專利名稱：負(fù)載開關(guān)、用于對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的方法和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種負(fù)載開關(guān)，具體地說(shuō)，涉及一種具有真反向電流阻斷、增加的電流容量以及減小的通態(tài)電阻的負(fù)載開關(guān)，用于對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的方法和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
負(fù)載開關(guān)通常將電源與一待供電的裝置(負(fù)載)鏈接起來(lái)，并且基于開關(guān)信號(hào)提供開關(guān)控制，以便將負(fù)載與電源連接或斷開?？捎韶?fù)載開關(guān)控制的示例性負(fù)載包括便攜裝置，比如，電話、數(shù)碼相機(jī)、媒體播放器、全球定位系統(tǒng)(GPS)接收器和便攜式游戲。然而，負(fù)載開關(guān)可能針對(duì)從負(fù)載返回到電源的反向電流僅提供有限的保護(hù)或甚至不提供保護(hù)，這會(huì)破壞靈敏和/或貴重的元件。當(dāng)開關(guān)處于閉合狀態(tài)或斷開狀態(tài)時(shí)，缺乏反向電流保護(hù)是特別常見的。

發(fā)明內(nèi)容
總體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供一種負(fù)載開關(guān)，其具有真反向電流阻斷(TRCB)、增加的電流容量和減小的通態(tài)電阻，從而導(dǎo)致能量泄漏減少，這對(duì)于電池驅(qū)動(dòng)和熱插拔應(yīng)用可能是特別有利的。負(fù)載開關(guān)將系統(tǒng)和負(fù)載與DC電源連接和斷開，并且以反向電流阻斷的形式提供保護(hù)，所述反向電流阻斷無(wú)論開關(guān)的狀態(tài)為斷開還是閉合(即，接通或關(guān)斷)，都能阻止電流從負(fù)載Vott回流到開關(guān)的輸入端Vin。這種類型的無(wú)論開關(guān)是接通還是關(guān)斷都提供保護(hù)的反向電流阻斷，也被稱為TRCB。因此，本發(fā)明提供用于利用TRCB能力對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的裝置、系統(tǒng)和方法。根據(jù)一個(gè)方面，提供一種負(fù)載開關(guān)。負(fù)載開關(guān)可以包括連接到電壓源的輸入端口。該實(shí)施例的負(fù)載開關(guān)也可以包括連接到負(fù)載的輸出端口。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到輸入端口和輸出端口的TRCB電路。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到TRCB電路的開關(guān)控制端口，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到開關(guān)控制端口的開關(guān)閉合信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到開關(guān)控制端口的開關(guān)斷開信號(hào)而將輸出端口與輸入端口斷開，并且TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于同時(shí)的開關(guān)斷開信號(hào)和開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。根據(jù)另一方面，提供一種方法。該方法可以包括將負(fù)載開關(guān)的輸入端口連接到電壓源。該示例的方法也可以包括將負(fù)載開關(guān)的輸出端口連接到負(fù)載。該示例的方法可以進(jìn)一步包括將TRCB電路連接到輸入端口和輸出端口。該示例的方法可以進(jìn)一步包括將TRCB電路配置為響應(yīng)于開關(guān)閉合信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口。該示例的方法可以進(jìn)一步包括將TRCB電路配置為響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)而將輸入端口與輸出端口斷開。該示例的方法可以進(jìn)一步包括將TRCB電路配置為響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)和開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。根據(jù)另一方面，提供一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以包括電壓源。該示例的系統(tǒng)也可以包括負(fù)載，其配置成接收功率。該示例的系統(tǒng)可以進(jìn)一步包括負(fù)載開關(guān)，其配置成基于開關(guān)控制信號(hào)而選擇性地將電壓源連接到負(fù)載。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到電壓源的輸入端口。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到負(fù)載的輸出端口。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到輸入端口和輸出端口的TRCB電路，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于表示閉合信號(hào)的開關(guān)控制信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于表示斷開信號(hào)的開關(guān)控制信號(hào)而將輸入端口與輸出端口斷開，并且TRCB電路被進(jìn)一步配置成響應(yīng)于斷開信號(hào)和閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。


