專利名稱：壓電器件的制造方法、以及利用該方法制造的壓電器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種壓電器件，特別是涉及ー種實現(xiàn)具有設置于該壓電器件的外部連接端子的壓電基板的標準化的壓電器件的制造方法、以及利用該方法制造的壓電器件。
背景技術：
在手機等移動通信設備所代表的各種電子設備中使用的壓電器件，通常是用作SAW雙エ器、SAW過濾器等的聲表面波元件(統(tǒng)稱為SAW器件)。這里，以聲表面波元件作為典型例子進行說明，但是，本發(fā)明也能夠適用于其他相同的壓電器件、還適用于在絕緣性基板上搭載了功能的各種電子部件。聲表面波元件在壓電基板的一面(主面，相當于后述的實施例以及權利要求中的“另一面”)上，通常搭載由櫛齒電極所構成的IDT(inter digitaltransducer，叉指換能器)，并用頂層(密封層或者密封板)覆蓋該主面而進行封裝。在這種聲表面波元件中，在該櫛齒電極部(IDT)的周圍(通常為上層)形成規(guī)定 的中空部而通過上述的頂層(密封層或者密封板)將該上層與壓電基板一起密封，并作為封裝部件供應于需求者。在該封裝部件中，形成有用干與安裝于該壓電基板側或者頂層側的電子設備進行連接的外部連接端子。例如，如專利文獻1-3等所公開的那樣，外部連接端子在壓電基板或者頂層上設置到達櫛齒電極側(主面)的貫通孔，形成連接于該貫通孔的電極柱(貫通電極柱)，在該貫通電極柱的露出部分(與壓電基板的主面呈相反側背面)上形成有外部連接電極，在壓電基板上粘合頂層而密封之后，在上述的外部連接電極上設置金(Au)凸起或者焊錫凸起而與外部電路的端子連接。下面，也有將上述的外部連接電極稱作外部連接端子的情況。另外，具體地說，使各向異性導電膜或者焊錫球等介于外部端子與安裝設備或器件的連接端子之間，而進行壓接或者加熱壓接。此外，在這種壓電器件中，在壓電基板的主面上設置再配線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)CTC (Chip to Chip，芯片對芯片)、CTW(Chip to Wafer，芯片對晶片)、WTW(Wafer to Wafer,晶片對晶片)等3D層置。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2007-81867號公報專利文獻2 日本特開2009-225256號公報專利文獻3 :日本特開2010-10812號公報

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明要解決的問題)在現(xiàn)有的壓電器件的制造方法中，將用于同時形成多個器件的壓電母基板(也稱作集合基板，晶片)與頂層粘合而密封，并在封裝之后，形成外部連接端子。在這種制造方法中，對密封完的元件的外部連接端子形成エ序中的IDT電極部等的元件中樞部分的熱負荷所引起的特性劣化、對元件構成層的損壞等、以及壓電器件的正品率下降自不必說，從實現(xiàn)能夠向具有類似構造的其他類型的電子部件轉(zhuǎn)用的外部連接端子構造這一元件部件的標準化來說也變得更遙遠，實現(xiàn)通用性也困難。本發(fā)明的目的在于提供一種不會使在外部連接端子的形成エ序中的聲表面波元件等壓電器件的特性劣化和成品率下降、且不限于將IDT作為構成條件，能夠適用于使用類似的絕緣性基板的具有類似構造的其他的電子元件，實現(xiàn)通用性的聲表面波元件的制造方法，以及利用該方法制造的聲表面波元件等的壓電器件。(用于解決技術問題的手段)為了達到上述目的，本發(fā)明在將聲表面波元件密封于封裝件之前，在搭載由該元件的IDT電極部構成的元件中樞部分的壓電母基板(晶片)上，預先設置成為外部連接端子的電極構造，在元件中樞部分形成后，與頂層一起進行封裝密封。