（VBBOUT）并且通過輸出端1250輸出Vbb（VBBOUTB）。類似地，電平位移器130通過輸出端1340輸出Vneg（VNEGOUT）并且通過輸出端1350輸出Vpwr（VNEGOUTB）。在節(jié)點1410處的Vpwr接通pMOSFET1420并且斷開nMOSFET1430，這樣導致傳輸門140在輸出端1440（VNEGSEL）處輸出Vpwr。在節(jié)點1510（VNEGOUT）處的Vneg斷開pMOSFET1520并且接通nMOSFET1530，這樣導致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vneg。在開關170的柵極處的Vpwr接通開關170并且在開關160的柵極處的Vneg斷開開關160。隨著開關170接通并且開關160斷開，電路100將在輸出端180處輸出Vneg。在第二實施例中，反相器110接收邏輯0信號（例如，0V）并且（通過輸入端1220）將邏輯1信號（例如，Vpwr）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1310）將該邏輯1信號輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240（VBBOUT）輸出Vbb并且通過輸出端1250（VBBOUTB）輸出Vpwr。類似地，電平位移器130通過輸出端1340（VNEGOUT）輸出Vpwr并且通過輸出端1350（VNEGOUTB）輸出Vneg。在節(jié)點1410處的Vbb斷開pMOSFET1420并且接通nMOSFET1430，這樣導致傳輸門140在輸出端1440處（VNEGSEL）輸出Vbb。在節(jié)點1510（VNEGOUT）處的Vpwr接通pMOSFET1520并且斷開nMOSFET1530，這樣導致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vpwr。在開關170的柵極處的Vbb斷開開關170并且在開關160的柵極處的Vpwr接通開關160。隨著開關170斷開并且開關160接通，電路100將在輸出端180處輸出Vbb。在Vbb和Vneg均是零V的第三實施例中，反相器110接收邏輯0信號（例如，Vpwr）并且（通過輸入端1210）將邏輯1信號（例如，0V）輸出至電平位移器120和（通過輸入端1320）將該邏輯1信號輸出至電平位移器130。電平位移器120通過輸出端1240（VBBOUT）輸出Vbb并且通過輸出端1250（VBBOUTB）輸出Vpwr。類似地，電平位移器130通過輸出端1340（VNEGOUT）輸出Vpwr并且通過輸出端1350（VNEGOUTB）輸出Vneg。在節(jié)點1410處的Vbb斷開pMOSFET1420并且接通nMOSFET1430，這樣導致傳輸門140在輸出端1440（VNEGSEL）處輸出Vbb。在節(jié)點1510（VNEGOUT）處的Vpwr接通pMOSFET1520并且斷開nMOSFET1530，這樣導致傳輸門150在輸出端1540（VBBSEL）處輸出Vpwr。在開關170的柵極處的Vbb斷開開關170并且在開關160的柵極處的Vpwr接通開關160。隨著開關170斷開并且開關160接通，電路100將在輸出端180處輸出Vbb。雖然已經(jīng)參考正負電壓論述了電路100的各種實施方式，但是電路100不局限于此。具體地，可以反轉輸入信號和輸出信號的極性。此外，各種實施方式考慮僅使用正電壓或者僅使用負電壓。同樣地，本領域中的技術人員將認識到，各種MOSFET器件的極性將依賴于在電路100的任何特定的應用中使用的電壓的極性。圖2是用于在電壓之間切換的系統(tǒng)200的一個實施方式的框圖。至少在圖示的實施方式中，系統(tǒng)200包括耦合至切換電路100（參見圖1）的VNEG泵210和VBB泵220。VNEG泵210被配置成給切換電路100提供Vneg并且VBB泵220被配置成給切換電路100提供Vbb。