所要求保護(hù)的主題的特征和優(yōu)點(diǎn)將從以下與之相符的實(shí)施例的具體描述中變得顯而易見，對(duì)實(shí)施例的描述應(yīng)當(dāng)參照附圖來(lái)考慮，在附圖中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的頂層框圖；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電路框圖3示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電路框圖4示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的操作的流程圖。
盡管下列具體實(shí)施方式
中將參照說(shuō)明性的實(shí)施例來(lái)進(jìn)行闡述，但是該實(shí)施例的許多替代、變更以及變型對(duì)于那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得顯而易見。
具體實(shí)施方式
總體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供一種負(fù)載開關(guān)，其具有真反向電流阻斷(TRCB)、增加的電流容量和減少的通態(tài)電阻，從而導(dǎo)致能量泄漏減少，這對(duì)于電池驅(qū)動(dòng)和熱插拔應(yīng)用可能是特別有利的。負(fù)載開關(guān)將系統(tǒng)和負(fù)載與DC電源連接和斷開，并且以反向電流阻斷的形式提供保護(hù)，所述反向電流阻斷無(wú)論開關(guān)處于斷開狀態(tài)或者閉合狀態(tài)(即，接通或關(guān)斷)，都能阻止電流從負(fù)載Vott回流到開關(guān)的輸入端Vin。這種類型的無(wú)論開關(guān)是接通還是關(guān)斷都提供保護(hù)的反向電流阻斷，也被稱為TRCB。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的頂層系統(tǒng)框圖100。所示的是提供 TRCB能力的負(fù)載開關(guān)102，將在下面進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。負(fù)載開關(guān)102連接到電壓源120， 在一些實(shí)施例中，電壓源120可以是電池，向負(fù)載開關(guān)102上的輸入端口或管腳提供輸入電壓Vin 104。該負(fù)載開關(guān)也被連接到負(fù)載130，可以通過提供輸出電壓Vqut 110的輸出端口或管腳來(lái)向負(fù)載130供電。負(fù)載開關(guān)102在可以致使負(fù)載開關(guān)102斷開或閉合的開關(guān)控制信號(hào)108的控制之下操作。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電路框圖200。電路框圖200示出了在電路應(yīng)用中具有TRCB的負(fù)載開關(guān)102。負(fù)載開關(guān)102在開關(guān)控制信號(hào)(0N管腳)108的控制之下，將輸入電壓VIN104轉(zhuǎn)接到輸出電壓VQUT110。輸入電路具有相關(guān)聯(lián)的輸入電容Cin 202并且輸出負(fù)載具有相關(guān)聯(lián)的輸出負(fù)載電容Cqut206。負(fù)載開關(guān)102也具有接地連接204。在一些實(shí)施例中，輸入電壓Vin 104標(biāo)稱范圍可以為DC1.5-5.5伏特。開關(guān)控制信號(hào)108可以是低電壓控制信號(hào)或者例如符合JESD76標(biāo)準(zhǔn)的通用輸入/輸出(GPIO)信號(hào)。輸出負(fù)載電容Qjut的上限范圍可以達(dá)到200 μ F的標(biāo)稱值。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電路框圖300。電路框圖300更加詳細(xì)的示出了負(fù)載開關(guān)102。包括輸入電壓Vin 104，輸出電壓Vqut 110，開關(guān)控制信號(hào)108和地204在內(nèi)的外部連接都被示出。輸入電壓Vin 104通過具有TCRB電路308的低阻抗金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)開關(guān)被傳遞到輸出電壓Vqut 110。在一些實(shí)施例中，MOSFET開關(guān)的阻抗可以是在大約20-75mQ的范圍內(nèi)，其在本領(lǐng)域術(shù)語(yǔ)中可以被稱為“超低”阻抗。在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，該阻抗可以低于25m Q。該低MOSFET阻抗可以提供減小的通態(tài)電阻，從而使得電流容量增加。在一些實(shí)施例中，TCRB電路308可以被配置成當(dāng)VqutIIO超過Vin 104時(shí)將負(fù)載與電壓源斷開。TCRB電路308也可以包括滯后邏輯以防止導(dǎo)致不期望的開關(guān)事件或反向電流阻斷的錯(cuò)誤觸發(fā)，錯(cuò)誤觸發(fā)產(chǎn)生于信號(hào)噪聲，例如輸入電壓中的毛刺或電源軌抖動(dòng)。輸入緩沖器304可以被配置成與低電壓控制信號(hào)和GPIO信號(hào)接口連接以便接收開關(guān)控制信號(hào)108，開關(guān)控制信號(hào)108在一些實(shí)施例中可以低至1. 5伏特。電阻器Ron 314取消了在開關(guān)控制信號(hào)108處對(duì)于外部下拉或上拉電阻的需要并且控制在ON管腳處的泄漏電流。齊納二極管312為負(fù)載開關(guān)102提供靜電放電(ESD)保護(hù)?；陂_關(guān)控制信號(hào)108的狀態(tài)，輸入緩沖器模塊304產(chǎn)生減小的噪聲信號(hào)，該噪聲信號(hào)被提供給偏置電路模塊316作為參考電流和電壓。幾乎同時(shí)地，輸入緩沖器304控制由于在Vin 104和開關(guān)控制信號(hào)108之間的電壓差而產(chǎn)生的工作電流的變化。對(duì)于這種情況，其中Vin = 5. 5V和Vw =1. 