一種采用mosfet的驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種采用MOSFET的驅(qū)動電路，包括三極管Q1、電阻R1、MOS管Q4、二極管D1、電容C1和三極管Q2，所述電阻R1一端連接控制信號Vi電阻R1另一端連接三極管Q1基極，三極管Q1發(fā)射極接地，三極管Q1集電極分別連接電阻R2和電阻R3，電阻R3另一端連接三極管Q2基極，三極管Q2發(fā)射極分別連接電源VCC、電阻R2另一端和二極管D4正極，二極管D4負極連接MOS管Q4的D極，三極管Q2集電極分別連接二極管D3正極、三極管Q3基極和電阻R4。本實用新型提供一種采用電平控制MOSFET開關的驅(qū)動電路，柵?源極之間斷路連接，能耗低，節(jié)能性好。
【專利說明】
一種采用MOSFET的驅(qū)動電路
技術(shù)領域
[0001 ] 本實用新型涉及一種驅(qū)動電路，具體是一種采用MOSFET的驅(qū)動電路?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代社會科技的發(fā)展，自動控制已經(jīng)深入人們的日常生活，現(xiàn)有的很多自動控制技術(shù)都是通過控制電源的通斷來控制負載設備的開啟和關閉，而控制電源通斷的方案有很多種，最簡單的就是通過開關元件手動控制負載開關，另外現(xiàn)有的一些MOSFET開關電路在M0S管的柵-源極之間加入大阻值的電阻來控制M0S管開關的方式能耗較高，本實用新型提供一種采用電平控制MOSFET開關的驅(qū)動電路，柵-源極之間斷路連接，能耗低，節(jié)能性好?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種采用MOSFET的驅(qū)動電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]—種采用MOSFET的驅(qū)動電路，包括三極管Q1、電阻R1、M0S管Q4、二極管D1、電容C1 和三極管Q2,所述電阻R1—端連接控制信號Vi電阻R1另一端連接三極管Q1基極，三極管Q1 發(fā)射極接地，三極管Q1集電極分別連接電阻R2和電阻R3，電阻R3另一端連接三極管Q2基極， 三極管Q2發(fā)射極分別連接電源VCC、電阻R2另一端和二極管D4正極，二極管D4負極連接M0S 管Q4的D極，三極管Q2集電極分別連接二極管D3正極、三極管Q3基極和電阻R4,電阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極、二極管D2負極和電阻R6,二極管D2正極連接二極管D1正極，二極管D1負極分別連接電容C1、電阻R5、電阻R6另一端和M0S管Q4的G極，電阻R5另一端連接二極管D3負極，電容C1另一端連接三極管Q3發(fā)射極，M0S管Q4的S極連接輸出端Vo。
[0006]作為本實用新型進一步的方案:所述二極管D1為穩(wěn)壓二極管。
[0007]作為本實用新型再進一步的方案:所述電源VCC電壓為12V。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型提供一種采用電平控制 MOSFET開關的驅(qū)動電路，柵-源極之間斷路連接，能耗低，節(jié)能性好?！靖綀D說明】
[0009]圖1為采用MOSFET的驅(qū)動電路的電路圖?！揪唧w實施方式】
[0010]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0011]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種采用M0SFET的驅(qū)動電路，包括三極管Q1、電阻R1、M0S管Q4、二極管D1、電容C1和三極管Q2,所述電阻R1—端連接控制信號Vi電阻R1另一端連接三極管Q1基極，三極管Q1發(fā)射極接地，三極管Q1集電極分別連接電阻R2和電阻R3,電阻R3另一端連接三極管Q2基極，三極管Q2發(fā)射極分別連接電源VCC、電阻R2另一端和二極管 D4正極，二極管D4負極連接M0S管Q4的D極，三極管Q2集電極分別連接二極管D3正極、三極管 Q3基極和電阻R4,電阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極、二極管D2負極和電阻R6,二極管 D2正極連接二極管D1正極，二極管D1負極分別連接電容C1、電阻R5、電阻R6另一端和M0S管 Q4的G極，電阻R5另一端連接二極管D3負極，電容C1另一端連接三極管Q3發(fā)射極，M0S管Q4的 S極連接輸出端Vo;所述二極管D1為穩(wěn)壓二極管;所述電源VCC電壓為12V。[0〇12] 請參閱圖1，控制信號Vi為高電平時，Q1和Q2導通，電源通過Q2、D4以及R5與C1向Q4 放電，直至Q4完全導通，Q3截止，當Q4導通時，忽略Q4的漏極和源極之間的電壓降，則Q4的源極電壓等于電源VCC電壓;控制信號Vi為低電平時，Q1和Q2均截止，Q3導通，Q4的柵-源極電壓通過R5與C1的及Q3迅速釋放，直至Q4關斷，Q4關斷時，電阻R6使其柵-源電壓為零，0V的柵-源極電壓使Q4關斷。
[0013]對于本領域技術(shù)人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0014]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種采用MOSFET的驅(qū)動電路，包括三極管Q1、電阻R1、M0S管Q4、二極管D1、電容Cl和 三極管Q2,其特征在于，所述電阻R1—端連接控制信號Vi電阻R1另一端連接三極管Q1基極， 三極管Q1發(fā)射極接地，三極管Q1集電極分別連接電阻R2和電阻R3,電阻R3另一端連接三極 管Q2基極，三極管Q2發(fā)射極分別連接電源VCC、電阻R2另一端和二極管D4正極，二極管D4負 極連接M0S管Q4的D極，三極管Q2集電極分別連接二極管D3正極、三極管Q3基極和電阻R4,電 阻R4另一端分別連接三極管Q3集電極、二極管D2負極和電阻R6,二極管D2正極連接二極管 D1正極，二極管D1負極分別連接電容C1、電阻R5、電阻R6另一端和M0S管Q4的G極，電阻R5另 一端連接二極管D3負極，電容C1另一端連接三極管Q3發(fā)射極，M0S管Q4的S極連接輸出端Vo。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于，所述二極管D1為穩(wěn)壓二 極管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于，所述電源VCC電壓為 12V〇
【文檔編號】H02M1/08GK205622490SQ201620348127
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年4月20日
【發(fā)明人】唐晨光
【申請人】唐晨光