專利名稱：一種smd石英晶體諧振器基座及加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種SMD石英晶體諧振器基座及其加工方法，屬于SMD石英晶體諧振器結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，SMD石英晶體諧振器的基座結(jié)構(gòu)有兩種，一是金屬封裝結(jié)構(gòu)多層陶瓷板上燒結(jié)可伐材料金屬環(huán)，然后平行封焊蓋板，缺點(diǎn)是價(jià)格高；二是玻璃膠封裝結(jié)構(gòu)單層陶瓷板與金屬外殼或陶瓷上蓋用玻璃膠密封，缺點(diǎn)是玻璃膠有微量氣體揮發(fā)，影響產(chǎn)品老化率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決目前SMD石英晶體諧振器現(xiàn)有基座多層陶瓷板難加工成本高，主要依靠國(guó)外加工的問(wèn)題，提供一種改善后為單層基板結(jié)構(gòu)，直接降低材料成本、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單合理、易加工、成本低的SMD石英晶體諧振器基座及加工方法。本發(fā)明的SMD石英晶體諧振器基座技術(shù)方案如下
一種SMD石英晶體諧振器基座，其特殊之處在于采用單層陶瓷基板，陶瓷基板I的四個(gè)角為弧面角14，陶瓷基板上開(kāi)通兩個(gè)有灌注導(dǎo)電材料的第一通孔5、第二通孔6，單層陶瓷基板上做金屬化進(jìn)行電極聯(lián)通；
陶瓷基板I上表面分布有在上表面外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)2、環(huán)內(nèi)左側(cè)設(shè)有一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4，環(huán)內(nèi)右側(cè)設(shè)有用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)11。陶瓷基板I下表面分布有分別與上表面的金屬環(huán)平臺(tái)2、第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4相連接的四個(gè)電極金屬涂層。陶瓷基板I上表面所設(shè)的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)2通過(guò)兩個(gè)弧面角內(nèi)側(cè)導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電邊緣12分別與陶瓷基板下表面所設(shè)的一對(duì)對(duì)角位置的電極金屬涂層即第一電極金屬涂層9、第二電極金屬涂層10導(dǎo)通連接；陶瓷基板上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4分別通過(guò)所述第一通孔5、第二通孔6灌注的導(dǎo)電材料與陶瓷基板下表面所設(shè)的另一對(duì)對(duì)角位置的電極金屬涂層即第三電極金屬涂層7、第四電極金屬涂層8導(dǎo)通連接。所述陶瓷基板I的四個(gè)弧面角14呈內(nèi)凹弧面角。所述金屬涂層是由鎢材料制成的金屬涂層。所述上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)金屬支撐平臺(tái)中的第一金屬支撐平臺(tái)3通過(guò)金屬涂層13連接至第一通孔5。所述陶瓷基板I是氧化鋁材料制成。上述本發(fā)明的SMD石英晶體諧振器基座的一種加工方法如下
I、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板I的四個(gè)角為弧面角14，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔5、第二通孔6，第一通孔5、第二通孔6內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料；
2、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層；
所述金屬涂層位于陶瓷基板I上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板I下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置；
3、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板1，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通；
4、加工金屬環(huán)，用作上表面外周環(huán)行金屬涂層相應(yīng)位置的金屬環(huán)平臺(tái)；
加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4 ；
加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)
11 ;
5、在步驟3已金屬化的陶瓷基板I上相應(yīng)金屬涂層部位燒結(jié)步驟4所加工完成的金屬環(huán)和金屬片，形成相應(yīng)的外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)2，形成環(huán)內(nèi)左側(cè)用于晶片點(diǎn)膠的一對(duì)第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4，形成環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)11。所述金屬環(huán)和金屬片為附銀銅焊料的可伐材料構(gòu)成。6、在步驟5所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成本發(fā)明的石英晶體諧振器基座。上述本發(fā)明的SMD石英晶體諧振器基座的另一種加工方法如下
1、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板I的四個(gè)角為弧面角14，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔5、第二通孔6，第一通孔5、第二通孔6內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料；
2、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層；