5V，電流消耗可以低于I U A0轉(zhuǎn)換速率驅(qū)動(dòng)器模塊306提供選通信號(hào)給TRCB308中的MOSFET并且調(diào)節(jié)MOSFET的導(dǎo)通速度以便減小在負(fù)載開關(guān)102輸出端處的浪涌電流以及在輸入電源軌上產(chǎn)生的任何電壓降。TRCB模塊308監(jiān)控Vi1^PVottij如果Vqut比Vin高出36mV以上，同時(shí)Vin基本上等于3. 3V，那么負(fù)載開關(guān)102將被截止并且負(fù)載將與電壓源斷開。如果TRCB模塊308隨后檢測(cè)到Votit比Vin低出16mV以上，同時(shí)Vin基本上等于3. 3V，那么負(fù)載開關(guān)102重新連接到電壓源。在一些實(shí)施例中，當(dāng)負(fù)載開關(guān)102截止時(shí)，輸入緩沖器模塊304也控制輸出放電開關(guān)310以便使輸出電壓Vqut 110放電到地204。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖400。信號(hào)Vw 402在時(shí)刻406導(dǎo)通，隨后在稍后的時(shí)刻408，Vout 404上電。類似地，信號(hào)Vw 402在時(shí)刻410截止，隨后在稍后的時(shí)刻412，Vqut 404斷電。在一些實(shí)施例中，信號(hào)VQN402的導(dǎo)通和截止時(shí)刻可以位于高電壓信號(hào)和低電壓信號(hào)之間的中點(diǎn)。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的操作500的流程圖。在操作510，將負(fù)載開關(guān)輸入端口連接到電壓源。在操作520，將負(fù)載開關(guān)的輸出端口連接到負(fù)載。在操作530，將TRCB電路連接到負(fù)載開關(guān)的輸入端口和輸出端口。在操作540，將TRCB電路配置成響應(yīng)于開關(guān)閉合信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口。在操作550，將TRCB電路配置成響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)而將輸入端口與輸出端口斷開。在操作560，將TRCB電路配置成響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)和開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。因此，本發(fā)明提供用于利用TRCB能力對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的裝置、系統(tǒng)和方法。 根據(jù)一個(gè)方面，提供一種負(fù)載開關(guān)。負(fù)載開關(guān)可以包括連接到電壓源的輸入端口。該實(shí)施例的負(fù)載開關(guān)也可以包括連接到負(fù)載的輸出端口。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到輸入端口和輸出端口的TRCB電路。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到TRCB電路的開關(guān)控制端口，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到開關(guān)控制端口的開關(guān)閉合信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口，并且TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到開關(guān)控制端口的開關(guān)斷開信號(hào)而將輸出端口與輸入端口斷開，并且TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于同時(shí)的開關(guān)斷 開信號(hào)和開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。
根據(jù)另一方面，提供一種方法。該方法可以包括將負(fù)載開關(guān)的輸入端口連接到電 壓源。該示例的方法也可以包括將負(fù)載開關(guān)的輸出端口連接到負(fù)載。該示例的方法可以進(jìn) 一步包括將TRCB電路連接到輸入端口和輸出端口。該示例的方法可以進(jìn)一步包括將TRCB 電路配置為響應(yīng)于開關(guān)閉合信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口。該示例的方法可以進(jìn)一步 包括將TRCB電路配置為響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)而將輸入端口與輸出端口斷開。該示例的方 法可以進(jìn)一步包括將TRCB電路配置為響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)和開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從 輸出端口流向輸入端口的電流。
根據(jù)另一方面，提供一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以包括電壓源。該示例的系統(tǒng)也可以包 括負(fù)載，其配置成接收功率。該示例的系統(tǒng)可以進(jìn)一步包括負(fù)載開關(guān)，其配置成基于開關(guān)控 制信號(hào)而選擇性地將電壓源連接到負(fù)載。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到電壓源 的輸入端口。該示例的負(fù)載開關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到負(fù)載的輸出端口。該示例的負(fù)載開 關(guān)可以進(jìn)一步包括連接到輸入端口和輸出端口的TRCB電路，并且TRCB電路被配置成響應(yīng) 于表示閉合信號(hào)的開關(guān)控制信號(hào)而將輸入端口連接到輸出端口，并且TRCB電路被配置成 響應(yīng)于表示斷開信號(hào)的開關(guān)控制信號(hào)而將輸入端口與輸出端口斷開，并且TRCB電路被進(jìn) 一步配置成響應(yīng)于斷開信號(hào)和閉合信號(hào)兩者而阻斷從輸出端口流向輸入端口的電流。