之后，將用于向電子設備安裝或者與其他的元件連接的金凸起或者焊錫凸起設置于所述電極并進行安裝。另外， 在本發(fā)明的壓電器件中，在壓電母基板的主面上設置再配線層，能夠與3D構造相對應。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠抑制由制造過程中的エ序條件所引起的聲表面波元件的特性劣化、或者正品率的下降，同時附帶有構成聲表面波元件(利用該制造方法制造)的外部連接端子形成用的電極(貫通電極柱)的壓電基板的構造，能夠適用于具有使用類似絕緣性基板的類似構造的其他的電子元件，所謂的提高部件通用性的標準化變得容易。結果，不僅是聲表面波元件，也能夠?qū)崿F(xiàn)具有類似構造的各種電子元件的低成本化。


圖I為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的エ序流程的概況的流程圖。圖2為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的基本的エ序流程的圖I的續(xù)圖。圖3為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的基本的エ序流程的圖2的續(xù)圖。圖4為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的壓電母基板的說明圖。圖5為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的流程圖。圖6為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖5的續(xù)圖。圖7為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖6的續(xù)圖。圖8為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖7的續(xù)圖。圖9為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖8的續(xù)圖。圖10為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖9的續(xù)圖。圖11為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I的エ序流程的圖10的續(xù)圖。圖12為由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I制造的聲表面波元件的說明圖。圖13為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2的主要部分的エ序流程的流程圖。圖14為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2的主要部分的エ序流程的圖13的續(xù)圖。圖15為說明由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2制造的聲表面波元件的模式剖面圖。圖16為以晶片階段中的構成例說明由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2制造的聲表面波元件的模式剖面圖。
具體實施方式