所述金屬涂層位于陶瓷基板I上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板I下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置；
3、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板1，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通；
4、在上表面外周環(huán)行金屬涂層上、環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層上、環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層上再次印刷金屬涂層，然后進(jìn)行烘烤燒結(jié)，形成上表面外周環(huán)行金屬涂層上的金屬環(huán)平臺(tái)2、環(huán)內(nèi)左側(cè)相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)3與第二金屬支撐平臺(tái)4、環(huán)內(nèi)右側(cè)相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)11 ；
5、在步驟4所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成本發(fā)明的石英晶體諧振器基座。本發(fā)明的石英晶體諧振器基座，采用在單層陶瓷基板上印刷金屬化涂層，再進(jìn)行釬焊燒結(jié)金屬環(huán)和金屬片或多次印刷烘烤金屬涂層，在導(dǎo)電、絕緣、支撐方面都能達(dá)到很好效果的同時(shí)，解決了原先基座多層板難加工、成本高的問(wèn)題，直接降低了材料成本，滿足石英晶體諧振器低成本、小型化的要求，產(chǎn)品推出后完全可以取代目前SMD石英晶體諧振器基座，具有廣闊的應(yīng)用前景。


圖I :本發(fā)明一種SMD石英晶體諧振器基座的上表面結(jié)構(gòu)不意 圖2 :本發(fā)明一種SMD石英晶體諧振器基座的下表面結(jié)構(gòu)不意圖。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖給出本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例I
本實(shí)施的SMD石英晶體諧振器基座，采用單層陶瓷基板，
單層陶瓷基板I的四個(gè)弧面角14均呈內(nèi)凹弧面角設(shè)計(jì)，陶瓷基板I上開(kāi)通有兩個(gè)用于灌注導(dǎo)電材料的第一通孔5、第二通孔6，陶瓷基板I上做金屬化進(jìn)行電極聯(lián)通；
陶瓷基板I上表面分布有在上表面外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)2、環(huán)內(nèi)左側(cè)設(shè)有一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4，環(huán)內(nèi)右側(cè)設(shè)有用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)11 ;
陶瓷基板I下表面分布有分別與上表面的金屬環(huán)平臺(tái)2、第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4相連接的四個(gè)電極金屬涂層；
陶瓷基板I上表面所設(shè)的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)2通過(guò)所述兩個(gè)弧面角內(nèi)側(cè)導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電邊緣12分別與陶瓷基板下表面所設(shè)的一對(duì)對(duì)角位置的第一電極金屬涂層9、第二電極金屬涂層10導(dǎo)通連接；陶瓷基板上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4分別通過(guò)所述第一通孔5、第二通孔6灌注的導(dǎo)電材料與陶瓷基板下表面所設(shè)的另一對(duì)電極金屬涂層即第三電極金屬涂層7、第四電極金屬涂層8導(dǎo)通連接；上述金屬涂層是由鎢材料制成的金屬涂層；上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)金屬支撐平臺(tái)中的一個(gè)金屬支撐平臺(tái)3通過(guò)金屬涂層13連接至第一通孔5 ;陶瓷基板是氧化鋁材料制成。本實(shí)施例的SMD石英晶體諧振器基座的加工方法技術(shù)方案如下
1、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板I的四個(gè)角為弧面角14，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔5、第二通孔6，第一通孔5、第二通孔6內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料；
2、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層；
所述金屬涂層位于陶瓷基板I上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板I下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置；
3、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板1，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通；
4、加工金屬環(huán)，用作上表面外周環(huán)行金屬涂層相應(yīng)位置的金屬環(huán)平臺(tái)；
加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4 ；
加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)11;