切換電路100，如以上所討論的，將接收用于反相器110的vnegbben（參見圖1）、Vpwr、Vgnd、Vneg和Vbb并且在VNEG_VBB輸出Vneg和Vbb中的較小者。圖3是用于在切換電路（例如，電路100）中的多個電壓之間切換的方法300的一個實施方式的流程圖。至少在圖示的實施方式中，方法300開始于接收邏輯信號（例如，邏輯0或者邏輯1信號）（方框305）。在一個實施方式中，邏輯信號是來自于反相器（例如，反相器110）、被在第一電平位移器（例如，電平位移器120）和/或第二電平位移器（例如，電平位移器130）接收的或者可以是從另一器件接收的邏輯信號。響應于接收邏輯信號，輸出第一對互補電壓信號（方框310）和/或輸出第二對互補電壓信號（方框315）。在一個實施方式中，第一對互補電壓信號包括第一負電壓（例如，Vbb）和正電壓（例如，Vpwr）和/或第二對互補電壓信號包括第二負電壓（例如，Vneg）和正電壓（Vpwr）。例如，第一電平位移器（例如，電平位移器120）可以輸出第一對互補電壓信號和/或第二電平位移器（例如，電平位移器130）可以輸出第二對互補電壓信號。方法300還包括響應于接收第一對互補電壓信號和/或第二對互補電壓信號來輸出第三對互補電壓信號（方框320）。在一個實施方式中，第三對互補電壓信號包括負電壓（例如，Vbb或者Vneg）和正電壓（例如，Vpwr）。例如，第一傳輸門（例如，傳輸門140）可以接收第一對互補電壓信號并輸出負電壓，第二傳輸門（例如，傳輸門150）可以接收第二對互補電壓信號并輸出正電壓。在另一實施例中，第一傳輸門可以接收第一對互補電壓信號并輸出正電壓，第二傳輸門可以接收第二對互補電壓信號并輸出負電壓。第三對互補電壓信號被用于斷開第一開關并接通第二開關（方框325），這樣導致輸出最小電壓（方框330）。在一個實施例中，正電壓（例如，Vpwr）被用于接通第一開關（例如，開關160），負電壓（例如，Vbb）被用于斷開第二開關（例如，開關170）以輸出Vbb。在另一實施例中，正電壓（例如，Vpwr）被用于接通第二開關（例如，開關170），負電壓（例如，Vneg）被用于斷開第一開關（例如，開關160）以輸出Vneg。以這種方式，系統(tǒng)（例如，電路100）將輸出最小電壓（例如，最小負電壓）?，F(xiàn)在轉至圖4，圖4是電路100的操作的一個實施例的時序圖400。如圖4所示，在任何給定時間的最小電壓是電路100的輸出（例如，Vneg_Vbb）。在本實施例中，在T0，Vneg是0V并且Vbb是0V，因此Vneg_Vbb是0V。在從T0到T1的區(qū)間中（例如，從0μs到100μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在0V，下降到-4.0V，然后返回到0V。在相同的區(qū)間，Vbb下降到-1.8V然后在該區(qū)間的剩余部分返回至0V。因此，當Vbb處于-1.8V并且Vneg處于0V時，在該區(qū)間上,電路100的輸出（Vneg_Vbb）下降到-1.8V，當Vneg和Vbb均是0V時增加到0V，當Vneg下降到-4.0V并且Vbb處于0V時下降到-4.0V，以及當Vneg和Vbb均是0V時增加到0V。在T1到T2的區(qū)間中（例如，從100μs到200μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在0V并在該區(qū)間的剩余部分下降到-4.0V。還在該區(qū)間，Vbb下降到-1.8V、增加至0V、并且在該區(qū)間的剩余部分下降到-1.8V。因此，當Vbb處于-1.8V并且Vneg處于0V時，在該區(qū)間上,電路100的輸出（Vneg_Vbb）下降到-1.8V，當Vneg和Vbb均是0V時增加到0V，當Vneg下降到-4.0V并且Vbb處于-1.8V時的該區(qū)間的剩余部分下降到-4.0V。