以聲表面波元件的制造為例，對本發(fā)明的壓電器件的制造方法進行說明。在本發(fā)明所涉及的聲表面波元件的制造方法中，現(xiàn)有技術是將在制造エ序的最終階段形成的作為外部連接端子的貫通電極柱等的電極構造在制造エ序的初期階段形成，將該電極作為外部連接端子。圖I至圖3為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的エ序流程的概念的圖。在圖I中，首先，在清洗了表面的集合基板即作為壓電母基板的晶片的一面(背面元件的外部連接端子形成面)上形成感光性樹脂層(下面，稱作光致抗蝕劑層，或者僅稱作抗蝕劑)(步驟100，下面記述為S-100)。光致抗蝕劑層也可以是光致抗蝕劑片材的粘接，或者光致抗蝕劑溶液的涂布的任ー種。在下面的光致抗蝕劑形成エ序中也ー樣。通過具有貫通壓電母基板而從一面(背面)貫通于另一面(主面由成為元件的中樞部分的櫛齒電極所構成的IDT電極部形成面)的貫通孔的開孔圖案的曝光掩膜，將光致抗蝕劑進行曝光并顯影，從而形成抗蝕劑開孔圖案(S-200)。接著，通過抗蝕劑開孔圖案而進行噴砂處理，形成用干與外部連接端子連接的貫通孔(S-300)。在噴砂處理中，開孔的直徑在背面?zhèn)却螅谥髅鎮(zhèn)刃?。另外，在本實施例中，在貫通孔的形成中采用噴砂法，但是，也可以是其他已知的加工法。上述是貫通孔形成エ序。在貫通孔形成后，除去光致抗蝕劑層，在壓電母基板的主面上粘合或者涂布保護薄膜，在該壓電母基板的背面上將后續(xù)エ序中的用于形成電鍍層的晶種層進行濺射(S-400)。在晶種層上形成光致抗蝕劑層，通過曝光掩膜而進行曝光并顯影，從而形成外部連接端子用的抗蝕劑開孔圖案(S-500)。在圖2中，覆蓋外部連接端子用的抗蝕劑開孔圖案而進行導電材料的電鍍。在該電鍍中，電解電鍍最適合。此時，以充滿貫通孔的內(nèi)部而成為到達主面出口的柱狀的方式進行電鍍(S-600)。在壓電母基板的背面中的抗蝕劑開孔圖案之間所電鍍的部分，為作為外部連接端子的電極。接著，除去光致抗蝕劑。此時，位于光致抗蝕劑層上的電鍍層也與光致抗蝕劑層ー起通過提離(リフトォフ)被除去。接著，進行蝕刻而除去殘留于在壓電母基板的背面相互鄰接的部分的電鍍層(S-700)。在該蝕刻中，濕式蝕刻最適合，上述是貫通電極柱/外部連接電極形成エ序。接著，在壓電母基板的主面形成光致抗蝕劑層，通過曝光掩膜而進行曝光并顯影，從而形成由與櫛齒電極的形成位置相對應的開孔構成的抗蝕劑開孔圖案(S-800)。在抗蝕劑開孔圖案上蒸鍍櫛齒電極用的金屬層(鋁等)。金屬層形成于抗蝕劑開孔圖案的開孔的底部、即壓電母基板的主面和抗蝕劑上。在該金屬層蒸鍍后，采用使光致抗蝕劑膨漲的剝離劑將抗蝕劑層從壓電母基板面剝離，進行提離。光致抗蝕劑上的金屬層與光致抗蝕劑層一起被除去，僅保留蒸鍍于壓電母基板的主面上的金屬層，形成櫛齒電極(S-900) ο上述是ホ節(jié)齒電極形成エ序。在圖3中，在壓電母基板的主面上，覆蓋上述櫛齒電極而形成絕緣性薄膜(SiO2等)的保護膜，在其上設置外圍壁形成用的光致抗蝕劑層，并通過在外圍壁的配置位置具有開孔圖案的曝光掩膜進行曝光并顯影，從而在元件中樞部分的周圍形成由光致抗蝕劑層構成的外圍壁(S-1000)。 以在該外圍壁上形成蓋子的方式，將由與外圍壁形成用的光致抗蝕劑層相同的抗蝕劑的片材(或者抗蝕劑薄膜)構成的頂層粘合而密封，在各外圍壁之間的空間中得到具有由櫛齒電極構成的中樞部分的多個聲表面波元件。最后，從壓電母基板(晶片)分割成單個的兀件，而形成通過外圍壁將壓電基板與頂層一體封裝的各個聲表面波兀件(S-1100)。上述是密封/分離エ序。另外，在櫛齒電極形成后，在壓電母基板的主面上形成保護櫛齒電極的保護膜，能夠通過光致抗蝕劑的形成和采用曝光掩膜的曝光顯影處理，即光刻法、以及金屬層的蒸鍍、提離，從而設置再配線。下面，使用附圖對本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例進行說明。另外，在各個步驟中，將通過感光性樹脂的曝光/顯影而形成的樹脂圖案記載成貫通開孔樹脂圖案、外部端子開孔樹脂圖案、櫛齒開孔樹脂圖案等。圖4為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的壓電母基板的說明圖。粗箭頭所示的聲表面波元件I在壓電母基板2上形成多個其元件中樞部分(IDT部分)，由頂層覆蓋，并將其分割而形成各個元件。