5、在步驟3已金屬化的陶瓷基板I上相應(yīng)金屬涂層部位燒結(jié)步驟4所加工完成的金屬環(huán)和金屬片，形成相應(yīng)的外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)2，形成環(huán)內(nèi)左側(cè)用于晶片點(diǎn)膠的一對(duì)第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4，形成環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)11。所述金屬環(huán)和金屬片為附銀銅焊料的可伐材料構(gòu)成。 6、在步驟5所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成本發(fā)明的石英晶體諧振器基座。實(shí)施例2
本實(shí)施的SMD石英晶體諧振器基座，采用單層陶瓷基板，結(jié)構(gòu)同實(shí)施例I。本實(shí)施例的SMD石英晶體諧振器基座的加工方法技術(shù)方案如下
1、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板I的四個(gè)角為弧面角14，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔5、第二通孔6，第一通孔5、第二通孔6內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料；
2、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層；
所述金屬涂層位于陶瓷基板I上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板I下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置；
3、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板1，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通；
4、在上表面外周環(huán)行金屬涂層上、環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層上、環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層上再次印刷金屬涂層，然后進(jìn)行烘烤燒結(jié)，形成上表面外周環(huán)行金屬涂層上的金屬環(huán)平臺(tái)2、環(huán)內(nèi)左側(cè)相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)3與第二金屬支撐平臺(tái)4、環(huán)內(nèi)右側(cè)相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)11 ；
本步驟根據(jù)需要可以多次印刷金屬涂層，通過(guò)烘烤形成相應(yīng)的金屬環(huán)平臺(tái)與金屬支撐平臺(tái)；
5、在步驟4所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成本發(fā)明的石英晶體諧振器基座。以上實(shí)施例的陶瓷基板做通孔填充金屬材料，以及在陶瓷基板上下表面做金屬化處理。陶瓷基板上表面燒結(jié)的金屬環(huán)第一金屬支撐平臺(tái)3、第二金屬支撐平臺(tái)4與陶瓷基板下表面化學(xué)鍍的斜對(duì)角第三電極金屬涂層7、第四電極金屬涂層8導(dǎo)通；陶瓷基板上表面外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)2與陶瓷基板下表面化學(xué)鍍的斜對(duì)角第一電極金屬涂層9、第二電極金屬涂層10導(dǎo)通。所有金屬結(jié)構(gòu)的表面均做化學(xué)鍍金層。解決了原先基座多層板難加工、成本高的問(wèn)題，直接降低了材料成本，產(chǎn)品推出后完全可以取代目前SMD石英晶體諧振器基座，具有廣闊的應(yīng)用前景。
權(quán)利要求
1.一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于采用單層陶瓷基板，陶瓷基板(I)的四個(gè)角為弧面角(14)，陶瓷基板上開(kāi)通兩個(gè)有灌注導(dǎo)電材料的第一通孔(5)、第二通孔(6)，單層陶瓷基板上做金屬化進(jìn)行電極聯(lián)通； 陶瓷基板I上表面分布有在上表面外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)(2)、環(huán)內(nèi)左側(cè)設(shè)有一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠的第一金屬支撐平臺(tái)(3)、第二金屬支撐平臺(tái)(4)，環(huán)內(nèi)右側(cè)設(shè)有用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)(11); 陶瓷基板(I)下表面分布有分別與上表面的金屬環(huán)平臺(tái)(2)、第一金屬支撐平臺(tái)(3)、第二金屬支撐平臺(tái)(4)相連接的四個(gè)電極金屬涂層。
2.按照權(quán)利要求I所述的一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于所述陶瓷基板(I)上表面所設(shè)的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)(2)通過(guò)兩個(gè)弧面角內(nèi)側(cè)導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電邊緣(12)分別與陶瓷基板下表面所設(shè)的一對(duì)對(duì)角位置的電極金屬涂層即第一電極金屬涂層(9)、第二電極金屬涂層(10)導(dǎo)通連接；陶瓷基板上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的第一金屬支撐平臺(tái)(3)、第二金屬支撐平臺(tái)(4)分別通過(guò)所述第一通孔(5)、第二通孔(6)灌注的導(dǎo)電材料與陶瓷基板下表面所設(shè)的另一對(duì)對(duì)角位置的電極金屬涂層即第三電極金屬涂層(7)、第四電極金屬涂層(8)導(dǎo)通連接。
3.按照權(quán)利要求I所述的一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于所述陶瓷基板(O的四個(gè)弧面角(14)呈內(nèi)凹弧面角。
4.按照權(quán)利要求I所述的一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于所述金屬涂層是由鶴材料制成的金屬涂層。