如這里所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“標(biāo)稱”的使用在指代量時(shí)，含義為規(guī)定量或理論量，其 可能與實(shí)際量不同。
這里所描述的方法的實(shí)施例可以在系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)，該系統(tǒng)包括以獨(dú)立或組合的方式 存儲(chǔ)有指令的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令在由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)這些方 法。這里，處理器可以包括例如系統(tǒng)CPU(例如，核心處理器)和/或可編程電路。因而，根 據(jù)這里所描述的方法的操作旨在可以分布在多個(gè)物理裝置上，比如在幾個(gè)不同的物理位置 上的處理結(jié)構(gòu)。而且，該方法操作旨在可以以獨(dú)立或者子組合的方式實(shí)現(xiàn)，正如本領(lǐng)域技術(shù) 人員所理解的那樣。因此，并非每一流程圖的所有的操作都需要被執(zhí)行，并且本發(fā)明明確指 出這些操作的所有子組合也能實(shí)現(xiàn)，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的那樣。
存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括任何類型的有形介質(zhì)，例如，任何類型的磁盤(包括軟盤、光 盤、壓縮光盤只讀存儲(chǔ)器(⑶-R0M)，可擦寫壓縮光盤(⑶-RW)，數(shù)字多用光盤(DVD)和磁光 盤)，半導(dǎo)體裝置(比如只讀存儲(chǔ)器(ROM)，諸如動(dòng)態(tài)和靜態(tài)的RAM之類的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，閃存，磁 卡或光卡)，或者適合于存儲(chǔ)電子指令的任一類型的介質(zhì)。
術(shù)語(yǔ)“開關(guān)”可以用MOSFET開關(guān)(例如，單獨(dú)的NMOS和PMOS元件)，BJT開關(guān)和 /或其他本領(lǐng)域已知的開關(guān)電路實(shí)現(xiàn)。另外，在這里的任一實(shí)施例中所使用的“電路系統(tǒng)” 或“電路”可以以單個(gè)或以任一組合的方式包括例如硬線電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路，和 /或包括在更大系統(tǒng)中的電路，例如，包括在集成電路中的元件。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)和表述被用做描述而不是限制，并且在使用這些術(shù)語(yǔ)和表述時(shí) 無(wú)意于排除所示和所描述特征(或其部分的)的任何等同物，并且應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，各種變化可 能包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，該權(quán)利要求旨在涵蓋所有此類等同物。各種特征、方面、 以及實(shí)施例在這里已經(jīng)被描述，該特征、方面以及實(shí)施例可相互結(jié)合并且可變型和修改，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所能理解的那樣。因此，本發(fā)明公開內(nèi)容應(yīng)該被認(rèn)為包括了這些組合、變型和修改。
權(quán)利要求
1.一種負(fù)載開關(guān)，其特征在于，包括輸入端口，其連接到電壓源；輸出端口，其連接到負(fù)載；真反向電流阻斷(TRCB)電路，其連接到所述輸入端口和所述輸出端口 ；以及開關(guān)控制端口，其連接到所述TRCB電路，其中所述TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到所述開關(guān)控制端口的開關(guān)閉合信號(hào)而將所述輸入端口連接到輸出端口，并且所述TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到所述開關(guān)控制端口的開關(guān)斷開信號(hào)而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開，并且其中所述TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于所述開關(guān)斷開信號(hào)和所述開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從所述輸出端口流向所述輸入端口的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，其中所述TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于在所述輸出端口處檢測(cè)到大于在所述輸入端口的電壓的電壓而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，進(jìn)一步包括連接在所述開關(guān)控制端口和地之間的齊納二極管，所述齊納二極管被配置成為所述負(fù)載開關(guān)提供靜電放電保護(hù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，其中所述TRCB電路包括具有減小的阻抗的 M0SFET，所述具有減小的阻抗的MOSFET被配置成增加負(fù)載開關(guān)的電流容量，其中所述減小的阻抗小于25m Ω。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，其中所述開關(guān)閉合信號(hào)是范圍為I到2伏特的通用輸入/輸出(GPIO)信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，其中所述TRCB電路包括滯后邏輯，所述滯后邏輯被配置成減少響應(yīng)于信號(hào)噪聲而發(fā)生的開關(guān)事件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載開關(guān)，其中所述電壓源是電池。