在圖4中，符號I表示聲表面波元件(在分割后成為各個元件)。符號14A表示中樞部分(IDT部分)，7A表示外部連接端子，2A表示各個聲表面波元件的壓電基板。(實施例I)圖5至圖11為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I所涉及的エ序流程的流程圖。參照圖5至圖11的符號順序(a)、(b)…而按エ序順序?qū)Ρ緦嵤├婕暗穆暠砻娌ㄔ闹圃旆椒ㄟM行說明。在圖5中，(a)準備表面清洗后的作為集合基板的壓電母基板2作為晶片。壓電母基板2由鉭酸鋰(LiTaO3)或者鈮酸鋰(LiNbO3)等無機材料構成。粗箭頭表示在分割后成為聲表面波元件的部分。(b)在完成的元件中，將第一感光性抗蝕劑(第一光致抗蝕劑)層3形成于背面(成為向搭載設備等的安裝面)即該壓電基板的背面。該第一光致抗蝕劑層3通過將光致抗蝕劑片材(薄膜狀的光致抗蝕劑)粘貼在該壓電母基板2的背面，或者將抗蝕劑溶液涂布于該壓電母基板的背面而形成。這對于在下面的各エ序中的抗蝕劑的形成也一祥。在本實施例中，采用旭化成公司制的抗蝕劑片材“商品號CX-8040”。
通過具有設置于壓電母基板的貫通孔的開孔圖案的曝光掩膜4，利用紫外線(UV)5的照射將第一光致抗蝕劑層3進行曝光(c)并顯影，從而形成抗蝕劑開孔圖案3A(d)。本實施例中使用的光致抗蝕劑為曝光部分可溶于顯影液類型的抗蝕劑(正型光致抗蝕劑)。在使用曝光部分不溶于顯影液類型的光致抗蝕劑(負型光致抗蝕劑)的情況下，曝光掩膜的開孔圖案形成與上述的曝光掩膜相反的開孔圖案。在下面的エ序中也一祥。另夕卜，作為顯影液采用碳酸鈉溶液。在圖6中，從抗蝕劑開孔圖案3A側實施利用噴砂6的處理(e)，形成從設置于壓電母基板2的背面的外部連接端子形成面貫通到設置由櫛齒電極構成的元件中樞部分的主面的貫通孔7。用于噴砂的砂粒采用500號。在貫通孔7形成后，除去光致抗蝕劑圖案3A(f)，將保護薄膜8粘貼在壓電母基板2的主面上(g)。在本實施例中，作為該保護膜8采用聚酰亞胺薄膜。此外，在壓電母基板2的背面上，通過濺射形成用于確保與電鍍金屬的良好粘接性的晶種層9(h)。晶種層9將膜厚為750埃(A)的TiW進行濺射后，同樣將Cu進行濺射而形成膜厚為4000人。
在圖7中，在將晶種層9進行濺射后的壓電母基板2的背面上，形成與所述第一光致抗蝕劑相同材料的第二感光性樹脂(第二光致抗蝕劑)層10(i)，通過具有外部連接端子用的電極圖案的曝光掩膜11，利用紫外線5進行曝光并顯影，從而形成外部連接端子用的抗蝕劑開孔圖案10A(j)。在本實施例中，第二光致抗蝕劑層10也為正型光致抗蝕劑。在形成抗蝕劑開孔圖案IOA的面上，通過電解電鍍將Cu形成為20微米(μ m)以上的膜厚，從而形成外部連接用端子7A。關于外部連接用端子7A的膜厚，在使焊錫球位于安裝點的端子而進行壓接時能夠不受損壞地確保電導通程度的厚度是必要的，因此，設為20微米以上。在該Cu電鍍上以Ni-B電鍍和Pd電鍍以及金(Au)電鍍這個順序?qū)嵤?k)，剝離除去抗蝕劑開孔圖案10A，之后，將殘留在除了背面的外部連接用端子7A的下層以外的部分上的晶種層9進行蝕刻除去(I)。在圖8中，將形成于壓電母基板2的主面上的保護薄膜8剝離，制成具備貫通孔和外部連接用端子的電極的壓電母基板(晶片)2 (m)。在壓電母基板2的主面上涂布第三感光性樹脂(第三光致抗蝕劑)層12 (η)。作為該第三光致抗蝕劑層12，采用將紫外線照射部分硬化而成為不溶于顯影液的正型光致抗蝕劑(例如，ヘキス卜公司制的商品名“ΑΖ5214Ε”)。通過在櫛齒電極的電極位置13Α具有開孔的第三曝光掩膜13，從而利用紫外線5將第三光致抗蝕劑層12進行曝光(ο)。在圖9中，將曝光后的第三光致抗蝕劑進行顯影，而形成櫛齒電極的電極形成位置的光致抗蝕劑被除去的光致抗蝕劑圖案12Α(ρ)。從光致抗蝕劑圖案12Α上蒸鍍鋁(Al)薄膜14作為電極用金屬膜(q)。