5.按照權(quán)利要求I所述的一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于所述上表面環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)金屬支撐平臺(tái)中的第一金屬支撐平臺(tái)(3)通過(guò)金屬涂層(13)連接至第一通孔(5)。
6.按照權(quán)利要求I所述的一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于所述陶瓷基板(O是氧化鋁材料制成。
7.權(quán)利要求1-6任一權(quán)利要求所述SMD石英晶體諧振器基座的加工方法，其特征在于包括以下步驟 1)、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板的四個(gè)角為弧面角(14)，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔(5)、第二通孔(6)，第一通孔(5)、第二通孔(6)內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料； 2)、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層； 所述金屬涂層位于陶瓷基板上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置； 3)、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通； 4)、加工金屬環(huán)，用作上表面外周環(huán)行金屬涂層相應(yīng)位置的金屬環(huán)平臺(tái)； 加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)(3)、第二金屬支撐平臺(tái)(4)； 加工金屬片，用作環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)(II)；5)、在步驟3)已金屬化的陶瓷基板(I)上相應(yīng)金屬涂層部位燒結(jié)步驟4)所加工完成的金屬環(huán)和金屬片，形成相應(yīng)的外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)(2)，形成環(huán)內(nèi)左側(cè)用于晶片點(diǎn)膠的一對(duì)第一金屬支撐平臺(tái)(3)、第二金屬支撐平臺(tái)(4)，形成環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的第三金屬支撐平臺(tái)(11); 6)、在步驟5)所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3)所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成石英晶體諧振器基座。
8.權(quán)利要求1-6任一權(quán)利要求所述SMD石英晶體諧振器基座的加工方法，其特征在于包括以下步驟 1)、采用單層陶瓷基板，陶瓷基板(I)的四個(gè)角為弧面角(14)，在單層陶瓷基板上對(duì)角位置打第一通孔(5)、第二通孔(6)，第一通孔(5)、第二通孔(6)內(nèi)均灌注導(dǎo)電金屬材料； 2)、在單層陶瓷基板上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層； 所述金屬涂層位于陶瓷基板(I)上表面分布的外周環(huán)行金屬環(huán)平臺(tái)位置，內(nèi)設(shè)的環(huán)內(nèi)左側(cè)一對(duì)用于晶片點(diǎn)膠電極平臺(tái)位置，環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的平臺(tái)位置，陶瓷基板(I)下表面分布的相對(duì)應(yīng)的四個(gè)電極金屬涂層位置； 3)、然后燒結(jié)單層陶瓷基板，形成帶金屬化金屬涂層的陶瓷基板(1)，利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通； 4)、在上表面外周環(huán)行金屬涂層上、環(huán)內(nèi)左側(cè)的一對(duì)電極金屬涂層上、環(huán)內(nèi)右側(cè)用于支撐晶片的金屬涂層上再次印刷金屬涂層，然后進(jìn)行烘烤燒結(jié)，形成上表面外周環(huán)行金屬涂層上的金屬環(huán)平臺(tái)(2)、環(huán)內(nèi)左側(cè)相應(yīng)位置的第一金屬支撐平臺(tái)(3)與第二金屬支撐平臺(tái)(4)、環(huán)內(nèi)右側(cè)相應(yīng)位置的第三金屬支撐平臺(tái)(11)； 5)、在步驟4)所燒結(jié)的上表面金屬結(jié)構(gòu)的金屬環(huán)平臺(tái)和金屬支撐平臺(tái)表面均做化學(xué)鍍金，在步驟3)所燒結(jié)的下表面金屬化金屬涂層做化學(xué)鍍金，形成石英晶體諧振器基座。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種SMD石英晶體諧振器基座，屬于SMD石英晶體諧振器結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。包括單層陶瓷基板結(jié)構(gòu)，陶瓷基板上開(kāi)通有通孔，陶瓷基板上做金屬化進(jìn)行電極聯(lián)通；陶瓷基板上表面分布有在上表面外周環(huán)行金屬涂層上燒結(jié)的金屬環(huán)平臺(tái)、環(huán)內(nèi)左側(cè)設(shè)有一對(duì)金屬支撐平臺(tái)，環(huán)內(nèi)右側(cè)設(shè)有一個(gè)金屬支撐平臺(tái)；陶瓷基板下表面分布有分別與上表面的金屬環(huán)平臺(tái)、兩個(gè)金屬支撐平臺(tái)相連接的四個(gè)電極金屬涂層。加工方法1、單層陶瓷基板上設(shè)通孔并在其上表面、下表面分別印刷各個(gè)形狀的金屬涂層；2、利用金屬化進(jìn)行上表面、下表面的電極聯(lián)通；3、加工金屬環(huán)平臺(tái)及金屬支撐平臺(tái)；4、化學(xué)鍍金。本發(fā)明能直接降低材料成本、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單合理、易加工、成本低。
文檔編號(hào)H03H9/05GK102638243SQ20121013716
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者徐良 申請(qǐng)人:煙臺(tái)森眾電子科技有限公司