8.一種用于對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的方法，其特征在于，包括將負(fù)載開關(guān)的輸入端口連接到電壓源；將所述負(fù)載開關(guān)的輸出端口連接到所述負(fù)載；將真反向電流阻斷(TRCB)電路連接到所述輸入端口和所述輸出端口 ；將所述TRCB電路配置成響應(yīng)于開關(guān)閉合信號(hào)而將所述輸入端口連接到所述輸出端Π ；將所述TRCB電路配置成響應(yīng)于開關(guān)斷開信號(hào)而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開；以及將所述TRCB電路配置成響應(yīng)于所述開關(guān)斷開信號(hào)和所述開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從所述輸出端口流向所述輸入端口的電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將所述TRCB電路配置成響應(yīng)于在所述輸出端口處檢測(cè)到大于在所述輸入端口的電壓的電壓而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將齊納二極管連接在所述負(fù)載開關(guān)的開關(guān)控制端口與地之間，所述齊納二極管被配置成為所述負(fù)載開關(guān)提供靜電放電保護(hù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將所述TRCB電路配置成包括具有減小的阻抗的M0SFET，所述具有減小的阻抗的MOSFET被配置成增加負(fù)載開關(guān)電流容量，其中所述減小的阻抗小于25m Ω。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述開關(guān)閉合信號(hào)是范圍為I到2伏特的通用輸入/輸出(GPIO)信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將所述TRCB電路配置成包括滯后邏輯， 所述滯后被配置成減少響應(yīng)于信號(hào)噪聲而發(fā)生的開關(guān)事件。
14.一種負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)，其特征在于，包括電壓源；負(fù)載，其被配置成接收功率；以及負(fù)載開關(guān)，其被配置成基于開關(guān)控制信號(hào)選擇性地將所述電壓源連接到所述負(fù)載，所述負(fù)載開關(guān)包括輸入端口，其連接到所述電壓源；輸出端口，其連接到所述負(fù)載；以及真反向電流阻斷(TRCB)電路，其連接到所述輸入端口和所述輸出端口，其中所述TRCB 電路被配置成響應(yīng)于表示閉合信號(hào)的所述開關(guān)控制信號(hào)而將所述輸入端口連接到所述輸出端口，并且所述TRCB電路被配置成響應(yīng)于表示斷開信號(hào)的所述開關(guān)控制信號(hào)而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開，并且其中所述TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于所述斷開信號(hào)和所述閉合信號(hào)兩者而阻斷從所述輸出端口流向所述輸入端口的電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)，其中所述TRCB電路進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于在所述輸出端口處檢測(cè)到大于在所述輸入端口的電壓的電壓而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括連接在所述負(fù)載開關(guān)的一端口和地之間的齊納二極管，所述齊納二極管被配置成為所述負(fù)載開關(guān)提供靜電放電保護(hù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)，其中所述TRCB電路包括具有減小的阻抗的M0SFET，所述具有減小的阻抗的MOSFET被配置成增加負(fù)載開關(guān)的電流容量，其中所述減小的阻抗小于25m Ω。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)，其中所述TRCB電路包括滯后邏輯，所述滯后邏輯被配置成減少響應(yīng)于信號(hào)噪聲而發(fā)生的開關(guān)事件。
全文摘要
提供一種負(fù)載開關(guān)、用于對(duì)負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的方法和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)。該負(fù)載開關(guān)可以包括輸入端口，其連接到電壓源；輸出端口，其連接到所述負(fù)載；TRCB電路，其連接到所述輸入端口和所述輸出端口；以及開關(guān)控制端口，其連接到所述TRCB電路。所述TRCB電路可被配置成響應(yīng)于施加到所述開關(guān)控制端口的開關(guān)閉合信號(hào)而將所述輸入端口連接到輸出端口，并且所述TRCB電路被配置成響應(yīng)于施加到所述開關(guān)控制端口的開關(guān)斷開信號(hào)而將所述輸入端口與所述輸出端口斷開。所述TRCB電路可進(jìn)一步被配置成響應(yīng)于所述開關(guān)斷開信號(hào)和所述開關(guān)閉合信號(hào)兩者而阻斷從所述輸出端口流向所述輸入端口的電流。
文檔編號(hào)H03K17/08GK103001612SQ201210235158
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
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