之后，通過采用剝離劑的提離而除去光致抗蝕劑圖案12 (r)。在該光致抗蝕劑12A除去吋，蒸鍍于其上的鋁薄膜14也一起被除去，元件中樞部分上保留蒸鍍于壓電母基板2的主面上的鋁薄膜，其成為櫛齒電極14A。另外，在櫛齒電極14的端部上也同時形成有信號輸入輸出所需的端子14B(s)。在圖10中，將SiO2涂布于形成櫛齒電極14A的壓電母基板2的主面上作為保護膜15(t)。在保護膜15上形成第四感光性樹脂(第四光致抗蝕劑)層16。采用在外圍壁形成部分上具有開孔圖案的曝光掩膜17而實施紫外線(UV) 5曝光，進行曝光(U)并顯影，從而形成外圍壁16A(v)。在本實施例中，作為第四光致抗蝕劑層16，使用負型光致抗蝕劑(例如，東京應化公司的商品名“TMMR-S2000”)。在圖11中，覆蓋壓電基板2的主面上，并將樹脂片材或者樹脂薄膜的頂層18載置于外圍壁16A上而進行密封(w)。作為頂層18，通過采用與外圍壁16A同類的樹脂片材，從而與外圍壁16A的接合性良好。但是，確保搭載IDT的中空部是重要的，頂層18必須是在頂層18的密封エ序中的熱壓接中避免中空部的壓碎或壓壞，并在回流エ序中耐熱的材料。為此，在本實施中，作為頂層，采用將玻璃的微小箔片、所謂玻璃薄片作為填料混入的樹脂片材。樹脂材料能夠使用耐熱且硬質(zhì)的樹脂，例如聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂等、還有這些的高密度化樹脂。此外，混入樹脂的填料并不限定于上述的玻璃薄片，也可以采用水晶的微小薄片、陶瓷的微小薄片、聚碳酸酯的微小薄片等硬質(zhì)、耐熱材料。另外，除了薄片形狀以外，也可以采用例如珠子狀、纖維狀的填料，但是，在本發(fā)明人的試制實驗中，薄片狀的填料得到了最好的結果。
頂層18的材料并不限定于將上述樹脂作為母材，也可以采用玻璃板或陶瓷板等単一絕緣性的片材。通過切割將這樣制作的壓電元件基板(晶片，即集合基板)2分割成單個的元件，從而形成多個聲表面波元件。圖12為由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例I制造的聲表面波元件的說明圖，圖12(a)是表示整體構造的剖面圖，圖12(b)是說明圖12(a)的頂層構成的模式圖。在圖12(a)中，單個分割而所得到的聲表面波元件I在壓電基板2A的主面上具有構成元件中樞部分的櫛齒電極(IDT) 14A，在其兩端具有信號輸入輸出端子14B。在從壓電基板2A的主面到達背面的貫通孔7中形成有電鍍的貫通電極柱7B。該貫通電極柱7B的主面?zhèn)扰c信號輸入輸出端子14B連接，背面?zhèn)扰c外部連接端子7A連接。覆蓋具有設置于壓電基板2A的主面的櫛齒電極和其信號輸入輸出端子14B的元件中樞部分，而形成保護膜15。在壓電基板2A的主面的周圍，在保護膜15上經(jīng)由外圍壁16A設置頂層18A，并作為封裝件進行密封。圖12(b)所示的頂層18A采用將微小玻璃薄片181作為填料混入在本實施例中作為母材的高密度環(huán)氧樹脂180中的樹脂片材。微小玻璃薄片的尺寸設為在長軸方向為6 μ m-150 μ m程度、厚度為O. I μ m_0. 5 μ m程度是最適合的。填料相對于母材的混入比以體積比設為10% -65%程度是最合適的。另外，玻璃薄片的尺寸和相對于母材的混合比是根據(jù)聲表面波元件的尺寸，具體地說，母材的尺寸和厚度、上述中空部的容積、頂?shù)母叨鹊龋M行適當選擇的事項。這樣，由于在將聲表面波元件密封于封裝件之前，在搭載由該元件的IDT電極部所構成的元件中樞部分的壓電基板上，預先設置成為外部連接端子的電極構造，在元件中樞部分形成后，與頂層一起進行封裝密封，因此，可抑制由制造過程中的エ序條件所引起的聲表面波元件的特性劣化、或者正品率下降。(實施例2)圖13至圖14為說明本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2的主要部分的エ序流程的流程圖。