在T2到T3的區(qū)間中（例如，從200μs到400μs），Vneg在該區(qū)間的第一部分保持在-4.0V并在該區(qū)間的剩余部分增加到0V。另外，Vbb在該區(qū)間的一部分保持在-1.8V并在該區(qū)間的剩余部分增加到0V。因此，在該區(qū)間上，當Vneg處于-4.0V并且當Vbb處于-1.8V然后處于0V時，電路100的輸出（Vneg_Vbb）保持在-4.0V。當在該區(qū)間的剩余部分Vneg和Vbb均是0V時輸出（Vneg_Vbb）增加到0V，并且在隨后的區(qū)間保持在0V。雖然已經(jīng)在本發(fā)明的前面的詳細描述中提出了至少一個示例性的實施方式，應當理解到，存在大量的變形。還應該理解，單個示例性的實施方式或者多個示例性的實施方式僅是實施例，并非意在以任何方式限制本發(fā)明的范圍、適用性或者配置。相反，前面的詳細描述將給那些本領域中的技術人員提供用于實施本發(fā)明的示例性的實施方式的方便的指示，應當理解，可以做出在示例性的實施方式中描述的元件的功能和布置上的各種改變而不偏離在所附權利要求及其合法等同物中闡述的本發(fā)明的范圍。如本領域中的普通技術人員將理解的，本發(fā)明的各方面可以表現(xiàn)為裝置、系統(tǒng)或者方法。相應地，本發(fā)明的各方面可以采用全部硬件的實施方式或者硬件和軟件方面相結合的實施方式，本文一般全部稱為“電路”、“模塊”或者“系統(tǒng)”。以上參考按照各種實施方式的流程圖說明和/或方法、裝置和系統(tǒng)的結構圖描述了本發(fā)明的各方面。將理解到，可以由計算機程序指令實施流程圖說明和/或結構圖的每一塊，和流程圖說明和/或結構圖中的多個塊的組合。這些計算機程序指令可以提供給通用計算機的處理器、專用計算機或者其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置以產生狀態(tài)機，以使通過計算機的處理器或者其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行的指令創(chuàng)建用于實施在流程圖和/或結構圖方塊中規(guī)定的功能/動作的方法。這些計算機程序指令還可以存儲在計算機可讀介質中，所述計算機可讀介質可以指導計算機、其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置或者其它的設備以特定方式運行，以使存儲在計算機可讀介質中的指令產生包括指令的制造物品，所述指令實施在流程圖和/或結構圖方框中規(guī)定的功能/動作。計算機程序指令還可以被加載到計算機、其它的可編程數(shù)據(jù)處理裝置或者其它的設備上以使一系列的操作步驟被實現(xiàn)在計算機、其它的可編程裝置或者其它的設備上以產生計算機實現(xiàn)的過程，以使執(zhí)行在計算機或者其它的可編程裝置上的指令提供用于實施在流程圖和/或結構圖方框中規(guī)定的功能/動作的過程。在以上附圖中的流程圖和結構圖說明了按照各種實施方式的裝置、系統(tǒng)和方法的可能的實施方式的結構、功能和操作。就這一點而言，在流程圖或者結構圖中的每一個方框可以表示模塊、部分或者代碼部分，代碼部分包括用于實施規(guī)定的邏輯功能的一個或多個可執(zhí)行指令。還應該注意，在一些可選的實施方式中，在方框中指示的功能可以不按照附圖中指示的順序發(fā)生。例如，實際上，示出的兩個連續(xù)的方框可以實質上同時執(zhí)行，或者方框有時可以以相反的順序來執(zhí)行，這取決于所涉及的功能。還將注意，可以由執(zhí)行規(guī)定的功能或動作的基于專用硬件的系統(tǒng)或者專用硬件和計算機指令的組合來實施結構圖和/或流程圖說明的每一個方框和結構圖和/或流程圖說明中的方框的組合。雖然已經(jīng)詳細地闡述了一個或多個實施方式，本領域中的普通技術人員將理解的是，可以對那些實施方式做出修改和改編而不偏離如在以下權利要求中闡述的各種實施方式的范圍。