在本實施例中，圖13中通過說明上述實施例I的圖9的步驟(s)而形成櫛齒電極14A和其信號輸入輸出端子，并通過圖10的步驟(t)而在壓電母基板2的主面上形成保護膜15為止，與實施例I相同。下面，按圖13的符號(t’)、(u’)、(ゲ)至圖14的符號(x)-(z)的順序進行說明。在圖13中，(t’ )在將保護膜15形成于壓電母基板2的主面的壓電母基板2的主面上，形成第五光致抗蝕劑層19。在本實施例中，采用正型抗蝕劑作為該光致抗蝕劑19。通過具有包括櫛齒電極的全部和其信號輸入輸出端子的一部分以外的大小的開ロ的第五曝光掩膜20，而利用紫外線(UV)將光致抗蝕劑19進行曝光。接著，通過顯影除去光致抗蝕劑19的被曝光的部分(u’)，使殘留的光致抗蝕劑圖案19A在250°C下進行I小時的烘焙而使其硬化(V’)。在圖14中，將從硬化后的光致抗蝕劑露出的保護膜15進行干式蝕刻而除去(X)。在本實施例中，在該干式蝕刻中采用CF4和O2的混合氣體，進行10分鐘蝕刻處理。由此，在壓電母基板(晶片)上鄰接的信號輸入輸出端子的一部分(從光致抗蝕劑溢出的部分)的保護膜15被除去。
在除去從硬化的光致抗蝕劑露出的保護膜15的主面上將Cr (鉻)和Al (鋁)依次蒸鍍而形成再配線用的Cr/Al金屬膜21(y)。之后，將光致抗蝕劑圖案19A提離，而與蒸鍍于上層的Cr/Al層21 —起除去(z)。由此，形成將在壓電母基板(晶片)上鄰接的信號輸入輸出端子的一部分(從光致抗蝕劑溢出的部分)連接的作為再配線層(后述的圖15中的再配線層23)的金屬膜部分21A。圖15為說明由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2制造的聲表面波元件的模式剖面圖。單個分割而所得到的聲表面波元件I在壓電基板2A的主面上的櫛齒電極14A的兩端具有信號輸入輸出端子14B。具有連接于該信號輸入輸出端子14B的配線層。該配線層(在上述圖14中所形成的金屬膜部分21A)為再配線層23。此外，在從壓電基板2A的主面到達背面的貫通孔中形成有電鍍的貫通電極柱7B。該貫通電極柱7B的主面?zhèn)扰c信號輸入輸出端子14B連接，背面?zhèn)扰c外部連接端子7A連接。在連接設置于壓電基板2A的主面上的柿齒電極14A與信號輸入輸出端子14B的再配線層23上，形成有保護膜15。在壓電基板2A的主面的周圍，在保護膜15上經(jīng)由外圍壁16A設置頂層18A，并作為封裝件進行密封。這樣，由于在將聲表面波元件密封于封裝件之前，在搭載由該元件的IDT電極部和再配線層23所構成的元件中樞部分的壓電基板上，預先設置成為外部連接端子的電極構造，在元件中樞部分形成后，與頂層一起進行封裝密封，因此，可抑制由制造過程中エ序條件所引起的聲表面波元件的特性劣化、或者正品率下降。圖16為說明由本發(fā)明的聲表面波元件的制造方法的實施例2制造的聲表面波元件的在晶片階段中的構成例的模式剖面圖。使焊錫球26介于形成在壓電母基板2的主面上的再配線層23與另外的壓電母基板(晶片)24的再配線層25之間，進行壓接或者加熱壓接。粗箭頭所示的聲表面波元件I將其元件中樞部分(IDT部分)在壓電母基板2上形成多個，用頂層覆蓋，并將其分割而形成各個元件。另外，也可以在形成于壓電母基板2的主面的再配線層25上設置用于緩和應カ的凸起，并使焊錫球26介于該凸起與另外的基板晶片24的再配線層25之間，而進行壓接或者加熱壓接。作為該凸起23，可以使用銅(Cu)層。在上述各安裝例中，另外的基板晶片24也可以是構成本發(fā)明所涉及的聲表面波元件的壓電母基板、或者其他相同的基板晶片、半導體裸芯片、其他的元件基板或者其他的元件。通過采用這樣的構造，從而能夠容易地實現(xiàn)所謂3D層疊等的高密度元件。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性) 只要為設置貫通于基板的孔，并具有用于進行與外部連接端子或者另外的基板等電連接的通孔等孔的電子部件，并不限定于壓電器件，能夠適用于各種電子器件。
權利要求
1.一種壓電器件的制造方法，包括貫通電極柱/外部連接電極形成エ序、櫛齒電極形成エ序、以及密封/分離エ序，所述壓電器件的制造方法的特征在干， 所述貫通電極柱/外部連接電極形成エ序由以下構成 在集合基板的一面上形成感光性樹脂層，通過曝光掩膜將所述感光性樹脂層進行曝光并顯影，從而形成貫通開孔樹脂圖案的步驟； 將所述貫通開孔樹脂圖案的開孔部分進行加工，形成貫通所述集合基板并從所述一面到達另一面的貫通孔的步驟； 在所述貫通孔形成后，除去所述貫通開孔樹脂圖案的樹脂層的步驟； 在所述集合基板的所述另一面上設置保護薄膜，并在所述集合基板的所述一面上將用于形成后續(xù)エ序中的電鍍層的晶種層進行濺射的步驟； 在所述晶種層上形成感光性樹脂層，并通過曝光掩膜將所述感光性樹脂層進行曝光井顯影，從而形成外部連接端子用的外部端子開孔樹脂圖案的步驟； 通過以覆蓋所述外部連接端子用的外部端子開孔樹脂圖案并充滿所述貫通孔的內(nèi)部而形成到達主面出口的柱狀的方式,進行導電材料的電鍍,從而形成成為外部連接端子的電極的步驟； 將所述外部端子開孔樹脂圖案與位于其上的電鍍層一起除去的步驟； 將在所述集合基板的所述一面中殘留于相互鄰接的部分上的電鍍層除去的步驟； 所述櫛齒電極形成エ序由以下構成 在所述集合基板的所述另一面上形成感光性樹脂層，通過曝光掩膜進行曝光并顯影，從而形成具有與構成壓電器件的中樞部分的櫛齒電極的形成位置相對應的開孔的櫛齒開孔樹脂圖案的步驟； 在所述櫛齒開孔樹脂圖案上蒸鍍所述櫛齒電極用金屬層的步驟； 在所述櫛齒電極用金屬層的蒸鍍后，將所述櫛齒開孔樹脂圖案與其上的金屬層一起除去的步驟； 所述密封/分離エ序由以下構成 在所述集合基板的所述另一面上，在覆蓋由所述櫛齒電極構成的中樞部分而形成絕緣性薄膜的保護膜之后，在其上設置感光性樹脂層，通過在外圍壁的配置位置上具有開孔圖案的曝光掩膜進行曝光并顯影，從而在元件中樞部分的周圍形成由樹脂層構成的外圍壁的步驟； 以在所述外圍壁上形成蓋子的方式，將由樹脂構成的頂層粘合而密封，在各外圍壁之間的空間中形成具有由櫛齒電極構成的中樞部分的多個壓電器件，從該集合基板分割成單個的壓電器件，通過外圍壁將壓電基板與頂層一體進行封裝，從而形成多個壓電器件的步驟。
2.根據(jù)權利要求I所述的壓電器件的制造方法，其特征在于包括 在所述櫛齒電極形成エ序中的櫛齒電極形成后，覆蓋該櫛齒電極而形成絕緣性的保護膜，通過具有配線層的開孔樹脂圖案的曝光掩膜進行曝光并顯影，而形成在架設于所述櫛齒部分與該櫛齒電極的端子部分的保護膜上具有開孔的配線開孔樹脂圖案的步驟； 在通過蝕刻除去開孔部分的所述保護膜之后，蒸鍍用于形成配線層的金屬膜的步驟； 將架設于所述櫛齒電極的端子部分的配線層保留，并除去所述配線開孔樹脂圖案的樹脂以及其上的金屬膜而形成配線層的步驟； 其后，形成所述外圍壁，以在該外圍壁上形成蓋子的方式，將由樹脂構成的頂層粘合而密封，在各外圍壁之間的空間中形成具有由櫛齒電極構成的中樞部分的多個壓電器件，從該集合基板分割成單個的壓電器件，通過外圍壁將壓電基板與頂層一體進行封裝，從而形成多個壓電器件的步驟。
3.根據(jù)權利要求2所述的壓電器件的制造方法，其特征在于包括 在將架設于所述櫛齒電極的端子部分的配線殘留并除去所述配線開孔樹脂圖案的樹脂以及其上的金屬膜而形成配線層之后，將該配線層作為再配線層，在該配線層上通過焊錫球與頂層或者另外的集合基板的再配線層連接的エ序。
4.根據(jù)權利要求2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述配線層為鉻(Cr)和鋁(Al)的蒸鍍膜。
5.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述晶種層為TiW。
6.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述貫通孔的加工為噴砂法。
7.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述貫通電極柱/外部連接電極形成エ序中的電鍍?yōu)殡娊怆婂?，所述蝕刻為濕式蝕亥IJ。
8.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述櫛齒電極形成エ序中的所述櫛齒電極用的金屬層為鋁的蒸鍍膜。
9.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述櫛齒電極形成エ序中的所述櫛齒電極用的金屬層形成于所述開孔樹脂圖案的開孔的底部和該開孔樹脂圖案上。
10.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述密封/分離エ序中的所述保護膜覆蓋由所述櫛齒電極構成的中樞部分而形成。
11.根據(jù)權利要求2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述保護膜為Si02。
12.根據(jù)權利要求I或2所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 所述密封/分離エ序中的所述頂層為與所述外圍壁形成用的感光性樹脂層相同樹脂的片材或者薄膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的壓電器件的制造方法，其特征在干， 作為所述頂層，使用將玻璃薄片作為填料混入的樹脂的片材或者薄膜。
14.一種壓電器件，具有壓電基板和頂層、以及外圍壁，其中所述外圍壁設置于在所述壓電基板上具有的中樞部分的周圍并插入所述頂層之間，所述壓電器件特征在干， 在所述壓電基板的一面上具備到達該壓電基板的另一面的貫通孔， 形成通過所述貫通孔而連接所述一面與所述另一面的貫通電極柱， 在所述壓電基板的另一面上具備構成所述中樞部分的櫛齒電極、和連接于該櫛齒電極的兩端的信號輸入輸出端子， 在所述貫通電極柱的所述一面上連接有外部連接端子。
15.一種壓電器件，具有壓電基板和頂層、以及外圍壁，其中所述外圍壁設置于在所述壓電基板上具有的中樞部分的周圍并插入所述頂層之間，所述壓電器件特征在干， 在所述壓電基板的一面上具備到達該壓電基板的另一面的貫通孔， 形成通過所述貫通孔而連接所述一面與所述另一面的貫通電極柱， 在所述壓電基板的另一面上具備構成所述中樞部分的櫛齒電極、和連接于該櫛齒電極的兩端的信號輸入輸出端子以及再配線用的配線層， 在所述貫通電極柱的所述一面上連接有外部連接端子。
16.根據(jù)權利要求14或15所述的壓電器件，其特征在于，所述頂層為將玻璃薄片作為填料混入的樹脂的片材或者薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不會使在外部連接端子的形成工序中的壓電器件的特性劣化和成品率下降、且實現(xiàn)了外部連接端子的通用性的制造方法，以及利用該方法制造的壓電器件。在將壓電器件(1)與頂層(18A)一起密封并進行封裝之前，在搭載該元件中樞部分(14A)的基板(2A)上，預先設置成為外部連接端子(7A)的電極構造，在元件中樞部分(14A)形成后，與頂層(18A)一起密封并進行封裝。在基板的主面上設置再配線層，能夠使本發(fā)明的壓電器件與3D構造相對應。
文檔編號H03H3/02GK102739180SQ20121007174
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權日2011年3月30日
發(fā)明者津田稔正 申請人:日本電波工業(yè)株式會社